JPH01214825A - 液晶装置及びその駆動法 - Google Patents
液晶装置及びその駆動法Info
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- JPH01214825A JPH01214825A JP4159288A JP4159288A JPH01214825A JP H01214825 A JPH01214825 A JP H01214825A JP 4159288 A JP4159288 A JP 4159288A JP 4159288 A JP4159288 A JP 4159288A JP H01214825 A JPH01214825 A JP H01214825A
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Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
- Liquid Crystal Display Device Control (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の分野〕
本発明は、液晶装置に関し、詳しくは強誘電性液晶を用
いた液晶装置に関するものである。
いた液晶装置に関するものである。
クラークとラガーウオルは、Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙ
ｓｉｃｓＬｅｔｔｅｒｓ第３６巻、第１１号（１９８０
年６月１日発行）、Ｐ、８９９−９０１、又は米国特許
第４，３６７．９２４号、米国特許第４，５６３，０５
９号で、表面安定化強誘電性液晶（Ｓｕｒｆａｃｅ−ｓ
ｔａｂｉｌｉｚｅｄ ｆｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃｌ
ｉｑｕｉｄ ｃｒｙｓｔａｌ）による双安定性強誘電
性液晶を明らかにした。この双安定性強誘電性液晶は、
バルク状態のカイラルスメクチック相における液晶分子
のらせん配列構造の形成を抑制するのに十分に小さい間
隔に設定した一対の基板間に配置させ、且つ複数の液晶
分子で組織された垂直分子層を一方向に配列させること
によって実現された。
ｓｉｃｓＬｅｔｔｅｒｓ第３６巻、第１１号（１９８０
年６月１日発行）、Ｐ、８９９−９０１、又は米国特許
第４，３６７．９２４号、米国特許第４，５６３，０５
９号で、表面安定化強誘電性液晶（Ｓｕｒｆａｃｅ−ｓ
ｔａｂｉｌｉｚｅｄ ｆｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃｌ
ｉｑｕｉｄ ｃｒｙｓｔａｌ）による双安定性強誘電
性液晶を明らかにした。この双安定性強誘電性液晶は、
バルク状態のカイラルスメクチック相における液晶分子
のらせん配列構造の形成を抑制するのに十分に小さい間
隔に設定した一対の基板間に配置させ、且つ複数の液晶
分子で組織された垂直分子層を一方向に配列させること
によって実現された。
上述の強誘電性液晶素子は、基板の投影成分において安
定な分子長軸の平均方向（ｎ）は、２方向に限定され・
垂直分子層に平行な分子のダイポール・モーメント（九
）を有し、平均的に自分分極（Ｐｓ）を形成している。
定な分子長軸の平均方向（ｎ）は、２方向に限定され・
垂直分子層に平行な分子のダイポール・モーメント（九
）を有し、平均的に自分分極（Ｐｓ）を形成している。
この自発分極（Ｐｓ）と印加電界とが強い結合を生じる
。この強誘電性液晶に一方向の電界を印加すると、垂直
分子層内のダイポール・モーメント（宝）は、その電界
方向に揃う。
。この強誘電性液晶に一方向の電界を印加すると、垂直
分子層内のダイポール・モーメント（宝）は、その電界
方向に揃う。
この時のチルト角はらせん配列構造における頂角のＡ倍
の角度に相当し、最大チルト角を生じる（この時の分子
配列状態をユニフォーム配向状態Ｕ１と言う）。上述し
た電界を解除すると、しばら（の緩和期間（強誘電性液
晶の種類によって相違するが、−船釣には１μｓ〜２μ
ｓ程度である）を経た後、ユニフォーム配向状態Ｕ１と
比べ、分子の秩序度が低く、光学的−軸性が低く、且つ
チルト角が小さい別の分子配列状態（この状態をスプレ
ィ配向状態Ｓ１と言う）に安定化する。スプレィ配向状
態Ｓ１における分子のダイポール・モーメントは同一方
向とはなっていないが、自発分極（Ｐｓ）の方向は、ユ
ニフォーム配向状態Ｕ１の場合と同一である。又、逆方
向の電界印加により、同様にユニフォーム配向状態（Ｕ
２）とスプレィ配向状態（Ｓ２）を生じることになる。
の角度に相当し、最大チルト角を生じる（この時の分子
配列状態をユニフォーム配向状態Ｕ１と言う）。上述し
た電界を解除すると、しばら（の緩和期間（強誘電性液
晶の種類によって相違するが、−船釣には１μｓ〜２μ
ｓ程度である）を経た後、ユニフォーム配向状態Ｕ１と
比べ、分子の秩序度が低く、光学的−軸性が低く、且つ
チルト角が小さい別の分子配列状態（この状態をスプレ
ィ配向状態Ｓ１と言う）に安定化する。スプレィ配向状
態Ｓ１における分子のダイポール・モーメントは同一方
向とはなっていないが、自発分極（Ｐｓ）の方向は、ユ
ニフォーム配向状態Ｕ１の場合と同一である。又、逆方
向の電界印加により、同様にユニフォーム配向状態（Ｕ
２）とスプレィ配向状態（Ｓ２）を生じることになる。
従って、前述した強誘電性液晶素子をデイスプレィパネ
ルに適用した場合では、そのパネルの明るさはスプレィ
配向状態Ｓ１及びｓ２における透過率によって一義的に
定められる。すなわち、透過光量は、分子配列状態を一
軸性として仮定すると、クロスニコル下で入射光■。の
強度に対して、 （ここで、θａはチルト角、△ｎは屈折率異方性、ｄは
セル厚、λは入射光の波長である。）で定められる。本
発明者らの実験によれば、スプレィ配向状態Ｓ１及びＳ
２でのチルト角θａは一般に５°〜８°であることが判
明していた。
ルに適用した場合では、そのパネルの明るさはスプレィ
配向状態Ｓ１及びｓ２における透過率によって一義的に
定められる。すなわち、透過光量は、分子配列状態を一
軸性として仮定すると、クロスニコル下で入射光■。の
強度に対して、 （ここで、θａはチルト角、△ｎは屈折率異方性、ｄは
セル厚、λは入射光の波長である。）で定められる。本
発明者らの実験によれば、スプレィ配向状態Ｓ１及びＳ
２でのチルト角θａは一般に５°〜８°であることが判
明していた。
前記問題点を解決するために高周波の交流印加手段を用
いた液晶装置が、例えば特開昭６１−２４６７２２号公
報、同６１−２４６７２３号公報、同６１−２４６７２
４号公報、同６１−２４９０２４号公報、同６１−２４
９０２５号公報などに明らかにされている。かかる装置
では駆動用スイッチングパルスとは別に高周波の交流を
印加する手段が用いられているため、消費電力が大きく
なる問題点があった。
いた液晶装置が、例えば特開昭６１−２４６７２２号公
報、同６１−２４６７２３号公報、同６１−２４６７２
４号公報、同６１−２４９０２４号公報、同６１−２４
９０２５号公報などに明らかにされている。かかる装置
では駆動用スイッチングパルスとは別に高周波の交流を
印加する手段が用いられているため、消費電力が大きく
なる問題点があった。
本発明の目的は、チルト角を増大させるための高周波交
流電圧を重畳することなく、しかも駆動電圧マージンを
低下させることなく強誘電性液晶画素に交流電圧を印加
させることができる液晶装置を提供することにある。
流電圧を重畳することなく、しかも駆動電圧マージンを
低下させることなく強誘電性液晶画素に交流電圧を印加
させることができる液晶装置を提供することにある。
すなわち本発明は、走査電極群（共通電極）と信号電極
群（セグメント電極）との交差部で画素を形成したマト
リクス電極及び該走査電極群と信号電極群との間に配置
した強誘電性液晶を有する液晶素子、少なくとも１つの
走査電極に、選択されていない時の走査電極への印加電
圧を基準にして、一方極性パルス及び他方極性パルスを
印加し、該一方極性パルス及び他方極性パルスの前のパ
ルス印加期間内に、他の少なくとも１つの走査電極にパ
ルス波形、パルス幅及びパルス波高値で定まる閾値電圧
以下の前パルスを印加する手段、並びに前記一方極性パ
ルス及び他方極性パルスのうち少なくとも一方のパルス
と同期して情報パルスを印加する手段を有する液晶装置
を特徴としたものである。
群（セグメント電極）との交差部で画素を形成したマト
リクス電極及び該走査電極群と信号電極群との間に配置
した強誘電性液晶を有する液晶素子、少なくとも１つの
走査電極に、選択されていない時の走査電極への印加電
圧を基準にして、一方極性パルス及び他方極性パルスを
印加し、該一方極性パルス及び他方極性パルスの前のパ
ルス印加期間内に、他の少なくとも１つの走査電極にパ
ルス波形、パルス幅及びパルス波高値で定まる閾値電圧
以下の前パルスを印加する手段、並びに前記一方極性パ
ルス及び他方極性パルスのうち少なくとも一方のパルス
と同期して情報パルスを印加する手段を有する液晶装置
を特徴としたものである。
尚、走査電極群又は信号電極群に印加する本明細書に記
載の「一方極性パルス」及び「他方極性パルス」とは、
選択されていない時の走査電極への印加電圧を基準にし
た極性で現されるパルスを指称する。
載の「一方極性パルス」及び「他方極性パルス」とは、
選択されていない時の走査電極への印加電圧を基準にし
た極性で現されるパルスを指称する。
印加電界（Ｅ）とダイポール・モーメントとの結合で生
じる液晶分子のトルクｒＰ、及び印加電界（Ｅ）と誘電
率異方性（△ε）との結合で生じる液晶分子のトルクｒ
ｌＸｅは、それぞれ下式で示される。
じる液晶分子のトルクｒＰ、及び印加電界（Ｅ）と誘電
率異方性（△ε）との結合で生じる液晶分子のトルクｒ
ｌＸｅは、それぞれ下式で示される。
ｒ’ｐｓ ” Ｐｓ−Ｅ ・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・（１）ＦΔｅｃＩニー・△ε・εｏ−Ｅ
２ ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・（
２）（ここでε。は真空誘電率である） 上述の式（２）から、液晶分子の誘電率異方性△εが大
きい程、らせん配列構造が抑制あるいは消去されやすい
ことが判る。しかも、△さく０の場合では、印加電界下
で液晶分子は基板の投影成分において優勢に配列し、そ
の結果らせん配列構造が抑制されることになる。
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・（１）ＦΔｅｃＩニー・△ε・εｏ−Ｅ
２ ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・（
２）（ここでε。は真空誘電率である） 上述の式（２）から、液晶分子の誘電率異方性△εが大
きい程、らせん配列構造が抑制あるいは消去されやすい
ことが判る。しかも、△さく０の場合では、印加電界下
で液晶分子は基板の投影成分において優勢に配列し、そ
の結果らせん配列構造が抑制されることになる。
第１図は、△ε＝−５，５の液晶（１）、△ε＝−３，
０の液晶（ｒｌ）、△ε＝０の液晶（ＩＩＩ）及び△ε
＝１．０の液晶（ＩＶ ）の電圧実効値Ｖ ｒｍｓに対
するチルト角θａの依存性を表している。第１図に示す
測定では、自発分極Ｐｓからの影響を除去するために、
６０ＫＨｚの矩形交流を使用した。図中のＯ１×、△及
び口は実測値である。
０の液晶（ｒｌ）、△ε＝０の液晶（ＩＩＩ）及び△ε
＝１．０の液晶（ＩＶ ）の電圧実効値Ｖ ｒｍｓに対
するチルト角θａの依存性を表している。第１図に示す
測定では、自発分極Ｐｓからの影響を除去するために、
６０ＫＨｚの矩形交流を使用した。図中のＯ１×、△及
び口は実測値である。
第１図から明らかな如く、誘電率異方性△εが大きいも
の程、チルト角θａが大きいことが判る。
の程、チルト角θａが大きいことが判る。
液晶（１）と（ＩＩＩ）を用いたセルにおけるクロスニ
コル下での最大透過率は、それぞれ１５％［液晶（■）
］と６％［液晶（■）］であった。
コル下での最大透過率は、それぞれ１５％［液晶（■）
］と６％［液晶（■）］であった。
本発明によれば、一方極性パルスと他方極性パルスをも
つ走査選択信号を少なくとも１つの走査電極に印加した
時、該−刃径性パルス及び他方極性パルスのうちの前の
パルス印加期間内Ｔ。に、他の少なくとも１つの走査電
極に、パルス波形（例えば矩形波）、パルス幅及びパル
ス波高値で定まる閾値電圧以下の前パルスＰＴＯを印加
することによって、情報信号１．、Ｉ２・・・の最大パ
ルス幅△Ｔを小さ（、例えば６０μｓｅｃ以下に設定す
ることが可能となり、この結果誘電率異方性△εによる
大きな結合を生じ、表示コントラストを増大させること
ができる。又、前パルスｐｙｏが閾値電圧以上に設定さ
れていると、結果的に期間Ｔ、で走査電極に印加される
電圧が強誘電性液晶の閾値電圧を越えることになるため
、表示画面は書込み期間Ｔ、の印加電圧のみによって制
御され、情報信号に応じた表示画面を形成することがで
きなくなる（全面白（又は黒）画面となる）。
つ走査選択信号を少なくとも１つの走査電極に印加した
時、該−刃径性パルス及び他方極性パルスのうちの前の
パルス印加期間内Ｔ。に、他の少なくとも１つの走査電
極に、パルス波形（例えば矩形波）、パルス幅及びパル
ス波高値で定まる閾値電圧以下の前パルスＰＴＯを印加
することによって、情報信号１．、Ｉ２・・・の最大パ
ルス幅△Ｔを小さ（、例えば６０μｓｅｃ以下に設定す
ることが可能となり、この結果誘電率異方性△εによる
大きな結合を生じ、表示コントラストを増大させること
ができる。又、前パルスｐｙｏが閾値電圧以上に設定さ
れていると、結果的に期間Ｔ、で走査電極に印加される
電圧が強誘電性液晶の閾値電圧を越えることになるため
、表示画面は書込み期間Ｔ、の印加電圧のみによって制
御され、情報信号に応じた表示画面を形成することがで
きなくなる（全面白（又は黒）画面となる）。
本発明で用いる前パルスＰＴＯのパルス幅は、情報信号
の最大パルス幅△Ｔに対して１〜１０倍、好ましくは２
〜３倍に設定することができ、又パルス波高値は、走査
選択信号のうちの前のパルス波高値に対して０．１〜２
倍、好ましくは０．５〜１倍に設定することができる。
の最大パルス幅△Ｔに対して１〜１０倍、好ましくは２
〜３倍に設定することができ、又パルス波高値は、走査
選択信号のうちの前のパルス波高値に対して０．１〜２
倍、好ましくは０．５〜１倍に設定することができる。
第２図は、米国特許第４，７０５，３４５号公報で明ら
かにされている駆動波形である。第２図に示す駆動波形
では、前述した前パルスＰＴＯが使用されていない。
かにされている駆動波形である。第２図に示す駆動波形
では、前述した前パルスＰＴＯが使用されていない。
第３図及び第４図は、ハツチング部で示される前パルス
Ｐ□。が走査選択信号の印加に先立って印加されている
。図中のＳｌ、Ｓ２．Ｓ３．・・・は走査電極に印加す
る走査信号、■Ｉ＋ Ｉ２＋ ・・・は信号電極に印
加する情報信号のパルス列を表している。又、第３図及
び第４図の走査信号Ｓ、、Ｓ２゜Ｓ３のうち前述した前
パルスＰ、。以外の一方極性パルスと他方極性パルスと
のパルス列が走査選択信号に相当している。
Ｐ□。が走査選択信号の印加に先立って印加されている
。図中のＳｌ、Ｓ２．Ｓ３．・・・は走査電極に印加す
る走査信号、■Ｉ＋ Ｉ２＋ ・・・は信号電極に印
加する情報信号のパルス列を表している。又、第３図及
び第４図の走査信号Ｓ、、Ｓ２゜Ｓ３のうち前述した前
パルスＰ、。以外の一方極性パルスと他方極性パルスと
のパルス列が走査選択信号に相当している。
第３図及び第４図で示す駆動例では、期間Ｔ、で、選択
された走査電極上の全又は所定数の画素には、−済に強
誘電性液晶の一方の配向状態（光学的には「明」又は「
暗」状態）を生じさせる電圧が印加され、期間Ｔ２で、
全又は所定数の画素のうち選択された画素には、強誘電
性液晶の他方の配向状態（光学的には「暗」又は「明」
状態）を生じさせる電圧が印加され、他の画素には期間
Ｔ。
された走査電極上の全又は所定数の画素には、−済に強
誘電性液晶の一方の配向状態（光学的には「明」又は「
暗」状態）を生じさせる電圧が印加され、期間Ｔ２で、
全又は所定数の画素のうち選択された画素には、強誘電
性液晶の他方の配向状態（光学的には「暗」又は「明」
状態）を生じさせる電圧が印加され、他の画素には期間
Ｔ。
で生じた光学状態をそのまま保持する電圧が印加される
。
。
又、本発明では、期間Ｔ１とＩ２で印加されるパルス列
の位相を１垂直走査期間（例えばｌフレーム又はｌフィ
ールド）毎に互いに逆位相とすることによって走査電極
に印加することができる。その具体例を第５図に示す。
の位相を１垂直走査期間（例えばｌフレーム又はｌフィ
ールド）毎に互いに逆位相とすることによって走査電極
に印加することができる。その具体例を第５図に示す。
又、本発明では期間Ｔ１＋Ｔ２に相当する１水平走査期
間毎にパルス列の位相を逆位相とすることができる。そ
の具体例を第６図に示す。
間毎にパルス列の位相を逆位相とすることができる。そ
の具体例を第６図に示す。
本発明の別の好ましい具体例では、情報信号のパルス列
のうち最大パルス幅△Ｔを前述した極小値τ□、。以下
に設定することができる。第１Ｏ図。
のうち最大パルス幅△Ｔを前述した極小値τ□、。以下
に設定することができる。第１Ｏ図。
第１１図及び第１２図に示す駆動波形では、情報信号の
最大パルス幅△Ｔを極小値τｍｉｎに設定されている。
最大パルス幅△Ｔを極小値τｍｉｎに設定されている。
第１Ｏ図の駆動波形によれば、Ｆ、フレームとＦ２フレ
ームで走査電極に印加するパルスの極性が、互いに逆極
性となっていて、Ｆ１フレームの走査選択期間Ａ、で走
査電極上の画素が選択的に白の書込みが行われ、Ｆ２フ
レームでの走査選択期間Ａ２で黒の選択的な書込みが行
われる。この際の走査選択信号のパルス列のうちの最大
パルス幅もやはり極小値τｍ１ｒｌに設定され、実際に
は前述のパルス幅へＴに設定される。第１１図に示す駆
動波形でも、前述の同様のパルス幅に設定されており、
走査選択期間Ａ。のうち前半のＡ。１で走査電極上の全
又は所定数の画素には白の光学状態を生じる閾値電圧を
超えた電圧（極小値τ山辺下のパルス幅、電圧−■。）
が印加され、後半のＡＯ２では選択された画素には、黒
の閾値電圧（極小値τ而、以上のパルス幅、電圧Ｖ。）
が印加され、他の画素には閾値電圧以下の電圧（極小値
τ山辺下のパルス幅、電圧±４ｖｏ）が印加される。又
、第１２図に示す駆動波形では走査電極のアドレスに先
立って、全又はブロック消去期間Ｃで、全又は所定数の
走査電極に消去パルスが印加され、続いて順次走査選択
信号が印加される。
ームで走査電極に印加するパルスの極性が、互いに逆極
性となっていて、Ｆ１フレームの走査選択期間Ａ、で走
査電極上の画素が選択的に白の書込みが行われ、Ｆ２フ
レームでの走査選択期間Ａ２で黒の選択的な書込みが行
われる。この際の走査選択信号のパルス列のうちの最大
パルス幅もやはり極小値τｍ１ｒｌに設定され、実際に
は前述のパルス幅へＴに設定される。第１１図に示す駆
動波形でも、前述の同様のパルス幅に設定されており、
走査選択期間Ａ。のうち前半のＡ。１で走査電極上の全
又は所定数の画素には白の光学状態を生じる閾値電圧を
超えた電圧（極小値τ山辺下のパルス幅、電圧−■。）
が印加され、後半のＡＯ２では選択された画素には、黒
の閾値電圧（極小値τ而、以上のパルス幅、電圧Ｖ。）
が印加され、他の画素には閾値電圧以下の電圧（極小値
τ山辺下のパルス幅、電圧±４ｖｏ）が印加される。又
、第１２図に示す駆動波形では走査電極のアドレスに先
立って、全又はブロック消去期間Ｃで、全又は所定数の
走査電極に消去パルスが印加され、続いて順次走査選択
信号が印加される。
本発明者らの実験によれば、温度２５℃の条件下で、上
述の液晶Ａを用いた時に、パルス幅△Ｔ＝６０μ５ｅＣ
ＳＶ Ｑ ＝１０Ｖに設定することによって高さコント
ラストの表示画面が得られたが、上述の液晶Ｂの場合で
は情報信号による表示の制御が不可能で、全面白画面が
形成されただけであった。
述の液晶Ａを用いた時に、パルス幅△Ｔ＝６０μ５ｅＣ
ＳＶ Ｑ ＝１０Ｖに設定することによって高さコント
ラストの表示画面が得られたが、上述の液晶Ｂの場合で
は情報信号による表示の制御が不可能で、全面白画面が
形成されただけであった。
本発明によれば、パルス幅のマージンを拡大でき、情報
信号のパルス列の最大パルス幅△Ｔを６０μｓｅｃ以下
にすることによって、高コントラスト画像が高フレーム
周波数で形成することができる。
信号のパルス列の最大パルス幅△Ｔを６０μｓｅｃ以下
にすることによって、高コントラスト画像が高フレーム
周波数で形成することができる。
又、本発明の好ましい具体例では、前述の極小値τｍｉ
ｎを生じる電界強度Ｅｌ（液晶Ａの場合では、約２０ボ
ルト）とすると、情報信号パルス列の最大パルス幅△Ｔ
を極小値τ山辺下に設定した時、書込みライン上の半選
択点には電界強度Ｅ１以上の電圧を印加することによっ
て、クロストーク発生を防止することができる。その理
由は、半選択点では高周波の交流が印加されて、誘電率
異方性△ε結合を生じており、電界強度Ｅ１以上の電圧
が印加されることによりて、液晶の分子配向状態に反転
ないしは分子のゆらぎが生じなくなることに基づくもの
と推察される。従って、本発明の好ましい具体例では半
選択点に電界強度Ｅ１は、式（３）に基づいて設定する
ことができる。
ｎを生じる電界強度Ｅｌ（液晶Ａの場合では、約２０ボ
ルト）とすると、情報信号パルス列の最大パルス幅△Ｔ
を極小値τ山辺下に設定した時、書込みライン上の半選
択点には電界強度Ｅ１以上の電圧を印加することによっ
て、クロストーク発生を防止することができる。その理
由は、半選択点では高周波の交流が印加されて、誘電率
異方性△ε結合を生じており、電界強度Ｅ１以上の電圧
が印加されることによりて、液晶の分子配向状態に反転
ないしは分子のゆらぎが生じなくなることに基づくもの
と推察される。従って、本発明の好ましい具体例では半
選択点に電界強度Ｅ１は、式（３）に基づいて設定する
ことができる。
Ｅｏ／ｄ ＞ Ｅ、 ・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・ （３）式中、Ｅｌは極小
値τ而。に対応した電界強度（Ｖ／ｍ）、Ｅｏは半選択
点に印加される電界強度（Ｖ／ｍ）、ｄは一対の電極間
の間隔（ｍ）を表わしている。
・・・・・・・・・・・・・ （３）式中、Ｅｌは極小
値τ而。に対応した電界強度（Ｖ／ｍ）、Ｅｏは半選択
点に印加される電界強度（Ｖ／ｍ）、ｄは一対の電極間
の間隔（ｍ）を表わしている。
又、本発明では、前述した走査選択信号と情報パルス列
を用いたマルチプレクシング駆動の他に、共通信号と情
報信号パルス列を用いたスタティック駆動にも適用する
ことができる。
を用いたマルチプレクシング駆動の他に、共通信号と情
報信号パルス列を用いたスタティック駆動にも適用する
ことができる。
本発明で用いる強誘電性液晶としては、誘電率異方性△
εが負のカイラルスメクチック液晶を用いるのが好まし
い。例えば、チッソ社製のｒｃｓｌｏｌｌＪ（商品名）
などが知られている。又、この強誘電性液晶の膜厚は、
無電界時に（バルク状態で）カイラルスメクチック相の
ラセン分子配列構造の形成を抑制するのに十分に薄く設
定されているのがよい（例えば０．５μｍｘｌｏμｍ１
好ましくは１．（１μｍ〜５μｍ）。この強誘電性液晶
はラビング処理されたポリイミド膜、ポリアミド膜、ポ
リアミドイミド膜、ポリエステルイミド膜又はポリビニ
ルアルコール膜、あるいは斜方蒸着処理したＳｉＯ膜又
はＳｉＯ□膜の界面で接しているのがよ（、これによっ
てモノドメインを形成することができる。
εが負のカイラルスメクチック液晶を用いるのが好まし
い。例えば、チッソ社製のｒｃｓｌｏｌｌＪ（商品名）
などが知られている。又、この強誘電性液晶の膜厚は、
無電界時に（バルク状態で）カイラルスメクチック相の
ラセン分子配列構造の形成を抑制するのに十分に薄く設
定されているのがよい（例えば０．５μｍｘｌｏμｍ１
好ましくは１．（１μｍ〜５μｍ）。この強誘電性液晶
はラビング処理されたポリイミド膜、ポリアミド膜、ポ
リアミドイミド膜、ポリエステルイミド膜又はポリビニ
ルアルコール膜、あるいは斜方蒸着処理したＳｉＯ膜又
はＳｉＯ□膜の界面で接しているのがよ（、これによっ
てモノドメインを形成することができる。
又、本発明で用いた強誘電性液晶は、第７図に示す様に
印加パルスによって分極反転電流を発生する。印加パル
スの立上り時からこの分極反転電流のピークＰを生じる
までの時間を電流応答時間τ。とすると、この電流応答
時間τ。は、印加電圧（パルス波高値）に依存する。第
８図は上述の液晶Ａ及びＢの電流応答時間τ。に対する
印加電圧依存性を明らかにしている。第８図によれば、
液晶Ａは印加パルスが２０Ｖ付近の時に、電流応答時間
τ。の極小値τｍｉｎ吋１１Ｑμｓｅｃが現われている
が、液晶Ｂについては極小値τｍＪｎを生じていない。
印加パルスによって分極反転電流を発生する。印加パル
スの立上り時からこの分極反転電流のピークＰを生じる
までの時間を電流応答時間τ。とすると、この電流応答
時間τ。は、印加電圧（パルス波高値）に依存する。第
８図は上述の液晶Ａ及びＢの電流応答時間τ。に対する
印加電圧依存性を明らかにしている。第８図によれば、
液晶Ａは印加パルスが２０Ｖ付近の時に、電流応答時間
τ。の極小値τｍｉｎ吋１１Ｑμｓｅｃが現われている
が、液晶Ｂについては極小値τｍＪｎを生じていない。
上述の電流応答時間τ。は、第９図に示す電流応答時間
測定器によって測定することができる。図中９１は５Ｈ
ｚのパルス発生器、９２は１にΩの抵抗、９３は強誘電
性液晶セルを表している。
測定器によって測定することができる。図中９１は５Ｈ
ｚのパルス発生器、９２は１にΩの抵抗、９３は強誘電
性液晶セルを表している。
ｃｈｌは第７図に示すオシログラフｃｈｉに相当し、ｃ
ｈ２は第７図に示すオシログラフｃｈ２に相当している
。
ｈ２は第７図に示すオシログラフｃｈ２に相当している
。
第１４図は、本発明で用いたマトリクス電極を配置した
強誘電性液晶パネル１４１の駆動装置を表している。第
１４図のパネル１４１には、走査線１４２とデータ線１
４３とが互いに交差して配線され、その交差部の走査線
１４２とデータ線１４３との間には強誘電性液晶が配置
されている。又、第１４図中、１４４は走査回路、１４
５は走査側駆動回路、１４６は信号側駆動電圧発生回路
、１４７はラインメモリー、１４８はスフトレジスタ、
１４９は走査側駆動電圧発生電源、１４０はマイクロ・
プロセッサー・ユニット（ＭＰＶ）を表わしている。
強誘電性液晶パネル１４１の駆動装置を表している。第
１４図のパネル１４１には、走査線１４２とデータ線１
４３とが互いに交差して配線され、その交差部の走査線
１４２とデータ線１４３との間には強誘電性液晶が配置
されている。又、第１４図中、１４４は走査回路、１４
５は走査側駆動回路、１４６は信号側駆動電圧発生回路
、１４７はラインメモリー、１４８はスフトレジスタ、
１４９は走査側駆動電圧発生電源、１４０はマイクロ・
プロセッサー・ユニット（ＭＰＶ）を表わしている。
走査側駆動電圧発生電源１４９には、電圧ｖ１゜ｖ２と
Ｖｃが用意され、例えば電圧Ｖ、とｖ２を前述した走査
選択信号の電源とし、電圧Ｖｃを走査非選択信号の電源
とすることができる。
Ｖｃが用意され、例えば電圧Ｖ、とｖ２を前述した走査
選択信号の電源とし、電圧Ｖｃを走査非選択信号の電源
とすることができる。
次に、本発明を実施例に従って説明する。
透明電極となるＩＴＯ（インジウム−ティン−オキサイ
ド）膜をストライブ形状にパターニングしたガラス基板
の上に、１０００人厚のＳｉ０２膜をスパッタリング法
によって形成し、その上に５００人厚０ポリイミド膜を
形成した（ポリイミド膜の形成には、ポリアミック酸溶
液である東し社製の５Ｐ−７１０（商品名）を使用した
）。次に、このポリイミド膜にアセテート植毛布でラビ
ング処理した。
ド）膜をストライブ形状にパターニングしたガラス基板
の上に、１０００人厚のＳｉ０２膜をスパッタリング法
によって形成し、その上に５００人厚０ポリイミド膜を
形成した（ポリイミド膜の形成には、ポリアミック酸溶
液である東し社製の５Ｐ−７１０（商品名）を使用した
）。次に、このポリイミド膜にアセテート植毛布でラビ
ング処理した。
上述のラビング処理したガラス基板をそれぞれ２枚用意
し、互いにストライブ電極が交差し、ラビング処理軸が
平行となる様に、２枚のガラス基板を貼り合わせた。こ
の際、一方のガラス基板には、貼り合わせ時に２枚のガ
ラス基板の間隔が約１．５μｍとなる様に、平均粒子サ
イズ１．５μｍのシリカビーズを散布した。
し、互いにストライブ電極が交差し、ラビング処理軸が
平行となる様に、２枚のガラス基板を貼り合わせた。こ
の際、一方のガラス基板には、貼り合わせ時に２枚のガ
ラス基板の間隔が約１．５μｍとなる様に、平均粒子サ
イズ１．５μｍのシリカビーズを散布した。
この様にして作成したセル内に、カイラルスメクチック
液晶（液晶Ａ）を注入した。この液晶Ａの特性は、下記
のとおりであった。
液晶（液晶Ａ）を注入した。この液晶Ａの特性は、下記
のとおりであった。
ＬＩＬＡ（測定温度；２５°Ｃ）
自発分極Ｐｓ ； １２．９ｎｃ
／ｃ ｒｒ？ｒ ｍｉｎ
； １１０ μｓｅｃ （２ＯＶ時）△ε
； −５，８ らせん配列構造における頂角■ ；２３゜１８Ｖ矩形波
での閾値 ；１２０μｓｅｃ相系列
； Ｉｓｏ −ｂ ｃｈ −＋ Ｓｍ
Ａ →ＳｍＣ＊（表中、 ｌ５ｏ−等方相、ｃｈ−コレ
ステリック相、ＳｍＡ−スメクチックＡ相、ＳｍＣ＊−
カイラルスメクチックＣ相）尚、液晶Ｂの特性は下記の
とおりであった。
／ｃ ｒｒ？ｒ ｍｉｎ
； １１０ μｓｅｃ （２ＯＶ時）△ε
； −５，８ らせん配列構造における頂角■ ；２３゜１８Ｖ矩形波
での閾値 ；１２０μｓｅｃ相系列
； Ｉｓｏ −ｂ ｃｈ −＋ Ｓｍ
Ａ →ＳｍＣ＊（表中、 ｌ５ｏ−等方相、ｃｈ−コレ
ステリック相、ＳｍＡ−スメクチックＡ相、ＳｍＣ＊−
カイラルスメクチックＣ相）尚、液晶Ｂの特性は下記の
とおりであった。
Ｌ益」（測定温度；２５°Ｃ）
自発分極Ｐ ｓ ； ６．６ｎｃ／ｃ ｒｒ
？τｍｉｎ ；なし △ε ； −０，１ 頂角■ ；２３゜ １８Ｖ矩形波での閾値 ；５０μｓｅｃ相系列
； Ｉｓｏ ＋ｃｈ →ＳｍＡ ４ ＳｍＣ
零第１３図に液晶Ａ及びＢの閾値特性を示す。
？τｍｉｎ ；なし △ε ； −０，１ 頂角■ ；２３゜ １８Ｖ矩形波での閾値 ；５０μｓｅｃ相系列
； Ｉｓｏ ＋ｃｈ →ＳｍＡ ４ ＳｍＣ
零第１３図に液晶Ａ及びＢの閾値特性を示す。
次に、第２図（比較例）及び第３図に示す駆動波形を用
いて下記の条件で表示駆動を行った。この。
いて下記の条件で表示駆動を行った。この。
時のコントラストを測定した。
波形 ； 矩形波電圧Ｖ。（２
Ｖｏ） ； ９ボルト （１８ボルト
）２Ｔ２＝２△Ｔ、＝Ｔ０＝ΔＴ； ２０μｓｅｃ
（例１）４０μｓｅｃ （例２） ６０ μｓｅｃ （例３） ８０ μｓｅｃ （例４） １００ ｐ ｓｅｃ （例５） １２０ μｓｅｃ （例６） 前パルスＰＴｏの波高値 ；１４ボルトパルス幅
；ｌ／２Ｔ。
Ｖｏ） ； ９ボルト （１８ボルト
）２Ｔ２＝２△Ｔ、＝Ｔ０＝ΔＴ； ２０μｓｅｃ
（例１）４０μｓｅｃ （例２） ６０ μｓｅｃ （例３） ８０ μｓｅｃ （例４） １００ ｐ ｓｅｃ （例５） １２０ μｓｅｃ （例６） 前パルスＰＴｏの波高値 ；１４ボルトパルス幅
；ｌ／２Ｔ。
波形 ； 矩形波この時のコン
トラスト測定は、倍率１００倍の偏光顕微鏡（商品名；
ＢＨ−２；オリンパス光学工業社製）にＳｍＣ木状態下
０セルをセットし、セル内の一方のストライブ電極に走
査信号を印加し、他方のストライブ電極に情報信号を印
加し、駆動時の明状態と暗状態との透過光量をフォトマ
ルチプレター（浜松ホトニクス社製のフォトマル・チュ
ーブＲ７６１）によって測定し、暗状態に対する明状態
の透過光量の比（コントラスト）を求めた。この結果を
表１に示す。
トラスト測定は、倍率１００倍の偏光顕微鏡（商品名；
ＢＨ−２；オリンパス光学工業社製）にＳｍＣ木状態下
０セルをセットし、セル内の一方のストライブ電極に走
査信号を印加し、他方のストライブ電極に情報信号を印
加し、駆動時の明状態と暗状態との透過光量をフォトマ
ルチプレター（浜松ホトニクス社製のフォトマル・チュ
ーブＲ７６１）によって測定し、暗状態に対する明状態
の透過光量の比（コントラスト）を求めた。この結果を
表１に示す。
この際、偏光顕微鏡のクロスニフルの一方の偏光軸を期
間Ｔ。で最暗状態となる様に配置した。
間Ｔ。で最暗状態となる様に配置した。
表 １
Ｔ コン −ス
第２図の駆動 第３図の駆動
一豆Ｕ互り一 −（支）Ｘ朋Ｄ
Ｉ ２０ μｓｅｃ スイッチング不能
２２．５２ ４０μｓｅｃ スイッチング
不能 ２０．０３ ６０ μｓｅｃ
スイッチング不能 １７．５４ ８０ ｐ
ｓｅｃ １５．０ 全面黒画
面５ １００ μｓｅｃ １１．０
全面黒画面６１２０μｓｅｃ 全面黒
画面 全面黒画面表１より判る様に、本発明で
は高フレーム周波数での書込みが不能で、しかも広いパ
ルス幅のマージンで、高コントラストの表示画面を形成
することができた。
２２．５２ ４０μｓｅｃ スイッチング
不能 ２０．０３ ６０ μｓｅｃ
スイッチング不能 １７．５４ ８０ ｐ
ｓｅｃ １５．０ 全面黒画
面５ １００ μｓｅｃ １１．０
全面黒画面６１２０μｓｅｃ 全面黒
画面 全面黒画面表１より判る様に、本発明で
は高フレーム周波数での書込みが不能で、しかも広いパ
ルス幅のマージンで、高コントラストの表示画面を形成
することができた。
本発明によれば、高コントラストの表示画面を高フレー
ム周波数による書込みを実現することができた。
ム周波数による書込みを実現することができた。
第１図はチルト角θａの誘電率異方性△εに対する印加
電圧依存性を示す特性図である。 第２図は従来装置で用いていた駆動の波形図である。 第３図、第４図、第５図及び第６図は本発明装置で用い
た駆動の波形図である。 第７図は印加パルス波形のオシログラフｃｈｌ及、 び
分極反転電流のオシログラフｃｈ２を示す説明図である
。 第８図は印加電圧のパルス立上り時から該パルス印加に
よって生じる分極反転電流のピーク値までの時間を電流
応答時間τ０とした時、可変したパルス波高値に応じた
電流応答時間τ。の極小値τｍｉｎを示す特性図である
。 第９図は分極反転電流測定器の回路図である。 第１Ｏ図、第１１図及び第１２図は本発明装置で用いた
駆動の波形図である。 第１３図は液晶Ａ及びＢの閾値特性図である。 第１４図は本発明装置のブロック図である。 特許出願人 キャノン株式会社 第１図 θ＾ −＠ｈ→− −一一一−１フレーム、期ｇｌｌｌフレー４期間−−−
−Ｙ’ＪＪヒ合一テＱｊｌ ’Ｚ６
電圧依存性を示す特性図である。 第２図は従来装置で用いていた駆動の波形図である。 第３図、第４図、第５図及び第６図は本発明装置で用い
た駆動の波形図である。 第７図は印加パルス波形のオシログラフｃｈｌ及、 び
分極反転電流のオシログラフｃｈ２を示す説明図である
。 第８図は印加電圧のパルス立上り時から該パルス印加に
よって生じる分極反転電流のピーク値までの時間を電流
応答時間τ０とした時、可変したパルス波高値に応じた
電流応答時間τ。の極小値τｍｉｎを示す特性図である
。 第９図は分極反転電流測定器の回路図である。 第１Ｏ図、第１１図及び第１２図は本発明装置で用いた
駆動の波形図である。 第１３図は液晶Ａ及びＢの閾値特性図である。 第１４図は本発明装置のブロック図である。 特許出願人 キャノン株式会社 第１図 θ＾ −＠ｈ→− −一一一−１フレーム、期ｇｌｌｌフレー４期間−−−
−Ｙ’ＪＪヒ合一テＱｊｌ ’Ｚ６
Claims (29)
- （１）走査電極群と信号電極群との交差部で画素を形成
したマトリクス電極及び該走査電極群と信号電極群との
間に配置した強誘電性液晶を有する液晶素子、少なくと
も１つの走査電極に、選択されていない時の走査電極へ
の印加電圧を基準にして、一方極性パルス及び他方極性
パルスを印加し、該一方極性パルス及び他方極性パルス
の前のパルス印加期間内に、他の少なくとも１つの走査
電極にパルス波形、パルス幅及びパルス波高値で定まる
閾値電圧以下の前パルスを印加する手段、並びに前記一
方極性パルス及び他方極性パルスのうち少なくとも一方
のパルスと同期して情報パルスを印加する手段を有する
液晶装置。 - （２）前記情報パルスが選択されていない時の走査電極
への印加電圧を基準にして、互いに逆極性のオン情報パ
ルスとオフ情報パルスを有している特許請求の範囲第（
１）項記載の液晶装置。 - （３）前記前パルスが、選択されていない時の走査電極
への印加電圧を基準にして、一方極性パルス及び他方極
性パルスを有している特許請求の範囲第（１）項記載の
液晶装置。 - （４）前記一方極性パルス及び他方極性パルスのうちの
前のパルスと前記前パルスとに同期させて、信号電極か
ら印加された電圧信号とで合成された電圧の印加によっ
て、前記少なくとも１つの走査電極上の全又は所定数の
画素に閾値電圧以上の電圧を印加する特許請求の範囲第
（１）項記載の液晶装置。 - （５）前記少なくとも１つの走査電極に印加する一方極
性パルス及び他方極性パルスが１垂直走査期間毎に逆位
相の関係を有している特許請求の範囲第（１）項記載の
液晶装置。 - （６）前記少なくとも１つの走査電極に印加する一方極
性パルス及び他方極性パルスが１水平走査期間毎に逆位
相の関係を有している特許請求の範囲第（１）項又は第
（５）項記載の液晶装置。 - （７）前記強誘電性液晶の誘電率異方性（Δε）が負で
ある特許請求の範囲第（１）項記載の液晶装置。 - （８）前記強誘電性液晶の膜厚が無電界時にカイラルス
メクチツク相のらせん配列の形成を抑制するのに十分に
薄く設定されている特許請求の範囲第（１）項記載の液
晶装置。 - （９）相対向する一対の電極、及び一対の電極の間に配
置された強誘電性液晶であって、印加電圧のパルス立上
り時から該パルス印加によって生じる分極反転電流のピ
ーク値までの時間を電流応答時間τ＿０とした時、可変
したパルス波高値に応じて電流応答時間τ＿０の極小値
τ＿ｍ＿ｉ＿ｎを生じる強誘電性液晶を有する液晶素子
、並びに前記一対の電極の一方の電極に前記極小値τ＿
ｍ＿ｉ＿ｎより短いパルス幅を最大パルス幅とした情報
信号を印加する手段を有することを特徴とする液晶装置
。 - （１０）前記一対の電極間に前記極小値τ＿ｍ＿ｉ＿ｎ
より長いパルス幅のオン電圧信号と前記極小値τ＿ｍ＿
ｉ＿ｎより短いパルス幅を最大パルス幅としたオフ電圧
信号との何れか１つを選択する手段を有している特許請
求の範囲第（９）項記載の液晶装置。 - （１１）前記一対の電極の他方の電極に、前記極小値τ
＿ｍ＿ｉ＿ｎより短いパルス幅を最大パルス幅とした共
通信号を印加する手段を有している特許請求の範囲第（
９）項記載の液晶装置。 - （１２）前記一対の電極が一方を走査電極群とし、他方
を信号電極群としたマトリクス電極であって、少なくと
も１つの走査電極に、選択されていない時の走査電極へ
の印加電圧を基準にして、一方極性パルス及び他方極性
パルスを印加し、信号電極に前記一方極性パルス及び他
方極性パルスのうち少なくとも一方のパルスと同期して
、前記極小値τ＿ｍ＿ｉ＿ｎより短いパルス幅を最大パ
ルス幅とした情報信号を印加する手段を有している特許
請求の範囲第（９）項記載の液晶装置。 - （１３）前記情報信号が互いに逆位相のオン情報信号と
オフ情報信号を有している特許請求の範囲第（１２）項
記載の液晶装置。 - （１４）前記一方極性パルス及び他方極性パルスのうち
少なくとも一方のパルスの最大パルス幅が前記極小値τ
＿ｍ＿ｉ＿ｎより短いパルス幅である特許請求の範囲第
（１２）項記載の液晶装置。 - （１５）前記一方極性パルス及び他方極性パルスを１水
平走査期間毎に印加する特許請求の範囲第（１２）項記
載の液晶装置。 - （１６）前記一方極性パルス及び他方極性パルスを１垂
直走査期間毎に交互に印加する特許請求の範囲第（１２
）項記載の液晶装置。 - （１７）前記一方極性パルス及び他方極性パルスの一方
を走査選択信号として印加し、他方の１水平走査に先立
って一斉に印加する特許請求の範囲第（１２）項記載の
液晶装置。 - （１８）前記強誘電性液晶の誘電率異方性（Δε）が負
である特許請求の範囲第（９）項記載の液晶装置。 - （１９）前記強誘電性液晶の膜厚が無電界時にカイラル
スメクチツク相のらせん配列の形成を抑制するのに十分
に薄い間隔に設定されている特許請求の範囲第（１）項
又は第（１６）項記載の液晶装置。 - （２０）相対向する一対の電極、及び該一対の電極の間
に配置された強誘電性液晶であって、印加電圧のパルス
立上り時から該パルス印加によつて生じる分極反転電流
のピーク値までの時間を電流応答時間τ＿０とした時、
可変したパルス波高値に応じて電流応答時間τ＿０の極
小値τ＿ｍ＿ｉ＿ｎを生じる強誘電性液晶を有する液晶
素子、並びに前記一対の電極のうち半選択点の電極間に
、前記極小値τ＿ｍ＿ｉ＿ｎより短いパルス幅で、且つ
下記式を満たす電界強度Ｅ＿０（Ｖ／ｍ）を生じさせる
電圧を印加する手段を有することを特徴とする液晶装置
。 式Ｅ＿０／ｄ＞Ｅ＿１ （式中、Ｅ＿１は前記極小値τ＿ｍ＿ｉ＿ｎに対応した
電圧の電界強度（Ｖ／ｍ）で、ｄは一対の電極間の間隔
（ｍ）である。） - （２１）前記一対の電極の一方が共通電極で、他方が信
号電極であって、該共通電極とセグメント電極に、前記
極小値τ＿ｍ＿ｉ＿ｎより短いパルス幅のパルスを印加
する特許請求の範囲第（２０）項記載の液晶装置。 - （２２）前記一対の電極が一方を走査電極群とし、他方
を信号電極群としたマトリクス電極であって、少なくと
も１つの走査電極に選択されていない時の走査電極への
印加電圧を基準にして、一方極性パルス及び他方極性パ
ルスを印加し、信号電極に前記一方極性パルス及び他方
極性パルスのうち少なくとも一方のパルスと同期して、
前記極小値τ＿ｍ＿ｉ＿ｎより短いパルス幅を最大パル
ス幅とした情報信号を印加する手段を有している特許請
求の範囲第（２０）項記載の液晶装置。 - （２３）前記情報信号が互いに逆位相のオン情報信号と
オフ情報信号を有している特許請求の範囲第（２２）項
記載の液晶装置。 - （２４）前記一方極性パルス及び他方極性パルスのうち
少なくとも一方のパルスの最大パルス幅が前記極小値τ
＿ｍ＿ｉ＿ｎより短いパルス幅である特許請求の範囲第
（２２）項記載の液晶装置。 - （２５）前記一方極性パルス及び他方極性パルスを１水
平走査期間毎に印加する特許請求の範囲第（２２）項記
載の液晶装置。 - （２６）前記一方極性パルス及び他方極性パルスを１垂
直走査期間毎に交互に印加する特許請求の範囲第（２２
）項記載の液晶装置。 - （２７）前記一方極性パルス及び他方極性パルスの一方
を走査選択信号として印加し、他方の１水平走査に先立
って一斉に印加する特許請求の範囲第（２２）項記載の
液晶装置。 - （２８）前記強誘電性液晶の誘電率異方性（△ε）が負
である特許請求の範囲第（２０）項記載の液晶装置。 - （２９）前記強誘電性液晶の膜厚が無電界時にカイラル
スメクチツク相のらせん配列の形成を抑制するのに十分
に薄い間隔に設定されている特許請求の範囲第（１）項
又は第（２７）項記載の液晶装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4159288A JPH0830800B2 (ja) | 1988-02-23 | 1988-02-23 | 液晶装置及びその駆動法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4159288A JPH0830800B2 (ja) | 1988-02-23 | 1988-02-23 | 液晶装置及びその駆動法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01214825A true JPH01214825A (ja) | 1989-08-29 |
| JPH0830800B2 JPH0830800B2 (ja) | 1996-03-27 |
Family
ID=12612685
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4159288A Expired - Fee Related JPH0830800B2 (ja) | 1988-02-23 | 1988-02-23 | 液晶装置及びその駆動法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0830800B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0526094A2 (en) * | 1991-07-24 | 1993-02-03 | Canon Kabushiki Kaisha | Liquid crystal device |
-
1988
- 1988-02-23 JP JP4159288A patent/JPH0830800B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0526094A2 (en) * | 1991-07-24 | 1993-02-03 | Canon Kabushiki Kaisha | Liquid crystal device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0830800B2 (ja) | 1996-03-27 |
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