JPS60235121A - 液晶素子の駆動方法 - Google Patents
液晶素子の駆動方法Info
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- JPS60235121A JPS60235121A JP9241184A JP9241184A JPS60235121A JP S60235121 A JPS60235121 A JP S60235121A JP 9241184 A JP9241184 A JP 9241184A JP 9241184 A JP9241184 A JP 9241184A JP S60235121 A JPS60235121 A JP S60235121A
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-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/13306—Circuit arrangements or driving methods for the control of single liquid crystal cells
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明は液晶素子に係り、特に強誘電性液晶を用いる液
晶素子のマルチブレキシング駆動方法に関する。
晶素子のマルチブレキシング駆動方法に関する。
強誘電性液晶として、例えば第１表に示す様なＳｍＯ＊
相、ＳｍＨ＊相を呈する液晶が知られている。
相、ＳｍＨ＊相を呈する液晶が知られている。
第 １ 表
これ等の強誘電性液晶分子の印加電界Ｑこ対する状態を
第１図に示す。液晶セル厚が厚い時には、第１図（α）
に示す如く、電界Ｅを印加しない場合、強誘電性液晶分
子１は、ら線軸２＆こ対してθ（例えば、第１表■のｎ
”１０（７）ＤＯＢＡＭＢＯ液晶では２０〜２５度であ
る。）の角度を有しら線状に配列する。このように配列
した強誘電性液晶分子にしきい値電界’ｎｏ以上の電界
凡を印加すると第１図（ｂ）の如く、強誘電性液晶分子
１は、電界Ｅの方向と垂直な平向上Ｑこら線軸２に対ν
てθの角度を有して配列する。また第１図（ｂ）の電界
Ｅの極性を反転させると、第１図（Ｃ）に示す如く、強
誘電性液晶分子１は電界Ｅの方向と垂直な平向上にら線
軸２Ｇこ対してθの角度を有して配列する。
第１図に示す。液晶セル厚が厚い時には、第１図（α）
に示す如く、電界Ｅを印加しない場合、強誘電性液晶分
子１は、ら線軸２＆こ対してθ（例えば、第１表■のｎ
”１０（７）ＤＯＢＡＭＢＯ液晶では２０〜２５度であ
る。）の角度を有しら線状に配列する。このように配列
した強誘電性液晶分子にしきい値電界’ｎｏ以上の電界
凡を印加すると第１図（ｂ）の如く、強誘電性液晶分子
１は、電界Ｅの方向と垂直な平向上Ｑこら線軸２に対ν
てθの角度を有して配列する。また第１図（ｂ）の電界
Ｅの極性を反転させると、第１図（Ｃ）に示す如く、強
誘電性液晶分子１は電界Ｅの方向と垂直な平向上にら線
軸２Ｇこ対してθの角度を有して配列する。
更に、液晶セル厚が薄い場合にけ、第１図（α）のら線
構造は消出しく例えば、ＤＯＢＡＭＢＯ液晶では液晶セ
ル厚４〜５μｍ以下）、電界を全く印加してない場合に
は、第１図Ｃｂ）又は第１図ＣＯ）の状態で配列してい
る。例えば仮をこ、第１図（Ｃ）の状態で配列していた
とするとこれにし園い値電界１１１ｉｃ以上の電界Ｅを
印加すると第１図Ｃｂ）の状態に配列する。また第１図
（ｂ）の電界凡の極性を反転させると全体が第１図ＣＣ
）の状態で配列する。更にこの第１１ｆｆｌ（Ｃ）の状
態で電界Ｅを取り除いても長期にわたりこの状態が保持
される。又第１図Ｃｂ）の状態で電界Ｅを取り除いても
第１図Ｃｂ）の状態で長期にわたり保持される。
構造は消出しく例えば、ＤＯＢＡＭＢＯ液晶では液晶セ
ル厚４〜５μｍ以下）、電界を全く印加してない場合に
は、第１図Ｃｂ）又は第１図ＣＯ）の状態で配列してい
る。例えば仮をこ、第１図（Ｃ）の状態で配列していた
とするとこれにし園い値電界１１１ｉｃ以上の電界Ｅを
印加すると第１図Ｃｂ）の状態に配列する。また第１図
（ｂ）の電界凡の極性を反転させると全体が第１図ＣＣ
）の状態で配列する。更にこの第１１ｆｆｌ（Ｃ）の状
態で電界Ｅを取り除いても長期にわたりこの状態が保持
される。又第１図Ｃｂ）の状態で電界Ｅを取り除いても
第１図Ｃｂ）の状態で長期にわたり保持される。
上記現象は、非常に高速でしかもメモリ性があることが
特徴で、十分な大きさの′電界を印加すればμ國オーダ
ーのパルス幅を持つパルスに応答シ、セル条件を遺択す
れば長期にわたリメモリ性があることが知られている。
特徴で、十分な大きさの′電界を印加すればμ國オーダ
ーのパルス幅を持つパルスに応答シ、セル条件を遺択す
れば長期にわたリメモリ性があることが知られている。
従って画素数が大きくなる大型筒密度ディスプレイ、電
子シャッタ、偏光器等へｑ〕応用が期待されているが、
従来、印加電圧と光透過状態との関係が明らかＱこされ
ておらず、強誘電性液晶に具体的をことのような電圧を
印加したらマルチブレクシンダ駆動できるのか明らかに
されていなかった。又、強誘電性液晶素子のスタティッ
ク駆動方法は、特開昭５８−１７９８９０に記載されて
いる。この方式ではスタティックな駆動方法としては適
するが、マルチプレクシング駆動の場合は、強誘電性液
晶が電圧極性で動作するという性質上、強誘電性液晶を
こ印加される電圧の平均値を全く零にするようＱこマル
チプレクシンダ駆動させることは、原理上不可能と思わ
れる。
子シャッタ、偏光器等へｑ〕応用が期待されているが、
従来、印加電圧と光透過状態との関係が明らかＱこされ
ておらず、強誘電性液晶に具体的をことのような電圧を
印加したらマルチブレクシンダ駆動できるのか明らかに
されていなかった。又、強誘電性液晶素子のスタティッ
ク駆動方法は、特開昭５８−１７９８９０に記載されて
いる。この方式ではスタティックな駆動方法としては適
するが、マルチプレクシング駆動の場合は、強誘電性液
晶が電圧極性で動作するという性質上、強誘電性液晶を
こ印加される電圧の平均値を全く零にするようＱこマル
チプレクシンダ駆動させることは、原理上不可能と思わ
れる。
周知の如く、スタティック駆動方法は、ＩＩ晶セルの電
極構造、液晶セルと駆動回路出力部との結合、駆動回路
等が複雑化してしまい高画素表示には適さない。従って
強誘電性液晶の特徴である高速応答及びメモリ性による
大型高密度表示を行なうためをこけ、強誘電性液晶に適
合するマルチプレクシング駆動方法で駆動させることが
望まれる。
極構造、液晶セルと駆動回路出力部との結合、駆動回路
等が複雑化してしまい高画素表示には適さない。従って
強誘電性液晶の特徴である高速応答及びメモリ性による
大型高密度表示を行なうためをこけ、強誘電性液晶に適
合するマルチプレクシング駆動方法で駆動させることが
望まれる。
本発明は、上記欠点を改善すべくなされたもので、その
目的とするところは、本発明者等が見い出した印加電圧
と強誘電性液晶の光透過状態との関係から、所望の光透
過状態を高速で得ることのできる液晶素子の良好なマル
チブレクシング駆動方法を提供することにある。
目的とするところは、本発明者等が見い出した印加電圧
と強誘電性液晶の光透過状態との関係から、所望の光透
過状態を高速で得ることのできる液晶素子の良好なマル
チブレクシング駆動方法を提供することにある。
本発明の液晶駆動方法の特徴は、線順次走査をこよりマ
ルチプレクシンダ駆動する時に特に有効であり各走査電
極の１フレームの選択期間内に、波高値が絶対値で２Ｖ
Ｄの交流パルスを、選択期間外はＯＶを印加し、又各信
＠電極には、画素をｏｎさせたい時には＋ＶＤ又は−Ｖ
Ｄ 、ｏｆｆさせたい時には−ＶＤ又は＋Ｖａを印加す
ることにより（この場合のＶＤの極性は、偏光板の偏光
軸と強誘電性液晶分子の配列方向との組合ぜで決まるも
ので仮ＧこＯｎさせたい時の極性を正とするとｏｆｆは
負であり、又、仮にｏｎの極性を負とするとｏｆｆは正
となることを意味している。）強誘電性液晶素子を駆動
させるものである。この場合強誘電性液晶には、画素を
ｏｎ又はＯｆｆさせる選択状態では波高値が絶対値で３
Ｖｏ印加され、選択期間外では＋Ｖｎもしくは−ＶＤが
印加されている。但し、前記ＶＤは絶対値で、ＶＤ≦ｖ
ｔ’ｈ 、好ましくは、３Ｖｎ≧Ｖｓａｔ を満足する
ものである。これにより簡易で良好な強誘電性液晶のマ
ルチブレクシング駆動を可能Ｑこしたものであ今。
ルチプレクシンダ駆動する時に特に有効であり各走査電
極の１フレームの選択期間内に、波高値が絶対値で２Ｖ
Ｄの交流パルスを、選択期間外はＯＶを印加し、又各信
＠電極には、画素をｏｎさせたい時には＋ＶＤ又は−Ｖ
Ｄ 、ｏｆｆさせたい時には−ＶＤ又は＋Ｖａを印加す
ることにより（この場合のＶＤの極性は、偏光板の偏光
軸と強誘電性液晶分子の配列方向との組合ぜで決まるも
ので仮ＧこＯｎさせたい時の極性を正とするとｏｆｆは
負であり、又、仮にｏｎの極性を負とするとｏｆｆは正
となることを意味している。）強誘電性液晶素子を駆動
させるものである。この場合強誘電性液晶には、画素を
ｏｎ又はＯｆｆさせる選択状態では波高値が絶対値で３
Ｖｏ印加され、選択期間外では＋Ｖｎもしくは−ＶＤが
印加されている。但し、前記ＶＤは絶対値で、ＶＤ≦ｖ
ｔ’ｈ 、好ましくは、３Ｖｎ≧Ｖｓａｔ を満足する
ものである。これにより簡易で良好な強誘電性液晶のマ
ルチブレクシング駆動を可能Ｑこしたものであ今。
以下実施例に従って本発明を更Ｏこ具体的に説明する。
第２図に液晶素子の概略図を示す。ここで第２図（α）
は断面図、第２図（ｈ）は平面図である。ガラスからな
る一対の基板１１．１２の対向面に、厚さ５００−１ｏ
ｏｏｉの工ｎ２０Ｂ、ＳｎＯ□等からなる透明電極ｉ３
．ｉ４を設ける。この電極１３．１４はそれぞれがスト
ライプ状に形成され、はぼ直交させ格子状に組合せられ
る。尚１６を走査電極、１４を信号電極と呼ぶ、更に必
要に応じこの電極上にＳｉＯ□等の絶縁層１５を設けた
後、基板１１．１２の間にセル厚を決めるためにＯｒ、
Ａｔ等からなる金属又はＳ１０．から成るスペーサ１６
を各電極間の一部又は全体にストライプ状に設ける。液
晶としてはＤＯＢＡＭＢＯ１７を用い上下基板１１．１
２間に挾持される。
は断面図、第２図（ｈ）は平面図である。ガラスからな
る一対の基板１１．１２の対向面に、厚さ５００−１ｏ
ｏｏｉの工ｎ２０Ｂ、ＳｎＯ□等からなる透明電極ｉ３
．ｉ４を設ける。この電極１３．１４はそれぞれがスト
ライプ状に形成され、はぼ直交させ格子状に組合せられ
る。尚１６を走査電極、１４を信号電極と呼ぶ、更に必
要に応じこの電極上にＳｉＯ□等の絶縁層１５を設けた
後、基板１１．１２の間にセル厚を決めるためにＯｒ、
Ａｔ等からなる金属又はＳ１０．から成るスペーサ１６
を各電極間の一部又は全体にストライプ状に設ける。液
晶としてはＤＯＢＡＭＢＯ１７を用い上下基板１１．１
２間に挾持される。
この時の強誘電性液晶１７の配向は、下基板１２上Ｇこ
液晶１７を置き更に上基板１１を重ねて一定圧で加圧し
、これをＤＯＥＡＭＢＯ液晶の等方性液相−８ｍＡ相の
転移点よりおよそ６℃低い約１１０°Ｃに設定した恒温
槽中に入れ下基板１２を前後に動かし、液晶にかかる剪
断力を利用して配向させた。更に２０は、セルの上下基
板を固定するための接着剤である。このようにして作っ
たセルの厚みはおよそ０．５μｍである。次に、上下基
板１１．１２の電極１３．１４が設けられていない面側
に、偏光板１８．１９を瞬接させる。この時、偏光板１
８の偏光軸方向と、偏光板１９の偏光軸方向を直交させ
、更に、一方の偏光板の偏光軸方向を、強誘電性液晶の
しきい値電界１Ｅｌｃ１以上の電界を印加した時の強誘
電性液晶分子の分子長軸方向と一致させる。この場合、
一方の偏光板の偏光軸と液晶分子長軸が一致する方向の
電界に符号をつけて仮に一部とすると、−１ｎの電界を
印加した時は、光が遮断されるため暗黒となり文通に十
凡の電界が印加されると偏光板を透過する光成分を有す
るため明るくなる。このよ、うにして、−Ｅ、＋Ｆ＋の
印加により明暗の切換ができ、表示素子、電子シャッタ
、偏光素子として機能し得る。尚、電界が印加されない
場合は、メモリ状態となるため、−ＥからＯｖだと黒、
＋ＢからＯＶだと明の状態を保持続ける。また本現象を
ここでは、強誘電性液晶の電気光学効果と呼ぶことにす
るこの電気光学効果を更に詳しく調べるためＱこ第３図
に示すようなパルス波形を作り、パルス波形蚤こ対する
液晶の電気光学効果を調べた。第３図では液晶の飽和電
圧Ｖｓａｔより十分大きな波高値を持つ電圧パルスＶＬ
を先づ印加後このパルスと逆極性のパルス電圧を印加す
ることを意味し、とのＶＬの後に出るパルスのパルス幅
Ｆ Ｗ 及ヒハルス電圧ＶＰを変化させた時に液晶の電
気光学効果を調べようとするものである。第４図には、
第３図の波形を印加した時の電気光学効果を示す。パル
ス幅’ｐｗを２００μｓｅｃ 、 ２ ｍ ｓ 、 ２
ｓｅｃと変化した時の電圧−光透過率特性を示した。
液晶１７を置き更に上基板１１を重ねて一定圧で加圧し
、これをＤＯＥＡＭＢＯ液晶の等方性液相−８ｍＡ相の
転移点よりおよそ６℃低い約１１０°Ｃに設定した恒温
槽中に入れ下基板１２を前後に動かし、液晶にかかる剪
断力を利用して配向させた。更に２０は、セルの上下基
板を固定するための接着剤である。このようにして作っ
たセルの厚みはおよそ０．５μｍである。次に、上下基
板１１．１２の電極１３．１４が設けられていない面側
に、偏光板１８．１９を瞬接させる。この時、偏光板１
８の偏光軸方向と、偏光板１９の偏光軸方向を直交させ
、更に、一方の偏光板の偏光軸方向を、強誘電性液晶の
しきい値電界１Ｅｌｃ１以上の電界を印加した時の強誘
電性液晶分子の分子長軸方向と一致させる。この場合、
一方の偏光板の偏光軸と液晶分子長軸が一致する方向の
電界に符号をつけて仮に一部とすると、−１ｎの電界を
印加した時は、光が遮断されるため暗黒となり文通に十
凡の電界が印加されると偏光板を透過する光成分を有す
るため明るくなる。このよ、うにして、−Ｅ、＋Ｆ＋の
印加により明暗の切換ができ、表示素子、電子シャッタ
、偏光素子として機能し得る。尚、電界が印加されない
場合は、メモリ状態となるため、−ＥからＯｖだと黒、
＋ＢからＯＶだと明の状態を保持続ける。また本現象を
ここでは、強誘電性液晶の電気光学効果と呼ぶことにす
るこの電気光学効果を更に詳しく調べるためＱこ第３図
に示すようなパルス波形を作り、パルス波形蚤こ対する
液晶の電気光学効果を調べた。第３図では液晶の飽和電
圧Ｖｓａｔより十分大きな波高値を持つ電圧パルスＶＬ
を先づ印加後このパルスと逆極性のパルス電圧を印加す
ることを意味し、とのＶＬの後に出るパルスのパルス幅
Ｆ Ｗ 及ヒハルス電圧ＶＰを変化させた時に液晶の電
気光学効果を調べようとするものである。第４図には、
第３図の波形を印加した時の電気光学効果を示す。パル
ス幅’ｐｗを２００μｓｅｃ 、 ２ ｍ ｓ 、 ２
ｓｅｃと変化した時の電圧−光透過率特性を示した。
第４図かられかるように、ｖｔｈ及びＶｓａｔは、パル
ス幅を変化してもほとんど変化しないことがわかり、具
体的にはｖｔｈが７〜８ｖ、Ｖｓａｔ が２０〜２２ｖ
であり、Ｖｓａｊ／ｖ、ｈ は約６対１であった。又、
ＶＬ及びその後に出るパルスの極性を逆にしても、はぼ
同様の値であった。このことは、マルチプレクシング駆
動を考えると、選択時（ｏｎ又は０ｆｆ）に強誘電性液
晶に５ＶＤ、非選択時にＶｎの電圧を印加できるような
駆動方法を見い出せば、マルチブレクシンダ駆動可能な
ことを呈示している。
ス幅を変化してもほとんど変化しないことがわかり、具
体的にはｖｔｈが７〜８ｖ、Ｖｓａｔ が２０〜２２ｖ
であり、Ｖｓａｊ／ｖ、ｈ は約６対１であった。又、
ＶＬ及びその後に出るパルスの極性を逆にしても、はぼ
同様の値であった。このことは、マルチプレクシング駆
動を考えると、選択時（ｏｎ又は０ｆｆ）に強誘電性液
晶に５ＶＤ、非選択時にＶｎの電圧を印加できるような
駆動方法を見い出せば、マルチブレクシンダ駆動可能な
ことを呈示している。
本発明は、上記の電気光学特性から強誘電性液晶のマル
チプレクシング駆動方法を見い出したものである。
チプレクシング駆動方法を見い出したものである。
第５図は、本発明の給１の実施例を示す駆動波形、光透
過特性を示した図である。各走査電極には選択時に波高
値が絶対値で２ＶＤの正負のパルス幅の等しい交流パル
スが印加され、非選択時には０■である。又各信号電極
Ｇこは、画素をｏｎ（例えば明るくなる状態とする）し
たい場合にけ、走査電極の選択期間と同一のパルス幅の
−ＶＤの電圧、０ｆｆ（例えば暗くなる状態とする）し
たい場合＋Ｖａの電圧が印加される。この時、選択され
たある画素の強誘電性液晶をこはｏｎの時＋３ＶＤが、
Ｏｆｆの時−３ＶＤが印加され・、又非選択時において
は、他の走査電極上の画素がｏｎ。
過特性を示した図である。各走査電極には選択時に波高
値が絶対値で２ＶＤの正負のパルス幅の等しい交流パル
スが印加され、非選択時には０■である。又各信号電極
Ｇこは、画素をｏｎ（例えば明るくなる状態とする）し
たい場合にけ、走査電極の選択期間と同一のパルス幅の
−ＶＤの電圧、０ｆｆ（例えば暗くなる状態とする）し
たい場合＋Ｖａの電圧が印加される。この時、選択され
たある画素の強誘電性液晶をこはｏｎの時＋３ＶＤが、
Ｏｆｆの時−３ＶＤが印加され・、又非選択時において
は、他の走査電極上の画素がｏｎ。
ｏｆｆされるため＋ＶＤ又は−ＶＤが必ず印加される。
しかしこの電圧は強誘電性液晶のしきい値電圧以下のた
め表示には影響しない。又第５図（α）は、走査電極に
選択時の交流パルスが先Ｑこ正の電圧パルスが印加され
負の電圧パルスとなる場合を、第５図（ｂ）は、走査電
極Ｇこ選択時の交流パルスが先Ｇこ負の電圧パルスが印
加され正の電圧パルスとなる場合を、第５図（ｃ）は交
互に正負の電圧パルスが先に出ることを示している。第
５図に示したいずれの方法においても、強誘電性液晶に
選択時をこけ、＋３ＶＤ又は−３ＶＤが任意に選択でき
（ｏｎ、ｏｆｆ表示可能）、非選択時には＋Ｖｎ又は−
ＶＤが印加される。
め表示には影響しない。又第５図（α）は、走査電極に
選択時の交流パルスが先Ｑこ正の電圧パルスが印加され
負の電圧パルスとなる場合を、第５図（ｂ）は、走査電
極Ｇこ選択時の交流パルスが先Ｇこ負の電圧パルスが印
加され正の電圧パルスとなる場合を、第５図（ｃ）は交
互に正負の電圧パルスが先に出ることを示している。第
５図に示したいずれの方法においても、強誘電性液晶に
選択時をこけ、＋３ＶＤ又は−３ＶＤが任意に選択でき
（ｏｎ、ｏｆｆ表示可能）、非選択時には＋Ｖｎ又は−
ＶＤが印加される。
例えば第５図（ａ）で、ＶＤが絶対値で６．５ｖ、パル
ス幅Ｐｗを１ ｍ ｓｅａ ＋フレーム周期Ｔ５００ｍ
ｓｅｃで第２図に示した液晶素子を駆動させたところ、
第５図中に示した如く良好な光透過特性が得られた。更
に第５図Ｃｂ）及び（Ｃ）においても上記条件で駆動さ
せたととろ同様をこ良好な光透過特性が得られた。
ス幅Ｐｗを１ ｍ ｓｅａ ＋フレーム周期Ｔ５００ｍ
ｓｅｃで第２図に示した液晶素子を駆動させたところ、
第５図中に示した如く良好な光透過特性が得られた。更
に第５図Ｃｂ）及び（Ｃ）においても上記条件で駆動さ
せたととろ同様をこ良好な光透過特性が得られた。
第６図は、第５図に示す様な駆動波形を実現する具体的
な回路の一例である。６１はトランスミッションゲート
、６２はインバータ、６３は強誘電性液晶素子である。
な回路の一例である。６１はトランスミッションゲート
、６２はインバータ、６３は強誘電性液晶素子である。
Ｔ１ 、Ｔ２ 、Ｔｓは、トランスミッションゲート６
１を選択し、走査電極側の駆動波形を作る信号で、Ｄは
、トランスミッションゲート６１を選択し、信号電極側
の駆動波形を作る信号である。又ｖｌ＋ ｔ＋Ｇは、走
査電■ 極の駆動電圧で、■８．Ｖ４は信号電極の駆動電圧であ
る。
１を選択し、走査電極側の駆動波形を作る信号で、Ｄは
、トランスミッションゲート６１を選択し、信号電極側
の駆動波形を作る信号である。又ｖｌ＋ ｔ＋Ｇは、走
査電■ 極の駆動電圧で、■８．Ｖ４は信号電極の駆動電圧であ
る。
第７図は、本発明の第２の実施例を示す駆動波形である
。第５図と異なることは、走査電極の選択期間内に絶対
値で２ＶＤの交流パルスが２回印加されることである。
。第５図と異なることは、走査電極の選択期間内に絶対
値で２ＶＤの交流パルスが２回印加されることである。
例えば、パルス幅２００μ臓ＶＤが絶対値で７ｖ、フレ
ーム周期Ｔ８００ｍ臓で第２図に示した液晶素、子を駆
動させたところ、第７図中に示された如く良好な光透過
特性が得られた。
ーム周期Ｔ８００ｍ臓で第２図に示した液晶素、子を駆
動させたところ、第７図中に示された如く良好な光透過
特性が得られた。
第８図は、本発明の第６の実施例を示す駆動波形である
。第５図と異なることは、走査電極の選択期間内をこ絶
対値で２ＶＤ（７）電圧の交流パルスのパルス幅が正負
電圧側で異なることである。１例えば正電圧側のパルス
幅ＦＷ、、６００μ５ｅｃｌ負電圧側のパルス幅Ｐｗ２
を３００μｓｅａ Ｉ Ｖ Ｄが絶対値で８Ｖ、フレー
ム周期Ｔ９００μ槙で第２図に示した液晶素子を駆動さ
せたところ、図中Ｑこ示された如く良好な光透過特性が
得られた。
。第５図と異なることは、走査電極の選択期間内をこ絶
対値で２ＶＤ（７）電圧の交流パルスのパルス幅が正負
電圧側で異なることである。１例えば正電圧側のパルス
幅ＦＷ、、６００μ５ｅｃｌ負電圧側のパルス幅Ｐｗ２
を３００μｓｅａ Ｉ Ｖ Ｄが絶対値で８Ｖ、フレー
ム周期Ｔ９００μ槙で第２図に示した液晶素子を駆動さ
せたところ、図中Ｑこ示された如く良好な光透過特性が
得られた。
上記実施例は、本発明の一例を示すものでありしきい値
特性によっては、走査電極電圧と信号電極電圧比を任意
に選択でき、又液晶材料もＤＯＢＡＭＢＯＧこ限定され
なく、例えば第１表に示される他の強誘電性液晶をこお
いても本発明を適用できる。
特性によっては、走査電極電圧と信号電極電圧比を任意
に選択でき、又液晶材料もＤＯＢＡＭＢＯＧこ限定され
なく、例えば第１表に示される他の強誘電性液晶をこお
いても本発明を適用できる。
以上の如く本発明によれば、強誘電性液晶素子に適合し
たマルチプレクシング駆動方法が可能なため、大型高密
度ディスプレイ、電子シャッタ。
たマルチプレクシング駆動方法が可能なため、大型高密
度ディスプレイ、電子シャッタ。
偏光器寺への応用が可能となるものである。
第１図（α）〜（Ｃ）は、強誘電性液晶の開力１電界Ｇ
こ対する状態を示す図、第２図（α）、（ｂ）は本発明
が適用できる液晶素子の一実施例を示す図、第６図はパ
ルス電圧に対する強誘電性液晶の電気光学効果を調べる
ための印加パルス波形を示した図、第４図は本発明が適
用できる強誘電性液晶のパルス電圧に対する光透過特性
を示す図、第５図（α）、（ｂ）、（Ｃ）は本発明の第
１の実施例である駆動波形及び光透過特性を示す図、第
６図は第５図に示す駆動波形を実現する具体的回路の一
例を示す図、第７図は本発明の１４２の実施例である駆
動波形及び光透過特性を示す図、第８図は本発明の第３
の実施例である駆動波形及び光透過特性を示す図である
。 １・・・・・・・・・強誘電性液晶分子２・・・・・・
・・・らｗ軸 １１・・・・・・基 板 １２・・・・・・基板 １３・・・・・・走査電極 １４・・・・・・信号電極 １５・・・・・・絶縁層 １６・・・・・・スペーサ １７・・・・・・強誘電性液晶 １８・・・・・・偏光板 １９・・・・・・偏光板 ２０・・・・・・接着剤 ６１・・・・・・トランスミッションケート６２・・・
・・・インバータ ６６・・・・・・強誘電性液晶分子 以 上 出願人 林式会社諏訪精工舎 代理人 弁理士 最上 務 区 べ ′ネ
こ対する状態を示す図、第２図（α）、（ｂ）は本発明
が適用できる液晶素子の一実施例を示す図、第６図はパ
ルス電圧に対する強誘電性液晶の電気光学効果を調べる
ための印加パルス波形を示した図、第４図は本発明が適
用できる強誘電性液晶のパルス電圧に対する光透過特性
を示す図、第５図（α）、（ｂ）、（Ｃ）は本発明の第
１の実施例である駆動波形及び光透過特性を示す図、第
６図は第５図に示す駆動波形を実現する具体的回路の一
例を示す図、第７図は本発明の１４２の実施例である駆
動波形及び光透過特性を示す図、第８図は本発明の第３
の実施例である駆動波形及び光透過特性を示す図である
。 １・・・・・・・・・強誘電性液晶分子２・・・・・・
・・・らｗ軸 １１・・・・・・基 板 １２・・・・・・基板 １３・・・・・・走査電極 １４・・・・・・信号電極 １５・・・・・・絶縁層 １６・・・・・・スペーサ １７・・・・・・強誘電性液晶 １８・・・・・・偏光板 １９・・・・・・偏光板 ２０・・・・・・接着剤 ６１・・・・・・トランスミッションケート６２・・・
・・・インバータ ６６・・・・・・強誘電性液晶分子 以 上 出願人 林式会社諏訪精工舎 代理人 弁理士 最上 務 区 べ ′ネ
Claims (2)
- （１） 対向した走査電極と信号電極を有する一対の基
板間に強誘電性液晶を挾持してなる液晶素子を、線順次
走査によりマルチプレクシングＦＩ２ 動する方法に於
いて、各走査電極には１フレームの廟択期間内に波高値
が絶対値で２ＶＤの交流パルスを、選択期出１外はＯｖ
を印加し、又各信号電極には画素をｏｎさせたい時には
＋ＶＤ又は−ＶＤ。 Ｏｆｆさせたい時には−ＶＤ又は＋ＶＤを印加すること
を特徴とする液晶素子の駆動方法。（但し、前記ＶＤは
絶対値で、ＶＤ≦ｖｔｈ 好ましくは、５ｖＤ≧Ｖｓａ
ｔを満足し、ｖｔｈ は強誘電性液晶のしきい値電圧、
Ｖｓａｔは強誘電性液晶の飽和電圧である。） - （２） 特許請求の範囲第１項をこ於いて、上記強誘電
性液晶はカイラルスメクチックＯ相（以下ＳｍＯ＊とす
る）液晶或いはカイラルスメクチックＨ相（以下ＳｍＨ
＊とする）液晶であることを特徴とする液晶素子の駆動
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9241184A JPS60235121A (ja) | 1984-05-09 | 1984-05-09 | 液晶素子の駆動方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9241184A JPS60235121A (ja) | 1984-05-09 | 1984-05-09 | 液晶素子の駆動方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60235121A true JPS60235121A (ja) | 1985-11-21 |
Family
ID=14053668
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9241184A Pending JPS60235121A (ja) | 1984-05-09 | 1984-05-09 | 液晶素子の駆動方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60235121A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6167835A (ja) * | 1984-09-12 | 1986-04-08 | Canon Inc | 液晶素子の駆動法 |
| JPS6194027A (ja) * | 1984-10-15 | 1986-05-12 | Seiko Instr & Electronics Ltd | カイラルスメクティック液晶電気光学装置 |
| JPS6194026A (ja) * | 1984-10-15 | 1986-05-12 | Seiko Instr & Electronics Ltd | カイラルスメクティック液晶電気光学装置 |
| JPS61179421A (ja) * | 1984-10-15 | 1986-08-12 | Seiko Instr & Electronics Ltd | スメクテイツク液晶表示装置 |
| FR2599520A1 (fr) * | 1986-05-27 | 1987-12-04 | Canon Kk | Dispositif a cristaux liquides et procedes pour le reglage de son alignement et sa commande |
| JPS63129324A (ja) * | 1986-11-20 | 1988-06-01 | Canon Inc | 強誘電性液晶素子の駆動方法 |
| JPS63225226A (ja) * | 1987-03-16 | 1988-09-20 | Koito Mfg Co Ltd | カラ−表示液晶表示装置 |
-
1984
- 1984-05-09 JP JP9241184A patent/JPS60235121A/ja active Pending
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6167835A (ja) * | 1984-09-12 | 1986-04-08 | Canon Inc | 液晶素子の駆動法 |
| JPH0523405B2 (ja) * | 1984-09-12 | 1993-04-02 | Canon Kk | |
| JPS6194027A (ja) * | 1984-10-15 | 1986-05-12 | Seiko Instr & Electronics Ltd | カイラルスメクティック液晶電気光学装置 |
| JPS6194026A (ja) * | 1984-10-15 | 1986-05-12 | Seiko Instr & Electronics Ltd | カイラルスメクティック液晶電気光学装置 |
| JPS61179421A (ja) * | 1984-10-15 | 1986-08-12 | Seiko Instr & Electronics Ltd | スメクテイツク液晶表示装置 |
| JPH0466328B2 (ja) * | 1984-10-15 | 1992-10-22 | Seiko Instr & Electronics | |
| JPH0473846B2 (ja) * | 1984-10-15 | 1992-11-24 | ||
| FR2599520A1 (fr) * | 1986-05-27 | 1987-12-04 | Canon Kk | Dispositif a cristaux liquides et procedes pour le reglage de son alignement et sa commande |
| JPS63129324A (ja) * | 1986-11-20 | 1988-06-01 | Canon Inc | 強誘電性液晶素子の駆動方法 |
| JPS63225226A (ja) * | 1987-03-16 | 1988-09-20 | Koito Mfg Co Ltd | カラ−表示液晶表示装置 |
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