JPS6228717A - 液晶表示装置の駆動方法 - Google Patents

液晶表示装置の駆動方法

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JPS6228717A
JPS6228717A JP17044085A JP17044085A JPS6228717A JP S6228717 A JPS6228717 A JP S6228717A JP 17044085 A JP17044085 A JP 17044085A JP 17044085 A JP17044085 A JP 17044085A JP S6228717 A JPS6228717 A JP S6228717A
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Yutaka Ishii
裕 石井
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉 本発明は、キラル・スメクチックC相液晶等の強誘電性
を示す液晶を用いる強誘電性液晶表示装置の駆動方法に
関するものである。
〈発明の背景〉 現在、最も広く用いられている液晶表示装置の動作モー
ドは、ツィステッド・ネマチック電界効果型であるが、
応答時間が10mS (ミリ秒)以上と遅いことが短所
である。最近、その欠点を克服するための動作モードの
一つとして、強誘電性を示すキラル・スメクチックC相
液晶を利用した光スイツチング素子(5urface 
−5tabilizedFerroelectric 
Liquid −Crystal Display:以
下5SF−LCDと略t)が、N、A、 C1arkと
S、T。
Lagerwallによって、Appl、 Phys、
 Leff、。
36.899(1980)に公表された。5SF−LC
Dは、薄い液晶セル内においては、印加電界の極性と液
晶の自発分極との相互作用によって、これら液晶の配向
方向のセル面内方位角が制御できることに基づくもので
ある。
この動作モードの原理を簡単に第3図及び第4図ととも
に説明する。第3図(A)は電界印加時の5SF−LC
Dセルの断面を示したもので1はガラス基板、2は透明
電極、3は液晶分子、4は偏光子、5は検光子、6は外
部光である。セル内部の電界は図中の上から下に向って
いる。この電界に対して、液晶分子3の双極子モーメン
トは矢印のように配列する。第3図(I3)はこの状態
の分子配向をセル面に垂直な方向から見た図であるが、
液晶分子3はその配列格子面の垂線から角度θだけ傾い
ている。このセルを第3図IB)に記した角度配置でク
ロスニコル中に配置すると光は遮断され、暗状態を表示
する。
次に、印加電界の極性を反航ニすると第4図(Alに示
したように液晶分子はその双極子モーメントを反転させ
、同時に第4図(13)に示したようにセル面内での方
位角を変えて一〇だけ傾く。この状態では、液晶層を通
過した光は、正常光と異常光との間に位相差が生じるた
め、直線偏光は楕円偏光となり検光子5を通過する光成
分が生じ、明状態を表示する。
このように5SF−LCDの表示状態は、液晶層の光軸
とクロスニフルの配置の角度関係及び印加電界の極性の
2つの要素により決定される。以下の説明では明状態を
表示する電界極性を正とする。
5SF−LCDは、メモリ効果を示す。すなわち、第5
図に示したように、正と負のパルス状の電界によって明
暗状態はスイッチングした後に電圧をOvにしても、そ
れぞれの明暗状態がそのまま保持される。これをメモリ
効果と称す。
5SF−LCDの応答時間では、前述の文献によれば τにη/PSIIE  ・・・・・・・・・・・・・・
・ (11(ここ゛にηとPsはそれぞれ液晶材料の粘
度と自発分極を表わし、Eは電界強度を表す。)という
式で表わされている。印加電界と応答時間はあらゆる電
界強度(E)lこわたって常に式(1)の関係に従って
いる訳ではないが、低い電圧でも長時間印加すれば表示
状態が変化する可能性がある点には注意を要する。
本発明の駆動方法が適用される動作モードは、上に述べ
たように液晶分子配向のセル面内での方位角が印加電界
の極性(こよって制御することができ、またそれがメモ
リー効果を有するものであれば良く、表示を行なうため
の光学的現象を特定するものではない。表示セルは透過
型の構成のみ1よらず反射型の構成でも同様に適用され
る。また、強誘電性液晶に二色性色素を溶解したゲスト
ホスト液晶を用いて、吸光係数が入射光の偏光角度によ
って異なるという現象を利用するものであってもよい。
従来公知の大容量表示5SF−LCDのマルチプレック
ス駆動波形は、原理的に第5図へ)に示したような正負
が対称となる交流波形を基本としている。前述したよう
に本来5SF−LCDにおいては正または負の電圧印加
によってスイッチングされ、その後はメモリー効果の利
用により表示状態が保持される。しかし、マトリクス状
の電極構成のS S F−LCDを正または負の直流パ
ルスでマルチプレックス駆動しようとすると非選択絵素
にも不可避的に直流バイアスが印加されるため、既に書
き込んだ表示状態が乱され失なわれる。そこで、第5図
(Alに示したように、正のパルスt32と負のパルス
t35それぞれの直前に負の補償パルス’31と正の補
償パルスt34を付加することとし、直流成分の無い交
流波形で表示状態をスイッチングすればバイアス波形も
交流になる。その具体的fs例を第6図に示す。
第6図tA+は走査電極の電圧波形Vx 、同の)は信
号電極の電圧波形vY  、同FC)は絵素の液晶に印
加される電圧波形VXVY、同(Diは透過光強度の変
化である。各電極へ供給する電圧のレベルはa≧3とし
たl / aバイアス法に従うレベル1こ設定されてい
る。また、t41の期間とt4゜の期間は波形の位相1
80°異なっており、これによって、消去と書込みを選
別する。このような交流の駆動波形によって、表示内容
を乱さないバイアス波形が得られ、5SF−LCDのメ
モリー効果を大容量表示に利用することが慨ね可能とな
る。
しかしながら、この完全な正負対称の交流駆動波形では
、実用に耐え得る品位の表示はできないのが現状である
。すなわち、駆動波形の諸パラメータ(ピーク電圧、バ
イアス電圧、パルス幅)を最適化しても、なお動作マー
ジンが狭いため(こ、1回の走査では書き込みが不充分
な部分が残る等の現象で見られた。
〈発明の目的〉 本発明は5SF−LCDの駆動において、液晶層に電圧
を印加する絵素電極間1こ発生する駆動波形が交流電圧
に一定の直流電圧vos (vos\0)の重畳された
波形となるような駆動電圧を電極に供給することにより
、動作マージンの拡大、メモリー特性の改善、書込み時
間の短縮等を図った新規な駆動方法を提供することを目
的とする。
〈発明の原理、と作用〉 本発明は5SF−LCDが明→暗、暗→明とスイッチン
グする過程が従来考えられていたような正負対称なもの
ではなく、LCD内部に直流バイアスが存在するという
新たな事実を実験結果として見い出したことに基いて創
作されたものである。
以下この新事実とその駆動法への利用について説明する
まず、スイッチング過程とメモリー状態を透過光強度の
変化で観察するにあたって、5SF−LCDの分子の動
きに伴なう光軸の変化の対称性が、透過光強度の変化に
偏りなく反映されるように第1図(A+に示した角度配
置で5SF−LCDセルをクロスニコル中に配置した。
すなわち、スメクチック相の層法線jが偏光子の偏光軸
Fとω−22,5゜の角度を為すようにセルを配置する
。検光子の偏光軸Xは偏光子の偏光軸fと直交している
。また明状態での液晶のディレクタ0と暗状態での液晶
u のディレクタ0はスメクチックC相での分子のチD ルト角θだ゛けヲから逆向きにねじれている。このよう
に構成すれば明→暗、暗→明のスイッチング過程で分子
の動きが層法線7について対称である限り、それに伴な
う透過光量の変化も対称となり、分子の動きの対称性を
光学的測定に反映できる。
このような測定システムで種々の配向処理を施して作製
した5SF−LCD試料について、メモリー効果の対称
性を調べたところ程度の差はあれ全ての試料についてメ
モリ効果が非対称であった。代表的な例を第1図031
に示す。このような現象は5SF−LCDの表示特性と
して好ましいものではなく、極端な場合には、双安定と
はならずに、片方の状態のみが安定な単安定となってし
まい、マルチプレックス駆動で表示が不可能となる。
そこで、発明者は、対称で双安定なメモリ効果が得られ
るように検討を重ねた結果、液晶に印加する交流波形に
直流オフセット電圧を重畳すれば対称な特性と安定なメ
モリー効果が得られることを見い出した。第1図[C1
にオフセット電圧VO5(Vos\QV)を適切に設定
して得られたメモリー効果を示す。
このように、直流オフセット電圧を考慮してはじめて対
称性のよい特性になることは、応答時間。
分極反転電流、D−Eヒステリシスについても見られた
。これらのことから、5SF−LCD内部には内部バイ
アス電界Eibなる電界があって、外部からElbを打
消すだけのVO3を含む電圧を印加して初めて液晶分子
が対称な動きを示すと思われる。
セラミック系強誘電体では内部バイアスの存在は既に知
られているが、強誘電性液晶についてはElbが存在す
ることはこれまでに報告が無い。
5SF−LCDにおける内部バイアスの原因は未だ特定
できないが、液晶の分子配向方向に何らかの原因で偏り
が生じているためであることは確実である。従って、2
枚のガラス基板に性質の異る配向膜処理を施した場合に
は双極子モーメントの配向に偏りが生じ、これによって
内部バイアスの生ずることが予想される。しかし、実際
には側基板の双方に全く同じ配向膜を設けて作製した5
SF−LCDにおいても、内部バイアスEibが零でな
い値を示すことが判明した。
このような内部バイアスを持った5SF−LCDをマル
チプレックス駆動するにあたって内部バイアスを考慮し
ていない正負対称の交流駆動波形を用いると次のような
不都合が生ずる。第1にメモリー状態が安定に保持でき
ない。これは第1図031に示した現象である。第2に
、次に説明するように動作マージンが減少する。尚、簡
単のために1 / aバイアス法の波形を用いて説明す
るが、書込み・消去用パルスと補償用パルスの組合せで
交流化した駆動波形であれば、本質的には同じである。
第2図は、Eib>Oの場合のSSI”−LCDのスイ
ッチング特性とそれを駆動するために必要なパルスの波
高値の関係を示したものである。第2図(A+は、縦軸
にメモリー状態での透過光強度、横軸に双極性パルスの
波高値をとっている。2本の曲線はそれぞれ明状態から
暗状態および暗状態から明状態へのスイッチングを表わ
している。今、Elbが零でないのでそれぞれの曲線の
閾電圧と飽和電圧は、第2図(A+の横軸に書き入れで
あるように、各電圧の対称な部分v1.v2 と非対称
な成分Eibを用いて表わせる。第2図β)と第2図F
C+は、それぞれこのような特性の5SF−LCDをオ
フセット電圧なしでマルチプレックス駆動する際の選択
電圧波形(波高値±V5)および半選択電圧波形(波高
値±Vn5)である。ここで、±V、は明暗状態をスイ
ッチングできるように v8≧Vl+Eibか−)−V5≦−Vl+Eibを満
たしている。また、±Vrlsは明暗状態を変化させな
いように Vns≦v2+Eibかつ−”ns≧−V2+Eibを
満たしている。
ここで、この駆動波形のマージンvMを見積っテミル。
今、E1b\0である場合を考えているので、印加電圧
の余裕は正の電圧領域と負の領域とで対称ではない。こ
のような場合マージンとしては、正と負の領域でのマー
ジンの共通部分が真のマージンとなる。従って、v5 
 については第2図(C)に示したようにv5− (v
、+E、5)だけの余裕があり、■n5については第2
図FC+に示したように−Vn、 −(−V2 +EH
,)だけの余裕がある。
マージンvMはこれらの余裕の和と考えて、VM=[V
s(V、+EH,))+4 ”ns  (V2+E1b
))=(V、 −V、、 )−(V、 −v2 )−Z
EH。
を得る。つまり、内部バイアスEibの存在によって動
作マージンが2Eibだけ狭くなっていることがわかる
発明者らは、以上のような知見と考察に基づき、内部バ
イアスを相殺するような大きさと極性の直流オフセット
電圧VO9を駆動波形に重畳することにより、メモリー
の保持とマージンの拡大を計った。その結果、後述する
実施例1,2に示す如く、2枚の基板の配向膜が同種で
ある5SF−LCDのみならず、メモリー効果の無かっ
た異種配向膜の5SF−LCDも、良好にマルチプレッ
クス駆動することができた。
本発明の駆動法は、スタティック駆動においても有効で
ある。5SF−LCDを矩形波でスイッチングした場合
、明から暗への応答速度と暗から明への反応速度は一般
fこ異なっている。この相違もまた、内部バイアスに起
因するものと考えられ、実際、後述する実施例3,4に
示す如く、VO5を適切に選ぶことにより、2つの応答
速度を等しくすることができる。5SF−LCDを光シ
ャッタ等に応用する場合、遅い方の反応速度に合せてシ
ステムを設計しなければならないので、2つの応答速度
を等しくすれば、5SF−LCDの高速応答性を無駄な
く発揮させることができる。
以上述べたように、本発明の原理は5SF−LCDの応
答速度、メモリー効果、スイッチング特性などに見られ
る非対称な特性が、その内部バイアスに起因するもので
あることを見出し、その内部バイアスを駆動電圧の直流
オフセットで相殺することである。従って、直流オフセ
ット電圧を含んだ駆動波形を用いた5SF−LCDの駆
動法は本発明に適用可能である。
〈発明の効果〉 以上詳述した如く、2枚の基板の配向膜の種類が同じで
あっても5SF−LCDの内部バイアスE1bは一般l
こゼロではないので、本発明の駆動法が良好な表示を行
なう上で有効となる。さらに、2枚の基板の配向膜とし
て、異る極性の材料を用いて、無電界時の表示状態を明
または暗のいずれかに固定する方法が知られているが、
この方法は必然的に双安定なメモリー効果がないために
マルチプレックス駆動には適さないとされてきた。しか
し、このような片安定な5SF−LCDも、本発明に係
る駆動法によれば、メモリー効果を生がしたマルチプレ
ックス駆動を行うことができる。従って本発明は、5S
F−LCDによる大容量表示装置の実用化に不可欠の技
術である。
〈実施例1,2〉 マトリクス状に交叉するように、1対のパターン化され
たITO透明導電膜付きガラス基板を対向配置し、該ガ
ラス基板上に、表1に示した配向膜を形成した。ポリビ
ニルアルコール(PVA)の膜にはラビングを施した。
それぞれ基板間間隙が2μmとなるように貼合せた後、
キシルスメクチックC相を示す液晶を封入し、ホモジニ
アス配向させて、マトリクス型5SF−LCDを作製し
たそれぞれのセルを1/6バイアス法の交流波形で駆動
試験し、メモリー効果と表示が可能となるピーク電圧の
範囲を求めた。次にオフセット電圧VO5を調節して、
スイッチング特性とメモリー効果が対称となるVO5を
求め、そのVO8を重畳したマルチプレックス駆動波形
を用いた時に表示可能となるピーク電圧の範囲を求めた
。表1にまとめたように、これらの結果から、オフセッ
ト電圧VO5を適切に選定することによりメモリー状態
の安定化、駆動電圧の余裕の拡大ができ、さらに、従来
、マルチプレックスには適さなかった実施例2のような
片メモリーのセルにも双安定なメモリー効果を賦与でき
ることがわかる。
〈実施例3,4〉 上記実施例1,2で作製した5SF−LCDに100H
z、±IOVの矩形波を印加し、応答時間を測定した。
応答時間の定義は、印加電圧の極性を切り換えた時点か
ら、光強度変化の50%の光強度になるまでの時間で定
義し、明から暗および暗から明への応答時間を、それぞ
れ、τ4とτ。
とした。表2に、それぞれの5SF−LCDについて、
vos=0■の場合と、τd=τ、となるようにVO5
を設定した場合の応答時間を示す。
表2
【図面の簡単な説明】
第1図及び第2図は本発明の基本原理と構成を説明する
説明図である。 第3図及び第4図は5SF−LCDの動作モードを説明
する説明図である。 第5図は5SF−LCDの明暗状態のスイッチング動作
を説明する説明図である。 第6図は正負対称の交流波形を用いた5SF−LCDの
駆動法を説明するパルス波形図である。 ■・・・ガラス基板、2・・・透明電極、3・・・液晶
分子、4・・・偏光子、5・・・検光子、6・・・外部
光。 夜理人 弁理士 福 士 愛 彦(他2名)第1図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、強誘電性を示す液晶を封入し、1対の電極間でホモ
    ジニアス配向させた液晶表示装置の駆動方法において、
    前記1対の電極間に印加する駆動電圧を交流電圧に一定
    の直流電圧を重畳したパルス波形電圧で構成したことを
    特徴とする液晶表示装置の駆動方法。 2、1対の電極をマトリックス状に配置した電極で構成
    した特許請求の範囲第1項記載の液晶表示装置の駆動方
    法。
JP60170440A 1985-07-30 1985-07-30 液晶表示装置の駆動方法 Expired - Lifetime JPH0792562B2 (ja)

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