JPH01280725A - 液晶装置及びその駆動法 - Google Patents
液晶装置及びその駆動法Info
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- JPH01280725A JPH01280725A JP11133688A JP11133688A JPH01280725A JP H01280725 A JPH01280725 A JP H01280725A JP 11133688 A JP11133688 A JP 11133688A JP 11133688 A JP11133688 A JP 11133688A JP H01280725 A JPH01280725 A JP H01280725A
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Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
- Liquid Crystal Display Device Control (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の分野〕
本発明は、液晶装置及びその駆動法に関し、詳しくは強
誘電性液晶を用いた液晶装置及びその駆動法に関するも
のである。
誘電性液晶を用いた液晶装置及びその駆動法に関するも
のである。
クラークとラガーウオルは、Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙ
ｓｉｃｓＬｅｔｔｅｒｓ第３６巻、第１１号（１９８０
年６月１日発行）、Ｐ、８９９−９０１、又は米国特許
第４，３６７．９２４号、米国特許第４，５６３，０５
９号で、表面安定化強誘電性液晶（Ｓｕｒｆａｃｅ−ｓ
ｔａｂｉｌｉｚｅｄ ｆｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃｌｉ
ｑｕｉｄ ｃｒｙｓｔａｌ）による双安定性強誘電性
液晶を明らかにした。この双安定性強誘電性液晶は、バ
ルク状態のカイラルスメクチック相における液晶分子の
らせん配列構造の形成を抑制するのに十分に小さい間隔
に設定した一対の基板間に配置させ、且つ複数の液晶分
子で組織された垂直分子層を一方向に配列させることに
よって実現された。
ｓｉｃｓＬｅｔｔｅｒｓ第３６巻、第１１号（１９８０
年６月１日発行）、Ｐ、８９９−９０１、又は米国特許
第４，３６７．９２４号、米国特許第４，５６３，０５
９号で、表面安定化強誘電性液晶（Ｓｕｒｆａｃｅ−ｓ
ｔａｂｉｌｉｚｅｄ ｆｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃｌｉ
ｑｕｉｄ ｃｒｙｓｔａｌ）による双安定性強誘電性
液晶を明らかにした。この双安定性強誘電性液晶は、バ
ルク状態のカイラルスメクチック相における液晶分子の
らせん配列構造の形成を抑制するのに十分に小さい間隔
に設定した一対の基板間に配置させ、且つ複数の液晶分
子で組織された垂直分子層を一方向に配列させることに
よって実現された。
上述の強誘電性液晶素子は、基板の投影成分において安
定な分子長軸の平均方向（ｎ）は、２方向に限定され、
垂直分子層に平行な分子のダイポール・モーメン１（ｎ
）を有し、平均的に自発分極（Ｐｓ）を形成している。
定な分子長軸の平均方向（ｎ）は、２方向に限定され、
垂直分子層に平行な分子のダイポール・モーメン１（ｎ
）を有し、平均的に自発分極（Ｐｓ）を形成している。
この自発分極（Ｐｓ）と印加電界とが強い結合を生じる
。この強誘電性液晶に一方向の電界を印加すると、垂直
分子層内のダイポール・モーメント（ｎ）は、その電界
方向に揃う。この時のチルト角はらせん配列構造におけ
る頂角の％倍の角度に相当し、最大チルト角を生じる（
この時の分子配列状態をユニフォーム配向状態Ｕ１と言
う）。
。この強誘電性液晶に一方向の電界を印加すると、垂直
分子層内のダイポール・モーメント（ｎ）は、その電界
方向に揃う。この時のチルト角はらせん配列構造におけ
る頂角の％倍の角度に相当し、最大チルト角を生じる（
この時の分子配列状態をユニフォーム配向状態Ｕ１と言
う）。
上述した電界を解除すると、しばらくの緩和期間（強誘
電性液晶の種類によって相違するが、一般的には１μｓ
〜２μｓ程度である）を経た後、ユニフォーム配向状態
Ｕ１と比べ、分子の秩序度が低く、光学的−軸性が低く
、且つチルト角が小さい別の分子配列状態（この状態を
スプレィ配向状態Ｓ１と言う）に安定化する。スプレィ
配向状態Ｓ、における分子のダイポール・モーメントは
同一方向とはなっていないが、自発分極（Ｐｓ）の方向
は、ユニフォーム配向状態Ｕ、の場合と同一であり、又
垂直分子層への分子軸の射影であるＣ−ダイレクタが基
板間で非平行、特に基板間でらせん配列構造の円軌道に
沿って配列している。この時のＣ−ダイレクタは必ずし
も一周期の円軌道に沿って配列されることはなく、上側
基板に隣接するＣ−ダイレクタと下側基板に隣接するＣ
−ダイレクタが円軌道」二で１８０°ないしはそれ以上
、若しくはそれ以下の角度で配列されることがある。又
、逆方向の電界印加により、同様にユニフォーム配向状
態（Ｕ２）とスプレィ配向状態（Ｓ２）を生じることに
なる。
電性液晶の種類によって相違するが、一般的には１μｓ
〜２μｓ程度である）を経た後、ユニフォーム配向状態
Ｕ１と比べ、分子の秩序度が低く、光学的−軸性が低く
、且つチルト角が小さい別の分子配列状態（この状態を
スプレィ配向状態Ｓ１と言う）に安定化する。スプレィ
配向状態Ｓ、における分子のダイポール・モーメントは
同一方向とはなっていないが、自発分極（Ｐｓ）の方向
は、ユニフォーム配向状態Ｕ、の場合と同一であり、又
垂直分子層への分子軸の射影であるＣ−ダイレクタが基
板間で非平行、特に基板間でらせん配列構造の円軌道に
沿って配列している。この時のＣ−ダイレクタは必ずし
も一周期の円軌道に沿って配列されることはなく、上側
基板に隣接するＣ−ダイレクタと下側基板に隣接するＣ
−ダイレクタが円軌道」二で１８０°ないしはそれ以上
、若しくはそれ以下の角度で配列されることがある。又
、逆方向の電界印加により、同様にユニフォーム配向状
態（Ｕ２）とスプレィ配向状態（Ｓ２）を生じることに
なる。
従って、前述した強誘電性液晶素子をデイスプレィパネ
ルに適用した場合では、そのパネルの明るさはスプレィ
配向状態Ｓ１及びＳ２における透過率によって一義的に
定められる。すなわち、透過光量は、分子配列状態を一
軸性として仮定すると、クロスニコル下で入射光■。の
強度に対して、（ここで、θａはチルト角、△ｎは屈折
率異方性、ｄはセル厚、λは入射光の波長である。）で
定められる。本発明者らの実験によれば、スプレィ配向
状態Ｓ、及びＳ２でのチルト角θａは一般に５°〜８°
であることが判明していた。
ルに適用した場合では、そのパネルの明るさはスプレィ
配向状態Ｓ１及びＳ２における透過率によって一義的に
定められる。すなわち、透過光量は、分子配列状態を一
軸性として仮定すると、クロスニコル下で入射光■。の
強度に対して、（ここで、θａはチルト角、△ｎは屈折
率異方性、ｄはセル厚、λは入射光の波長である。）で
定められる。本発明者らの実験によれば、スプレィ配向
状態Ｓ、及びＳ２でのチルト角θａは一般に５°〜８°
であることが判明していた。
前記問題点を解決するために高周波の交流印加手段（Ａ
Ｃスタビライズ効果）を用いた液晶装置が、例えば特開
昭６１−２４６７２２号公報、同６１−２４６７２３号
公報、同６１−２４６７２４号公報、同６１−２４．９
０２４号公報、同６１−２４９０２５号公報などに明ら
かにされている。
Ｃスタビライズ効果）を用いた液晶装置が、例えば特開
昭６１−２４６７２２号公報、同６１−２４６７２３号
公報、同６１−２４６７２４号公報、同６１−２４．９
０２４号公報、同６１−２４９０２５号公報などに明ら
かにされている。
上述のＡＣスタビライズ効果は、誘電率異方性（△ε）
が負の強誘電性液晶に対して、交流電界を作用させるこ
とにより、液晶分子軸を電界方向に対して垂直に配向さ
せるトルクが発生し、チルト角θａを増大させることが
できる。
が負の強誘電性液晶に対して、交流電界を作用させるこ
とにより、液晶分子軸を電界方向に対して垂直に配向さ
せるトルクが発生し、チルト角θａを増大させることが
できる。
しかしながら、前述したスプレィ配向状態の強誘電性液
晶に対して交流電界を印加する時に、負の誘電異方性△
εの値が大きい場合、又は交流電圧の電界強度が大きい
場合には、カイラルスメクチック相の分子垂直層構造が
崩れ、その個所に配向欠陥を生じる問題点があった。こ
の結果、ＡＣスタビライズ効果を十分に利用するのが困
難であった。
晶に対して交流電界を印加する時に、負の誘電異方性△
εの値が大きい場合、又は交流電圧の電界強度が大きい
場合には、カイラルスメクチック相の分子垂直層構造が
崩れ、その個所に配向欠陥を生じる問題点があった。こ
の結果、ＡＣスタビライズ効果を十分に利用するのが困
難であった。
本発明の目的は、前述の問題点を解決すること、特にＡ
Ｃスタビライズ効果による大きなチルト角θａを維持し
た上で、配向欠陥の発生を防止し、同時に駆動電圧マー
ジンを拡大した液晶装置及びその駆動法を提供すること
にある。
Ｃスタビライズ効果による大きなチルト角θａを維持し
た上で、配向欠陥の発生を防止し、同時に駆動電圧マー
ジンを拡大した液晶装置及びその駆動法を提供すること
にある。
すなわち、本発明は、走査電極と信号電極との交差部を
画素としたマトリクス電極及び負の誘電異方性をもつ強
誘電性液晶を有する液晶素子、並びに選択された走査電
極上の選択された画素に強誘電性液晶の自発分極の方向
を反転させるのに十分なパルスを印加し、選択されてい
ない走査電極上の画素に下記式（Ｉ）を満たす電圧波高
値Ｖ＋［ボルト］の交流電圧を印加する手段を有する液
晶装置に特徴を有している。
画素としたマトリクス電極及び負の誘電異方性をもつ強
誘電性液晶を有する液晶素子、並びに選択された走査電
極上の選択された画素に強誘電性液晶の自発分極の方向
を反転させるのに十分なパルスを印加し、選択されてい
ない走査電極上の画素に下記式（Ｉ）を満たす電圧波高
値Ｖ＋［ボルト］の交流電圧を印加する手段を有する液
晶装置に特徴を有している。
式（１）
％式％）
（式中、ｄは対向する走査電極と信号電極との距離［ｍ
ｌ、Ｐｓは自発分極［ｃ／ｒｒｒ］、Δεは誘電異方性
を表わしている。） 〔発明の態様の詳細な説明〕 印加電界（Ｅ）とダイポール・モーメンｌ−（自発分極
）との結合で生じる液晶分子のトルクＦＰ６及び印加電
界（Ｅ）と誘電率異方性（△ε）との結合で生じる液晶
分子のトルクＹ”ｈｔは、それぞれ下式で示される。
ｌ、Ｐｓは自発分極［ｃ／ｒｒｒ］、Δεは誘電異方性
を表わしている。） 〔発明の態様の詳細な説明〕 印加電界（Ｅ）とダイポール・モーメンｌ−（自発分極
）との結合で生じる液晶分子のトルクＦＰ６及び印加電
界（Ｅ）と誘電率異方性（△ε）との結合で生じる液晶
分子のトルクＹ”ｈｔは、それぞれ下式で示される。
ｒ’ Ｐｓ ” Ｐｓ・Ｅ・・・・・・・・・・・・・
・・（１）ＦΔｅｏｃ・△ε・ε。・Ｅ２・・・・・・
・・・（２）（ここでε。は真空誘電率である） 上述の式（２）から、液晶分子の誘電率異方性△εが大
きい程、らせん配列構造が抑制あるいは消去されやすい
ことが判る。しかも、△さく０の場合では、印加電界下
で液晶分子は基板の投影成分において優勢に配列し、そ
の結果らせん配列構造が抑制されることになる。
・・（１）ＦΔｅｏｃ・△ε・ε。・Ｅ２・・・・・・
・・・（２）（ここでε。は真空誘電率である） 上述の式（２）から、液晶分子の誘電率異方性△εが大
きい程、らせん配列構造が抑制あるいは消去されやすい
ことが判る。しかも、△さく０の場合では、印加電界下
で液晶分子は基板の投影成分において優勢に配列し、そ
の結果らせん配列構造が抑制されることになる。
第１図は、△ε＝−５，５の液晶（Ｉ）、△ε＝ −３
，０の液晶（ＩＩ）、△ε＝０の液晶（ｎＩ）及び△ε
＝１．０の液晶（■）の電圧実効値Ｖ ｒｍｓに対する
チルト角θａの依存性を表している。第１図に示す測定
では、自発分極Ｐｓからの影響を除去するために、６０
Ｋ Ｈｚの矩形交流を使用した。図中の○、×、△及
び口は実測値である。
，０の液晶（ＩＩ）、△ε＝０の液晶（ｎＩ）及び△ε
＝１．０の液晶（■）の電圧実効値Ｖ ｒｍｓに対する
チルト角θａの依存性を表している。第１図に示す測定
では、自発分極Ｐｓからの影響を除去するために、６０
Ｋ Ｈｚの矩形交流を使用した。図中の○、×、△及
び口は実測値である。
第１図から明らかな如く、誘電率異方性Δεが大きいも
の程、チルト角θａが大きいことが判る。液晶（Ｄと（
Ｉｎ）を用いたセルにおけるクロスニコル下での最大透
過率は、それぞれ１５％［液晶（Ｉ）］と６６％液晶（
■）］であった。
の程、チルト角θａが大きいことが判る。液晶（Ｄと（
Ｉｎ）を用いたセルにおけるクロスニコル下での最大透
過率は、それぞれ１５％［液晶（Ｉ）］と６６％液晶（
■）］であった。
本発明の具体例では、下記表１の強誘電性液晶を使用し
た。
た。
表 １
表中のｒｃｓ−１０１３Ｊ及びｒＣ３−１０１１Ｊは、
チッソ社製の強誘電性液晶で、ｒｓｃＥ３Ｊは、西独メ
ルク社製の強誘電性液晶で、「液晶Ａ」及び「液晶Ｂ」
は、キャノン社製の強誘電性液晶である。又、表中の■
は、最大チルト角を表わす。自発分極の測定は１００μ
ｍセルで下記三角波印加法により測定した（測定温度：
２７℃）。この三角波印加法による自発分極の測定は、
“ジャパニーズ・ジャーナル・オン・アプライド・フィ
ジックス′°（“ＪａｐａｎｅｓｅＪｏｕｒｎａｌ
ｏｆ Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ″）１９８
３年、 ２２ （１０）号、６６１〜６６３頁に記載さ
れ、ケイ・ミャサト（Ｋ 、 Ｍ ｉ ｙ ａ ｓ ａ
ｔ ｏ ）らの共著の“ダイレクト・メソッド・ウィ
ズ゛「トライアングラ−・ウエーブス・フォア・メジャ
ーイング・スポンテニアス・ボラリゼイション・オン・
フェロエレクトリック・リキッド・クリスタル」（“Ｄ
ｉｒｅｃｔ Ｍｅｔｈｏｄｗｉｔｈ” ｒＴｒｉａｎｇ
ｕｌｅｒ Ｗａｖｅｓ ｆｏｒ Ｍｅａｓｕｒｉ
ｎｇＳｐｏｎｔａｎｉｏｕｓ Ｐｏ１ａｒｉｚａｔｉｏ
ｎ ｏｎ ＦｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃＬｉｑｕｉ
ｄ ＣｒｙｓｔａｌＪ）にある。
チッソ社製の強誘電性液晶で、ｒｓｃＥ３Ｊは、西独メ
ルク社製の強誘電性液晶で、「液晶Ａ」及び「液晶Ｂ」
は、キャノン社製の強誘電性液晶である。又、表中の■
は、最大チルト角を表わす。自発分極の測定は１００μ
ｍセルで下記三角波印加法により測定した（測定温度：
２７℃）。この三角波印加法による自発分極の測定は、
“ジャパニーズ・ジャーナル・オン・アプライド・フィ
ジックス′°（“ＪａｐａｎｅｓｅＪｏｕｒｎａｌ
ｏｆ Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ″）１９８
３年、 ２２ （１０）号、６６１〜６６３頁に記載さ
れ、ケイ・ミャサト（Ｋ 、 Ｍ ｉ ｙ ａ ｓ ａ
ｔ ｏ ）らの共著の“ダイレクト・メソッド・ウィ
ズ゛「トライアングラ−・ウエーブス・フォア・メジャ
ーイング・スポンテニアス・ボラリゼイション・オン・
フェロエレクトリック・リキッド・クリスタル」（“Ｄ
ｉｒｅｃｔ Ｍｅｔｈｏｄｗｉｔｈ” ｒＴｒｉａｎｇ
ｕｌｅｒ Ｗａｖｅｓ ｆｏｒ Ｍｅａｓｕｒｉ
ｎｇＳｐｏｎｔａｎｉｏｕｓ Ｐｏ１ａｒｉｚａｔｉｏ
ｎ ｏｎ ＦｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃＬｉｑｕｉ
ｄ ＣｒｙｓｔａｌＪ）にある。
又、誘電異方性（△ε）（測定温度２７°Ｃ）は、平行
誘電率（ε〃）と垂直誘電率（ε」、）との差（△ε−
εヶーε工）から求めた。
誘電率（ε〃）と垂直誘電率（ε」、）との差（△ε−
εヶーε工）から求めた。
垂直誘電率（ε工）測定には、セル厚を１．５μｍに設
定し、垂直配向膜としてダイキン工業社製のｒＦＳ−１
１６ＳＪを用いた空セルの容量（空セル容量ｃｏ上）と
、セル内に強誘電性液晶を注入した時の容１（液晶セル
容量Ｃｔｃ上）を米国ヒユーレット・パラカード社のｒ
４１９２Ａｊによって測定した。これらの容量の比率Ｃ
１，、Ｃ１／ Ｃｏ土から垂直誘電率ε１を求めた。
定し、垂直配向膜としてダイキン工業社製のｒＦＳ−１
１６ＳＪを用いた空セルの容量（空セル容量ｃｏ上）と
、セル内に強誘電性液晶を注入した時の容１（液晶セル
容量Ｃｔｃ上）を米国ヒユーレット・パラカード社のｒ
４１９２Ａｊによって測定した。これらの容量の比率Ｃ
１，、Ｃ１／ Ｃｏ土から垂直誘電率ε１を求めた。
平行誘電率（ε〃）測定には、セル厚を１．５μｍ〜３
．０μｍに設定し、平行配向膜として東し社製のポリイ
ミド「５Ｐ−７１０」を用いた空セルの容量（空セル容
量Ｃｏ ／／ ）と、セル内に強誘電性液晶を注入した
時の容量（液晶セル容量ｅ ｔｃ ／／ ）を前述と同
様の［４１９２ＡＪ装置によって測定した。これらの容
量の比率Ｃ＋−ｃ ／／ ／ Ｃｏ ／／から平行誘電
率ε〃を求めた。
．０μｍに設定し、平行配向膜として東し社製のポリイ
ミド「５Ｐ−７１０」を用いた空セルの容量（空セル容
量Ｃｏ ／／ ）と、セル内に強誘電性液晶を注入した
時の容量（液晶セル容量ｅ ｔｃ ／／ ）を前述と同
様の［４１９２ＡＪ装置によって測定した。これらの容
量の比率Ｃ＋−ｃ ／／ ／ Ｃｏ ／／から平行誘電
率ε〃を求めた。
尚、容量測定時の周波数は、１００ＫＨｚに設定した。
第２図は、縦軸がＡＣスタヒライズ効果を生じさせる交
流電圧の印加によって増加したチルト角△θａを表わし
、横軸がＰｓ／△εを表わしている。
流電圧の印加によって増加したチルト角△θａを表わし
、横軸がＰｓ／△εを表わしている。
第２図中の破線２１．２２．２３．２４及び２５は、そ
れぞれ「液晶Ｂ」、「液晶Ａ」、ｒＣ３−１０１１Ｊ、
ｒｓｃＥ３Ｊ及びｒｃｓ−１０１３ｊのＰｓ／△εを表
わしている。
れぞれ「液晶Ｂ」、「液晶Ａ」、ｒＣ３−１０１１Ｊ、
ｒｓｃＥ３Ｊ及びｒｃｓ−１０１３ｊのＰｓ／△εを表
わしている。
又、第２図に示す○、・及び△は、６０Ｈｚ矩形交流電
圧のパルス波高値Ｖ１であり、それぞれのパルス波高値
は±８Ｖ、±ＩＯＶ及び±４■である。この際に使用し
たセルの電極間距離ｄは１．４μｍで、配向制御膜とし
て、ラビング処理したポリイミド膜を使用した。
圧のパルス波高値Ｖ１であり、それぞれのパルス波高値
は±８Ｖ、±ＩＯＶ及び±４■である。この際に使用し
たセルの電極間距離ｄは１．４μｍで、配向制御膜とし
て、ラビング処理したポリイミド膜を使用した。
第２図に示す特性曲線２Ａは印加交流電圧が±８ｖの時
のＰｓ／△εに対する増大したチルト角△θａの変化を
示し、特性曲線２Ｂは印加交流電圧が±ＩＯＶの時のＰ
ｓ／△εに対する増大したチルト角△θａの変化を示し
、特性曲線２Ｃは印加交流電圧が±４ｖの時のＰｓ／△
εに対する増大したチルト角△θａの変化を示している
。第２図より判るとおり、印加交流電圧の波高値（ｖｌ
）に関係なく、Ｐｓ／△εの値が大きい程、増大したチ
ルト角△θａが小さくなる傾向がある。
のＰｓ／△εに対する増大したチルト角△θａの変化を
示し、特性曲線２Ｂは印加交流電圧が±ＩＯＶの時のＰ
ｓ／△εに対する増大したチルト角△θａの変化を示し
、特性曲線２Ｃは印加交流電圧が±４ｖの時のＰｓ／△
εに対する増大したチルト角△θａの変化を示している
。第２図より判るとおり、印加交流電圧の波高値（ｖｌ
）に関係なく、Ｐｓ／△εの値が大きい程、増大したチ
ルト角△θａが小さくなる傾向がある。
実際上、デイスプレィとしての十分な明るさを確保する
ためには、増大したチルト角△θａが５゜以上となるこ
とが必要であるが、前述の式（１）の条件を満たすこと
によって、配向欠陥を生じることなく増大したチルト角
△θａを５°以上に設定することができる。
ためには、増大したチルト角△θａが５゜以上となるこ
とが必要であるが、前述の式（１）の条件を満たすこと
によって、配向欠陥を生じることなく増大したチルト角
△θａを５°以上に設定することができる。
第３図は、縦軸にＶ＋／ｄｌｏ’（ボルト／ｍ）を、横
軸にＰｓ・１０６／△ε（Ｃ＃）を表わしている。
軸にＰｓ・１０６／△ε（Ｃ＃）を表わしている。
第３図のハツチング領域がＡＣスタビライズ効果を用い
たマルチプレクシング駆動に適した領域である。
たマルチプレクシング駆動に適した領域である。
第４図は、本発明で用いた駆動パルスのタイミングチャ
ートである。Ｓ、〜Ｓ３は走査信号波形で、■は情報信
号波形である。Ａは走査信号波形Ｓ１と情報信号波形の
合成波形（画素に印加される波形）である。ここで、期
間Ｔ３が走査選択期間、期間Ｔ１が走査非選択期間であ
る。本実施例のマルチプレクシング駆動において、電圧
±ｖ３の交流電圧が前述のＡＣスタビライズ効果を生じ
させることができる。
ートである。Ｓ、〜Ｓ３は走査信号波形で、■は情報信
号波形である。Ａは走査信号波形Ｓ１と情報信号波形の
合成波形（画素に印加される波形）である。ここで、期
間Ｔ３が走査選択期間、期間Ｔ１が走査非選択期間であ
る。本実施例のマルチプレクシング駆動において、電圧
±ｖ３の交流電圧が前述のＡＣスタビライズ効果を生じ
させることができる。
従って、例えば前述の液晶Ｂを用いたセル（電極間の距
離＝１．３μｍ、配向制御＝ポリイミドラビング）の場
合について、前述の式（１）に代入すると、液晶Ｂの１
△ε１は９．７で、Ｐｓは８．Ｏｎｃ／ｃｒｄで、ｄは
１．３μｍであるから、■１＝１±Ｖ３Ｉ＞３．６Ｖと
なる。又、液晶Ｂを用いたセルにＩＯＶ以上の交流電圧
を印加すると、配向欠陥の発生が判明したので、第４図
に示す駆動パルスを用いた時の電圧１±Ｖ３１のマージ
ンは ３．６ｖ≦１±Ｖ３１ ＜ＩＯＶ とすることができる。この際、パルス幅△Ｔ２−６０μ
ＳｅＣであった。
離＝１．３μｍ、配向制御＝ポリイミドラビング）の場
合について、前述の式（１）に代入すると、液晶Ｂの１
△ε１は９．７で、Ｐｓは８．Ｏｎｃ／ｃｒｄで、ｄは
１．３μｍであるから、■１＝１±Ｖ３Ｉ＞３．６Ｖと
なる。又、液晶Ｂを用いたセルにＩＯＶ以上の交流電圧
を印加すると、配向欠陥の発生が判明したので、第４図
に示す駆動パルスを用いた時の電圧１±Ｖ３１のマージ
ンは ３．６ｖ≦１±Ｖ３１ ＜ＩＯＶ とすることができる。この際、パルス幅△Ｔ２−６０μ
ＳｅＣであった。
ここで、液晶Ｂを用いた際のマルチプレクシレグ駆動時
のマージンを考慮して、％バイアスにｖｌ。
のマージンを考慮して、％バイアスにｖｌ。
ｖ２及びｖ３を設定すると、Ｖ、＝１５Ｖ、Ｖ２＝１５
Ｖ。
Ｖ。
Ｖ３＝７．５Ｖ、パルス幅△Ｔ２−６０μｓｅｃの条件
が適している。この際、駆動中のチルト角θａは１０゜
で、充分なＡＣスタビライズ効果を得ることができた。
が適している。この際、駆動中のチルト角θａは１０゜
で、充分なＡＣスタビライズ効果を得ることができた。
次に、本発明の別の具体例を明らかにする。
本実施例で用いた強誘電性液晶は、下表２のとおりで、
セルとしては電極間の間隔１．４μｍ１ポリイミドラビ
ングによる配向制御を用いた。
セルとしては電極間の間隔１．４μｍ１ポリイミドラビ
ングによる配向制御を用いた。
表 ２
（表中の液晶Ｖ〜■は、それぞれキャノン社製の強誘電
性液晶である。） 上述の液晶Ｖ〜■を注入したセルに対して、第４図に示
す駆動波形によるマルチプレクシング駆動を行なった場
合の電圧マージン（Ｖｌ＋Ｖ３）およびパルス幅マージ
ン△Ｔ２を１／３バイアス（Ｖ３ ／ （Ｖｌ ＋Ｖ３
） −１／３） ニ適用した時の条件を第５図に示す
。
性液晶である。） 上述の液晶Ｖ〜■を注入したセルに対して、第４図に示
す駆動波形によるマルチプレクシング駆動を行なった場
合の電圧マージン（Ｖｌ＋Ｖ３）およびパルス幅マージ
ン△Ｔ２を１／３バイアス（Ｖ３ ／ （Ｖｌ ＋Ｖ３
） −１／３） ニ適用した時の条件を第５図に示す
。
第５図から、液晶Ｖ及び■は、液晶■に対して電圧マー
ジンとパルス幅マージンが太き（実用性に優れているこ
とが判る。
ジンとパルス幅マージンが太き（実用性に優れているこ
とが判る。
表２中のＰｓ／△εの項を見ると、液晶■は２．３、液
晶■は０．８、液晶■は４．９である。これらの数値を
前述の式（Ｉ）に代入すると下記の如（になる。
晶■は０．８、液晶■は４．９である。これらの数値を
前述の式（Ｉ）に代入すると下記の如（になる。
液晶Ｖ；Ｐｓ／△ｅ ＝２．３．６．０■≦Ｖ。
液晶■；Ｐｓ／△ｅ ＝０．８．４．ＯＶ≦Ｖ１液晶Ｖ
Ｉ；Ｐｓ／△ε＝４．９．９．７Ｖ≦Ｖ。
Ｉ；Ｐｓ／△ε＝４．９．９．７Ｖ≦Ｖ。
交流電圧のパルス波高値ｖ１が小さいもの程、電圧及び
パルス幅マージンが大きく、液晶■は第５図に示す範囲
では、動作点を広く持てないことも示している。
パルス幅マージンが大きく、液晶■は第５図に示す範囲
では、動作点を広く持てないことも示している。
第６図は、本発明で用いたマトリクス電極を配置した強
誘電性液晶パネル６１の駆動装置を表している。第６図
のパネル６１には、走査線６２とデータ線６３とが互い
に交差して配線され、その交差部の走査線６２とデータ
線６３との間には、強誘電性液晶が配置されている。又
、第６図中、６４は走査回路、６５は走査側駆動回路、
６６は信号側駆動電圧発生回路、６７はラインメモリー
、６８はスフトレジスタ、６９は走査側駆動電圧発生電
源、。６ｏはマイクロ・プロセッサー・ユニット（ＭＰ
Ｖ）を表わしている。
誘電性液晶パネル６１の駆動装置を表している。第６図
のパネル６１には、走査線６２とデータ線６３とが互い
に交差して配線され、その交差部の走査線６２とデータ
線６３との間には、強誘電性液晶が配置されている。又
、第６図中、６４は走査回路、６５は走査側駆動回路、
６６は信号側駆動電圧発生回路、６７はラインメモリー
、６８はスフトレジスタ、６９は走査側駆動電圧発生電
源、。６ｏはマイクロ・プロセッサー・ユニット（ＭＰ
Ｖ）を表わしている。
走査側駆動電圧発生電源６９には、電圧ｖ１．ｖ２とＶ
。が用意され、例えば電圧ｖ１とｖ２を前述した走査選
択信号の電源とし、電圧Ｖｃを走査非選択信号の電源と
することができる。
。が用意され、例えば電圧ｖ１とｖ２を前述した走査選
択信号の電源とし、電圧Ｖｃを走査非選択信号の電源と
することができる。
ＡＣスラビライズ効果を実用化可能とすることができ、
これによって高透過率のデイスプレィ画面を得ることが
できる。
これによって高透過率のデイスプレィ画面を得ることが
できる。
【図面の簡単な説明】
第１図は、チルト角θａの誘電異方性△εに対する印加
電圧依存性を示す特性図である。第２図は、増大したチ
ルト角△θａとＰｓ／△εとの関係を示す特性図である
。第３図は、実用可能なＡＣスタビライズ領域を示す特
性図である。第４図は、本発明で用いた駆動波形のタイ
ミングチャート図である。第５図は、駆動パルス幅△Ｔ
２と書込み電圧（ＶＩ＋Ｖ３）との関係を示す特性図で
ある。第６図は本発明のブロック図である。
電圧依存性を示す特性図である。第２図は、増大したチ
ルト角△θａとＰｓ／△εとの関係を示す特性図である
。第３図は、実用可能なＡＣスタビライズ領域を示す特
性図である。第４図は、本発明で用いた駆動波形のタイ
ミングチャート図である。第５図は、駆動パルス幅△Ｔ
２と書込み電圧（ＶＩ＋Ｖ３）との関係を示す特性図で
ある。第６図は本発明のブロック図である。
Claims (6)
- （１）走査電極と信号電極との交差部を画素としたマト
リクス電極及び負の誘電異方性をもつ強誘電性液晶を有
する液晶素子、並びに選択された走査電極上の選択され
た画素に強誘電性液晶の自発分極の方向を反転させるの
に十分な強度をもつパルスを印加し、選択されていない
走査電極上の画素に下記式（ I ）を満たす電圧波高値
Ｖ＿１［ボルト］の交流電圧を印加する手段を有するこ
とを特徴とする液晶装置。 式（ I ） ｄ・（２．０×１０＾６＋Ｐｓ・１０＾１＾１／｜Δε
｜）≦Ｖ＿１（式中、ｄは対向する走査電極と信号電極
との距離［ｍ］、Ｐｓは自発分極［ｃ／ｍ＾２］、Δε
は誘電異方性を表わしている。） - （２）前記強誘電性液晶の配向状態が無電界時にスプレ
イ配向状態である請求項１の液晶装置。 - （３）前記強誘電性液晶がカイラルスメクチツク液晶で
ある請求項１の液晶装置。 - （４）走査電極と信号電極との交差部で画素を形成した
マトリクス電極及び負の誘電異方性をもつ強誘電性液晶
を有する液晶素子の駆動法において、選択された走査電
極上の選択された画素に強誘電性液晶の自発分極の方向
を反転させるのに十分な強度をもつパルスを印加し、選
択されていない走査電極上の画素に下記式（ I ）を満
たす電圧波高値Ｖ＿１［ボルト］の交流電圧を印加する
ことを特徴とする液晶装置の駆動法。 式（ I ） ｄ・（２．０×１０＾６＋Ｐｓ・１０＾１＾１／｜△ε
｜）≦Ｖ＿１（式中、ｄは対向する走査電極と信号電極
との距離［ｍ］、Ｐｓは自発分極［ｃ／ｍ＾２］、Δε
は誘電異方性を表わしている。） - （５）前記強誘電性液晶の配向状態が無電界時にスプレ
イ配向状態である請求項４の液晶装置の駆動法。 - （６）前記強誘電性液晶がカイラルスメクチツク液晶で
ある請求項４の液晶装置の駆動法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63111336A JP2525453B2 (ja) | 1988-05-06 | 1988-05-06 | 液晶装置及びその駆動法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63111336A JP2525453B2 (ja) | 1988-05-06 | 1988-05-06 | 液晶装置及びその駆動法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01280725A true JPH01280725A (ja) | 1989-11-10 |
| JP2525453B2 JP2525453B2 (ja) | 1996-08-21 |
Family
ID=14558617
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63111336A Expired - Fee Related JP2525453B2 (ja) | 1988-05-06 | 1988-05-06 | 液晶装置及びその駆動法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2525453B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100316453B1 (ko) * | 1997-06-30 | 2002-01-15 | 니시무로 타이죠 | 액정표시장치 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62269122A (ja) * | 1986-05-16 | 1987-11-21 | Seiko Instr & Electronics Ltd | 強誘電性液晶電気光学装置 |
| JPS6380230A (ja) * | 1986-09-24 | 1988-04-11 | Seiko Epson Corp | 液晶電気光学素子 |
-
1988
- 1988-05-06 JP JP63111336A patent/JP2525453B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62269122A (ja) * | 1986-05-16 | 1987-11-21 | Seiko Instr & Electronics Ltd | 強誘電性液晶電気光学装置 |
| JPS6380230A (ja) * | 1986-09-24 | 1988-04-11 | Seiko Epson Corp | 液晶電気光学素子 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100316453B1 (ko) * | 1997-06-30 | 2002-01-15 | 니시무로 타이죠 | 액정표시장치 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2525453B2 (ja) | 1996-08-21 |
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|---|---|---|---|
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