JPS63178213A - 電気光学装置 - Google Patents
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- JPS63178213A JPS63178213A JP976287A JP976287A JPS63178213A JP S63178213 A JPS63178213 A JP S63178213A JP 976287 A JP976287 A JP 976287A JP 976287 A JP976287 A JP 976287A JP S63178213 A JPS63178213 A JP S63178213A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
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- G02F1/133711—Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers by organic films, e.g. polymeric films
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、強誘電性カイラルスメクチック液晶を用い
た液晶表示装置、オプティカルシャンク−、カメラ用シ
ャッター等、種々の電気光学装置において、その特性を
一石向上させた強誘電性カイラルスメクチック液晶表示
装置を提供することを目的としている。
た液晶表示装置、オプティカルシャンク−、カメラ用シ
ャッター等、種々の電気光学装置において、その特性を
一石向上させた強誘電性カイラルスメクチック液晶表示
装置を提供することを目的としている。
本発明は強誘電性液晶電気光学装置おいて、高分子配向
膜等にラビング処理等の一軸配向処理を施した配向性を
用いた場合、上下の配向膜に、全表面エネルギー(分散
表面エネルギー十極性表面エネルギー)高い配向膜とす
ると、高コントラスト等の優れた表示特性が実現できる
。
膜等にラビング処理等の一軸配向処理を施した配向性を
用いた場合、上下の配向膜に、全表面エネルギー(分散
表面エネルギー十極性表面エネルギー)高い配向膜とす
ると、高コントラスト等の優れた表示特性が実現できる
。
(従来の技術〕
液晶は、表示装置、プリンタ用シャッターアレイ、カメ
ラ用シャッター等、種々の電気光学装置に使われている
。
ラ用シャッター等、種々の電気光学装置に使われている
。
液晶パネルは、小型で薄くさらに消費電力が少ない等の
優れた特性がある。
優れた特性がある。
近年、液晶の中でも高速応答性と記録保持性を持つディ
スプレイ等の電気光学装置としてカイラルスメクチック
C液晶(以下SmC”と呼ぶ)等の強誘電性液晶を使用
した液晶パネルが注目されている。このカイラルスメク
チックC相を持つ液晶として、例えば、p−(+)−n
−デシロキシベジリーデンアミノ)−2−メチルブチル
シナメート(DOBAMBC)が広く知られている。こ
の液晶は、第3図に示したように一定の方位角を持って
層毎辷捩れた螺旋構造を取って配列している。
スプレイ等の電気光学装置としてカイラルスメクチック
C液晶(以下SmC”と呼ぶ)等の強誘電性液晶を使用
した液晶パネルが注目されている。このカイラルスメク
チックC相を持つ液晶として、例えば、p−(+)−n
−デシロキシベジリーデンアミノ)−2−メチルブチル
シナメート(DOBAMBC)が広く知られている。こ
の液晶は、第3図に示したように一定の方位角を持って
層毎辷捩れた螺旋構造を取って配列している。
ところで、このSmC”をその螺旋周期(通常数μm)
よりも小さい2μm程度の間隙を持った2枚の基板1の
間に注入して液晶セルを構成すると(第1図)液晶分子
は、螺旋構造を消失して分子軸を基板に平行にして層の
法線方向から±θだけ傾いた状態で配列する。すなわち
、セルに注入された液晶は、第2図に示したように層の
法線から時計回りに再度θ傾いたドメインと、反時計回
りにθつまり、−θ傾いたドメインが混在した状態で配
列する。
よりも小さい2μm程度の間隙を持った2枚の基板1の
間に注入して液晶セルを構成すると(第1図)液晶分子
は、螺旋構造を消失して分子軸を基板に平行にして層の
法線方向から±θだけ傾いた状態で配列する。すなわち
、セルに注入された液晶は、第2図に示したように層の
法線から時計回りに再度θ傾いたドメインと、反時計回
りにθつまり、−θ傾いたドメインが混在した状態で配
列する。
また、SmC”液晶分子は、分子軸と垂直な方向に電気
双極子を持ち、電界の印加により±θに二つの状態を取
る。液晶分子は、偏光特性を持つため、上述のセルに対
してセルの両面に偏光板を配設すると、液晶分子の配列
方向により光学的明暗状態が生じ、液晶表示パネル、シ
ャッターアレイ等の機能を持たせることができる。さら
に、Sm01液晶等の強誘電性液晶は、μsecオーダ
ーの高速応答、メモリー性、急峻なしきい値特性、高コ
ントラスト等の優れた性質を持つとされていた。
双極子を持ち、電界の印加により±θに二つの状態を取
る。液晶分子は、偏光特性を持つため、上述のセルに対
してセルの両面に偏光板を配設すると、液晶分子の配列
方向により光学的明暗状態が生じ、液晶表示パネル、シ
ャッターアレイ等の機能を持たせることができる。さら
に、Sm01液晶等の強誘電性液晶は、μsecオーダ
ーの高速応答、メモリー性、急峻なしきい値特性、高コ
ントラスト等の優れた性質を持つとされていた。
しかし、この優れた性質は、液晶分子の配向状態によっ
て大きく左右される。配向状態は、配向法によってほぼ
決定されると考えてよい。従来、SmA相、又はSmC
”相において微小な流動を起されて配向させる“She
aring法”やポリエチレンテレフタレート等の高分
子フィルムをパネルのスペーサーとして、そのスペーサ
ーの側面に平行に分子が配列する特性を利用したスペー
サー配向法等の配向法が提案されてきた。しかし、これ
らの方法は、工業的に、適していないと考えられており
、TN液晶で用いられている高分子薄膜等をラビング処
理した配向膜による配向法を中心に検討されていた。こ
の配向法には、両基板上の配向膜をともにラビング処理
する等の一軸処理する両側−粕処理法と片側のみ一軸処
理し、他方には一軸処理を施さない片側−粕処理法(例
えば特開昭6l−20930)が知られていた。
て大きく左右される。配向状態は、配向法によってほぼ
決定されると考えてよい。従来、SmA相、又はSmC
”相において微小な流動を起されて配向させる“She
aring法”やポリエチレンテレフタレート等の高分
子フィルムをパネルのスペーサーとして、そのスペーサ
ーの側面に平行に分子が配列する特性を利用したスペー
サー配向法等の配向法が提案されてきた。しかし、これ
らの方法は、工業的に、適していないと考えられており
、TN液晶で用いられている高分子薄膜等をラビング処
理した配向膜による配向法を中心に検討されていた。こ
の配向法には、両基板上の配向膜をともにラビング処理
する等の一軸処理する両側−粕処理法と片側のみ一軸処
理し、他方には一軸処理を施さない片側−粕処理法(例
えば特開昭6l−20930)が知られていた。
しかしながら、前記配向法において強誘電性液晶が有す
る優れた性質を十分発揮できる配向状態が実現されなか
った。特に、高コントラストは理論的に理想状態で表示
が行なわれるとしたとき、はぼTNのスタティック駆動
と同等のコントラストが得られると言われてきた。事実
、スタティックに正負の直流電界を印加しON・OFF
させるとTHのスタティック並のコントラストが得られ
る。しかるに、ダイナミック駆動の場合は、直流電界に
より誘起された配向状態と異なった配向状態で0N−O
FFが行なわれており、従って2〜5程度の低コントラ
ストしか実現できないという問題点があった。
る優れた性質を十分発揮できる配向状態が実現されなか
った。特に、高コントラストは理論的に理想状態で表示
が行なわれるとしたとき、はぼTNのスタティック駆動
と同等のコントラストが得られると言われてきた。事実
、スタティックに正負の直流電界を印加しON・OFF
させるとTHのスタティック並のコントラストが得られ
る。しかるに、ダイナミック駆動の場合は、直流電界に
より誘起された配向状態と異なった配向状態で0N−O
FFが行なわれており、従って2〜5程度の低コントラ
ストしか実現できないという問題点があった。
本発明は従来の技術の問題点を解決することを目的とし
、高分子等の一軸配向処理を施した配向法を用いるとき
、高分子等の配向膜に高エネルギー表面の配向膜を用い
る事により高コントラストを実現しようとするものであ
る。高エネルギー表面とは、全表面エネルギーが、40
dyn/cm、前後の表面を意味する。また、上下配向
膜をともに一軸配向処理した系でも、一方のみ一軸配向
処理を施した系においても前記高エネルギー表面による
同一効果が得られる。
、高分子等の一軸配向処理を施した配向法を用いるとき
、高分子等の配向膜に高エネルギー表面の配向膜を用い
る事により高コントラストを実現しようとするものであ
る。高エネルギー表面とは、全表面エネルギーが、40
dyn/cm、前後の表面を意味する。また、上下配向
膜をともに一軸配向処理した系でも、一方のみ一軸配向
処理を施した系においても前記高エネルギー表面による
同一効果が得られる。
固体表面自由エネルギーT、は、水及びエチレングリコ
ールの接触角を測定する事から求めた。
ールの接触角を測定する事から求めた。
固体の表面自由エネルギーは、Londonの分散力成
分子?と他の極性相互作用、水素結合等の成分の大うた
T?の二つの大別される。γ、1′を極性表面エネルギ
ー成分子、′を分散表面エネルギー成分という。
分子?と他の極性相互作用、水素結合等の成分の大うた
T?の二つの大別される。γ、1′を極性表面エネルギ
ー成分子、′を分散表面エネルギー成分という。
γ鵞m 7 g’ + r $’
また、液体との接触角θとの間には、次の関係が成りた
っている。
っている。
2 rtマ
γL’+rL’はそれぞれ液体の分散成分と極性成分。
上記二つの液体の接触角を測定して、T、−1γLpを
求め、その和から固体の表面自由エネルギーを算出した
。
求め、その和から固体の表面自由エネルギーを算出した
。
強誘電性カイラルスメクチック液晶は、ネマチック液晶
と比較するとより強く界面と相互作用する。その主な相
互作用は、液晶分子の長軸方向に垂直に分極する双極子
が揃って生じる、自発分極P、と配向膜表面の極性基と
の相互゛作用である。
と比較するとより強く界面と相互作用する。その主な相
互作用は、液晶分子の長軸方向に垂直に分極する双極子
が揃って生じる、自発分極P、と配向膜表面の極性基と
の相互゛作用である。
この相互作用による液晶パネル内のフリーエネルギーの
寄与をFoとすると、これは以下のように示される。
寄与をFoとすると、これは以下のように示される。
FP!”−γ、 (P、 ・ $) +11
$は、界面の法線方向のベクトルである。また、ネマチ
ック液晶と同様に強誘電性液晶は分散力による相互作用
も存在する。F□と同様、これをF4とすると、以下の
ように書ける。
$は、界面の法線方向のベクトルである。また、ネマチ
ック液晶と同様に強誘電性液晶は分散力による相互作用
も存在する。F□と同様、これをF4とすると、以下の
ように書ける。
Fax”−71(I’s ・3) ” T21と
ころで、液晶パネルの系全体のフリーエネルギーは、上
記FPSr F4%に弾性エネルギーによるフリーエネ
ルギーとの和で表わされる。すなわち、Fc −F*L
as+Frs+F1= (31Ftは、系の全フ
リーエネルギーであり、初期配向状態は、F、が0にな
るように決定される。最近の実験結果によると、初期配
向状態は、二つの安定な配向状態があり、この二状態で
ON・OFFしている事がわかっている。また、その配
向状態は層の折れ曲がりで特徴づけられるとされている
。
ころで、液晶パネルの系全体のフリーエネルギーは、上
記FPSr F4%に弾性エネルギーによるフリーエネ
ルギーとの和で表わされる。すなわち、Fc −F*L
as+Frs+F1= (31Ftは、系の全フ
リーエネルギーであり、初期配向状態は、F、が0にな
るように決定される。最近の実験結果によると、初期配
向状態は、二つの安定な配向状態があり、この二状態で
ON・OFFしている事がわかっている。また、その配
向状態は層の折れ曲がりで特徴づけられるとされている
。
第3図は、この配向状態の模式図を表わしている0層の
折れ曲がりは、配向膜の表面近傍の液晶が、プレティル
トしている事と関連している事が指摘されている。この
仮説に基づいて推論すると、基板に分子が平行に配向し
、強誘電性液晶によって実現される最高のコントラスト
が得られるホモジニアス配向は、界面近傍において液晶
分子がブー。
折れ曲がりは、配向膜の表面近傍の液晶が、プレティル
トしている事と関連している事が指摘されている。この
仮説に基づいて推論すると、基板に分子が平行に配向し
、強誘電性液晶によって実現される最高のコントラスト
が得られるホモジニアス配向は、界面近傍において液晶
分子がブー。
レティルトを持たないようにせしめる事であると結論づ
けられる0本発明による、高エネルギー表面を形成する
配向膜は、ぬれ性の良さから液晶分子を界面に寝かしせ
しめる効果があると考えられる。
けられる0本発明による、高エネルギー表面を形成する
配向膜は、ぬれ性の良さから液晶分子を界面に寝かしせ
しめる効果があると考えられる。
〔実施例1〕
ナイロン6・6とナイロン12と共重合体を配向膜とし
て用いた。商品名は、日本リルクル製M−995である
。このポリアミドポリマーをキシレノールを溶媒とし、
約4+1tχ溶解せしめ、その後スピンナーコート法に
より、 3000rpm+ −30secの塗布条件で
ITO付きガラスに塗布した。その後、140℃で2h
r硬化を行った。この配向膜の表面エネルギーを、接触
角法により測定した所、以下のような値を得た。
て用いた。商品名は、日本リルクル製M−995である
。このポリアミドポリマーをキシレノールを溶媒とし、
約4+1tχ溶解せしめ、その後スピンナーコート法に
より、 3000rpm+ −30secの塗布条件で
ITO付きガラスに塗布した。その後、140℃で2h
r硬化を行った。この配向膜の表面エネルギーを、接触
角法により測定した所、以下のような値を得た。
r* ’ =18 (dyn/cm)7m ’
−24(dyn/cm) 1m = 42 (dyn/cm)高エネルギー
表面を形成している事がわかる。
−24(dyn/cm) 1m = 42 (dyn/cm)高エネルギー
表面を形成している事がわかる。
この配向膜を用い、片側−軸配向処理を施した2μmの
セルギャップを有するパネルに、次のような液晶組成の
ピリミジン系液晶を注入せしめた。
セルギャップを有するパネルに、次のような液晶組成の
ピリミジン系液晶を注入せしめた。
このとき、第4図に示したパルスにより0N−OFFさ
せた所、第5図のようなON状態での分光透過率を示し
ている。比較のために同一液晶をポリイミド(日立化成
ポリイミド、 LX−1400)配向膜の片側−軸配
向処理したパネルのでON状態の分光透過率を第6回に
示した。
せた所、第5図のようなON状態での分光透過率を示し
ている。比較のために同一液晶をポリイミド(日立化成
ポリイミド、 LX−1400)配向膜の片側−軸配
向処理したパネルのでON状態の分光透過率を第6回に
示した。
組成率
明らかに、ポリイミドは青いON状態であるが、ポリア
ミドM−995は、黒に近い分光透過率である。
ミドM−995は、黒に近い分光透過率である。
このときのコントラスト比は、
C−R電8〜10
であった。
〔実施例2〕
ポリイミドポリマーでも、アミン、酸の種類により種々
の表面エネルギーを有する。ポリイミドの中で、高エネ
ルギー表面を形成する、日東電工!!X−412を用い
ると、高コントラストが実現できる。 X−412の4
1χ溶液を、スピンコード法により、3000rpn、
30secの塗布条件でITO付ガラスに塗布し、20
0℃+1hr硬化後、片側−軸配向処理した2μmパネ
ルを作製した。このパネルに前記ピリミジン系液晶を注
入し、分光透過率、コントラストを求めた。第7図に分
光透過率を示した。また、X−412の表面エネルギー
とコントラストは、以下の通りである。
の表面エネルギーを有する。ポリイミドの中で、高エネ
ルギー表面を形成する、日東電工!!X−412を用い
ると、高コントラストが実現できる。 X−412の4
1χ溶液を、スピンコード法により、3000rpn、
30secの塗布条件でITO付ガラスに塗布し、20
0℃+1hr硬化後、片側−軸配向処理した2μmパネ
ルを作製した。このパネルに前記ピリミジン系液晶を注
入し、分光透過率、コントラストを求めた。第7図に分
光透過率を示した。また、X−412の表面エネルギー
とコントラストは、以下の通りである。
X −412L X −1400
γm ’ 〜10 (dyn/cm)
12rt ’ −35(dyn
/am) 23T m −45(dy
n/am) 35C−R−6〜8
C−R−2〜5明らかに高コントラストが実現
している事がわかる。
12rt ’ −35(dyn
/am) 23T m −45(dy
n/am) 35C−R−6〜8
C−R−2〜5明らかに高コントラストが実現
している事がわかる。
次に、各種表面エネルギーを示す配向膜とON状態での
色アイを比較する0表1にその結果を示した。
色アイを比較する0表1にその結果を示した。
35〜42dyn/cmに、BIueisHblack
−=B1ack ヘの変化があると考えられる。高エ
ネルギー表面とは、40dyn/am前後の表面エネル
ギーを言い、この表面エネルギーを有する配向膜により
、黒レベルが得られる。すなわち、高コントラストが得
られる。
−=B1ack ヘの変化があると考えられる。高エ
ネルギー表面とは、40dyn/am前後の表面エネル
ギーを言い、この表面エネルギーを有する配向膜により
、黒レベルが得られる。すなわち、高コントラストが得
られる。
高エネルギー表面を形成する配向剤は、強誘電性液晶だ
けでなく、ネマチック液晶の配向にも適しており、強誘
電性液晶においてもΔeの正・負の如何にかかわらず良
好なコントラストが得られた。
けでなく、ネマチック液晶の配向にも適しており、強誘
電性液晶においてもΔeの正・負の如何にかかわらず良
好なコントラストが得られた。
以上の実施例のように、特に強誘電性液晶に対して、配
向膜が高エネルギー表面を形成する配向膜において、高
コントラストが得られ、従来の低コントラストという問
題点を解決する事が可能となった。
向膜が高エネルギー表面を形成する配向膜において、高
コントラストが得られ、従来の低コントラストという問
題点を解決する事が可能となった。
第1図は、電気光学装置の一実施例の模式図を示してい
る0図中液晶分子は強誘電性液晶の実施例としホモジニ
アス配向をした場合の状態をとっている。第2図は、強
誘電性液晶がホモジニアス配向をとる液晶分子の層との
位置関係を表わした模式図である。第3図は、強誘電性
液晶の実際の配向状態と考えられているモデル図である
。第4図は、この配向した液晶を実験的に0N−OFF
させる駆動波形を示している。第5図、第6図。 第7図は、強誘電性回路を挟持した場合それぞれ配向層
にポリアミド配向剤M−995.ポリイミド配向剤L
X−1400,ポリイミド配向剤X−412を用いたと
きの、分光透過率を示している。 1・・・基板 2・・・透明導電膜 3・・・配向層 4・・・液晶分子 5・・・C−ディレクタ 6・・・n−ディレクタ 7・・・偏光板 8・・・液晶層 9・・・ドメインウオール 10・・・層の法線方向 以上 出願人 セイコー電子工業株式会社 第 T 図 島 2 図
る0図中液晶分子は強誘電性液晶の実施例としホモジニ
アス配向をした場合の状態をとっている。第2図は、強
誘電性液晶がホモジニアス配向をとる液晶分子の層との
位置関係を表わした模式図である。第3図は、強誘電性
液晶の実際の配向状態と考えられているモデル図である
。第4図は、この配向した液晶を実験的に0N−OFF
させる駆動波形を示している。第5図、第6図。 第7図は、強誘電性回路を挟持した場合それぞれ配向層
にポリアミド配向剤M−995.ポリイミド配向剤L
X−1400,ポリイミド配向剤X−412を用いたと
きの、分光透過率を示している。 1・・・基板 2・・・透明導電膜 3・・・配向層 4・・・液晶分子 5・・・C−ディレクタ 6・・・n−ディレクタ 7・・・偏光板 8・・・液晶層 9・・・ドメインウオール 10・・・層の法線方向 以上 出願人 セイコー電子工業株式会社 第 T 図 島 2 図
Claims (4)
- (1)液晶層とこの液晶層を挟持するように配置された
基板と、前記液晶層への電圧印加手段と、前記基板上に
液晶層を配向制御する配向層と、少なくとも一つの偏光
板からなる電気光学装置において、配向制御する配向層
の表面自由エネルギーが35dyn/cmを越えること
を特徴とする電気光学装置。 - (2)液晶層が強誘電性液晶であることを特徴とする特
許請求の範囲第1項記載の電気光学装置。 - (3)配向制御する配向層が、ポリアミド系ポリマーで
あることを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の電気
光学装置。 - (4)配向制御する配向層が、ポリイミド系ポリマーで
あることを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の電気
光学装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62009762A JP2609856B2 (ja) | 1987-01-19 | 1987-01-19 | 電気光学装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62009762A JP2609856B2 (ja) | 1987-01-19 | 1987-01-19 | 電気光学装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63178213A true JPS63178213A (ja) | 1988-07-22 |
JP2609856B2 JP2609856B2 (ja) | 1997-05-14 |
Family
ID=11729286
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62009762A Expired - Fee Related JP2609856B2 (ja) | 1987-01-19 | 1987-01-19 | 電気光学装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2609856B2 (ja) |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6172221A (ja) * | 1984-09-17 | 1986-04-14 | Fujitsu Ltd | 液晶表示素子 |
JPS61198130A (ja) * | 1985-02-27 | 1986-09-02 | Chisso Corp | 液晶パネル |
JPS6373223A (ja) * | 1986-09-17 | 1988-04-02 | Mitsubishi Electric Corp | 液晶表示素子 |
JPS63158526A (ja) * | 1986-12-23 | 1988-07-01 | Asahi Glass Co Ltd | 液晶表示素子 |
-
1987
- 1987-01-19 JP JP62009762A patent/JP2609856B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6172221A (ja) * | 1984-09-17 | 1986-04-14 | Fujitsu Ltd | 液晶表示素子 |
JPS61198130A (ja) * | 1985-02-27 | 1986-09-02 | Chisso Corp | 液晶パネル |
JPS6373223A (ja) * | 1986-09-17 | 1988-04-02 | Mitsubishi Electric Corp | 液晶表示素子 |
JPS63158526A (ja) * | 1986-12-23 | 1988-07-01 | Asahi Glass Co Ltd | 液晶表示素子 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2609856B2 (ja) | 1997-05-14 |
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Legal Events
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