JP2001311934A - 液晶素子 - Google Patents
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- G09G2310/00—Command of the display device
- G09G2310/06—Details of flat display driving waveforms
Abstract
(57)【要約】
【課題】黒表示を安定化し、コントラストを向上させる
ことを目的とする。 【解決手段】自発分極を有する液晶層の電位を透過率が
０となるような極性側にオフセットさせて駆動すること
により、黒表示の際の液晶の端子電位低下分を補正し、
黒表示における微小な光の漏れをなくす。
ことを目的とする。 【解決手段】自発分極を有する液晶層の電位を透過率が
０となるような極性側にオフセットさせて駆動すること
により、黒表示の際の液晶の端子電位低下分を補正し、
黒表示における微小な光の漏れをなくす。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、液晶素子に関し、
特に、表示装置などに有効な強誘電性液晶または反強誘
電性液晶を用いた液晶素子に関する。
特に、表示装置などに有効な強誘電性液晶または反強誘
電性液晶を用いた液晶素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、液晶の研究開発が急速に進んでお
り、表示装置、光変調素子、プリンタ用光シャッタ等さ
まざまな分野への応用が進められている。特に、表示装
置の分野においては、その省スペース、軽量、低消費電
力などの特徴から、携帯端末はもとより、デスクトップ
パソコンや家庭用テレビなどさまざまな製品が開発、商
品化されている。
り、表示装置、光変調素子、プリンタ用光シャッタ等さ
まざまな分野への応用が進められている。特に、表示装
置の分野においては、その省スペース、軽量、低消費電
力などの特徴から、携帯端末はもとより、デスクトップ
パソコンや家庭用テレビなどさまざまな製品が開発、商
品化されている。
【０００３】現在、液晶表示装置としては、主にＳＴＮ
液晶の単純マトリクス型やＴＮ液晶のアクティブマトリ
クス型（ＴＮ−ＡＭ型）のものが広く使われている。単
純マトリクス型は製造コストは比較的安価であるが、ク
ロストークが発生しやすく、また応答速度が比較的遅い
ため動画の表示には適さないと言う問題がある。
液晶の単純マトリクス型やＴＮ液晶のアクティブマトリ
クス型（ＴＮ−ＡＭ型）のものが広く使われている。単
純マトリクス型は製造コストは比較的安価であるが、ク
ロストークが発生しやすく、また応答速度が比較的遅い
ため動画の表示には適さないと言う問題がある。
【０００４】一方、ＴＮ−ＡＭ型は、クロストークが発
生せず単純マトリクス型に比べて表示品質は高いが、液
晶材料がＴＮ（ツイステッドネマティック）型であるた
め、書込み速度は単純マトリクス型よりは速いものの、
限界があり、高速の動画などには追随できなくなる。さ
らに、ＴＮ／ＳＴＮに共通して、視野角が狭いという問
題がある。
生せず単純マトリクス型に比べて表示品質は高いが、液
晶材料がＴＮ（ツイステッドネマティック）型であるた
め、書込み速度は単純マトリクス型よりは速いものの、
限界があり、高速の動画などには追随できなくなる。さ
らに、ＴＮ／ＳＴＮに共通して、視野角が狭いという問
題がある。
【０００５】ここで、強誘電性液晶に代表される自発分
極を有する液晶材料は、応答速度がＴＮ液晶に比べて２
桁程度速く（数百〜数μｓ）上に述べたＴＮ液晶の問題
点を解決できる材料である。
極を有する液晶材料は、応答速度がＴＮ液晶に比べて２
桁程度速く（数百〜数μｓ）上に述べたＴＮ液晶の問題
点を解決できる材料である。
【０００６】また、強誘電性液晶は、液晶分子が印加電
圧の有無に関わらず常に基板に対して平行になり、視角
方向による屈折率の変化がＴＮ型やＳＴＮ型に比べて格
段に小さいため、広い視野角が得られる特徴があり、こ
の点でも有利である。
圧の有無に関わらず常に基板に対して平行になり、視角
方向による屈折率の変化がＴＮ型やＳＴＮ型に比べて格
段に小さいため、広い視野角が得られる特徴があり、こ
の点でも有利である。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、強誘電
性液晶は、書込み時のメモリ性不良により、特に、黒状
態を継続するために数表示フレームにわたって印加信号
パルスの波高値が０である場合には、わずかに透過率が
上昇し、光の漏れが発生する結果、コントラストが低下
すると言う問題があり、表示品質向上のために改善が求
められていた。
性液晶は、書込み時のメモリ性不良により、特に、黒状
態を継続するために数表示フレームにわたって印加信号
パルスの波高値が０である場合には、わずかに透過率が
上昇し、光の漏れが発生する結果、コントラストが低下
すると言う問題があり、表示品質向上のために改善が求
められていた。
【０００８】図１には、強誘電性液晶をＴＦＴアクティ
ブマトリクスと組み合わせた場合の１つの画素へのデー
タ書き込みを行うための従来の駆動波形（ａ）〜（ｃ）
と、その波形に対応した液晶層における電位（ｄ１）〜
（ｄ６）の模式図を示す。
ブマトリクスと組み合わせた場合の１つの画素へのデー
タ書き込みを行うための従来の駆動波形（ａ）〜（ｃ）
と、その波形に対応した液晶層における電位（ｄ１）〜
（ｄ６）の模式図を示す。
【０００９】図１（ａ）はＴＦＴのスイッチングを行う
ためのゲートパルスであり、各列方向のＴＦＴのゲート
電極が並列に接続されたゲートバスラインを線順次でス
キャンする。（ｂ）はＴＦＴのＯＮ／ＯＦＦに同期して
画素電極の電位を制御するデータ信号である。（ｂ）で
は行方向の６画素分のデータが模式的に示されている
が、ＴＦＴのスイッチング機能により、（ａ）のゲート
パルスと同期したデータ（３３および３４）は第１の画
素のみに印加される。（ｄ１）は画素１の液晶の電位の
時間変化を示している。同様に（ｄ２）〜（ｄ６）は、
それぞれ画素２〜６の液晶の電位を示している。また、
（ｃ）は、アクティブマトリクス基板に対向する、他方
の基板に形成された共通基板の電位であり０Ｖに固定さ
れている。（ｂ）においては、パルス３３で液晶状態を
白に、パルス３４で黒に書き換えており、この白／黒の
各一連の書き込み周期を「１サブフレーム周期」、白と
黒を合わせた２サブフレームを「１フレーム周期」とし
ている。ここで、データパルスの波高値は、白書き込み
のサブフレームと、黒書き込みのサブフレームで、対称
とするのが、パルス生成回路の信頼性上望ましい。従っ
て、白のサブフレームの期間、黒状態に保ちたい画素で
は、白／黒の両サブフレームを通じて、０Ｖに保持され
る。
ためのゲートパルスであり、各列方向のＴＦＴのゲート
電極が並列に接続されたゲートバスラインを線順次でス
キャンする。（ｂ）はＴＦＴのＯＮ／ＯＦＦに同期して
画素電極の電位を制御するデータ信号である。（ｂ）で
は行方向の６画素分のデータが模式的に示されている
が、ＴＦＴのスイッチング機能により、（ａ）のゲート
パルスと同期したデータ（３３および３４）は第１の画
素のみに印加される。（ｄ１）は画素１の液晶の電位の
時間変化を示している。同様に（ｄ２）〜（ｄ６）は、
それぞれ画素２〜６の液晶の電位を示している。また、
（ｃ）は、アクティブマトリクス基板に対向する、他方
の基板に形成された共通基板の電位であり０Ｖに固定さ
れている。（ｂ）においては、パルス３３で液晶状態を
白に、パルス３４で黒に書き換えており、この白／黒の
各一連の書き込み周期を「１サブフレーム周期」、白と
黒を合わせた２サブフレームを「１フレーム周期」とし
ている。ここで、データパルスの波高値は、白書き込み
のサブフレームと、黒書き込みのサブフレームで、対称
とするのが、パルス生成回路の信頼性上望ましい。従っ
て、白のサブフレームの期間、黒状態に保ちたい画素で
は、白／黒の両サブフレームを通じて、０Ｖに保持され
る。
【００１０】図２は、従来の強誘電性液晶素子の印加電
圧−透過率特性を示す。この液晶の場合、印加電圧が０
Ｖでは、わずかに光を透過しており、透過率を”０”に
保つには、−２Ｖを印加しなくてはならないことがわか
る。白表示のサブフレームでは、パルスの最小値は０Ｖ
で負の側には設定できないので、この場合、黒表示のフ
レームでは光が漏れて完全な黒にはならない。これは、
コントラストの低下を招く事を意味する。
圧−透過率特性を示す。この液晶の場合、印加電圧が０
Ｖでは、わずかに光を透過しており、透過率を”０”に
保つには、−２Ｖを印加しなくてはならないことがわか
る。白表示のサブフレームでは、パルスの最小値は０Ｖ
で負の側には設定できないので、この場合、黒表示のフ
レームでは光が漏れて完全な黒にはならない。これは、
コントラストの低下を招く事を意味する。
【００１１】本発明の目的は、強誘電性液晶に代表され
る自発分極を有する液晶を用いたパネルにおいて、書き
込みの際のメモリ性不良によるわずかな光の透過に起因
するコントラスト低下を防止することにある。
る自発分極を有する液晶を用いたパネルにおいて、書き
込みの際のメモリ性不良によるわずかな光の透過に起因
するコントラスト低下を防止することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明は、強誘電性液晶
に電圧を印加する１組の電極の一方の通常の電位を液晶
が黒表示となる極性方向にオフセットさせることによ
り、書き込みの際のメモリ性不良を補償して、透過率が
０となるレベルを維持することでコントラストの向上を
図ることを目的にしている。
に電圧を印加する１組の電極の一方の通常の電位を液晶
が黒表示となる極性方向にオフセットさせることによ
り、書き込みの際のメモリ性不良を補償して、透過率が
０となるレベルを維持することでコントラストの向上を
図ることを目的にしている。
【００１３】
【発明の実施の形態】図３は本発明に基づく駆動方式を
実現するブロック図およびＴＦＴアクティブマトリクス
の１画素分の等価回路の一例を示す。図において１は液
晶パネル、２はアクティブマトリクスを形成した基板、
３は共通電極を形成した他方の基板、６はオフセットの
電位を制御する共通電極電圧発生回路である。２０は制
御信号発生回路、２１はスキャン（走査）ドライバ、２
２はデータドライバ、２３は液晶の０電位を規定するた
めの基準電圧を発生させる基準電圧発生回路である。
実現するブロック図およびＴＦＴアクティブマトリクス
の１画素分の等価回路の一例を示す。図において１は液
晶パネル、２はアクティブマトリクスを形成した基板、
３は共通電極を形成した他方の基板、６はオフセットの
電位を制御する共通電極電圧発生回路である。２０は制
御信号発生回路、２１はスキャン（走査）ドライバ、２
２はデータドライバ、２３は液晶の０電位を規定するた
めの基準電圧を発生させる基準電圧発生回路である。
【００１４】この装置における信号の流れを図３を用い
て説明する。装置に入力された画像データは、画像メモ
リに書き込まれる。制御信号発生回路２０では、このデ
ータを各画素に対応した画素データに変換して、データ
ドライバ２２に送り、行ごとのシリアルデータに変換し
てデータバスラインに書き込みを行う。同時に、制御信
号発生回路２０からは、同期信号がスキャンドライバ２
１に送られ、そこで各列に接続されたＴＦＴのゲートを
オンするためのスキャンパルスが生成され、各ゲートバ
スラインに線順次で書き込まれる。これらの動作によ
り、各画素電極には、それぞれのＴＦＴがオンしたタイ
ミングに一致したデータパルスの電圧が印加される。
て説明する。装置に入力された画像データは、画像メモ
リに書き込まれる。制御信号発生回路２０では、このデ
ータを各画素に対応した画素データに変換して、データ
ドライバ２２に送り、行ごとのシリアルデータに変換し
てデータバスラインに書き込みを行う。同時に、制御信
号発生回路２０からは、同期信号がスキャンドライバ２
１に送られ、そこで各列に接続されたＴＦＴのゲートを
オンするためのスキャンパルスが生成され、各ゲートバ
スラインに線順次で書き込まれる。これらの動作によ
り、各画素電極には、それぞれのＴＦＴがオンしたタイ
ミングに一致したデータパルスの電圧が印加される。
【００１５】図４（ａ）〜（ｃ）には、本実施例に用い
るスキャン／データ／補正の各信号波形の一例を、（ｄ
１）〜（ｄ６）にはこの場合の画素１〜６の液晶の電位
を示す。
るスキャン／データ／補正の各信号波形の一例を、（ｄ
１）〜（ｄ６）にはこの場合の画素１〜６の液晶の電位
を示す。
【００１６】図４（ｃ）のように、共通電極３側の電圧
を黒表示が安定化する方向（本実施例の場合＋方向）
に、制御回路６により、液晶パネルの基準電位からΔＶ
ofs だけずらして印加し、画素電極１３側にはＴＦＴ１
１のスイッチングを介して、図４（ｂ）に示すように駆
動データ信号を同一フレームでは白書き込みのサブフレ
ームと黒書き込みのサブフレームで、各画素に対応する
データの絶対値は同じで極性が逆になるように入力され
る。
を黒表示が安定化する方向（本実施例の場合＋方向）
に、制御回路６により、液晶パネルの基準電位からΔＶ
ofs だけずらして印加し、画素電極１３側にはＴＦＴ１
１のスイッチングを介して、図４（ｂ）に示すように駆
動データ信号を同一フレームでは白書き込みのサブフレ
ームと黒書き込みのサブフレームで、各画素に対応する
データの絶対値は同じで極性が逆になるように入力され
る。
【００１７】実施例１ 図５には第一の実施例のパネルの要部断面図を示す。図
において、２はＴＦＴアクティブマトリクスを形成した
一方のガラス基板、３はカラーフィルタおよび透明な共
通電極を積層したカラーフィルタ基板、１１はＴＦＴ、
１２は液晶層、１３は表示電極である。
において、２はＴＦＴアクティブマトリクスを形成した
一方のガラス基板、３はカラーフィルタおよび透明な共
通電極を積層したカラーフィルタ基板、１１はＴＦＴ、
１２は液晶層、１３は表示電極である。
【００１８】ＴＦＴアクティブマトリクス（ピッチ0.10
25×0.3075mm，画素数800 ×3 ×600,対角12.1インチ)
を形成したガラス基板２、及び表面に前記画素電極ピッ
チに合わせて赤／青／緑に塗り分けたカラーフィルタを
形成し、その上から透明な共通電極を蒸着により形成し
たガラス基板３を、それぞれ洗浄した後、それぞれの表
面に配向膜としてポリイミドを塗布／焼成し、約２０ｎ
ｍの膜厚にした。この膜の表面を、レーヨン布で一定方
向に擦ることによりラビング処理した。この両基板を、
平均粒径１．６μｍのシリカ製スペーサ散布によりギャ
ップを保持した状態で貼り合わせ、ナフタレン系液晶を
主成分とする強誘電性液晶材料（例えばA.Mochizuki,e
t.al.:Ferroelectrics,133,353(1991) 等) を注入し
た。
25×0.3075mm，画素数800 ×3 ×600,対角12.1インチ)
を形成したガラス基板２、及び表面に前記画素電極ピッ
チに合わせて赤／青／緑に塗り分けたカラーフィルタを
形成し、その上から透明な共通電極を蒸着により形成し
たガラス基板３を、それぞれ洗浄した後、それぞれの表
面に配向膜としてポリイミドを塗布／焼成し、約２０ｎ
ｍの膜厚にした。この膜の表面を、レーヨン布で一定方
向に擦ることによりラビング処理した。この両基板を、
平均粒径１．６μｍのシリカ製スペーサ散布によりギャ
ップを保持した状態で貼り合わせ、ナフタレン系液晶を
主成分とする強誘電性液晶材料（例えばA.Mochizuki,e
t.al.:Ferroelectrics,133,353(1991) 等) を注入し
た。
【００１９】上記のパネルをクロスニコル状態の２枚の
偏光フィルム（日東電工製：ＮＰＦ−ＥＧ１２２５Ｄ
Ｕ）ではさみ、強誘電性液晶分子長軸方向が一方に傾い
た時に暗状態になるようにして液晶パネル１を作成し
た。
偏光フィルム（日東電工製：ＮＰＦ−ＥＧ１２２５Ｄ
Ｕ）ではさみ、強誘電性液晶分子長軸方向が一方に傾い
た時に暗状態になるようにして液晶パネル１を作成し
た。
【００２０】この液晶パネルに、図４（ｃ）のように、
共通電極３側の電圧を黒表示が安定化する方向（本実施
例の場合＋方向）に、制御回路６により、液晶パネルの
基準電位から約１Ｖずらして印加し、画素電極１３側に
はＴＦＴ１１のスイッチングを介して、図４（ｂ）に示
すように駆動データ信号を同一フレームでは白書き込み
のサブフレームと黒書き込みのサブフレームで、各画素
に対応するデータの絶対値は同じで極性が逆になるよう
に入力した。本実施例でのパルス電圧−透過率特性を図
６に示す。共通電位のオフセットの効果により、０Ｖで
透過率が０となっている事が判る。この時の各画素の液
晶の電位は図４（ｄ１）〜（ｄ６）のようになる。画素
５では、黒表示を行っているが、パルスの値は０である
が、実効的な液晶の電位は透過率０となるレベルになっ
ている。また、実測したコントラスト比は、２２０：１
（黒表示時：０Ｖ，白表示時：７Ｖ）と、十分な値が得
られた。 さらに、共通電極の電圧オフセット値を０〜
５Ｖの間で変化させて黒表示（データ電圧：０Ｖ）と白
表示（データ電圧：７Ｖ）における透過率からコントラ
スト比を求め、オフセット電圧に対するコントラスト比
の依存性を調べた結果を図７に示す。コントラスト比の
目安を１００：１とすると、オフセット値が０．５〜２
Ｖの範囲で高いコントラスト比が得られていることが判
る。
共通電極３側の電圧を黒表示が安定化する方向（本実施
例の場合＋方向）に、制御回路６により、液晶パネルの
基準電位から約１Ｖずらして印加し、画素電極１３側に
はＴＦＴ１１のスイッチングを介して、図４（ｂ）に示
すように駆動データ信号を同一フレームでは白書き込み
のサブフレームと黒書き込みのサブフレームで、各画素
に対応するデータの絶対値は同じで極性が逆になるよう
に入力した。本実施例でのパルス電圧−透過率特性を図
６に示す。共通電位のオフセットの効果により、０Ｖで
透過率が０となっている事が判る。この時の各画素の液
晶の電位は図４（ｄ１）〜（ｄ６）のようになる。画素
５では、黒表示を行っているが、パルスの値は０である
が、実効的な液晶の電位は透過率０となるレベルになっ
ている。また、実測したコントラスト比は、２２０：１
（黒表示時：０Ｖ，白表示時：７Ｖ）と、十分な値が得
られた。 さらに、共通電極の電圧オフセット値を０〜
５Ｖの間で変化させて黒表示（データ電圧：０Ｖ）と白
表示（データ電圧：７Ｖ）における透過率からコントラ
スト比を求め、オフセット電圧に対するコントラスト比
の依存性を調べた結果を図７に示す。コントラスト比の
目安を１００：１とすると、オフセット値が０．５〜２
Ｖの範囲で高いコントラスト比が得られていることが判
る。
【００２１】なお、本実施例のパネルを、従来のよう
に、共通電極の電位を０として駆動した場合、コントラ
スト比は６０：１であった。
に、共通電極の電位を０として駆動した場合、コントラ
スト比は６０：１であった。
【００２２】実施例２ 図８には以下の条件にて作製した第２の実施例の液晶パ
ネルの要部断面図の一例を示す。図において、４は透明
共通電極を形成した共通側基板、５は液晶パネルであ
る。
ネルの要部断面図の一例を示す。図において、４は透明
共通電極を形成した共通側基板、５は液晶パネルであ
る。
【００２３】ＴＦＴアクティブマトリクス（ピッチ0.30
75×0.3075mm，画素数800 ×600,対角12.1インチ) を形
成したガラス基板２、および表面に透明な共通電極を蒸
着により形成したガラス基板４を、それぞれ洗浄した
後、それぞれの表面に配向膜としてポリイミドを塗布／
焼成し、約２０ｎｍの膜厚にした。この膜の表面をレー
ヨン布で一定方向に擦ることによってラビング処理し
た。この両基板を、平均粒径１．６μｍのシリカ製スペ
ーサ散布によりギャップを保持した状態で貼り合わせ、
ナフタレン系液晶を主成分とする強誘電性液晶材料（例
えばA.Mochizuki,et.al.:Ferroelectrics,133,353(199
1) 等) を注入した。
75×0.3075mm，画素数800 ×600,対角12.1インチ) を形
成したガラス基板２、および表面に透明な共通電極を蒸
着により形成したガラス基板４を、それぞれ洗浄した
後、それぞれの表面に配向膜としてポリイミドを塗布／
焼成し、約２０ｎｍの膜厚にした。この膜の表面をレー
ヨン布で一定方向に擦ることによってラビング処理し
た。この両基板を、平均粒径１．６μｍのシリカ製スペ
ーサ散布によりギャップを保持した状態で貼り合わせ、
ナフタレン系液晶を主成分とする強誘電性液晶材料（例
えばA.Mochizuki,et.al.:Ferroelectrics,133,353(199
1) 等) を注入した。
【００２４】上記のパネルをクロスニコル状態の２枚の
偏光フィルム（日東電工製：ＮＰＦ−ＥＧ１２２５Ｄ
Ｕ）ではさみ、強誘電性液晶分子長軸方向が一方に傾い
た時に暗状態になるようにして、液晶パネル５を作成し
た。
偏光フィルム（日東電工製：ＮＰＦ−ＥＧ１２２５Ｄ
Ｕ）ではさみ、強誘電性液晶分子長軸方向が一方に傾い
た時に暗状態になるようにして、液晶パネル５を作成し
た。
【００２５】さらに、本図には示さないが、赤、青、緑
の３色の発光を時分割で制御できるＬＥＤバックライト
７に、制御信号発生回路２０からの同期信号に従ってこ
のパネルの走査に同期して各色の発光を制御する制御回
路２４を組み合わせて、このパネルの背面に設置した。
の３色の発光を時分割で制御できるＬＥＤバックライト
７に、制御信号発生回路２０からの同期信号に従ってこ
のパネルの走査に同期して各色の発光を制御する制御回
路２４を組み合わせて、このパネルの背面に設置した。
【００２６】図９には本実施例のブロック図を示す。図
において、７は赤／青／緑の各単色光を時分割で発光で
きるバックライト、２４はバックライト７の発光を液晶
パネルの駆動に同期させて制御する制御回路である。
において、７は赤／青／緑の各単色光を時分割で発光で
きるバックライト、２４はバックライト７の発光を液晶
パネルの駆動に同期させて制御する制御回路である。
【００２７】図４（ｃ）のように、共通電極４側の電圧
を黒表示が安定化する方向（本実施例の場合＋方向）
に、液晶パネルの基準電位から約１Ｖずらして印加し、
画素電極１３側にはＴＦＴ１１のスイッチングを介し
て、図４（ｂ）に示すような電界の方向が反対でピーク
の絶対値が等しい駆動データ信号をフレーム周波数１８
０Ｈｚで交互に入力した。本実施例では、各表示色ごと
に１つのフレームを割り当てており、３フレームで１セ
ットのフルカラー表示を行っている。各フレームに同期
させてバックライトの発光色を切り換える事で、鮮明な
カラー動画表示を行う事ができた。本実施例では、実施
例１の場合に比べて画素の総数が１／３となり、ピッチ
が粗くなるため、開口部分が大きくなり、さらに、カラ
ーフィルタによる光の減衰がないため、画面がより明る
くなると言う特徴がある。また、このようなフィールド
シーケンシャル方式では、３色カラーフィルタ方式の３
倍以上のフレーム周波数で駆動する必要があり、従来の
ＴＮ系の液晶材料では追随が困難だったが、応答速度の
速い強誘電性液晶では十分に追随ができることが確認で
きた。
を黒表示が安定化する方向（本実施例の場合＋方向）
に、液晶パネルの基準電位から約１Ｖずらして印加し、
画素電極１３側にはＴＦＴ１１のスイッチングを介し
て、図４（ｂ）に示すような電界の方向が反対でピーク
の絶対値が等しい駆動データ信号をフレーム周波数１８
０Ｈｚで交互に入力した。本実施例では、各表示色ごと
に１つのフレームを割り当てており、３フレームで１セ
ットのフルカラー表示を行っている。各フレームに同期
させてバックライトの発光色を切り換える事で、鮮明な
カラー動画表示を行う事ができた。本実施例では、実施
例１の場合に比べて画素の総数が１／３となり、ピッチ
が粗くなるため、開口部分が大きくなり、さらに、カラ
ーフィルタによる光の減衰がないため、画面がより明る
くなると言う特徴がある。また、このようなフィールド
シーケンシャル方式では、３色カラーフィルタ方式の３
倍以上のフレーム周波数で駆動する必要があり、従来の
ＴＮ系の液晶材料では追随が困難だったが、応答速度の
速い強誘電性液晶では十分に追随ができることが確認で
きた。
【００２８】実施例３ 実施例１に使用したパネルに図１０（ａ）〜（ｃ）に示
すように共通電極３は０Ｖに固定し、（ｂ）のようにデ
ータ信号を全体にマイナス側に１Ｖシフトさせたような
駆動を行った。この場合でも液晶の両端の電圧は図１０
（ｄ）のように、実施例１（図４（ｄ１）〜（ｄ６））
と同じになり同等の効果が得られた。本実施例における
駆動法は、共通電極を持たない単純マトリクス型のパネ
ルにも有効である。
すように共通電極３は０Ｖに固定し、（ｂ）のようにデ
ータ信号を全体にマイナス側に１Ｖシフトさせたような
駆動を行った。この場合でも液晶の両端の電圧は図１０
（ｄ）のように、実施例１（図４（ｄ１）〜（ｄ６））
と同じになり同等の効果が得られた。本実施例における
駆動法は、共通電極を持たない単純マトリクス型のパネ
ルにも有効である。
【００２９】以上の実施例では、ＴＦＴ型アクティブマ
トリクスと強誘電性液晶を組み合わせた表示装置の場合
を挙げているが、構造の簡単な単純マトリクス方式のパ
ネルに本発明による駆動法を適用しても有効であり、ま
た、表示装置以外の光変調素子や光シャッタを応用した
機器などにも適用できることは言うまでもない。
トリクスと強誘電性液晶を組み合わせた表示装置の場合
を挙げているが、構造の簡単な単純マトリクス方式のパ
ネルに本発明による駆動法を適用しても有効であり、ま
た、表示装置以外の光変調素子や光シャッタを応用した
機器などにも適用できることは言うまでもない。
【００３０】
【発明の効果】以上、詳述した如く、本発明によれば従
来、強誘電性液晶パネルの書き込み時のメモリ性不良に
より発生していた、書き込み後の透過率の経時的な上昇
が抑えられるため、コントラスト比が改善できる。
来、強誘電性液晶パネルの書き込み時のメモリ性不良に
より発生していた、書き込み後の透過率の経時的な上昇
が抑えられるため、コントラスト比が改善できる。
【図１】従来の駆動法による駆動波形の１例である。
【図２】従来の強誘電性液晶素子の印加電圧−透過率特
性を示す。
性を示す。
【図３】本発明の第１実施例のブロック図である。
【図４】本発明の第１および第２実施例の駆動波形を示
す。
す。
【図５】本発明の第１実施例の液晶パネルの要部断面図
である。
である。
【図６】本発明を適用した強誘電性液晶素子の印加電圧
−透過率特性を示す。
−透過率特性を示す。
【図７】コントラスト比の共通電極のオフセット値に対
する依存性を示す。
する依存性を示す。
【図８】本発明の第２実施例の液晶パネルの要部断面図
である。
である。
【図９】本発明の第２実施例のブロック図である。
【図１０】本発明の第３実施例の駆動波形を示す。
１ 液晶パネル ２ ＴＦＴアクティブマトリクスを配置した基板 ３ カラーフィルタと共通電極を配置した基板 ６ 共通電極電圧の制御回路 ７ バックライト １１ 画素駆動用のＴＦＴ １２ 液晶層 １３ 表示電極 ２０ 制御信号発生回路 ２１ スキャンドライバ ２２ データドライバ ２３ 基準電圧発生回路 ２４ バックライトの制御回路 ３１，３２ ゲートパルス ３３ 白表示データ ３４ 黒表示のデータ
フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０４Ｎ 5/66 １０２ Ｈ０４Ｎ 5/66 １０２Ｂ (72)発明者 白戸 博紀 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番 １号 富士通株式会社内 (72)発明者 清田 芳則 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番 １号 富士通株式会社内 Ｆターム(参考） 2H093 NA11 NA16 NC13 NC22 NC26 NC34 NC43 NC67 ND04 ND15 ND58 NF17 5C006 AA22 AC15 AF44 AF46 AF63 BA11 BB16 EA01 FA18 FA36 FA54 5C058 AA07 AA09 BA02 BA08 BA29 BB01 5C080 AA10 BB05 DD03 EE28 FF11 JJ02 JJ04 JJ05 JJ06 5C094 AA06 AA08 BA03 BA43 CA19 EA04 EA07 EB02
Claims (5)
- 【請求項１】 自発分極を有する液晶材料を封入した構
成を有し、前記自発分極を有する液晶材料に電圧を加え
ることにより光の透過量を制御する液晶素子において、 前記液晶材料の状態を制御する信号の、書込みのパルス
印加時以外の電位は液晶における０電位に対して正また
は負のいずれかにオフセットされる駆動を行うことを特
徴とする液晶素子。 - 【請求項２】 前記自発分極を有する液晶材料の状態を
制御する信号のパルス非印加時のオフセットの電界方向
を、当該液晶材料を黒表示の状態にする極性に一致させ
る駆動を行うことを特徴とする請求項１記載の液晶素
子。 - 【請求項３】 前記自発分極を有する液晶材料の画素ご
との電気的な制御を行うためのアクティブ素子を設けた
ことを特徴とする請求項１または２記載の液晶素子。 - 【請求項４】 前記アクティブ素子との間に前記液晶材
料を挟んで対向する他方の電極に、前記オフセット電圧
を印加することを特徴とする請求項３記載の液晶素子。 - 【請求項５】 請求項１乃至請求項４のいずれかに記載
の液晶素子に、時分割で複数の単色光を順次発光制御可
能なバックライトと組み合わせることにより、多色表示
を行うようにしたことを特徴とする液晶表示装置。
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| JPH0196896A (ja) | 1987-10-08 | 1989-04-14 | Nec Corp | デュアルポートメモリとそのデータ転送方法 |
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