JP2525453B2 - 液晶装置及びその駆動法 - Google Patents
液晶装置及びその駆動法Info
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- JP2525453B2 JP2525453B2 JP63111336A JP11133688A JP2525453B2 JP 2525453 B2 JP2525453 B2 JP 2525453B2 JP 63111336 A JP63111336 A JP 63111336A JP 11133688 A JP11133688 A JP 11133688A JP 2525453 B2 JP2525453 B2 JP 2525453B2
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Description
【発明の詳細な説明】 〔発明の分野〕 本発明は、液晶装置及びその駆動法に関し、詳しくは
強誘電性液晶を用いた液晶装置及びその駆動法に関する
ものである。
強誘電性液晶を用いた液晶装置及びその駆動法に関する
ものである。
クラークとラガーウオルは、Applied Physics Letter
s第36巻，第11号（1980年６月１日発行）、P.899−90
1、又は米国特許第4,367,924号、米国特許第4,563,059
号で、表面安定化強誘電性液晶（Surface−stabilized
ferroelectric liquid crystal）による双安定性強誘電
性液晶を明らかにした。この双安定性強誘電性液晶は、
バルク状態のカイラルスメクチツク相における液晶分子
のらせん配列構造の形成を抑制するのに十分に小さい間
隔に設定した一対の基板間に配置させ、且つ複数の液晶
分子で組織された垂直分子層を一方向に配列させること
によって実現された。
s第36巻，第11号（1980年６月１日発行）、P.899−90
1、又は米国特許第4,367,924号、米国特許第4,563,059
号で、表面安定化強誘電性液晶（Surface−stabilized
ferroelectric liquid crystal）による双安定性強誘電
性液晶を明らかにした。この双安定性強誘電性液晶は、
バルク状態のカイラルスメクチツク相における液晶分子
のらせん配列構造の形成を抑制するのに十分に小さい間
隔に設定した一対の基板間に配置させ、且つ複数の液晶
分子で組織された垂直分子層を一方向に配列させること
によって実現された。
上述の強誘電性液晶素子は、基板の投影成分において
安定な分子長軸の平均方向（）は、２方向に限定さ
れ、垂直分子層に平行な分子のダイポール・モーメント
（）を有し、平均的に自発分極（Ps）を形成してい
る。この自発分極（Ps）と印加電界とが強い結合を生じ
る。この強誘電性液晶に一方向の電界を印加すると、垂
直分子層内のダイポール・モーメント（）は、その電
界方向に揃う。この時のチルト角はらせん配列構造にお
ける頂角の1/2倍の角度に相当し、最大チルト角を生じ
る（この時の分子配列状態をユニフオーム配向状態U1と
言う）。上述した電界を解除すると、しばらくの緩和期
間（強誘電性液晶の種類によって相違するが、一般的に
は１μｓ〜２μｓ程度である）を経た後、ユニフオーム
配向状態U1と比べ、分子の秩序度が低く、光学的一軸性
が低く、且つチルト角が小さい別の分子配列状態（この
状態をスプレイ配向状態S1と言う）に安定化する。スプ
レイ配向状態S1における分子のダイポール・モーメント
は同一方向とはなっていないが、自発分極（Ps）の方向
は、ユニフオーム配向状態U1の場合と同一であり、又垂
直分子層への分子軸の射影であるＣ−ダイレクタが基板
間で非平行、特に基板間でらせん配列構造の円軌道に沿
って配列している。この時のＣ−ダイレクタは必ずしも
一周期の円軌道に沿って配列されることはなく、上側基
板に隣接するＣ−ダイレクタと下流基板に隣接するＣ−
ダイレクタが円軌道上で180゜ないしはそれ以上、若し
くはそれ以下の角度で配列されることがある。又、逆方
向の電界印加により、同様のユニフオーム配向状態
（U2）とスプレイ配向状態（S2）を生じることになる。
安定な分子長軸の平均方向（）は、２方向に限定さ
れ、垂直分子層に平行な分子のダイポール・モーメント
（）を有し、平均的に自発分極（Ps）を形成してい
る。この自発分極（Ps）と印加電界とが強い結合を生じ
る。この強誘電性液晶に一方向の電界を印加すると、垂
直分子層内のダイポール・モーメント（）は、その電
界方向に揃う。この時のチルト角はらせん配列構造にお
ける頂角の1/2倍の角度に相当し、最大チルト角を生じ
る（この時の分子配列状態をユニフオーム配向状態U1と
言う）。上述した電界を解除すると、しばらくの緩和期
間（強誘電性液晶の種類によって相違するが、一般的に
は１μｓ〜２μｓ程度である）を経た後、ユニフオーム
配向状態U1と比べ、分子の秩序度が低く、光学的一軸性
が低く、且つチルト角が小さい別の分子配列状態（この
状態をスプレイ配向状態S1と言う）に安定化する。スプ
レイ配向状態S1における分子のダイポール・モーメント
は同一方向とはなっていないが、自発分極（Ps）の方向
は、ユニフオーム配向状態U1の場合と同一であり、又垂
直分子層への分子軸の射影であるＣ−ダイレクタが基板
間で非平行、特に基板間でらせん配列構造の円軌道に沿
って配列している。この時のＣ−ダイレクタは必ずしも
一周期の円軌道に沿って配列されることはなく、上側基
板に隣接するＣ−ダイレクタと下流基板に隣接するＣ−
ダイレクタが円軌道上で180゜ないしはそれ以上、若し
くはそれ以下の角度で配列されることがある。又、逆方
向の電界印加により、同様のユニフオーム配向状態
（U2）とスプレイ配向状態（S2）を生じることになる。
従って、前述した強誘電性液晶素子をデイスプレイパ
ネルに適用した場合では、そのパネルの明るさはスプレ
イ配向状態S1及びS2における透過率によって一義的に定
められる。すなわち、透過光量は、分子配列状態を一軸
性として仮定すると、クロスニコル下で入射光I0の強度
に対して、 （ここで、θａはチルト角、△ｎは屈折率異方性、ｄは
セル厚、λは入射光の波長である。） で定められる。本発明者らの実験によれば、スプレイ配
向状態S1及びS2でのチルト角θａは一般に５゜〜８゜で
あることが判明していた。
ネルに適用した場合では、そのパネルの明るさはスプレ
イ配向状態S1及びS2における透過率によって一義的に定
められる。すなわち、透過光量は、分子配列状態を一軸
性として仮定すると、クロスニコル下で入射光I0の強度
に対して、 （ここで、θａはチルト角、△ｎは屈折率異方性、ｄは
セル厚、λは入射光の波長である。） で定められる。本発明者らの実験によれば、スプレイ配
向状態S1及びS2でのチルト角θａは一般に５゜〜８゜で
あることが判明していた。
前記問題点を解決するために高周波の交流印加手段
（ACスタビライズ効果）を用いた液晶装置が、例えば特
開昭61−246722号公報、同61−246723号公報、同61−24
6724号公報、同61−249024号公報、同61−249025号公報
などに明らかにされている。
（ACスタビライズ効果）を用いた液晶装置が、例えば特
開昭61−246722号公報、同61−246723号公報、同61−24
6724号公報、同61−249024号公報、同61−249025号公報
などに明らかにされている。
上述のACスタビライズ効果は、誘電率異方性（△ε）
が負の強誘電性液晶に対して、交流電界を作用させるこ
とにより、液晶分子軸を電界方向に対して垂直に配向さ
せるトルクが発生し、チルト角θａを増大させることが
できる。
が負の強誘電性液晶に対して、交流電界を作用させるこ
とにより、液晶分子軸を電界方向に対して垂直に配向さ
せるトルクが発生し、チルト角θａを増大させることが
できる。
しかしながら、前述したスプレイ配向状態の強誘電性
液晶に対して交流電界を印加する時に、負の誘電異方性
△εの値が大きい場合、又は交流電圧の電界強度が大き
い場合には、カイラルスメクチツク相の分子垂直層構造
が崩れ、その個所に配向欠陥を生じる問題点があった。
この結果、ACスタビライズ効果を十分に利用するのが困
難であった。
液晶に対して交流電界を印加する時に、負の誘電異方性
△εの値が大きい場合、又は交流電圧の電界強度が大き
い場合には、カイラルスメクチツク相の分子垂直層構造
が崩れ、その個所に配向欠陥を生じる問題点があった。
この結果、ACスタビライズ効果を十分に利用するのが困
難であった。
〔発明の概要〕 本発明の目的は、前述の問題点を解決すること、特に
ACスタビライズ効果による大きなチルト角θａを維持し
た上で、配向欠陥の発生を防止し、同時に駆動電圧マー
ジンを拡大した液晶装置及びその駆動法を提供すること
にある。
ACスタビライズ効果による大きなチルト角θａを維持し
た上で、配向欠陥の発生を防止し、同時に駆動電圧マー
ジンを拡大した液晶装置及びその駆動法を提供すること
にある。
走査電極群と信号電極群とが所定の距離をおいて交差
する交差部に自発分極と負の誘電異方性とをもつ強誘電
性液晶を配して構成された複数の画素を有する液晶装置
の駆動法において、前記画素の走査選択期間に、選択さ
れた前記走査電極に走査信号を供給するとともに、前記
情報電極に情報信号を供給して、該画素の液晶の安定状
態を選択する工程と、前記画素の走査非選択期間に、前
記走査電極に基準電圧を供給するとともに、前記信号電
極には前記基準電圧に対して両極性の電圧パルスを含む
情報信号を供給することにより、該画素の液晶の安定状
態を反転させない交流電圧を該画素に印加する工程と、
を含み、前記交流電圧の波高値VIが下記式（Ｉ）を満た
すことを特徴とする液晶装置の駆動法である。
する交差部に自発分極と負の誘電異方性とをもつ強誘電
性液晶を配して構成された複数の画素を有する液晶装置
の駆動法において、前記画素の走査選択期間に、選択さ
れた前記走査電極に走査信号を供給するとともに、前記
情報電極に情報信号を供給して、該画素の液晶の安定状
態を選択する工程と、前記画素の走査非選択期間に、前
記走査電極に基準電圧を供給するとともに、前記信号電
極には前記基準電圧に対して両極性の電圧パルスを含む
情報信号を供給することにより、該画素の液晶の安定状
態を反転させない交流電圧を該画素に印加する工程と、
を含み、前記交流電圧の波高値VIが下記式（Ｉ）を満た
すことを特徴とする液晶装置の駆動法である。
式（Ｉ） ｄ・（2.0×106＋Ps・1011/|Δε｜）≦VI （式中、ｄは前記距離［ｍ］、Psは前記自発分極［c/
m2］、Δεは前記誘電異方性である。） そして、本発明によれば、走査非選択期間に信号電極
に供給される情報信号にてACスタビライズ効果が得られ
るので、簡単な駆動回路でチルト角θａを大きくでき
る。更に、配向欠陥を防止し、駆動電圧マージンを拡大
できる。しかも、情報信号の交流よりも高周波の交流電
圧が画素に印加されないので、液晶の温度上昇が抑えら
れ液晶の反転閾値の変動による駆動電圧マージンの減少
を防止できる。
m2］、Δεは前記誘電異方性である。） そして、本発明によれば、走査非選択期間に信号電極
に供給される情報信号にてACスタビライズ効果が得られ
るので、簡単な駆動回路でチルト角θａを大きくでき
る。更に、配向欠陥を防止し、駆動電圧マージンを拡大
できる。しかも、情報信号の交流よりも高周波の交流電
圧が画素に印加されないので、液晶の温度上昇が抑えら
れ液晶の反転閾値の変動による駆動電圧マージンの減少
を防止できる。
印加電界（Ｅ）とダイポール・モーメント（自発分
極）との結合で生じる液晶分子のトルクГPs及び印加電
界（Ｅ）と誘電率異方性（△ε）との結合で生じる液晶
分子のトルクГ△εは、それぞれ下式で示される。
極）との結合で生じる液晶分子のトルクГPs及び印加電
界（Ｅ）と誘電率異方性（△ε）との結合で生じる液晶
分子のトルクГ△εは、それぞれ下式で示される。
ГPs∝Ps・Ｅ ……（１） （ここでε０は真空誘電率である） 上述の式（２）から、液晶分子の誘電率異方性△εが
大きい程、らせん配列構造が抑制あるいは消去されやす
いことが判る。しかも、△ε＜０の場合では、印加電界
下で液晶分子は基板の投影成分において優勢に配列し、
その結果らせん配列構造が抑制されることになる。
大きい程、らせん配列構造が抑制あるいは消去されやす
いことが判る。しかも、△ε＜０の場合では、印加電界
下で液晶分子は基板の投影成分において優勢に配列し、
その結果らせん配列構造が抑制されることになる。
第１図は、△ε＝−5.5の液晶（Ｉ）、△ε＝−3.0の
液晶（II）、△ε＝０の液晶（III）及び△ε＝1.0の液
晶（IV）の電圧実効値Vrmsに対するチルト角θａの依存
性を表している。第１図に示す測定では、自発分極Psか
らの影響を除去するために、60KHzの矩形交流を使用し
た。図中の○，×，△及び□は実測値である。
液晶（II）、△ε＝０の液晶（III）及び△ε＝1.0の液
晶（IV）の電圧実効値Vrmsに対するチルト角θａの依存
性を表している。第１図に示す測定では、自発分極Psか
らの影響を除去するために、60KHzの矩形交流を使用し
た。図中の○，×，△及び□は実測値である。
第１図から明らかな如く、誘電率異方性△εが大きい
もの程、チルト角θａが大きいことが判る。液晶（Ｉ）
と（III）を用いたセルにおけるクロスニコル下での最
大透過率は、それぞれ15％［液晶（Ｉ）］と６％［液晶
（III）］であった。
もの程、チルト角θａが大きいことが判る。液晶（Ｉ）
と（III）を用いたセルにおけるクロスニコル下での最
大透過率は、それぞれ15％［液晶（Ｉ）］と６％［液晶
（III）］であった。
本発明はの具体例では、下記表１の強誘電性液晶を使
用した。
用した。
表中の「CS−1013」及び「CS−1011」は、チツソ社製
の強誘電性液晶で、「SCE3」は、西独メルク社製の強誘
電性液晶で、「液晶Ａ」及び「液晶Ｂ」は、キヤノン社
製の強誘電性液晶である。又、表中のΘは、最大チルト
角を表わす。自発分極の測定は100μｍセルで下記三角
波印加法により測定した（測定温度;27℃）。この三角
波印加法による自発分極の測定は、“ジヤパーニズ・ジ
ヤーナル・オブ・アプライド・フイジツクス”（“Japa
nese Journal of Applied Physics"）1983年,22（10）
号、661〜663頁に記載され、ケイ・ミヤサト（K.Miyasa
to）らの共著の“ダイレクト・メソツド・ウイズ”「ト
ライアングラー・ウエーブス・フオア・メジヤーイング
・スポンテニアス・ポラリゼイシヨン・オン・フエロエ
レクトリツク・リキツド・クリスタル」（“Direct Met
hod with"「Trianguler Waves for Measuring Spontani
ous Polarization on Ferroelectric Liquid Crysta
l」）にある。
の強誘電性液晶で、「SCE3」は、西独メルク社製の強誘
電性液晶で、「液晶Ａ」及び「液晶Ｂ」は、キヤノン社
製の強誘電性液晶である。又、表中のΘは、最大チルト
角を表わす。自発分極の測定は100μｍセルで下記三角
波印加法により測定した（測定温度;27℃）。この三角
波印加法による自発分極の測定は、“ジヤパーニズ・ジ
ヤーナル・オブ・アプライド・フイジツクス”（“Japa
nese Journal of Applied Physics"）1983年,22（10）
号、661〜663頁に記載され、ケイ・ミヤサト（K.Miyasa
to）らの共著の“ダイレクト・メソツド・ウイズ”「ト
ライアングラー・ウエーブス・フオア・メジヤーイング
・スポンテニアス・ポラリゼイシヨン・オン・フエロエ
レクトリツク・リキツド・クリスタル」（“Direct Met
hod with"「Trianguler Waves for Measuring Spontani
ous Polarization on Ferroelectric Liquid Crysta
l」）にある。
又、誘電異方性（△ε）（測定温度27℃）は、平行誘
電率（ε ）と垂直誘電率（ε⊥）との差（△ε＝ε
−ε⊥）から求めた。
電率（ε ）と垂直誘電率（ε⊥）との差（△ε＝ε
−ε⊥）から求めた。
垂直誘電率（ε⊥）測定には、セル厚を1.5μｍに設
定し、垂直配向膜としてダイキン工業社製の「FS−116
S」を用いた空セルの容量（空セル容量Ｃ０⊥）と、セ
ル内に強誘電性液晶を注入した時の容量（液晶セル容量
ＣLC⊥）を米国ヒユーレツト・パツカード社の「4192
A」によって測定した。これらの容量の比率ＣLC⊥/C
０⊥から垂直誘電率ε⊥を求めた。
定し、垂直配向膜としてダイキン工業社製の「FS−116
S」を用いた空セルの容量（空セル容量Ｃ０⊥）と、セ
ル内に強誘電性液晶を注入した時の容量（液晶セル容量
ＣLC⊥）を米国ヒユーレツト・パツカード社の「4192
A」によって測定した。これらの容量の比率ＣLC⊥/C
０⊥から垂直誘電率ε⊥を求めた。
平行誘電率（ε ）測定には、セル厚を1.5μｍ〜3.0
μｍに設定し、平行配向膜として東レ社製のポリイミド
「SP−710」を用いた空セルの容量（空セル容量
Ｃ０）と、セル内に強誘電性液晶を注入した時の容量
（液晶セル容量ＣLC）を前述と同様の「4192A」装置
によって測定した。これらの容量の比率ＣLC/C０か
ら平行誘電率ε を求めた。
μｍに設定し、平行配向膜として東レ社製のポリイミド
「SP−710」を用いた空セルの容量（空セル容量
Ｃ０）と、セル内に強誘電性液晶を注入した時の容量
（液晶セル容量ＣLC）を前述と同様の「4192A」装置
によって測定した。これらの容量の比率ＣLC/C０か
ら平行誘電率ε を求めた。
尚、容量測定時の周波数は、100KHzに設定した。
第２図は、縦軸がACスタビライズ効果を生じさせる交
流電圧の印加によって増加したチルト角△θａを表わ
し、横軸がPs/△εを表わしている。第２図中の破線21,
22,23,24及び25は、それぞれ「液晶Ｂ」、「液晶Ａ」、
「CS−1011」、「SCE3」及び「CS−1013」のPs/△εを
表わしている。又、第２図に示す○，●及び△は、60Hz
矩形交流電圧のパルス波高値VIであり、それぞれのパル
ス波高値±8V、±10V及び±4Vである。この際に使用し
たセルの電極間距離ｄは1.4μｍで、配向制御膜とし
て、ラビング処理したポリイミド膜を使用した。
流電圧の印加によって増加したチルト角△θａを表わ
し、横軸がPs/△εを表わしている。第２図中の破線21,
22,23,24及び25は、それぞれ「液晶Ｂ」、「液晶Ａ」、
「CS−1011」、「SCE3」及び「CS−1013」のPs/△εを
表わしている。又、第２図に示す○，●及び△は、60Hz
矩形交流電圧のパルス波高値VIであり、それぞれのパル
ス波高値±8V、±10V及び±4Vである。この際に使用し
たセルの電極間距離ｄは1.4μｍで、配向制御膜とし
て、ラビング処理したポリイミド膜を使用した。
第２図に示す特性曲線2Aは印加交流電圧が±8Vの時の
Ps/△εに対する増大したチルト角△θａの変化を示
し、特性曲線2Bは印加交流電圧が±10Vの時のPs/△εに
対する増大したチルト角△θａの変化を示し、特性曲線
2Cは印加交流電圧が±4Vの時のPs/△εに対する増大し
たチルト角△θａの変化を示している。第２図より判る
とおり、印加交流電圧の波高値（VI）に関係なく、Ps/
△εの値が大きい程、増大したチルト角△θａが小さく
なる傾向がある。
Ps/△εに対する増大したチルト角△θａの変化を示
し、特性曲線2Bは印加交流電圧が±10Vの時のPs/△εに
対する増大したチルト角△θａの変化を示し、特性曲線
2Cは印加交流電圧が±4Vの時のPs/△εに対する増大し
たチルト角△θａの変化を示している。第２図より判る
とおり、印加交流電圧の波高値（VI）に関係なく、Ps/
△εの値が大きい程、増大したチルト角△θａが小さく
なる傾向がある。
実際上、デイスプレイとしての十分な明るさを確保す
るためには、増大したチルト角△θａが５゜以上となる
ことが必要であるが、前述の式（Ｉ）の条件を満たすこ
とによって、配向欠陥が生じることなく増大したチルト
角△θａを５゜以上に設定することができる。
るためには、増大したチルト角△θａが５゜以上となる
ことが必要であるが、前述の式（Ｉ）の条件を満たすこ
とによって、配向欠陥が生じることなく増大したチルト
角△θａを５゜以上に設定することができる。
第３図は、縦軸にVI/d・106（ボルト/m）を、横軸にP
s・105/△ε（c/m2）を表わしている。第３図のハツチ
ング領域がACスタビライズ効果を用いたマルチプレクシ
ング駆動に適した領域である。
s・105/△ε（c/m2）を表わしている。第３図のハツチ
ング領域がACスタビライズ効果を用いたマルチプレクシ
ング駆動に適した領域である。
第４図は、本発明で用いた駆動パルスのタイミングチ
ヤートである。S1〜S3は走査信号波形で、Ｉは情報信号
波形である。Ａは走査信号波形S1と情報信号波形の合成
波形（画素に印加される波形）である。ここで、期間T3
が走査選択期間、期間T1が走査非選択期間である。本実
施例のマルチプレクシング駆動において、電圧±V3の交
流電圧が前述のACスタビライズ効果を生じさせることが
できる。
ヤートである。S1〜S3は走査信号波形で、Ｉは情報信号
波形である。Ａは走査信号波形S1と情報信号波形の合成
波形（画素に印加される波形）である。ここで、期間T3
が走査選択期間、期間T1が走査非選択期間である。本実
施例のマルチプレクシング駆動において、電圧±V3の交
流電圧が前述のACスタビライズ効果を生じさせることが
できる。
従って、例えば前述の液晶Ｂを用いたセル（電極間の
距離＝1.3μm,配向制御＝ポリイミドラビング）の場合
について、前述の式（Ｉ）に代入すると、液晶Ｂの｜△
ε｜は9.7で、Psは8.0nc/cm2で、ｄは1.3μｍであるか
ら、VI＝｜±V3|＞3.6Vとなる。又、液晶Ｂを用いたセ
ルに10V以上の交流電圧を印加すると、配向欠陥の発生
が判明したので、第４図に示す駆動パルスを用いた時の
電圧｜±V3|のマージンは 3.6V≦｜±V3|＜10V とすることができる。この際、パルス幅△T2＝60μsec
であった。
距離＝1.3μm,配向制御＝ポリイミドラビング）の場合
について、前述の式（Ｉ）に代入すると、液晶Ｂの｜△
ε｜は9.7で、Psは8.0nc/cm2で、ｄは1.3μｍであるか
ら、VI＝｜±V3|＞3.6Vとなる。又、液晶Ｂを用いたセ
ルに10V以上の交流電圧を印加すると、配向欠陥の発生
が判明したので、第４図に示す駆動パルスを用いた時の
電圧｜±V3|のマージンは 3.6V≦｜±V3|＜10V とすることができる。この際、パルス幅△T2＝60μsec
であった。
ここで、液晶Ｂを用いた際のマルチプレクシング駆動
時のマージンを考慮して、1/3バイアスにV1,V2及びV3を
設定すると、V1＝15V,V2＝15V,V3＝7.5V,パルス幅△T2
＝60μsecの条件が適している。この際、駆動中のチル
ト角θａは10゜で、充分なACスタビライズ効果を得るこ
とができた。
時のマージンを考慮して、1/3バイアスにV1,V2及びV3を
設定すると、V1＝15V,V2＝15V,V3＝7.5V,パルス幅△T2
＝60μsecの条件が適している。この際、駆動中のチル
ト角θａは10゜で、充分なACスタビライズ効果を得るこ
とができた。
次に、本発明の別の具体例を明らかにする。
本実施例で用いた強誘電性液晶は、下表２のとおり
で、セルとしては電極間の間隔1.4μｍ、ポリイミドラ
ビングによる配向制御を用いた。
で、セルとしては電極間の間隔1.4μｍ、ポリイミドラ
ビングによる配向制御を用いた。
上述の液晶Ｖ〜VIIを注入したセルに対して、第４図
に示す駆動波形によるマルチプレクシング駆動を行なっ
た場合の電圧マージン（V1＋V3）およびパルス幅マージ
ン△T2を1/3バイアス（V3/（V1＋V3）＝1/3）に適用し
た時の条件を第５図に示す。
に示す駆動波形によるマルチプレクシング駆動を行なっ
た場合の電圧マージン（V1＋V3）およびパルス幅マージ
ン△T2を1/3バイアス（V3/（V1＋V3）＝1/3）に適用し
た時の条件を第５図に示す。
第５図から、液晶Ｖ及びVIIは、液晶VIに対して電圧
マージンとパルス幅マージンが大きく実用性に優れてい
ることが判る。
マージンとパルス幅マージンが大きく実用性に優れてい
ることが判る。
表２中のPs/Δεの項を見ると、液晶Ｖは2.3、液晶VI
Iは0.8、液晶VIは4.9である。これらの数値を前述の式
（Ｉ）に代入すると下記の如くになる。
Iは0.8、液晶VIは4.9である。これらの数値を前述の式
（Ｉ）に代入すると下記の如くになる。
液晶V;Ps/△ε＝2.3、6.0V≦VI 液晶VII;Ps/△ε＝0.8、4.0V≦VI 液晶VI;Ps/△ε＝4.9、9.7V≦VI 交流電圧のパルス波高値VIが小さいもの程、電圧及び
パルス幅マージンが大きく、液晶VIは第５図に示す範囲
では、動作点を広く持てないことも示している。
パルス幅マージンが大きく、液晶VIは第５図に示す範囲
では、動作点を広く持てないことも示している。
第６図は、本発明で用いたマトリクス電極を配置した
強誘電性液晶パネル61の駆動装置を表している。第６図
のパネル61には、走査線62とデータ線63とが互いに交差
して配線され、その交差部の走査線62とデータ線63との
間には、強誘電性液晶が配置されている。又、第６図
中、64は走査回路、65は走査側駆動回路、66は信号側駆
動電圧発生回路、67はラインメモリー、68はスフトレジ
スタ、69は走査側駆動電圧発生電源、。60はマイクロ・
プロセツサー・ユニツト（MPV）を表わしている。
強誘電性液晶パネル61の駆動装置を表している。第６図
のパネル61には、走査線62とデータ線63とが互いに交差
して配線され、その交差部の走査線62とデータ線63との
間には、強誘電性液晶が配置されている。又、第６図
中、64は走査回路、65は走査側駆動回路、66は信号側駆
動電圧発生回路、67はラインメモリー、68はスフトレジ
スタ、69は走査側駆動電圧発生電源、。60はマイクロ・
プロセツサー・ユニツト（MPV）を表わしている。
走査型駆動電圧発生電源69には、電圧V1,V2とVCが用
意され、例えば電圧V1とV2を前述した走査選択信号の電
源とし、電圧Vcを走査非選択信号の電源とすることがで
きる。
意され、例えば電圧V1とV2を前述した走査選択信号の電
源とし、電圧Vcを走査非選択信号の電源とすることがで
きる。
ACスラビライズ効果を実用化可能とすることができ、
これによって高透過率のデイスプレイ画面を得ることが
できる。
これによって高透過率のデイスプレイ画面を得ることが
できる。
第１図は、チルト角θａの誘電異方性△εに対する印加
電圧依存性を示す特性図である。第２図は、増大したチ
ルト角△θａとPs/△εとの関係を示す特性図である。
第３図は、実用可能なACスタビライズ領域を示す特性図
である。第４図は、本発明で用いた駆動波形のタイミン
グチヤート図である。第５図は、駆動パルス幅△T2と書
込み電圧（V1＋V3）との関係を示す特性図である。第６
図は本発明のブロツク図である。
電圧依存性を示す特性図である。第２図は、増大したチ
ルト角△θａとPs/△εとの関係を示す特性図である。
第３図は、実用可能なACスタビライズ領域を示す特性図
である。第４図は、本発明で用いた駆動波形のタイミン
グチヤート図である。第５図は、駆動パルス幅△T2と書
込み電圧（V1＋V3）との関係を示す特性図である。第６
図は本発明のブロツク図である。
Claims (3)
- 【請求項１】走査電極群と信号電極群とが所定の距離を
おいて交差する交差部に自発分極と負の誘電異方性とを
もつ強誘電性液晶を配して構成された複数の画素を有す
る液晶装置の駆動法において、 前記画素の走査選択期間に、選択された前記走査電極に
走査信号を供給するとともに、前記情報電極に情報信号
を供給して、該画素の液晶の安定状態を選択する工程
と、 前記画素の走査非選択期間に、前記走査電極に基準電圧
を供給するとともに、前記信号電極には前記基準電圧に
対して両極性の電圧パルスを含む情報信号を供給するこ
とにより、該画素の液晶の安定状態を反転させない交流
電圧を該画素に印加する工程と、 を含み、前記交流電圧の波高値VIが下記式（Ｉ）を満た
すことを特徴とする液晶装置の駆動法。 式（Ｉ） ｄ・（2.0×106＋Ps・1011/|Δε｜）≦VI （式中、ｄは前記距離［ｍ］、Psは前記自発分極［c/
m2］、Δεは前記誘電異方性である。） - 【請求項２】前記強誘電性液晶の配向状態が無電界時に
スプレイ配向であることを特徴とする請求項第１項に記
載の液晶装置の駆動法。 - 【請求項３】前記強誘電性液晶は、カイラルスメクテイ
ック液晶であることを特徴とする請求項第１項に記載の
液晶装置の駆動法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63111336A JP2525453B2 (ja) | 1988-05-06 | 1988-05-06 | 液晶装置及びその駆動法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63111336A JP2525453B2 (ja) | 1988-05-06 | 1988-05-06 | 液晶装置及びその駆動法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01280725A JPH01280725A (ja) | 1989-11-10 |
| JP2525453B2 true JP2525453B2 (ja) | 1996-08-21 |
Family
ID=14558617
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63111336A Expired - Fee Related JP2525453B2 (ja) | 1988-05-06 | 1988-05-06 | 液晶装置及びその駆動法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2525453B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1124041A (ja) * | 1997-06-30 | 1999-01-29 | Toshiba Corp | 液晶表示装置 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2519420B2 (ja) * | 1986-05-16 | 1996-07-31 | セイコー電子工業株式会社 | 強誘電性液晶電気光学装置 |
| JPS6380230A (ja) * | 1986-09-24 | 1988-04-11 | Seiko Epson Corp | 液晶電気光学素子 |
-
1988
- 1988-05-06 JP JP63111336A patent/JP2525453B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01280725A (ja) | 1989-11-10 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |