JPS61165734A - 液晶素子の駆動方法 - Google Patents
液晶素子の駆動方法Info
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- JPS61165734A JPS61165734A JP615485A JP615485A JPS61165734A JP S61165734 A JPS61165734 A JP S61165734A JP 615485 A JP615485 A JP 615485A JP 615485 A JP615485 A JP 615485A JP S61165734 A JPS61165734 A JP S61165734A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、液晶素子に関し、特に強誘電性液晶を用いた
素子のマルチプレクシング駆動方法に関する。
素子のマルチプレクシング駆動方法に関する。
従来、液晶素子のマルチプレクシング駆動方法としては
、ＴＮ（ツイストネマチック）液晶において、電圧平均
化法に代表され、行なわれている。
、ＴＮ（ツイストネマチック）液晶において、電圧平均
化法に代表され、行なわれている。
この駆動方法は、ＴＮ液晶が極性を持たないため選択点
においては電圧極性に関係なくしきい値を越える電圧パ
ルス全液晶に印加し、又非選択、半選択点にはしきい値
を越えない電圧パルスを印加することにより、光透過状
態を選択し、しかも非選択、半選択点の電圧を平均化し
、クロスエフェクｉ軽減している。更に液晶の劣化防止
のために、電圧極性の直流成分の平均値が零になるよう
に構成されている。
においては電圧極性に関係なくしきい値を越える電圧パ
ルス全液晶に印加し、又非選択、半選択点にはしきい値
を越えない電圧パルスを印加することにより、光透過状
態を選択し、しかも非選択、半選択点の電圧を平均化し
、クロスエフェクｉ軽減している。更に液晶の劣化防止
のために、電圧極性の直流成分の平均値が零になるよう
に構成されている。
又、強誘電性液晶素子の駆動方法としては、特開昭５８
−１７９８９０において、スタティックな駆動方法が記
載されている。この方法は、光透過状態を定める電圧パ
ルスとともに、しきい値以下の逆極性のパルスを印加し
、電圧極性の直流成分の平均値を零にし、液晶劣化を防
止しようとするものである。
−１７９８９０において、スタティックな駆動方法が記
載されている。この方法は、光透過状態を定める電圧パ
ルスとともに、しきい値以下の逆極性のパルスを印加し
、電圧極性の直流成分の平均値を零にし、液晶劣化を防
止しようとするものである。
しかし、前述の従来ＴＮ液晶の駆動方法では、強誘電性
液晶が極性金持つこと及び、第１図に示した如く、電圧
パルスの長さで液晶のしきい値が変化する現象を生ずる
ため、そのまま利用できない問題点を有する。又、特開
昭５８−１７９８９０の方法は、スタティック駆動のた
め、液晶素子の電極構造、素子と駆動回路出力部との結
合、駆動回路等が複雑化し高密度素子に適さない欠点が
ある。更にこの方式よりマルチブレクシング駆動するこ
とは、理論的に不可能と思われる。従って強誘電性液晶
素子にふされしいマルチグレクシング駆動方法は現状で
は呈示されていない。
液晶が極性金持つこと及び、第１図に示した如く、電圧
パルスの長さで液晶のしきい値が変化する現象を生ずる
ため、そのまま利用できない問題点を有する。又、特開
昭５８−１７９８９０の方法は、スタティック駆動のた
め、液晶素子の電極構造、素子と駆動回路出力部との結
合、駆動回路等が複雑化し高密度素子に適さない欠点が
ある。更にこの方式よりマルチブレクシング駆動するこ
とは、理論的に不可能と思われる。従って強誘電性液晶
素子にふされしいマルチグレクシング駆動方法は現状で
は呈示されていない。
本発明は、このような問題点を解決するもので、その目
的とするところは、本発明者等が見い出した印加電圧パ
ルスと強誘電性液晶の電気光学特性との関係から、所望
の光透過状態を高速で得、液晶の劣化上できる限り防止
した。良好なマルチプレクシング駆動方法を提供すると
ころにある。
的とするところは、本発明者等が見い出した印加電圧パ
ルスと強誘電性液晶の電気光学特性との関係から、所望
の光透過状態を高速で得、液晶の劣化上できる限り防止
した。良好なマルチプレクシング駆動方法を提供すると
ころにある。
本発明の強誘電性液晶素子のマルチプレクシング駆動方
法は、走査電極には、選択期間ｔ。内に液晶のしきい値
を越える波高値Ｖ、及び■、の波高値及び極性の異なる
電圧パルスをパルス幅１３．１４でそれぞれ印加し、非
選択期間ｔ、内は零Ｖ、又必要に応じ非選択期間ｔ１内
の最初のみ波高値Ｖ、でパルス幅ｔ、以下（但し、電圧
極性及びパルス幅は波高値Ｖ、の始めに出るパルスと同
等）全印加し、更に信号電極には、素子の光透過状態’
ｆｒ： ｏ ｎ （仮に光を透過する状態）にしたい時
には、選択期間ｔ０内の走査電極に印加させる電圧パル
スｖＩ、■、トソレソれ同一極性で波高値がＶ、でパル
ス幅がｔ３以下の正負電圧パルスを印加し、又光透過状
態ｅ ｏｆｆ （仮に光音遮断する状態）にしたい時に
は、零ｖ′（ｆ−印加し、前記走査電極の電圧波形との
合成により、強誘電性液晶の光透過状態全選択し、非選
択状態では、液晶のしきい値を越える電圧パルスが印加
されないことを特徴とする。（但しｓ Ｖｔ＋ Ｖｔ＋
ｖ３は絶対値で、ｖ、 ＞ ｖ２＞ ｖｔｈ≧Ｖｓ
＋ Ｖ＋ ”’ Ｖ２ ＋ ＶＢ 。
法は、走査電極には、選択期間ｔ。内に液晶のしきい値
を越える波高値Ｖ、及び■、の波高値及び極性の異なる
電圧パルスをパルス幅１３．１４でそれぞれ印加し、非
選択期間ｔ、内は零Ｖ、又必要に応じ非選択期間ｔ１内
の最初のみ波高値Ｖ、でパルス幅ｔ、以下（但し、電圧
極性及びパルス幅は波高値Ｖ、の始めに出るパルスと同
等）全印加し、更に信号電極には、素子の光透過状態’
ｆｒ： ｏ ｎ （仮に光を透過する状態）にしたい時
には、選択期間ｔ０内の走査電極に印加させる電圧パル
スｖＩ、■、トソレソれ同一極性で波高値がＶ、でパル
ス幅がｔ３以下の正負電圧パルスを印加し、又光透過状
態ｅ ｏｆｆ （仮に光音遮断する状態）にしたい時に
は、零ｖ′（ｆ−印加し、前記走査電極の電圧波形との
合成により、強誘電性液晶の光透過状態全選択し、非選
択状態では、液晶のしきい値を越える電圧パルスが印加
されないことを特徴とする。（但しｓ Ｖｔ＋ Ｖｔ＋
ｖ３は絶対値で、ｖ、 ＞ ｖ２＞ ｖｔｈ≧Ｖｓ
＋ Ｖ＋ ”’ Ｖ２ ＋ ＶＢ 。
ｖ、−ｔｏ 、 ｖ、−ｖ３＜ｖｔｈ 、好ましくｈｖ
、≧Ｖｓａｔを満足する。） 〔作 用〕 本発明によれば、選択、非選択時に液晶に、はぼ交流に
近い、言い換えれば電圧極性の直流成分の平均値がほぼ
等しく印加されるため、液晶の劣化防止につながる。（
強誘電性液晶は極性を持つため、マルチプレクシング駆
動においては、電圧極性の直流成分の平均値を全く等し
くすることは困難である。従ってできる限り等しくする
ことが望ましい。）更に、非選択時に、選択パルスより
長い逆極性パルスが液晶に印加されることがないため、
強誘電性液晶のパルス幅によるしきい値の異なる現象（
８１図）を無視できる。従って、良好なマルチプレクシ
ング駆動が可能なことである。
、≧Ｖｓａｔを満足する。） 〔作 用〕 本発明によれば、選択、非選択時に液晶に、はぼ交流に
近い、言い換えれば電圧極性の直流成分の平均値がほぼ
等しく印加されるため、液晶の劣化防止につながる。（
強誘電性液晶は極性を持つため、マルチプレクシング駆
動においては、電圧極性の直流成分の平均値を全く等し
くすることは困難である。従ってできる限り等しくする
ことが望ましい。）更に、非選択時に、選択パルスより
長い逆極性パルスが液晶に印加されることがないため、
強誘電性液晶のパルス幅によるしきい値の異なる現象（
８１図）を無視できる。従って、良好なマルチプレクシ
ング駆動が可能なことである。
〔実施例〕
第２図は、本発明の実施例における液晶素子の構成を示
した一例の略図であり、第２図（ａ）は断面図、第２図
（ｂ）は平面図である。ガラス又はプラスチックからな
る一対の基板２１．２２の対向面に、酸化インジウム、
酸化スズからなる透明電極２３゜２４を設ける。この電
極はそれぞれがストライプ状に形成され、はぼ直交され
格子状に組合せられる。尚２３を走査電極、２４を信号
電極と呼ぶ。
した一例の略図であり、第２図（ａ）は断面図、第２図
（ｂ）は平面図である。ガラス又はプラスチックからな
る一対の基板２１．２２の対向面に、酸化インジウム、
酸化スズからなる透明電極２３゜２４を設ける。この電
極はそれぞれがストライプ状に形成され、はぼ直交され
格子状に組合せられる。尚２３を走査電極、２４を信号
電極と呼ぶ。
更に必要に応じこの電極上に酸化シリコン等の絶縁層を
設けた後、液晶を配向させるために、ナイロン、ポリイ
ミド等からなる高分子層２５を設け、ラビングして液晶
２６を配向させる。更に２９は、エポキシ等からなるシ
ール材である。又、上下基板２１．２２の電極２５．２
４が設けられていない面に、偏光板２７．２８を隣接さ
せる。この時偏光板２７．２８の偏光軸を直交し、更に
一方の偏光板の偏光軸と強誘電性液晶のしきい値電界以
上の電界を印加した時の、液晶分子の長軸方向とを一致
させた。この素子に、液晶としてＤＯＢＡ誘電性を示す
温度（約８０℃）で液晶の電気光学特性を調べた。前記
素子の一方の偏光板の偏光軸と液晶分子長軸が一致する
方向に符号をつけ、仮に−Ｅとすると、−Ｅの電界全印
加した時は光が遮断されるため暗黒となり、又逆に＋Ｅ
の電界が印加されると偏光板を透過する光成分全盲する
ため明るくなる。このようにして−Ｅ、＋Ｅの電界印加
により明暗の切換ができる。しかも従来ＴＮ液晶に比べ
、応答速度がμ・ｓｅｃオーダーと高速である。尚電界
が印加されない場合は、メモリ状態となり、−Ｅから零
だと暗黒、＋Ｅから零だと明の状態を保持し続けた。更
に電圧パルスの長さを変化させ、液晶のしきい値特性を
調べたところ、第１図に示すような特性を持つことが明
らかとなった。この図から強誘電性液晶のしきい値電圧
（ｖ’！’ｈ ）及び飽和電圧（Ｖｓａｔ ）はパ〜・
幅により異なり、しかもこの現象はパルス幅が短くなる
ほど顕著であることがわかった。又極性を変えても、液
晶材料を変化してもほぼ同様の現象を示した。
設けた後、液晶を配向させるために、ナイロン、ポリイ
ミド等からなる高分子層２５を設け、ラビングして液晶
２６を配向させる。更に２９は、エポキシ等からなるシ
ール材である。又、上下基板２１．２２の電極２５．２
４が設けられていない面に、偏光板２７．２８を隣接さ
せる。この時偏光板２７．２８の偏光軸を直交し、更に
一方の偏光板の偏光軸と強誘電性液晶のしきい値電界以
上の電界を印加した時の、液晶分子の長軸方向とを一致
させた。この素子に、液晶としてＤＯＢＡ誘電性を示す
温度（約８０℃）で液晶の電気光学特性を調べた。前記
素子の一方の偏光板の偏光軸と液晶分子長軸が一致する
方向に符号をつけ、仮に−Ｅとすると、−Ｅの電界全印
加した時は光が遮断されるため暗黒となり、又逆に＋Ｅ
の電界が印加されると偏光板を透過する光成分全盲する
ため明るくなる。このようにして−Ｅ、＋Ｅの電界印加
により明暗の切換ができる。しかも従来ＴＮ液晶に比べ
、応答速度がμ・ｓｅｃオーダーと高速である。尚電界
が印加されない場合は、メモリ状態となり、−Ｅから零
だと暗黒、＋Ｅから零だと明の状態を保持し続けた。更
に電圧パルスの長さを変化させ、液晶のしきい値特性を
調べたところ、第１図に示すような特性を持つことが明
らかとなった。この図から強誘電性液晶のしきい値電圧
（ｖ’！’ｈ ）及び飽和電圧（Ｖｓａｔ ）はパ〜・
幅により異なり、しかもこの現象はパルス幅が短くなる
ほど顕著であることがわかった。又極性を変えても、液
晶材料を変化してもほぼ同様の現象を示した。
第３図は、本発明の第１の実施例を示し第２図に示した
表示素子を使用し、ギャップ厚０．５μｍ、液晶はＤＯ
ＢＡＭＢＣである。第３図（ａ）Ｖｉ、代表的な３種の
表示内容、第３図（ｂ）ｆｉ、その時の第１番目の走査
電極ＹＩ上の各画素の選択、非選択状態での液晶に印加
される電圧波形及びこの時の光透過特性を示した。伺、
ｏｎ、ｏｆｆの光透過状態をわかり易くするために、次
のフレーム周期は、第３図（ａ）の表示内容を全画素反
転させた。この時走査電極ＸＩＶ′ｃは、選択期間ｔ０
内に液晶の飽和電圧を越えるＶ、として例えば＋２５ｖ
、液晶の飽和電圧金越えルＶｚトＬチー １６Ｖ、 ｔ
ｓ及びｔ、＋ ’Ｆｒ、 ５０ μｓｅｃとし非選択期
間ｔｌ内はＯｖ金印加し、信号電極Ｙには、■、として
±７Ｖ、又はＯｖｔ印加し、表示をｏｎしたい時には±
ｖ３それぞれ５０μｓｅａ幅で、ｏｆｆしたい時にはＯ
ｖを選択する。この時の第１番目の走査電極Ｘ１上の画
素例えばＸｓＬにおいては、選択期間ｔ０内に液晶には
、＋１６Ｖ及び−９ｖの電圧パルスが印加され、第１図
に示したしきい値特性より＋１６Ｖは液晶の飽和電圧を
越えるた控、光透過状態はｏｎｅ、又−９ｖはしきい値
電圧以下のため影響しない。従ってｏｎ表示となる。又
この画素Ｘｒ ＹＩの非選択の間は信号電極ＹＩ上の他
の画素がｏｆｆ表示のため電圧は印加されず、良好なｏ
ｎ表示を保持する。又次の選択期間を段は、表示内容を
全画素反転するため選択時に＋２３Ｖ及び−１６ｖの電
圧パルスが液晶に印加され、第１図に示したしきい値特
性より＋２３Ｖ及び−１６Ｖはそれぞれ液晶の飽和電圧
を越えるため相方のパルスに液晶は応答する。しかし応
答が速いため人間の目では、後に印加された一１６ｖの
光透過状態（ｏｆｆ状態）が認識される。又非選択時に
おいては信号電極上の表示が全てｏｎのため、±７Ｖの
５０μＳｅｅ幅の電圧パルスが液晶に印加され続けるが
しきい値以下のため、画素ＸＩＹＩにおいてはｏｆｆ状
態を保持し続ける。これは他の表示内容となっても同様
であり、第３図（ｂ）中に示した如く良好な光透過特性
が得られた。更に、第３図（ｂ）中の液晶に印加される
波形は、どの表示内容においても直流成分がほぼ等しい
。
表示素子を使用し、ギャップ厚０．５μｍ、液晶はＤＯ
ＢＡＭＢＣである。第３図（ａ）Ｖｉ、代表的な３種の
表示内容、第３図（ｂ）ｆｉ、その時の第１番目の走査
電極ＹＩ上の各画素の選択、非選択状態での液晶に印加
される電圧波形及びこの時の光透過特性を示した。伺、
ｏｎ、ｏｆｆの光透過状態をわかり易くするために、次
のフレーム周期は、第３図（ａ）の表示内容を全画素反
転させた。この時走査電極ＸＩＶ′ｃは、選択期間ｔ０
内に液晶の飽和電圧を越えるＶ、として例えば＋２５ｖ
、液晶の飽和電圧金越えルＶｚトＬチー １６Ｖ、 ｔ
ｓ及びｔ、＋ ’Ｆｒ、 ５０ μｓｅｃとし非選択期
間ｔｌ内はＯｖ金印加し、信号電極Ｙには、■、として
±７Ｖ、又はＯｖｔ印加し、表示をｏｎしたい時には±
ｖ３それぞれ５０μｓｅａ幅で、ｏｆｆしたい時にはＯ
ｖを選択する。この時の第１番目の走査電極Ｘ１上の画
素例えばＸｓＬにおいては、選択期間ｔ０内に液晶には
、＋１６Ｖ及び−９ｖの電圧パルスが印加され、第１図
に示したしきい値特性より＋１６Ｖは液晶の飽和電圧を
越えるた控、光透過状態はｏｎｅ、又−９ｖはしきい値
電圧以下のため影響しない。従ってｏｎ表示となる。又
この画素Ｘｒ ＹＩの非選択の間は信号電極ＹＩ上の他
の画素がｏｆｆ表示のため電圧は印加されず、良好なｏ
ｎ表示を保持する。又次の選択期間を段は、表示内容を
全画素反転するため選択時に＋２３Ｖ及び−１６ｖの電
圧パルスが液晶に印加され、第１図に示したしきい値特
性より＋２３Ｖ及び−１６Ｖはそれぞれ液晶の飽和電圧
を越えるため相方のパルスに液晶は応答する。しかし応
答が速いため人間の目では、後に印加された一１６ｖの
光透過状態（ｏｆｆ状態）が認識される。又非選択時に
おいては信号電極上の表示が全てｏｎのため、±７Ｖの
５０μＳｅｅ幅の電圧パルスが液晶に印加され続けるが
しきい値以下のため、画素ＸＩＹＩにおいてはｏｆｆ状
態を保持し続ける。これは他の表示内容となっても同様
であり、第３図（ｂ）中に示した如く良好な光透過特性
が得られた。更に、第３図（ｂ）中の液晶に印加される
波形は、どの表示内容においても直流成分がほぼ等しい
。
第４図は、第３図に示す様な駆動波形を実現する具体的
回路の一例である。４１はフリップフロップ、４２はア
ンドゲート、Ａｎ；ｔインバータ。
回路の一例である。４１はフリップフロップ、４２はア
ンドゲート、Ａｎ；ｔインバータ。
４４はノアゲート、４５Ｈ）ランスミツショ／ゲー）、
４６は液晶素子である。ｅ＋ ｆ＋ ’＋ １＋ｊ、
には、トランスミッションゲート４５を選択し、走査電
極、信号電極の駆動波形を作る信号である。又Ｖｔ、
ｖ、、 Ｖｓｌｄ走査電極及び信号電極の駆動電圧であ
る。
４６は液晶素子である。ｅ＋ ｆ＋ ’＋ １＋ｊ、
には、トランスミッションゲート４５を選択し、走査電
極、信号電極の駆動波形を作る信号である。又Ｖｔ、
ｖ、、 Ｖｓｌｄ走査電極及び信号電極の駆動電圧であ
る。
第５図は、第４図に示した回路の各点における信号波形
を示した図である。
を示した図である。
第６図は、本発明第２の実施例を示す駆動波形及び光透
過特性を示した図である。表示素子は第１の実施例に使
用したものである。尚この時の表示内容も、第３図（ａ
）に示した代表的な３１ｉＩＩであり、その時の第１番
目の走査電極Ｘ１上の各画素の、選択、非選択状態での
液晶に印加される電圧波形及びこの時の光透過特性を示
した。更に、第１の実施例と同様に次のフレーム周期は
、第５図（ａ）の表示内容を全画素反転させた。第１の
実施例と異なるところは、走査電極の非選択期間ｔ、の
最初のみ波高値Ｖｓ（＋７Ｖ）ｔパルス幅ｔ３（ｓ ｏ
μｓｅｃ ）で印加したことである。従って同一信号
電極上での表示がｏｎからｏｎ （第３図（ａ）の信号
電極Ｙ３上）と続く場合の走査電極Ｘ、上の画素Ｘ＋
Ｙｓの非選択状態の衆初に液晶に逆極性の電圧パルスが
印加されない構成とした。本実施例においてはどのよう
な表示内容になろうと選択電圧パルスｖＩ又はＶ、のパ
ルス幅より絶対に長いパルスが液晶に印加されることが
ないため、第５図（ａ）に示したどの表示内容であって
も、第５図の如く、選択時に設定された表示内容が変化
することなく極めて良好であった〇又、他の走査電極（
Ｌ〜Ｘｎ）上の画素においても同様に極めて良好であっ
た。
過特性を示した図である。表示素子は第１の実施例に使
用したものである。尚この時の表示内容も、第３図（ａ
）に示した代表的な３１ｉＩＩであり、その時の第１番
目の走査電極Ｘ１上の各画素の、選択、非選択状態での
液晶に印加される電圧波形及びこの時の光透過特性を示
した。更に、第１の実施例と同様に次のフレーム周期は
、第５図（ａ）の表示内容を全画素反転させた。第１の
実施例と異なるところは、走査電極の非選択期間ｔ、の
最初のみ波高値Ｖｓ（＋７Ｖ）ｔパルス幅ｔ３（ｓ ｏ
μｓｅｃ ）で印加したことである。従って同一信号
電極上での表示がｏｎからｏｎ （第３図（ａ）の信号
電極Ｙ３上）と続く場合の走査電極Ｘ、上の画素Ｘ＋
Ｙｓの非選択状態の衆初に液晶に逆極性の電圧パルスが
印加されない構成とした。本実施例においてはどのよう
な表示内容になろうと選択電圧パルスｖＩ又はＶ、のパ
ルス幅より絶対に長いパルスが液晶に印加されることが
ないため、第５図（ａ）に示したどの表示内容であって
も、第５図の如く、選択時に設定された表示内容が変化
することなく極めて良好であった〇又、他の走査電極（
Ｌ〜Ｘｎ）上の画素においても同様に極めて良好であっ
た。
第７図は、本発明第３の実施例である駆動波形及び光透
過特性を示した図であり、表示素子は第１の実施例に使
用したものである。伺この時の表示内容も第３図（ａ）
に示した代表的な３種であり、その時の第１番目の走査
電極Ｘ、上の各画素の、選択、非選択状態での液晶に印
加される電圧波形及びこの時の光透過状態を示した。更
に第１の実施例と同様に次のフレーム周期は、第５図（
ａ）の表示内容と全画素反転させた。第１の実施例と異
なるところは、ｏｎ表示の時の信号電極に印加される電
圧パルス±ｖ３のパルス幅ｔ、及びｔ４ｃｔｓより短い
パルスにしたことであり、従って非選択時に同一信号電
極上での他の画素の表示がｏｎの場合、第１の実施例よ
り短かいパルス幅の交流パルスが印加されるため、より
非選択時の光透過特性が有利になることである。例えば
、走査電極Ｘ、には選択期間ｔ。内に液晶の飽和電圧を
越えるＶ、として＋２５Ｖ、液晶の飽和電圧を越えるＶ
、として−１６ｖ。
過特性を示した図であり、表示素子は第１の実施例に使
用したものである。伺この時の表示内容も第３図（ａ）
に示した代表的な３種であり、その時の第１番目の走査
電極Ｘ、上の各画素の、選択、非選択状態での液晶に印
加される電圧波形及びこの時の光透過状態を示した。更
に第１の実施例と同様に次のフレーム周期は、第５図（
ａ）の表示内容と全画素反転させた。第１の実施例と異
なるところは、ｏｎ表示の時の信号電極に印加される電
圧パルス±ｖ３のパルス幅ｔ、及びｔ４ｃｔｓより短い
パルスにしたことであり、従って非選択時に同一信号電
極上での他の画素の表示がｏｎの場合、第１の実施例よ
り短かいパルス幅の交流パルスが印加されるため、より
非選択時の光透過特性が有利になることである。例えば
、走査電極Ｘ、には選択期間ｔ。内に液晶の飽和電圧を
越えるＶ、として＋２５Ｖ、液晶の飽和電圧を越えるＶ
、として−１６ｖ。
ｔ３、ｔｉｔそれぞれ５０μｓｅｃとし、非選択期間ｔ
ｌ内はＯｖに設定する。信号電極ＹＫはＶ、として±７
Ｖ又は０■を選択し、表示をＯｎする時には±ｖ３を例
えばｔ、の半分の長さのパルス２５μ５ｅｅ１残り時間
は０■とし、ｏｆｆしたい時はＯｖとする。これにより
液晶には、選択時に信号電極に±Ｖ、及び残り時間Ｏｖ
の電圧パルスを印加した場合、液晶のしきい値以上の＋
２３Ｖ及びしきい値以下の一１６ｖ（印加されるパルス
幅が短くなるためこの電圧では液晶は動かない）が印加
されｏｎ表示となる。又選択期間信号電極を８ｖに設定
した場合、しきい値以上の＋２３Ｖ、Ｌきい値以上の一
１６■（このパルス幅では液晶は動く）が印加され、後
に出るパルス−１６Ｖを人間の目は認識してｏｆｆ表示
となる。本実施例においては、非選択時に選択電圧パル
スのパルス幅より短い交流パルスが必ず印加されるため
、第７図中に示した如く、非選択状態の光透過特性がよ
シフラットとなり、良好な表示特性が得られた。
ｌ内はＯｖに設定する。信号電極ＹＫはＶ、として±７
Ｖ又は０■を選択し、表示をＯｎする時には±ｖ３を例
えばｔ、の半分の長さのパルス２５μ５ｅｅ１残り時間
は０■とし、ｏｆｆしたい時はＯｖとする。これにより
液晶には、選択時に信号電極に±Ｖ、及び残り時間Ｏｖ
の電圧パルスを印加した場合、液晶のしきい値以上の＋
２３Ｖ及びしきい値以下の一１６ｖ（印加されるパルス
幅が短くなるためこの電圧では液晶は動かない）が印加
されｏｎ表示となる。又選択期間信号電極を８ｖに設定
した場合、しきい値以上の＋２３Ｖ、Ｌきい値以上の一
１６■（このパルス幅では液晶は動く）が印加され、後
に出るパルス−１６Ｖを人間の目は認識してｏｆｆ表示
となる。本実施例においては、非選択時に選択電圧パル
スのパルス幅より短い交流パルスが必ず印加されるため
、第７図中に示した如く、非選択状態の光透過特性がよ
シフラットとなり、良好な表示特性が得られた。
上記実施例は、本発明の一例を示すものであり、液晶の
しきい値特性によって、 Ｖ、 Ｖ、 Ｖ、及びパル
ス幅等任意に選択でき、又、液晶材料もＤＯＢＡＭＢＣ
に限定されなく他の強誘電性液晶においても本発明が適
用できるものである。
しきい値特性によって、 Ｖ、 Ｖ、 Ｖ、及びパル
ス幅等任意に選択でき、又、液晶材料もＤＯＢＡＭＢＣ
に限定されなく他の強誘電性液晶においても本発明が適
用できるものである。
以上述べたように本発明によれば、液晶に比較的交流に
近い電圧パルスが印加されるため強誘電性液晶の劣化防
止につながる。及び、非選択時に、選択パルスより長い
逆極性の電圧パルスが印加されないため、液晶素子の光
透過状態に関係なく良好なマルチプレクシング駆動が可
能なため、高速高密度ディスプレイ、電子シャッタ、偏
光器等への応用が可能という効果を有する。
近い電圧パルスが印加されるため強誘電性液晶の劣化防
止につながる。及び、非選択時に、選択パルスより長い
逆極性の電圧パルスが印加されないため、液晶素子の光
透過状態に関係なく良好なマルチプレクシング駆動が可
能なため、高速高密度ディスプレイ、電子シャッタ、偏
光器等への応用が可能という効果を有する。
第１図は、本発明が適応できる強誘電性液晶のしきい値
特性を示す図。第２図は、本発明が適応できる液晶素子
の一実施例を示す図であり、第２図（ａ）は断面図、第
２図（ｂ）は平面図である。第３図は、本発明の第１の
実施例を示し、第３図（ａ）は代表的な５種の表示内容
、第３図（ｂ）は、駆動波形及び光透過特性を示す図で
ある。第４図は、第３図に示す駆動波形を実現する具体
的回路の一例を示す図、第５図は、第４図に示した回路
の各点における信号波形を示した図、第６図は本発明第
２の実施例である駆動波形、光透過特性を示した図、第
７図は本発明第３の実施例である駆動波形、光透過特性
全示した図である。 ２１．２２： 基板 ２３ ： 走査電極 ２４ ： 信号電極 ２５ ： 配向膜 ２６ ： 液晶 ２７．２８： 偏光板 ２９ ： シール材 ４１ ： フリップフロップ ４２ ： アンドゲート ４３ ： インバータ ４４ ： ノアゲート ４５ ： トランスミッションゲート４６
： 液晶素子 以上
特性を示す図。第２図は、本発明が適応できる液晶素子
の一実施例を示す図であり、第２図（ａ）は断面図、第
２図（ｂ）は平面図である。第３図は、本発明の第１の
実施例を示し、第３図（ａ）は代表的な５種の表示内容
、第３図（ｂ）は、駆動波形及び光透過特性を示す図で
ある。第４図は、第３図に示す駆動波形を実現する具体
的回路の一例を示す図、第５図は、第４図に示した回路
の各点における信号波形を示した図、第６図は本発明第
２の実施例である駆動波形、光透過特性を示した図、第
７図は本発明第３の実施例である駆動波形、光透過特性
全示した図である。 ２１．２２： 基板 ２３ ： 走査電極 ２４ ： 信号電極 ２５ ： 配向膜 ２６ ： 液晶 ２７．２８： 偏光板 ２９ ： シール材 ４１ ： フリップフロップ ４２ ： アンドゲート ４３ ： インバータ ４４ ： ノアゲート ４５ ： トランスミッションゲート４６
： 液晶素子 以上
Claims (1)
- 電極を有する一対の基板間に強誘電性液晶を挾持してな
る液晶素子を、線順次走査によりマルチプレクシング駆
動する方法に於いて、走査電極には、選択期間ｔ＿０内
に液晶のしきい値を越える波高値Ｖ＿１及びＶ＿２の波
高値及び極性の異なる電圧パルスをパルス幅ｔ＿３、ｔ
＿４でそれぞれ印加し、非選択期間ｔ＿１内は零Ｖ、又
必要に応じ非選択期間ｔ＿１内の最初のみ波高値Ｖ＿３
でパルス幅ｔ＿３以下（但し、電圧極性及びパルス幅は
波高値Ｖ＿３の始めに出るパルスと同等）を印加し、更
に信号電極には、素子の光透過状態をｏｎ（仮に光を透
過する状態）にしたい時には、選択期間ｔ＿０内の走査
電極に印加させる電圧パルスＶ＿１、Ｖ＿２とそれぞれ
同一極性で波高値がＶ＿３でパルス幅がｔ＿３以下の正
負電圧パルスを印加し、又光透過状態をｏｆｆ（仮に光
を遮断する状態）にしたい時には、零Ｖを印加し、前記
走査電極の電圧波形との合成により、強誘電性液晶の光
透過状態を選択し、非選択状態では、液晶のしきい値を
越える電圧パルスが印加されないことを特徴とする液晶
素子の駆動方法。（但し、Ｖ＿１、Ｖ＿２、Ｖ＿３は絶
対値で、Ｖ＿１＞Ｖ＿２＞Ｖｔｈ≧Ｖ＿３、Ｖ＿１＝Ｖ
＿２＋Ｖ＿３、Ｖ＿３≠０、Ｖ＿２−Ｖ＿３＜Ｖｔｈ、
好ましくはＶ＿２≧Ｖｓａｔ、を満足し、Ｖｔｈは強誘
電性液晶のしきい値電圧、Ｖｓａｔは強誘電性液晶の飽
和電圧である。）
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP615485A JPS61165734A (ja) | 1985-01-17 | 1985-01-17 | 液晶素子の駆動方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP615485A JPS61165734A (ja) | 1985-01-17 | 1985-01-17 | 液晶素子の駆動方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61165734A true JPS61165734A (ja) | 1986-07-26 |
Family
ID=11630609
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP615485A Pending JPS61165734A (ja) | 1985-01-17 | 1985-01-17 | 液晶素子の駆動方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61165734A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9142179B2 (en) | 2008-06-09 | 2015-09-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device, liquid crystal display device and electronic device including the same |
-
1985
- 1985-01-17 JP JP615485A patent/JPS61165734A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9142179B2 (en) | 2008-06-09 | 2015-09-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device, liquid crystal display device and electronic device including the same |
| US9570032B2 (en) | 2008-06-09 | 2017-02-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device, liquid crystal display device and electronic device including the same |
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