JPS60263124A - 液晶素子の駆動方法 - Google Patents
液晶素子の駆動方法Info
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- JPS60263124A JPS60263124A JP11968084A JP11968084A JPS60263124A JP S60263124 A JPS60263124 A JP S60263124A JP 11968084 A JP11968084 A JP 11968084A JP 11968084 A JP11968084 A JP 11968084A JP S60263124 A JPS60263124 A JP S60263124A
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- pulse
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明は液晶素子に係り、特に強誘電性液晶を用いる液
・晶素子のマルチプレキシング駆動方法に関する。
・晶素子のマルチプレキシング駆動方法に関する。
強誘電性液晶として、例えば第1表に示す様なS消叶相
、Sm−相を呈する液晶が知られているO 第 1 表 これ等の強誘電性液晶分子の印加電界に対する状態を第
1図に示す0液晶セル厚が厚い時には、第1図(g)に
示す如く、電界Eを印加しない場合、強誘電性液晶分子
1は、ら線軸2に対してθ(例えば、第1表■の舊=1
0のDOBAMBO液晶では20〜25度である)の角
度を有しら線状に配列する。このように配列した倹誘電
性液晶分子にしきい値電界Ec以上の電界Eを印加する
と第1図(6)の如く、強誘電性液晶分子1は、電界E
の方向と垂直な平面上にら線軸2に対してθの角度を有
して配列する。また第1図(6)の電界凡の極性を反転
させると、第1図(c)に示す如く、強誘電性液晶分子
1は電界Eの方向と垂直な平面上にら線軸2に対してθ
の角度を有して配列する。
、Sm−相を呈する液晶が知られているO 第 1 表 これ等の強誘電性液晶分子の印加電界に対する状態を第
1図に示す0液晶セル厚が厚い時には、第1図(g)に
示す如く、電界Eを印加しない場合、強誘電性液晶分子
1は、ら線軸2に対してθ(例えば、第1表■の舊=1
0のDOBAMBO液晶では20〜25度である)の角
度を有しら線状に配列する。このように配列した倹誘電
性液晶分子にしきい値電界Ec以上の電界Eを印加する
と第1図(6)の如く、強誘電性液晶分子1は、電界E
の方向と垂直な平面上にら線軸2に対してθの角度を有
して配列する。また第1図(6)の電界凡の極性を反転
させると、第1図(c)に示す如く、強誘電性液晶分子
1は電界Eの方向と垂直な平面上にら線軸2に対してθ
の角度を有して配列する。
更に、液晶セル厚が薄い場合には、第1図(a)のら線
構造は消出しく例えば、DOBAMBO液晶では液晶セ
ル厚4〜5−以下)、電界を全く印加してない場合には
、第1図(6)又は第1図(c)の状態で配列している
。例えば仮に、第1図(c)の・状態で配列していたと
するとこれにしきい値電界ΣC以上の電界Eを印加する
と第1図(6)の状態に配列する。また第1図(A)の
電界lの極性を反転させると全体が第1図(c)の状態
で配列する◇更にこの第1図(6)の状態で電界Fを取
り除いても長期にわたりこの状態が保持される。又第1
図(6)の状態で電界Eを取り除いても第1図(6)の
状態で長期にわたり保持される。
構造は消出しく例えば、DOBAMBO液晶では液晶セ
ル厚4〜5−以下)、電界を全く印加してない場合には
、第1図(6)又は第1図(c)の状態で配列している
。例えば仮に、第1図(c)の・状態で配列していたと
するとこれにしきい値電界ΣC以上の電界Eを印加する
と第1図(6)の状態に配列する。また第1図(A)の
電界lの極性を反転させると全体が第1図(c)の状態
で配列する◇更にこの第1図(6)の状態で電界Fを取
り除いても長期にわたりこの状態が保持される。又第1
図(6)の状態で電界Eを取り除いても第1図(6)の
状態で長期にわたり保持される。
上記現象は、非常に高速でしかもメモリ性があることが
特徴で、十分な大きさの電界を印加すればμ(6)オー
ダーのパルス幅を持つパルスに応答し、セル条件を選択
すれば長期にわたりメモリ性があることが知られている
。従って画素数が大きくなる大型高密度ディスプレイ、
電子シャッタ、偏光器等への応用が期待されているが、
従来、印加電圧と光透過状態との関係が明らかにされて
おらず、強誘電性液晶に具体的にどのような電圧を印加
したらマルチプレクシング駆動できるのか明らかにされ
ていなかった0又、強誘電性液晶素子のスタティック駆
動方法は、特開昭58−179890に記載されている
。口の方式ではスタティックな駆動方法としては適する
が、マルチブレクシング駆動の場合は、強誘電性液晶が
電圧極性で動作するという特質上、強誘電性液晶に印加
される電圧の平均値を全く零にするようにマルチブレク
シング駆動させることは、原理上不可能と思われる。
特徴で、十分な大きさの電界を印加すればμ(6)オー
ダーのパルス幅を持つパルスに応答し、セル条件を選択
すれば長期にわたりメモリ性があることが知られている
。従って画素数が大きくなる大型高密度ディスプレイ、
電子シャッタ、偏光器等への応用が期待されているが、
従来、印加電圧と光透過状態との関係が明らかにされて
おらず、強誘電性液晶に具体的にどのような電圧を印加
したらマルチプレクシング駆動できるのか明らかにされ
ていなかった0又、強誘電性液晶素子のスタティック駆
動方法は、特開昭58−179890に記載されている
。口の方式ではスタティックな駆動方法としては適する
が、マルチブレクシング駆動の場合は、強誘電性液晶が
電圧極性で動作するという特質上、強誘電性液晶に印加
される電圧の平均値を全く零にするようにマルチブレク
シング駆動させることは、原理上不可能と思われる。
周知の如く、スタティック駆動方法は、液晶セルの電極
構造、液晶セルと駆動d路出力部との結合、駆動回路等
が複雑化してしまり・高画素表示には適さない◇従って
強誘電性液晶の特徴である高速応答及びメモリ性による
大型高密度表示を行なうためには、強誘電性液晶に適合
するマルチプレクンング駆動方法で駆動させることが望
まれる。
構造、液晶セルと駆動d路出力部との結合、駆動回路等
が複雑化してしまり・高画素表示には適さない◇従って
強誘電性液晶の特徴である高速応答及びメモリ性による
大型高密度表示を行なうためには、強誘電性液晶に適合
するマルチプレクンング駆動方法で駆動させることが望
まれる。
本発明は、上記欠点を改善すべくなされたもので、その
目的とするところは、本発明者等が見い出した印加電圧
と強誘電性液晶の光透過状態との関係から、所望の光透
過状態を高速で得ることのできる液晶素子の良好なマル
チプレクシング駆動方法を提供することにある。
目的とするところは、本発明者等が見い出した印加電圧
と強誘電性液晶の光透過状態との関係から、所望の光透
過状態を高速で得ることのできる液晶素子の良好なマル
チプレクシング駆動方法を提供することにある。
本発明の液晶駆動方法の特徴は、線順次走査によりマル
チプレクシング駆動する時に特に有効であり、各走査電
極の1フレームの選択期間内に、波高値が絶対値で■1
の交流パルスを、選択期間外は強誘電性液晶が応答する
ことのできないパルス幅の交流高周波パルスを印加し、
又各信号電極には、画素をonさせたい時には+v2又
は−■7、Offさせたい時には一■2又は+■、を印
加する(この場合V、の極性は、偏光板の偏光軸が強誘
電性液晶の2つの安定な配列のどちらに一致しているか
により任意に選択できる。仮にonを+V、とするとO
ffは+V、であることを意味する。)ことにより強誘
電性液晶を駆動させるものである。この場合強誘電性液
晶には、画素をon又はOffさせる選択状態では、v
、−1−v、及びV、−V、が印加され、選択期間外で
は、強誘電性液晶の応答しないパルス幅の高周波パルス
が印J 加される。従って選択状態の表示(on又はO
ff状態)が非選択期間中に全く変化することがないた
め良好なマ) IJクス表示が可能となる。又前記強誘
電性液晶の応答しないパルス幅とは、本発明者等の実験
によるとおよそ10μ軟以下である。
チプレクシング駆動する時に特に有効であり、各走査電
極の1フレームの選択期間内に、波高値が絶対値で■1
の交流パルスを、選択期間外は強誘電性液晶が応答する
ことのできないパルス幅の交流高周波パルスを印加し、
又各信号電極には、画素をonさせたい時には+v2又
は−■7、Offさせたい時には一■2又は+■、を印
加する(この場合V、の極性は、偏光板の偏光軸が強誘
電性液晶の2つの安定な配列のどちらに一致しているか
により任意に選択できる。仮にonを+V、とするとO
ffは+V、であることを意味する。)ことにより強誘
電性液晶を駆動させるものである。この場合強誘電性液
晶には、画素をon又はOffさせる選択状態では、v
、−1−v、及びV、−V、が印加され、選択期間外で
は、強誘電性液晶の応答しないパルス幅の高周波パルス
が印J 加される。従って選択状態の表示(on又はO
ff状態)が非選択期間中に全く変化することがないた
め良好なマ) IJクス表示が可能となる。又前記強誘
電性液晶の応答しないパルス幅とは、本発明者等の実験
によるとおよそ10μ軟以下である。
更に、強誘電性液晶素子は、良好なメモリ性があるため
TN(ツイストネマチック)液晶素子と異なり・デユー
ティ−により選択時、非選択時の液晶にかかる電圧比を
変化する必要がなく、良好なり th及びVsat(飽
和電圧)があればデユーティは理論上無限大にとれる0
本発明方法においても同様であるが、本発明方法は選択
時に強誘電性液晶には、液晶の駆動電圧V、+V、と共
にV、−V、も印加されるため、液晶のしきい値特性が
重要である。つまりv、−v、≦v 1kSv、−4−
v。
TN(ツイストネマチック)液晶素子と異なり・デユー
ティ−により選択時、非選択時の液晶にかかる電圧比を
変化する必要がなく、良好なり th及びVsat(飽
和電圧)があればデユーティは理論上無限大にとれる0
本発明方法においても同様であるが、本発明方法は選択
時に強誘電性液晶には、液晶の駆動電圧V、+V、と共
にV、−V、も印加されるため、液晶のしきい値特性が
重要である。つまりv、−v、≦v 1kSv、−4−
v。
>vth、v、≧Vl 、vl及びv、は正の実数を満
足しなければならない。更に駆動回路の簡易化等を考慮
すると(V+ +V2 )/(MI Vl )が最も大
きくとれるv、Hv、=1 :1が最も好ましい。又セ
ル厚は、強誘電性液晶素子のメモリ性の出る厚みに限定
される。
足しなければならない。更に駆動回路の簡易化等を考慮
すると(V+ +V2 )/(MI Vl )が最も大
きくとれるv、Hv、=1 :1が最も好ましい。又セ
ル厚は、強誘電性液晶素子のメモリ性の出る厚みに限定
される。
以下実施例に従って本発明を更に具体的に説明する・
第2図に液晶素子の概略図を示す。ここで第2図−)は
断面図、第2図(&)は平面図である。ガラスからなる
一対の基板11.12の対向面に、厚さson 〜1o
ooXの工*203.5n02等からなる透明電極13
.14を設ける。この電極13゜14はそれぞれがスト
ライプ状に形成され、はぼ直交され格子状に組合せられ
る。尚15を走査電極、14を信号電極と呼ぶ◇更に必
要に応じこの電極上にS i 01等の絶縁層15を設
けた後、基板11.12の間にセル厚を決めるため及び
強誘電性液晶を配向させるための・ポリエチレンテレフ
タレート、ナイロン等からなる方向性高分子膜のスペー
サ16を設け、液晶としてはDOBAMB017を用い
上下基板間11.12間に挾持した。
断面図、第2図(&)は平面図である。ガラスからなる
一対の基板11.12の対向面に、厚さson 〜1o
ooXの工*203.5n02等からなる透明電極13
.14を設ける。この電極13゜14はそれぞれがスト
ライプ状に形成され、はぼ直交され格子状に組合せられ
る。尚15を走査電極、14を信号電極と呼ぶ◇更に必
要に応じこの電極上にS i 01等の絶縁層15を設
けた後、基板11.12の間にセル厚を決めるため及び
強誘電性液晶を配向させるための・ポリエチレンテレフ
タレート、ナイロン等からなる方向性高分子膜のスペー
サ16を設け、液晶としてはDOBAMB017を用い
上下基板間11.12間に挾持した。
20は上下基板を固定する接着剤であり、セル厚は約1
8μ轡である。この液晶表子第2図右側に2枚の金属板
にヒータ線をまきつけたヒータ板を、左側に2枚の金属
板からなる放熱板を設け、温度勾配をかけながら液晶層
を析出配向させた。更に上下基板11.12の11.!
t3,1aが設けられていない面側に、偏光板18.1
9を隣接させた。
8μ轡である。この液晶表子第2図右側に2枚の金属板
にヒータ線をまきつけたヒータ板を、左側に2枚の金属
板からなる放熱板を設け、温度勾配をかけながら液晶層
を析出配向させた。更に上下基板11.12の11.!
t3,1aが設けられていない面側に、偏光板18.1
9を隣接させた。
この時偏光板18の偏光軸方向と、偏光板19の偏光軸
方向を直交させ、更に一方の偏光板の偏光軸方向を、強
誘電性液晶のしきい値電界I Ico 1以上の電界を
印加した時の強誘電性液晶分子の分子長軸方向と一致さ
せる。この場合一方の偏光板の偏光軸と液晶分子長軸が
一致する方向の電界に符号をつけて仮に一丘とすると、
−1Eの電界を印加した時は光が遮断されるため暗黒と
なり、又逆に+Xの電界が印加されると偏光板を透過す
る光成分を有するため明るくなる◇このようにして−に
、+Eの印加により明暗の切換ができ、表示素子、電子
シャッタ、偏光素子として機能し得る。
方向を直交させ、更に一方の偏光板の偏光軸方向を、強
誘電性液晶のしきい値電界I Ico 1以上の電界を
印加した時の強誘電性液晶分子の分子長軸方向と一致さ
せる。この場合一方の偏光板の偏光軸と液晶分子長軸が
一致する方向の電界に符号をつけて仮に一丘とすると、
−1Eの電界を印加した時は光が遮断されるため暗黒と
なり、又逆に+Xの電界が印加されると偏光板を透過す
る光成分を有するため明るくなる◇このようにして−に
、+Eの印加により明暗の切換ができ、表示素子、電子
シャッタ、偏光素子として機能し得る。
尚電界が印加されない場合はメモリ状態となるため、−
Kから零だと黒、+Eから零だと明の状態を保持続ける
◇また本現象をここでは、強誘電性液晶の電気光学効果
と呼ぶことにする。
Kから零だと黒、+Eから零だと明の状態を保持続ける
◇また本現象をここでは、強誘電性液晶の電気光学効果
と呼ぶことにする。
この電気光学効果を更に詳しく調べた結果、゛第3図に
示すような特性を持つことが明らかとなりた◇第6図は
、強誘電性液晶に印加されるパルスのパルス幅と液晶の
しきい値特性の関係を示した図である。この図から強誘
電性液晶のしきい値電圧(v th )及び飽和電圧(
v sat )はパルス幅により異なり、しかもこの現
象はパルス幅が短くなるほど顕著であることがわかった
。又極性を変えてもほぼ同様のしきい値特性を示した。
示すような特性を持つことが明らかとなりた◇第6図は
、強誘電性液晶に印加されるパルスのパルス幅と液晶の
しきい値特性の関係を示した図である。この図から強誘
電性液晶のしきい値電圧(v th )及び飽和電圧(
v sat )はパルス幅により異なり、しかもこの現
象はパルス幅が短くなるほど顕著であることがわかった
。又極性を変えてもほぼ同様のしきい値特性を示した。
このことは強誘電性液晶素子をマルチプレクシング駆動
させる場合、非選択時に選択信号パルスより長いパルス
幅の逆極性のパルスが印加されると、非選択時でも液晶
素子が動き出し表示状態を変化させる可能性があること
を意味する。従ってどんな液晶素子の表示内容になって
も、非選択時に選択信号より長いパルス幅の逆極性パル
スが印加されないマルチプレクシジグ駆動法が好ましい
◎更に第3図から強誘電性液晶素子は、どんなに電圧を
高くしてもパルス幅が十分短かければ動かない特性があ
ることがわかる。従って非選択状態で液晶素子にこのパ
ルス幅以下のパルスの高周波パルスを印加できれば、前
記の様なしきい値特性を有していてモ良好なマルチブレ
クシング駆動が可能なことを示している。
させる場合、非選択時に選択信号パルスより長いパルス
幅の逆極性のパルスが印加されると、非選択時でも液晶
素子が動き出し表示状態を変化させる可能性があること
を意味する。従ってどんな液晶素子の表示内容になって
も、非選択時に選択信号より長いパルス幅の逆極性パル
スが印加されないマルチプレクシジグ駆動法が好ましい
◎更に第3図から強誘電性液晶素子は、どんなに電圧を
高くしてもパルス幅が十分短かければ動かない特性があ
ることがわかる。従って非選択状態で液晶素子にこのパ
ルス幅以下のパルスの高周波パルスを印加できれば、前
記の様なしきい値特性を有していてモ良好なマルチブレ
クシング駆動が可能なことを示している。
第4図は本発明の第1の実施例を示す駆動波形、光透過
特性を示した図である。各走査電極には選択時に波高値
が絶対値でV、の正負のパルス幅の等しい交流パルスが
印加され、非選択時にはパルス幅が5μ(6)で±V、
の交流高周波パルスが印加されている0又各信号電極に
は画素をon(例えば明るくなる状態とする)したい場
合には、走査電極の選択期間と同一のパルス幅の−V、
の電圧、6// (例えば暗くなる状態とする)したい
場合、同一パルス幅の+V、の電圧が印加される0この
時選択されたある画素の強誘電性液晶にはonの時v、
+v、及びv、−v、が印加され、又非選択時には、
表示内容によって異なるが、他の走査電極上の画素がo
n又はOffされるため+2V。
特性を示した図である。各走査電極には選択時に波高値
が絶対値でV、の正負のパルス幅の等しい交流パルスが
印加され、非選択時にはパルス幅が5μ(6)で±V、
の交流高周波パルスが印加されている0又各信号電極に
は画素をon(例えば明るくなる状態とする)したい場
合には、走査電極の選択期間と同一のパルス幅の−V、
の電圧、6// (例えば暗くなる状態とする)したい
場合、同一パルス幅の+V、の電圧が印加される0この
時選択されたある画素の強誘電性液晶にはonの時v、
+v、及びv、−v、が印加され、又非選択時には、
表示内容によって異なるが、他の走査電極上の画素がo
n又はOffされるため+2V。
又は−2V、の5μ(6)のパルス幅の電圧が印加され
る。又、選択時に印加されるV、−V、は強誘電性液晶
のしきい値電圧(V th )以下のため表示に影響し
ない。
る。又、選択時に印加されるV、−V、は強誘電性液晶
のしきい値電圧(V th )以下のため表示に影響し
ない。
又、第4図(、)は、走査電極に選択時の交流パルスが
先に正の電圧パルスが印加され負の電圧パルスとな志場
合を、第4図(b)は、走査電極に選択時の交流パルス
が先に負の電圧パルスか印加され正の電圧パルスとなる
場合を、第4図(6)は交互に正負の電圧パルスが先に
出ることを示している。
先に正の電圧パルスが印加され負の電圧パルスとな志場
合を、第4図(b)は、走査電極に選択時の交流パルス
が先に負の電圧パルスか印加され正の電圧パルスとなる
場合を、第4図(6)は交互に正負の電圧パルスが先に
出ることを示している。
第4図に示したいずれの方法に於いても、強誘電性液晶
に選択時には、+(V、+V2 )又は−(V、−1−
V2 )が任意に選択でき(on 、 off表示可能
)、非選択時には+2V、又は−2V2で5μ載の交周
波パルスが印加されるため表示内容を変化させない。
に選択時には、+(V、+V2 )又は−(V、−1−
V2 )が任意に選択でき(on 、 off表示可能
)、非選択時には+2V、又は−2V2で5μ載の交周
波パルスが印加されるため表示内容を変化させない。
例えば第4図(a)で、V、が絶対値で5V。
Pw、500 μm、■、が絶対値で25v1py、1
6B(6)、フレーム周期200m5だとすると、強誘
電性液晶には選択時に+7.5 V、又は−7,5V、
非選択時には5μ廐で+5Vの高周波パルスが印加され
、この駆動パルスで第2図に示した液晶素子を駆動させ
たところ、第4図中に示した如く良好な光透過特性が得
られた。更に第4図(6)及び(c)においても上記条
件で駆動させたところ、同様に良好な光透過特性が得ら
れた〇第5図は、第4図に示す様な駆動波形を実現する
具体的回路の一例である。51はトランスミクシ5ンゲ
ート、52はインバータ、56は強誘電性液晶素子であ
る。”I sTt +T3 tT4は、トランスミッシ
ョンゲート51を選択し・走査1に極側の駆動波形を作
る信号で、Dはトランスミッションゲート51を選択し
、信号電極側の駆動波形を作る信号である。又Vα、V
6 、Ve 、Vdは走査電極の駆動電圧で、Vd、v
fは信号電極の駆動電圧である。
6B(6)、フレーム周期200m5だとすると、強誘
電性液晶には選択時に+7.5 V、又は−7,5V、
非選択時には5μ廐で+5Vの高周波パルスが印加され
、この駆動パルスで第2図に示した液晶素子を駆動させ
たところ、第4図中に示した如く良好な光透過特性が得
られた。更に第4図(6)及び(c)においても上記条
件で駆動させたところ、同様に良好な光透過特性が得ら
れた〇第5図は、第4図に示す様な駆動波形を実現する
具体的回路の一例である。51はトランスミクシ5ンゲ
ート、52はインバータ、56は強誘電性液晶素子であ
る。”I sTt +T3 tT4は、トランスミッシ
ョンゲート51を選択し・走査1に極側の駆動波形を作
る信号で、Dはトランスミッションゲート51を選択し
、信号電極側の駆動波形を作る信号である。又Vα、V
6 、Ve 、Vdは走査電極の駆動電圧で、Vd、v
fは信号電極の駆動電圧である。
第6図は、本発明の第2の実施例を示す駆動波形である
。第4図と異なることは、■、及びV。
。第4図と異なることは、■、及びV。
の絶対値を等しくしたことである。例えば第6図でvl
が9vでPy、50μsec、■、が9vでpy。
が9vでPy、50μsec、■、が9vでpy。
100μm□□、フレーム周期100m・(8)、更に
非選択時の走査電極に印加される高周波パルスのパルス
幅3μ軟でパルス電圧を9vで、第2図に・示した液晶
素子を駆動させたところ、強誘電性液晶には選択時に+
18V又は−18V1非選択時には3μ(資)のパルス
幅で+18Vの高周波パルスが印加され、第6図中にこ
の時の光透過特性を示した如く、選択時に表示画素がO
n又は0ffL、、非選択時には、表示内容が変更され
るようなことは全く認められなかった。
非選択時の走査電極に印加される高周波パルスのパルス
幅3μ軟でパルス電圧を9vで、第2図に・示した液晶
素子を駆動させたところ、強誘電性液晶には選択時に+
18V又は−18V1非選択時には3μ(資)のパルス
幅で+18Vの高周波パルスが印加され、第6図中にこ
の時の光透過特性を示した如く、選択時に表示画素がO
n又は0ffL、、非選択時には、表示内容が変更され
るようなことは全く認められなかった。
第7図は、本発明の第6の実施例を示す駆動波形である
。第4図と異なることは、V、:V2:3:1としたこ
とである。例えば第6図で■1が24VでPW、25μ
e、■2が8vでPW7,5Qμ汝、フレーム周期1j
5glec、更に非選択時の走査電極に印加される高周
波パルスのパルス幅1μ虹でパルス電圧を8vで、第2
図に示した液晶素子を駆動させたところ、強誘電性液晶
には選択時に+32v又は−32V、非選択時には1μ
安のパルス幅で+16Vの高周波パルスが印加され、第
7図中にこの時の光透過特性を示した如く、選択メ 時
に表示画素がon又はOffし、非選択時には表示内容
が変更されるようなことは全く認められなかった。
。第4図と異なることは、V、:V2:3:1としたこ
とである。例えば第6図で■1が24VでPW、25μ
e、■2が8vでPW7,5Qμ汝、フレーム周期1j
5glec、更に非選択時の走査電極に印加される高周
波パルスのパルス幅1μ虹でパルス電圧を8vで、第2
図に示した液晶素子を駆動させたところ、強誘電性液晶
には選択時に+32v又は−32V、非選択時には1μ
安のパルス幅で+16Vの高周波パルスが印加され、第
7図中にこの時の光透過特性を示した如く、選択メ 時
に表示画素がon又はOffし、非選択時には表示内容
が変更されるようなことは全く認められなかった。
上記実施例は、本発明の一例を示すものであり液晶のし
きい値特性によっては、走査電極電圧と信号電極電圧比
を任意に選択でき、又液晶材料もDOBAMBCに限定
されなく、例えば第1表に示される他の強誘電性液晶に
おいても本発明を適用できる。
きい値特性によっては、走査電極電圧と信号電極電圧比
を任意に選択でき、又液晶材料もDOBAMBCに限定
されなく、例えば第1表に示される他の強誘電性液晶に
おいても本発明を適用できる。
以上の如く本発明によれば、強誘電性液晶素子に適合し
たマルチブレクシング駆動が可能なため、大型高密度デ
ィスプレイ、電子シャッタ、偏光器等への応用が可能と
なるものである。
たマルチブレクシング駆動が可能なため、大型高密度デ
ィスプレイ、電子シャッタ、偏光器等への応用が可能と
なるものである。
第1図(a)〜(c)は強誘電性液晶の印加電界に対す
る状態を示す図、第2図(a)、 (1+)は本発明が
適用できる液晶素子の一実施例を示す図、第6図は本発
明が適用できる強誘電性液晶のパルス幅に対するしきい
値特性を示す図、第4図(α)〜(c)は本発明の第1
の実施例である駆動波形及び光透過特性量示す図、第5
図は第4図に示す駆動波形を実現する具体的回路の一例
を示す図、第6図は本発明第2の実施例である駆動波形
及び光透過特性を示す図、第7図は本発明第3の実施例
である駆動波形及び光透過特性を示す図である。 1・・・・・・強誘電性液晶分子 2・・・・・・ら線軸 11・・・・基板 12・・・・・基板 13・・・・走査N極 14・・・・信号電極 15・・・・絶縁層 16 ・・スペーサ 17・・・・・強誘電性液晶 18・・・・・・偏光板 19・・・・偏光板 20・・・・・・接着剤 51・・・・トランスミッションゲート52・・・・・
インバータ 53・・・・・強誘電性液晶素子 (内) (レノ (0) 第1図 7 第2図 (aン (b) 第4図 −に旧− 第5図 1 IIfl 第6図
る状態を示す図、第2図(a)、 (1+)は本発明が
適用できる液晶素子の一実施例を示す図、第6図は本発
明が適用できる強誘電性液晶のパルス幅に対するしきい
値特性を示す図、第4図(α)〜(c)は本発明の第1
の実施例である駆動波形及び光透過特性量示す図、第5
図は第4図に示す駆動波形を実現する具体的回路の一例
を示す図、第6図は本発明第2の実施例である駆動波形
及び光透過特性を示す図、第7図は本発明第3の実施例
である駆動波形及び光透過特性を示す図である。 1・・・・・・強誘電性液晶分子 2・・・・・・ら線軸 11・・・・基板 12・・・・・基板 13・・・・走査N極 14・・・・信号電極 15・・・・絶縁層 16 ・・スペーサ 17・・・・・強誘電性液晶 18・・・・・・偏光板 19・・・・偏光板 20・・・・・・接着剤 51・・・・トランスミッションゲート52・・・・・
インバータ 53・・・・・強誘電性液晶素子 (内) (レノ (0) 第1図 7 第2図 (aン (b) 第4図 −に旧− 第5図 1 IIfl 第6図
Claims (1)
- (1)対向した走査電極と信号電極を有する一対の基板
間に強誘電性液晶を挾持してなる液晶素子を線順次走査
によりマルチプレクシング駆動スる方法に於いて、各走
査電極には1フレームの選択期間内に波高値が絶対値で
V、の交流パルスを、選択期間外は強誘電性液晶が応答
しないパルス幅の交流高周波パルスを印加し、又各信号
電極には画素をonさせたい時には+v2又は−V2%
O//させたい時には一■、又は+V、を印加すること
を特徴とする液晶素子の駆動方法。(但し、前記V、及
びv2は・正の実数であり、Vj −1−v、 >V
th s V1V2≦vth、v、≧V、を満足し、V
t五は強誘電性液晶のしきい値電圧である。)(2、特
許請求の範囲第1項に於いて、上記強誘電性液晶はカイ
ラルスメクチックC相(以下S慴−とする)液晶或いは
カイラルスメクチックH相(以下S、?とする)液晶で
あることを特徴とする液晶素子の駆動方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11968084A JPS60263124A (ja) | 1984-06-11 | 1984-06-11 | 液晶素子の駆動方法 |
US06/743,531 US4701026A (en) | 1984-06-11 | 1985-06-11 | Method and circuits for driving a liquid crystal display device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11968084A JPS60263124A (ja) | 1984-06-11 | 1984-06-11 | 液晶素子の駆動方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS60263124A true JPS60263124A (ja) | 1985-12-26 |
Family
ID=14767387
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP11968084A Pending JPS60263124A (ja) | 1984-06-11 | 1984-06-11 | 液晶素子の駆動方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS60263124A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61223897A (ja) * | 1985-03-29 | 1986-10-04 | シチズン時計株式会社 | スメクチツク液晶表示装置 |
JPS62231942A (ja) * | 1986-04-01 | 1987-10-12 | Seiko Instr & Electronics Ltd | 強誘電性電気光学素子 |
JPS62234134A (ja) * | 1986-04-04 | 1987-10-14 | Seiko Epson Corp | 強誘電性液晶素子の駆動方法 |
US4850676A (en) * | 1985-07-31 | 1989-07-25 | Seiko Epson Corporation | Method for driving a liquid crystal element |
US4859035A (en) * | 1986-05-26 | 1989-08-22 | Nec Corporation | Ferroelectric liquid crystal light shutter device and method of controlling the driving of the same |
-
1984
- 1984-06-11 JP JP11968084A patent/JPS60263124A/ja active Pending
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61223897A (ja) * | 1985-03-29 | 1986-10-04 | シチズン時計株式会社 | スメクチツク液晶表示装置 |
US4850676A (en) * | 1985-07-31 | 1989-07-25 | Seiko Epson Corporation | Method for driving a liquid crystal element |
JPS62231942A (ja) * | 1986-04-01 | 1987-10-12 | Seiko Instr & Electronics Ltd | 強誘電性電気光学素子 |
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US4859035A (en) * | 1986-05-26 | 1989-08-22 | Nec Corporation | Ferroelectric liquid crystal light shutter device and method of controlling the driving of the same |
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