JPH0720468A - 液晶表示装置 - Google Patents
液晶表示装置Info
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- JPH0720468A JPH0720468A JP16116593A JP16116593A JPH0720468A JP H0720468 A JPH0720468 A JP H0720468A JP 16116593 A JP16116593 A JP 16116593A JP 16116593 A JP16116593 A JP 16116593A JP H0720468 A JPH0720468 A JP H0720468A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 階調可能で高速動作であり、かつ視覚特性の
良い液晶表示素子の作成。 【構成】 ネマチック液晶を用いた双安定表示素子にお
いて、上下基板の膜厚や蒸着角を非対称にすることによ
り、片安定状態の表示パネルを作成するとともに、片安
定状態を利用して、電圧及び印加パルス幅を制御する。
良い液晶表示素子の作成。 【構成】 ネマチック液晶を用いた双安定表示素子にお
いて、上下基板の膜厚や蒸着角を非対称にすることによ
り、片安定状態の表示パネルを作成するとともに、片安
定状態を利用して、電圧及び印加パルス幅を制御する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、液晶表示素子や液晶空
間変調素子として使われる液晶電気光学素子に関するも
ので、ネマチック液晶を片安定スイッチングさせ得る液
晶表示素子を提供し、更にスイッチング素子を用いた駆
動方式により階調表示を行う装置に関するものである。
間変調素子として使われる液晶電気光学素子に関するも
ので、ネマチック液晶を片安定スイッチングさせ得る液
晶表示素子を提供し、更にスイッチング素子を用いた駆
動方式により階調表示を行う装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】これまでに、液晶を用いた表示方式に
は、液晶に対して印加された電気信号を光情報に変換す
る方式によりＤＳ（dynamic scattering）方式、ＴＮ
（twistednematic）方式、ＥＣＢ（electrically contr
olled birefringence）方式、ＰＣ（phase change）方
式、記憶形方式、ＧＨ（guest-host）方式、ＳＳＦ（su
rface stabirized felo-electric）方式等が考えられて
いる。
は、液晶に対して印加された電気信号を光情報に変換す
る方式によりＤＳ（dynamic scattering）方式、ＴＮ
（twistednematic）方式、ＥＣＢ（electrically contr
olled birefringence）方式、ＰＣ（phase change）方
式、記憶形方式、ＧＨ（guest-host）方式、ＳＳＦ（su
rface stabirized felo-electric）方式等が考えられて
いる。
【０００３】その中で現在、時計、電卓、ワープロ、パ
ソコン、テレビ等の商品において表示素子として用いら
れている方式は、主にネマチック液晶を用いたＴＮ方式
とその改良型のＳＴＮ方式である。
ソコン、テレビ等の商品において表示素子として用いら
れている方式は、主にネマチック液晶を用いたＴＮ方式
とその改良型のＳＴＮ方式である。
【０００４】しかし、ＴＮ方式やＳＴＮ方式は、その動
作原理が、液晶分子の誘電異方性を利用する電界効果型
であるため、応答速度がmsecのオーダでしかなく、より
高速な応答速度の求められるＣＡＤ端末等の用途には、
現状のネマチック液晶との組み合わせでは応答速度が不
十分である。また、その電気光学効果が液晶分子のねじ
れのあるホモジニアスな配向状態と、液晶分子の基板面
に対して起きあがった状態との２つの状態間のスイッチ
ングに起因するために、液晶分子のねじれの方向に対す
る視角依存性が原理上回避できない。
作原理が、液晶分子の誘電異方性を利用する電界効果型
であるため、応答速度がmsecのオーダでしかなく、より
高速な応答速度の求められるＣＡＤ端末等の用途には、
現状のネマチック液晶との組み合わせでは応答速度が不
十分である。また、その電気光学効果が液晶分子のねじ
れのあるホモジニアスな配向状態と、液晶分子の基板面
に対して起きあがった状態との２つの状態間のスイッチ
ングに起因するために、液晶分子のねじれの方向に対す
る視角依存性が原理上回避できない。
【０００５】これらに対して、高速な応答速度を有する
液晶素子として、クラーク（N.A.Clark）とラガバル（L
agerwall）によって提唱されている表面安定化強誘電性
液晶素子（Surface Stabilized Felo-electric Liquid
Clystal Display，ＳＳＦＬＣＤ）（Appl.Phy.Lett.,3
6,899（1980）；特開昭56-107216号公報；米国特許第43
66924号）がある。
液晶素子として、クラーク（N.A.Clark）とラガバル（L
agerwall）によって提唱されている表面安定化強誘電性
液晶素子（Surface Stabilized Felo-electric Liquid
Clystal Display，ＳＳＦＬＣＤ）（Appl.Phy.Lett.,3
6,899（1980）；特開昭56-107216号公報；米国特許第43
66924号）がある。
【０００６】ＳＳＦＬＣＤは、スメクチック液晶の持つ
自発分極の極性と電界の極性の電気的な相互作用を利用
し、液晶分子の運動し得るコーン上でスイッチングを行
う素子である為に、ネマチック液晶に比べ極めて高速な
スイッチングが可能であり、かつ視角依存がないという
利点を有している。
自発分極の極性と電界の極性の電気的な相互作用を利用
し、液晶分子の運動し得るコーン上でスイッチングを行
う素子である為に、ネマチック液晶に比べ極めて高速な
スイッチングが可能であり、かつ視角依存がないという
利点を有している。
【０００７】しかしながらその反面、スメクチック液晶
が層構造をとるため配向制御が難しく、また衝撃等によ
って一度壊れた配向は回復しにくい等の問題点が残され
ている。
が層構造をとるため配向制御が難しく、また衝撃等によ
って一度壊れた配向は回復しにくい等の問題点が残され
ている。
【０００８】また、以上の方法に対してジョルジュ．デ
ュランによって、ネマチック液晶を用いた双安定液晶表
示素子が２種類提唱されている。
ュランによって、ネマチック液晶を用いた双安定液晶表
示素子が２種類提唱されている。
【０００９】１つは、カイラルイオンを駆動トルクに用
いるものであり（国際公開番号WO 91/11747号）、右巻
き及び左巻き両方のカイラルイオンを液晶に混合し、電
圧によってイオン分布に片寄りをつくりだし、これを駆
動トルクとするものである。この方式はＳＳＦＬＣＤと
同様にパルス電界の印加によって、基板面に平行に液晶
分子をスイッチングさせることが可能となる。
いるものであり（国際公開番号WO 91/11747号）、右巻
き及び左巻き両方のカイラルイオンを液晶に混合し、電
圧によってイオン分布に片寄りをつくりだし、これを駆
動トルクとするものである。この方式はＳＳＦＬＣＤと
同様にパルス電界の印加によって、基板面に平行に液晶
分子をスイッチングさせることが可能となる。
【００１０】しかしながら、この方式は不純物であるイ
オンを駆動に用いるため、信頼性の面で本質的に大きな
問題が残る。
オンを駆動に用いるため、信頼性の面で本質的に大きな
問題が残る。
【００１１】いま１つは、フレクソ分極を駆動トルクに
用いるもので、これは、配向膜としてＳｉＯ斜め蒸着膜
を用い、最適な膜条件を選択することによって、ネマチ
ック液晶が２つの方向に安定配向を示すことを利用する
ものである。この方式は、配向歪によるフレクソ分極を
駆動トルクとするため、不純物等の問題も生じず、高い
信頼性が見込まれている。また、この方式もＳＳＦＬＣ
Ｄと同様にパルス電界の印加によって、基板面に平行に
液晶分子をスイッチングさせることが可能となり、その
応答速度は100μsec程度で、液晶分子が基板面に平行に
スイッチングするために視角依存性もない。さらに、ネ
マチック液晶を用いるためＳＳＦＬＣＤの様に配向制御
の問題もなく、動作温度範囲も十分広くとることができ
る。
用いるもので、これは、配向膜としてＳｉＯ斜め蒸着膜
を用い、最適な膜条件を選択することによって、ネマチ
ック液晶が２つの方向に安定配向を示すことを利用する
ものである。この方式は、配向歪によるフレクソ分極を
駆動トルクとするため、不純物等の問題も生じず、高い
信頼性が見込まれている。また、この方式もＳＳＦＬＣ
Ｄと同様にパルス電界の印加によって、基板面に平行に
液晶分子をスイッチングさせることが可能となり、その
応答速度は100μsec程度で、液晶分子が基板面に平行に
スイッチングするために視角依存性もない。さらに、ネ
マチック液晶を用いるためＳＳＦＬＣＤの様に配向制御
の問題もなく、動作温度範囲も十分広くとることができ
る。
【００１２】ネマチック双安定表示素子の詳細は、ジョ
ルジュ．デュランによって報告されており（９１年ＳＩ
Ｄ予稿集 PP606〜607，Appl.Phys.Lett.60(9),2 March
1992 pp1085〜1086）その構成は図５に示されるような
ものである。
ルジュ．デュランによって報告されており（９１年ＳＩ
Ｄ予稿集 PP606〜607，Appl.Phys.Lett.60(9),2 March
1992 pp1085〜1086）その構成は図５に示されるような
ものである。
【００１３】図５中の１、２はガラス基板、３は液晶
層、４は透明電極、５はＳｉＯ配向膜、６はスペーサで
ある。ＳｉＯ配向膜の条件は、蒸着角が基板放線より７
４°で膜厚は３０オングストロームとし、スペーサの直
径は１〜３μｍ程度とする。
層、４は透明電極、５はＳｉＯ配向膜、６はスペーサで
ある。ＳｉＯ配向膜の条件は、蒸着角が基板放線より７
４°で膜厚は３０オングストロームとし、スペーサの直
径は１〜３μｍ程度とする。
【００１４】このような条件で液晶分子の配向方向は図
６に示すようになり、ＳｉＯ蒸着方向と垂直かつ基板面
に平行な方向Ｃの配向が安定となる。しかし界面のアン
カリングエネルギーが弱いため、カイラル材の添加によ
ってツイストパワーを加えると基板面からθ゜ティルト
して、またその基板面に投影した方向が、ＳｉＯ蒸着方
向からα゜及び−α゜傾いた方向Ａ及びＢの配向が発現
する。
６に示すようになり、ＳｉＯ蒸着方向と垂直かつ基板面
に平行な方向Ｃの配向が安定となる。しかし界面のアン
カリングエネルギーが弱いため、カイラル材の添加によ
ってツイストパワーを加えると基板面からθ゜ティルト
して、またその基板面に投影した方向が、ＳｉＯ蒸着方
向からα゜及び−α゜傾いた方向Ａ及びＢの配向が発現
する。
【００１５】図７はＳｉＯ蒸着方向と液晶分子配向の安
定し得る方向を示している。上下基板の配向処理方向は
上下基板のＳｉＯ蒸着方向が反平行（アンチパラレル）
から４５゜ねじって構成されている。液晶材料は液晶単
体で上下基板間で２２．５゜ねじれるべくカイラル材を
添加したものを用いる。なお、ねじれ方向は図７に示す
上下基板間のＳｉＯ蒸着方向のねじれと反対方向とす
る。
定し得る方向を示している。上下基板の配向処理方向は
上下基板のＳｉＯ蒸着方向が反平行（アンチパラレル）
から４５゜ねじって構成されている。液晶材料は液晶単
体で上下基板間で２２．５゜ねじれるべくカイラル材を
添加したものを用いる。なお、ねじれ方向は図７に示す
上下基板間のＳｉＯ蒸着方向のねじれと反対方向とす
る。
【００１６】このような条件の下で液晶材料を注入する
と、カイラル材の効果で安定に存在できる配向が制限さ
れ、液晶分子は−’，−’の２つの組み合わせ
が安定となる。
と、カイラル材の効果で安定に存在できる配向が制限さ
れ、液晶分子は−’，−’の２つの組み合わせ
が安定となる。
【００１７】図８は、液晶セルの断面図を示しておりａ
は図７における−’，ｂは−’の配向に対応し
ている。ここで、Δε＞０でかつ、分子形状が楔型の液
晶材料を使用すると、スプレイの配向歪によってフレク
ソ分極が生じる。図中の矢印のはフレクソ分極の向きを
示していおり、ａとｂではフレクソ分極の垂直成分が反
対方向を向いている。したがってパルス電界を印加して
フレクソ分極の垂直成分を反転させることによってａ，
ｂ２つの状態を双安定スイッチングすることが可能とな
る。
は図７における−’，ｂは−’の配向に対応し
ている。ここで、Δε＞０でかつ、分子形状が楔型の液
晶材料を使用すると、スプレイの配向歪によってフレク
ソ分極が生じる。図中の矢印のはフレクソ分極の向きを
示していおり、ａとｂではフレクソ分極の垂直成分が反
対方向を向いている。したがってパルス電界を印加して
フレクソ分極の垂直成分を反転させることによってａ，
ｂ２つの状態を双安定スイッチングすることが可能とな
る。
【００１８】
【発明が解決しようとする課題】上記のように双安定性
ネマチック液晶を使った素子は、高速な応答速度を有し
視角依存がなく、配向制御が比較的容易であり耐ショッ
ク性に優れている等、従来のＴＮ方式、ＦＬＣ方式によ
る液晶表示素子に比べ優れた面を有するが、その一方で
いくつかの解決しなければならない問題がある。
ネマチック液晶を使った素子は、高速な応答速度を有し
視角依存がなく、配向制御が比較的容易であり耐ショッ
ク性に優れている等、従来のＴＮ方式、ＦＬＣ方式によ
る液晶表示素子に比べ優れた面を有するが、その一方で
いくつかの解決しなければならない問題がある。
【００１９】その中で最も重要な問題が双安定素子であ
るため白黒表示しかできず、階調表示ができないという
問題と、非選択時に印加される閾値を越えたバイアス電
界の影響により理想的なスイッチング挙動が妨害される
という問題である。 さらにもう１つは、無機配向膜ＳｉＯの斜方蒸着法を用
いているため、製造工程が複雑で蒸着過程において真空
状態にするため、製造時間がかかるという問題である。 本発明は上記双安定性ネマチック表示素子に様々な改良
を加え、片安定性の配向を実現し、更にスイッチング素
子を組み合わせた駆動方法により、階調表示可能な高速
で高コントラスト広視野角特性を持ち、かつ高解像度も
しくは小電力化が可能な片安定性ネマチック液晶素子を
提供するものである。
るため白黒表示しかできず、階調表示ができないという
問題と、非選択時に印加される閾値を越えたバイアス電
界の影響により理想的なスイッチング挙動が妨害される
という問題である。 さらにもう１つは、無機配向膜ＳｉＯの斜方蒸着法を用
いているため、製造工程が複雑で蒸着過程において真空
状態にするため、製造時間がかかるという問題である。 本発明は上記双安定性ネマチック表示素子に様々な改良
を加え、片安定性の配向を実現し、更にスイッチング素
子を組み合わせた駆動方法により、階調表示可能な高速
で高コントラスト広視野角特性を持ち、かつ高解像度も
しくは小電力化が可能な片安定性ネマチック液晶素子を
提供するものである。
【００２０】
【課題を解決するための手段】本発明の液晶表示装置
は、表面に電極を選択的に形成し、該電極上に配向膜を
形成した後、配向処理が施された平行な一対の基板を、
略平行になるように対向して配置し、該基板間にネマテ
ィック液晶を介在して液晶セルを作成し、前記電極に選
択的に電圧を印加することによって該液晶の光軸を切り
替えるスイッチングの手段を有しているとともに、上方
基板においては、基板断面方向と液晶分子長軸が一定の
チルト角を持ち、下方基板においては、基板断面方向と
液晶分子長軸が平行で、かつ各基板面に投影された上
方、下方の液晶分子長軸が互いにほぼ同一方向となる状
態１と、下方基板においては、基板断面方向と液晶分子
長軸が一定のチルト角を持ち、上方基板においては、基
板断面方向と液晶分子長軸が平行で、かつ各基板面に投
影された上方、下方の液晶分子長軸が互いにほぼ同一方
向となる状態２とが存在し、前述した状態１と状態２を
選択的にスイッチングさせ得る液晶表示素子であって、
前記状態１あるいは状態２のどちらか一方の配向が、他
方の配向より安定であることを特徴し、これにより、上
記目的が達成される。
は、表面に電極を選択的に形成し、該電極上に配向膜を
形成した後、配向処理が施された平行な一対の基板を、
略平行になるように対向して配置し、該基板間にネマテ
ィック液晶を介在して液晶セルを作成し、前記電極に選
択的に電圧を印加することによって該液晶の光軸を切り
替えるスイッチングの手段を有しているとともに、上方
基板においては、基板断面方向と液晶分子長軸が一定の
チルト角を持ち、下方基板においては、基板断面方向と
液晶分子長軸が平行で、かつ各基板面に投影された上
方、下方の液晶分子長軸が互いにほぼ同一方向となる状
態１と、下方基板においては、基板断面方向と液晶分子
長軸が一定のチルト角を持ち、上方基板においては、基
板断面方向と液晶分子長軸が平行で、かつ各基板面に投
影された上方、下方の液晶分子長軸が互いにほぼ同一方
向となる状態２とが存在し、前述した状態１と状態２を
選択的にスイッチングさせ得る液晶表示素子であって、
前記状態１あるいは状態２のどちらか一方の配向が、他
方の配向より安定であることを特徴し、これにより、上
記目的が達成される。
【００２１】前記配向膜は、無機材料の斜方蒸着膜を用
い、上下基板における膜厚及び蒸着角をそれぞれ変化さ
せることを特徴としている。
い、上下基板における膜厚及び蒸着角をそれぞれ変化さ
せることを特徴としている。
【００２２】前記無機材料は、ＳｉＯ，ＭｇＯ，ＭｇＦ
2 ，Ａｕ，ＳｉＯ2 ，ＣｅＯ2 ，ＣｅＦ3 ，Ａｌ2 Ｏ3
の中の少なくとも１つであることを特徴としている。
2 ，Ａｕ，ＳｉＯ2 ，ＣｅＯ2 ，ＣｅＦ3 ，Ａｌ2 Ｏ3
の中の少なくとも１つであることを特徴としている。
【００２３】前記配向膜は、２軸配向性有機高分子材料
を用い、上下基板におけるそれぞれのラビング強度を変
化させることを特徴としている。
を用い、上下基板におけるそれぞれのラビング強度を変
化させることを特徴としている。
【００２４】前記２軸配向性有機高分子材料の材質は、
ポリスチレン系、ポリニトロスチレン系、ポリプロモス
チレン系、ポリクロロスチレン系、ポリビニルピリジン
系の中の少なくとも１つであることを特徴としている。
ポリスチレン系、ポリニトロスチレン系、ポリプロモス
チレン系、ポリクロロスチレン系、ポリビニルピリジン
系の中の少なくとも１つであることを特徴としている。
【００２５】前記基板の少なくとも一方上には、スイッ
チング素子を有することを特徴としている。
チング素子を有することを特徴としている。
【００２６】本発明の液晶表示装置の駆動方式は、画素
書き換えパルス印加時以外の時間においては、該基板間
の液晶にかかる電圧が、該液晶の誘電率異方性に基づく
フレデリックス転移の効果に関する閾値以下であること
を特徴とし、これにより、上記目的が達成される。
書き換えパルス印加時以外の時間においては、該基板間
の液晶にかかる電圧が、該液晶の誘電率異方性に基づく
フレデリックス転移の効果に関する閾値以下であること
を特徴とし、これにより、上記目的が達成される。
【００２７】前記駆動方式は、ソース電極が、ゲート電
極より信号を送ってスイッチング素子をＯＮ状態にする
のと同期させて、ＯＮ状態の間にまず液晶にかかる電圧
がゼロになるような信号、次に表示に対応する信号と逆
極性の信号、最後に表示に対応する信号の３値信号を送
るように構成したことを特徴としている。
極より信号を送ってスイッチング素子をＯＮ状態にする
のと同期させて、ＯＮ状態の間にまず液晶にかかる電圧
がゼロになるような信号、次に表示に対応する信号と逆
極性の信号、最後に表示に対応する信号の３値信号を送
るように構成したことを特徴としている。
【００２８】さらに、前記駆動方式は、表示に対応する
信号の電圧及び印加パルス幅を制御して、安定配向方向
から準安定配向方向への平均分子スイッチング角、又は
ドメイン発生量を制御することにより、階調表示させる
ことを特徴としている。
信号の電圧及び印加パルス幅を制御して、安定配向方向
から準安定配向方向への平均分子スイッチング角、又は
ドメイン発生量を制御することにより、階調表示させる
ことを特徴としている。
【００２９】本発明の液晶表示装置の表示方式は、上記
液晶表示装置に反射板又は光拡散板を設けることによ
り、該液晶表示装置を反射型液晶表示装置として用いる
ことを特徴とし、これにより、上記目的が達成される。
液晶表示装置に反射板又は光拡散板を設けることによ
り、該液晶表示装置を反射型液晶表示装置として用いる
ことを特徴とし、これにより、上記目的が達成される。
【００３０】前記表示方式は、液晶表示装置に注入する
液晶に、色素を混入することを特徴としている。
液晶に、色素を混入することを特徴としている。
【００３１】
【作用】上記課題解決手段における液晶表示装置は、上
方基板において基板断面方向と液晶分子長軸が一定のチ
ルト角を持ち、下方基板において基板断面方向と液晶分
子長軸が平行でかつ各基板面に投影された液晶分子の各
分子長軸が互いに平行である状態１と、下方基板におい
て基板と液晶分子長軸が一定のチルト角を持ち、上方基
板においては基板と液晶分子長軸が平行でかつ各基板面
に投影された液晶分子の各分子長軸が互いに平行である
状態２が存在し、該状態１と状態２を選択的にスイッチ
ングさせ得る構成となっており、また、配向膜が無機材
料の場合は、ＳｉＯ，ＭｇＯ，ＭｇＦ2 ，Ａｕ，ＳｉＯ
2 ，ＣｅＯ2 ，ＣｅＦ3 ，Ａｌ2 Ｏ3 の中の少なくとも
１種の斜方蒸着膜で形成され、該上下基板における膜厚
及び蒸着角をそれぞれ変えることにより状態１あるいは
状態２のどちらか一方の配向が、他方の配向より安定で
ある素子を作っている。
方基板において基板断面方向と液晶分子長軸が一定のチ
ルト角を持ち、下方基板において基板断面方向と液晶分
子長軸が平行でかつ各基板面に投影された液晶分子の各
分子長軸が互いに平行である状態１と、下方基板におい
て基板と液晶分子長軸が一定のチルト角を持ち、上方基
板においては基板と液晶分子長軸が平行でかつ各基板面
に投影された液晶分子の各分子長軸が互いに平行である
状態２が存在し、該状態１と状態２を選択的にスイッチ
ングさせ得る構成となっており、また、配向膜が無機材
料の場合は、ＳｉＯ，ＭｇＯ，ＭｇＦ2 ，Ａｕ，ＳｉＯ
2 ，ＣｅＯ2 ，ＣｅＦ3 ，Ａｌ2 Ｏ3 の中の少なくとも
１種の斜方蒸着膜で形成され、該上下基板における膜厚
及び蒸着角をそれぞれ変えることにより状態１あるいは
状態２のどちらか一方の配向が、他方の配向より安定で
ある素子を作っている。
【００３２】また、該配向膜が２軸配向性有機高分子材
料の場合は、ポリ（ｐ−ニトロスチレン）、ポリ（２−
プロモスチレン）、ポリ（３−プロモスチレン）、ポリ
（４−プロモスチレン）、ポリ（２−クロロスチレ
ン）、ポリ（３−クロロスチレン）、ポリ（４−クロロ
スチレン）、ポリクロロスチレン、ポリ（２−ビニルピ
リジン）、ポリ（４−ビニルピリジン）、ポリビニルカ
ルバゾールの中の少なくとも１種を用い、該上下基板に
おけるそれぞれのラビング強度を変えることにより状態
１あるいは状態２のどちらか一方の配向が他方の配向よ
り安定である素子を作っている。
料の場合は、ポリ（ｐ−ニトロスチレン）、ポリ（２−
プロモスチレン）、ポリ（３−プロモスチレン）、ポリ
（４−プロモスチレン）、ポリ（２−クロロスチレ
ン）、ポリ（３−クロロスチレン）、ポリ（４−クロロ
スチレン）、ポリクロロスチレン、ポリ（２−ビニルピ
リジン）、ポリ（４−ビニルピリジン）、ポリビニルカ
ルバゾールの中の少なくとも１種を用い、該上下基板に
おけるそれぞれのラビング強度を変えることにより状態
１あるいは状態２のどちらか一方の配向が他方の配向よ
り安定である素子を作っている。
【００３３】さらに、少なくとも一方の基板の絵素上に
は、薄膜トランジスタなどのスイッチング素子をマトリ
ックス状に形成し、該素子を経て液晶に電界が印加でき
るように構成しており、電圧及びパルス幅を制御して安
定配向方向から準安定配向方向への分子スイッチング角
を制御することにより、階調表示ができるようにしてい
るとともに、該液晶表示装置構成に、光反射板又は光拡
散板を設けることにより、光反射型液晶表示装置として
用いることも可能としている。上記片安定性ネマチック
液晶表示装置は、選択絵素上下電極間に、液晶が安定配
向方向から準安定配向方向へスイッチングするのに十分
な長さのパルスが印加され、その後、次の書き換えパル
スが来るまでは、上下基板間の液晶にかかる電圧は、液
晶の誘電率異方性に基づくフレデリックス転移の効果に
関する閾値以下と成っており、また、ソース電極が、ゲ
ート電極より信号を送ってスイッチング素子をＯＮ状態
にするのと同期させて、ＯＮ状態の間にまず液晶にかか
る電圧がゼロになるような信号、次に表示に対応する信
号と逆極性の信号、最後に表示に対応する信号の３値信
号を送っている。さらに、上記の表示に対応する信号の
電圧及び印加パルス幅を制御して安定配向方向から準安
定配向方向への平均分子スイッチング角またはドメイン
発生量を制御することにより、階調表示させており、以
上に示したような特徴を有する駆動方式により、液晶セ
ルを駆動している。
は、薄膜トランジスタなどのスイッチング素子をマトリ
ックス状に形成し、該素子を経て液晶に電界が印加でき
るように構成しており、電圧及びパルス幅を制御して安
定配向方向から準安定配向方向への分子スイッチング角
を制御することにより、階調表示ができるようにしてい
るとともに、該液晶表示装置構成に、光反射板又は光拡
散板を設けることにより、光反射型液晶表示装置として
用いることも可能としている。上記片安定性ネマチック
液晶表示装置は、選択絵素上下電極間に、液晶が安定配
向方向から準安定配向方向へスイッチングするのに十分
な長さのパルスが印加され、その後、次の書き換えパル
スが来るまでは、上下基板間の液晶にかかる電圧は、液
晶の誘電率異方性に基づくフレデリックス転移の効果に
関する閾値以下と成っており、また、ソース電極が、ゲ
ート電極より信号を送ってスイッチング素子をＯＮ状態
にするのと同期させて、ＯＮ状態の間にまず液晶にかか
る電圧がゼロになるような信号、次に表示に対応する信
号と逆極性の信号、最後に表示に対応する信号の３値信
号を送っている。さらに、上記の表示に対応する信号の
電圧及び印加パルス幅を制御して安定配向方向から準安
定配向方向への平均分子スイッチング角またはドメイン
発生量を制御することにより、階調表示させており、以
上に示したような特徴を有する駆動方式により、液晶セ
ルを駆動している。
【００３４】
【実施例】図１は、本発明の液晶表示装置部の断面を示
したものである。
したものである。
【００３５】（実施例１）配向膜が無機材料の場合のス
イッチング素子を持たない片安定性ネマチック液晶セル
部分は、以下の様な手順で作成した。
イッチング素子を持たない片安定性ネマチック液晶セル
部分は、以下の様な手順で作成した。
【００３６】まず、ガラス基板２１ａ，２１ｂのそれぞ
れの上に１０００オングストロームの厚さの複数本の透
明電極２２ａ、２２ｂが互いに平行になるようストライ
プ状に電極のパターンを配列して形成する。該透明電極
の厚さは３００〜５０００オングストローム、好ましく
は１０００〜３０００オングストロームの範囲に設定す
ることができる。
れの上に１０００オングストロームの厚さの複数本の透
明電極２２ａ、２２ｂが互いに平行になるようストライ
プ状に電極のパターンを配列して形成する。該透明電極
の厚さは３００〜５０００オングストローム、好ましく
は１０００〜３０００オングストロームの範囲に設定す
ることができる。
【００３７】そして、該基板上に電極保護膜２３ａ，２
３ｂを１０００オングストロームの膜厚で形成する。
３ｂを１０００オングストロームの膜厚で形成する。
【００３８】該電極保護膜の厚さは３００〜５０００オ
ングストローム、好ましくは５００〜２０００オングス
トロームの範囲に設定することができる。
ングストローム、好ましくは５００〜２０００オングス
トロームの範囲に設定することができる。
【００３９】また、該電極保護膜には、ＳｉＯ2 もしく
は、東京応化製のＯＣＤ（OCD P-59310）を使用した。
該電極保護膜は、ＳｉＯ2 の場合、スパッタにより形成
し、ＯＣＤの場合は、スピナーにより基板に塗布後、焼
成する事により形成した。
は、東京応化製のＯＣＤ（OCD P-59310）を使用した。
該電極保護膜は、ＳｉＯ2 の場合、スパッタにより形成
し、ＯＣＤの場合は、スピナーにより基板に塗布後、焼
成する事により形成した。
【００４０】該基板上の配向膜としてＳｉＯを用いる場
合、ＳｉＯ２４ａ，２４ｂを斜方蒸着するのに、蒸着角
度は基板放線から７０゜〜８２゜、好ましくは７３゜〜
７５゜の範囲に設定する（本実施例では７４°）。
合、ＳｉＯ２４ａ，２４ｂを斜方蒸着するのに、蒸着角
度は基板放線から７０゜〜８２゜、好ましくは７３゜〜
７５゜の範囲に設定する（本実施例では７４°）。
【００４１】また、上方基板の膜厚は５０〜２００オン
グストローム好ましくは５０〜１００オングストローム
の範囲に設定し（本実施例では７０オングストロー
ム）、下方基板の膜厚は１００〜３００オングストロー
ム好ましくは１００〜２００オングストロームの範囲に
設定する（本実施例では１５０オングストローム）。
グストローム好ましくは５０〜１００オングストローム
の範囲に設定し（本実施例では７０オングストロー
ム）、下方基板の膜厚は１００〜３００オングストロー
ム好ましくは１００〜２００オングストロームの範囲に
設定する（本実施例では１５０オングストローム）。
【００４２】該上下基板のＳｉＯの蒸着方向は、該基板
に投影した方向が、平行から４５°ずらして設定した。
に投影した方向が、平行から４５°ずらして設定した。
【００４３】上述したような工程を経た上下基板の間
に、直径１．５μｍのシリカビーズを分散させ、エポキ
シ樹脂製のシール部材で貼り合わせる。シリカビーズの
直径は１〜３μｍ、好ましくは、１．２〜１．８μｍの
範囲に設定する。
に、直径１．５μｍのシリカビーズを分散させ、エポキ
シ樹脂製のシール部材で貼り合わせる。シリカビーズの
直径は１〜３μｍ、好ましくは、１．２〜１．８μｍの
範囲に設定する。
【００４４】以上のような工程を経て作成したパネル
に、ネマチック液晶を真空注入法により注入し、注入後
はアクリル系ＵＶ硬化型の樹脂により注入口を封止し
た。
に、ネマチック液晶を真空注入法により注入し、注入後
はアクリル系ＵＶ硬化型の樹脂により注入口を封止し
た。
【００４５】この様にして作成したパネルの投影ベクト
ルの角度は１３５°であった。
ルの角度は１３５°であった。
【００４６】（実施例２）配向膜が２軸配向性有機高分
子材料の場合の片安定性ネマチック液晶セル部分は、以
下の様な手順で作成した。
子材料の場合の片安定性ネマチック液晶セル部分は、以
下の様な手順で作成した。
【００４７】まず、基板上に、配向膜としてポリビニル
カルバゾールを用いる場合、ポリ（ｐ−ニトロスチレ
ン）２４ａ，２４ｂをスピナーにより基板に塗布後、焼
成することにより形成した。
カルバゾールを用いる場合、ポリ（ｐ−ニトロスチレ
ン）２４ａ，２４ｂをスピナーにより基板に塗布後、焼
成することにより形成した。
【００４８】本実施例では上記配向膜をラビングするの
に、ナイロン布（毛足１．７ｍｍ）を用いた。上方基板
のラビング条件は《ローラー回転：１５０（rpm／mi
n），ローラーの基板上方からの高さ：１．５ｍｍ，基
板の送り速度：１０００（cm／min）》に設定し、下方
基板のラビング条件は《ローラー回転：３００（rpm／m
in），ローラーの基板上方からの高さ：１．５ｍｍ，基
板の送り速度：１０００（cm／min）》に設定した。
に、ナイロン布（毛足１．７ｍｍ）を用いた。上方基板
のラビング条件は《ローラー回転：１５０（rpm／mi
n），ローラーの基板上方からの高さ：１．５ｍｍ，基
板の送り速度：１０００（cm／min）》に設定し、下方
基板のラビング条件は《ローラー回転：３００（rpm／m
in），ローラーの基板上方からの高さ：１．５ｍｍ，基
板の送り速度：１０００（cm／min）》に設定した。
【００４９】上述した上下基板のラビング方向は、図７
の−’方向のように、基板に投影した方向が、平行
から４５°ずれるようにラビング処理し、以下は、前記
実施例１と同様の手順で作成した。 （実施例３）実施例１で作成した液晶セルを、クロスニ
コルにある偏光板の間に、パルスを印加した場合の透過
光強度が最小となるように置き、透過光強度の変化をフ
ォトトランジスタにより測定した。
の−’方向のように、基板に投影した方向が、平行
から４５°ずれるようにラビング処理し、以下は、前記
実施例１と同様の手順で作成した。 （実施例３）実施例１で作成した液晶セルを、クロスニ
コルにある偏光板の間に、パルスを印加した場合の透過
光強度が最小となるように置き、透過光強度の変化をフ
ォトトランジスタにより測定した。
【００５０】液晶材料としては、５ＣＢ（メルク社製）
を用い、また、図２は液晶セルに印加される電圧と透過
光強度をプロットしたものである。（本実施例では５０
μsecのパルスをかけた。） ただし、縦軸は、液晶セルをクロスニコル偏光板間で回
転させたときの最大の透過光強度を１、上記偏光板間で
液晶セルに矩形波（±５Ｖ １ＫＨｚ）を印加したとき
の透過光強度を０として、正規化している。
を用い、また、図２は液晶セルに印加される電圧と透過
光強度をプロットしたものである。（本実施例では５０
μsecのパルスをかけた。） ただし、縦軸は、液晶セルをクロスニコル偏光板間で回
転させたときの最大の透過光強度を１、上記偏光板間で
液晶セルに矩形波（±５Ｖ １ＫＨｚ）を印加したとき
の透過光強度を０として、正規化している。
【００５１】図２より、５０μsecでの誘電率異方性の
効果による閾値は１Ｖで、１Ｖ〜７Ｖの間で電圧値を制
御することにより、階調をとることが可能であった。
効果による閾値は１Ｖで、１Ｖ〜７Ｖの間で電圧値を制
御することにより、階調をとることが可能であった。
【００５２】また、実施例２で作成した液晶セルについ
ても同様の実験を行った結果、ほぼ図２と同じ値を得
た。
ても同様の実験を行った結果、ほぼ図２と同じ値を得
た。
【００５３】（実施例４）上記実験で、光源にバックラ
イトを使用して、透過光強度１と０のコントラスト比を
測定したところ、４０対１であり、また、反射板を使用
した場合のコントラスト比は、５対１であった。
イトを使用して、透過光強度１と０のコントラスト比を
測定したところ、４０対１であり、また、反射板を使用
した場合のコントラスト比は、５対１であった。
【００５４】このように、上記液晶セルを反射型液晶表
示装置として用いても十分使用可能であることは明らか
であり、また、実施例２で作成した液晶セルについても
同様の実験を行った結果、ほぼ同じ値を得た。
示装置として用いても十分使用可能であることは明らか
であり、また、実施例２で作成した液晶セルについても
同様の実験を行った結果、ほぼ同じ値を得た。
【００５５】（実施例５）階調表示実験をするため、実
施例３の片安定性ネマチック液晶セルを用いて、図３の
ようなアクティブマトリックス型表示パネルを作成し、
図４に示す駆動波形（ｔ0＝ｔ1＝ｔ2＝５０μsec，Ｖ1
＝３（Ｖ），Ｖ2＝５（Ｖ），Ｖ3＝７（Ｖ））を印加し
たところ、図３における画素（Ｐ１〜Ｐ９）のような表
示パターンが得られた。
施例３の片安定性ネマチック液晶セルを用いて、図３の
ようなアクティブマトリックス型表示パネルを作成し、
図４に示す駆動波形（ｔ0＝ｔ1＝ｔ2＝５０μsec，Ｖ1
＝３（Ｖ），Ｖ2＝５（Ｖ），Ｖ3＝７（Ｖ））を印加し
たところ、図３における画素（Ｐ１〜Ｐ９）のような表
示パターンが得られた。
【００５６】このように、ほぼ印加電圧（Ｖ1，Ｖ2，Ｖ
3）に対する表示パターンと図２の透過光強度の関係
が、ほぼ一致しているため印加電圧を細かく制御すれば
連続階調とらせることも可能である。
3）に対する表示パターンと図２の透過光強度の関係
が、ほぼ一致しているため印加電圧を細かく制御すれば
連続階調とらせることも可能である。
【００５７】（実施例６）実施例１、２の液晶セルにお
いて、ネマチック液晶５ＣＢの中にアゾ系黒色色素（三
菱化成製MLC-041）を２ｗ％混入した後、注入した。該
液晶セルを使用して、基板下方に偏光板を置いて、実施
例３、４と同様の実験を行った。
いて、ネマチック液晶５ＣＢの中にアゾ系黒色色素（三
菱化成製MLC-041）を２ｗ％混入した後、注入した。該
液晶セルを使用して、基板下方に偏光板を置いて、実施
例３、４と同様の実験を行った。
【００５８】その結果、５０μsecで印加される電圧
と、透過光強度の特性に変化はなかったが、光源にバッ
クライトを使用して透過光強度１と０のコントラスト比
を測定したところ２０対１になり、反射板を使用した場
合のコントラスト比は、３対１になった。
と、透過光強度の特性に変化はなかったが、光源にバッ
クライトを使用して透過光強度１と０のコントラスト比
を測定したところ２０対１になり、反射板を使用した場
合のコントラスト比は、３対１になった。
【００５９】このように、上記液晶セルを透過型液晶表
示装置または反射型液晶表示装置として用いても十分使
用が可能である。
示装置または反射型液晶表示装置として用いても十分使
用が可能である。
【００６０】また、該偏光板を図７に示す基板の下に、
吸光軸が’と平行になるように配置した時、液晶分子
が−’の方向の場合、最も明視野となり、−’
の方向の場合は、最も暗視野となる。この場合、偏光板
の必要枚数が１枚となり、コストダウンや製造工程の簡
略化も可能となる。
吸光軸が’と平行になるように配置した時、液晶分子
が−’の方向の場合、最も明視野となり、−’
の方向の場合は、最も暗視野となる。この場合、偏光板
の必要枚数が１枚となり、コストダウンや製造工程の簡
略化も可能となる。
【００６１】
【発明の効果】以上のように、本発明によれば高速動作
で階調可能であり、かつ視角特性の良い液晶表示素子を
作成することができる。これは従来の双安定性ネマチッ
ク液晶装置の配向膜特性に改良を加え片安定性スイッチ
ングを利用し、駆動電圧及び印加パルス幅によって透過
光量を制御できるようにしたためである。また、配向膜
に２軸配向性有機高分子材料を用いることによって、製
造工程が簡略化され、製造時間が短縮さるとともに、色
素を用いることにより、偏光板の数を減らすことがで
き、製造コストを下げることも可能となった。さらに反
射型液晶表示装置として用いることにより、消費電力の
節約も実現することができるようになっている。
で階調可能であり、かつ視角特性の良い液晶表示素子を
作成することができる。これは従来の双安定性ネマチッ
ク液晶装置の配向膜特性に改良を加え片安定性スイッチ
ングを利用し、駆動電圧及び印加パルス幅によって透過
光量を制御できるようにしたためである。また、配向膜
に２軸配向性有機高分子材料を用いることによって、製
造工程が簡略化され、製造時間が短縮さるとともに、色
素を用いることにより、偏光板の数を減らすことがで
き、製造コストを下げることも可能となった。さらに反
射型液晶表示装置として用いることにより、消費電力の
節約も実現することができるようになっている。
【図１】図１は、本発明の液晶表示装置の構成を示す断
面図である。
面図である。
【図２】図２は、５０μsecで印加される電圧と透過光
強度をプロットした図である。
強度をプロットした図である。
【図３】図３は、本実施例で用いたアクティブマトリッ
クス型表示パネルの慨略図である。
クス型表示パネルの慨略図である。
【図４】図４は、本実施例で用いたアクティブマトリッ
クス型駆動における波形図である。
クス型駆動における波形図である。
【図５】図５は、従来の液晶表示装置の構成を示す断面
図である。
図である。
【図６】図６は、液晶分子の安定性を示す概略図であ
る。
る。
【図７】図７は、従来の蒸着方向と液晶分子配向の関係
を示す概略図である。
を示す概略図である。
【図８】図８は、図７における液晶セルの液晶分子配向
を示す断面図である。
を示す断面図である。
１、２、２１ａ、２１ｂ ガラス基板 ４、２２ａ、２２ｂ 透明電極 ３ 液晶層 ２３ａ、２３ｂ 電極保護膜 ５、２４ａ、２４ｂ ＳｉＯ蒸着膜又はポリ(p-ニト
ロスチレン)配向膜 ６ スペーサ Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３ ソ−ス電極 Ｇ１、Ｇ２、Ｇ３ ゲート電極 Ｐ１〜Ｐ９ 画素 １１ スイッチング素子 １２ 絵素電極 １３ 片安定素子 １４ 対向電極基板
ロスチレン)配向膜 ６ スペーサ Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３ ソ−ス電極 Ｇ１、Ｇ２、Ｇ３ ゲート電極 Ｐ１〜Ｐ９ 画素 １１ スイッチング素子 １２ 絵素電極 １３ 片安定素子 １４ 対向電極基板
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成５年７月３０日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１０
【補正方法】変更
【補正内容】
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｇ０２Ｆ 1/133 ５７５ 9226−2Ｋ
Claims (11)
- 【請求項１】 表面に電極を選択的に形成し、該電極上
に配向膜を形成した後、配向処理が施された平行な一対
の基板を、略平行になるように対向して配置し、該基板
間にネマティック液晶を介在して液晶セルを作成し、前
記電極に選択的に電圧を印加することによって該液晶の
光軸を切り替えるスイッチングの手段を有しているとと
もに、 上方基板においては、基板断面方向と液晶分子長軸が一
定のチルト角を持ち、下方基板においては、基板断面方
向と液晶分子長軸が平行で、かつ各基板面に投影された
上方、下方の液晶分子長軸が互いにほぼ同一方向となる
状態１と、 下方基板においては、基板断面方向と液晶分子長軸が一
定のチルト角を持ち、上方基板においては、基板断面方
向と液晶分子長軸が平行で、かつ各基板面に投影された
上方、下方の液晶分子長軸が互いにほぼ同一方向となる
状態２とが存在し、前述した状態１と状態２を選択的に
スイッチングさせ得る液晶表示素子であって、 前記状態１あるいは状態２のどちらか一方の配向が、他
方の配向より安定であることを特徴とする液晶表示装
置。 - 【請求項２】 前記配向膜に無機材料の斜方蒸着膜を用
い、上下基板における膜厚及び蒸着角をそれぞれ変化さ
せることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。 - 【請求項３】 前記無機材料がＳｉＯ，ＭｇＯ，ＭｇＦ
2 ，Ａｕ，ＳｉＯ2，ＣｅＯ2 ，ＣｅＦ3 ，Ａｌ2 Ｏ3
の中の少なくとも１つであることを特徴とする請求項２
に記載の液晶表示装置。 - 【請求項４】 前記配向膜に２軸配向性有機高分子材料
を用い、上下基板におけるそれぞれのラビング強度を変
化させることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装
置。 - 【請求項５】 前記２軸配向性有機高分子材料の材質
が、ポリスチレン系、ポリニトロスチレン系、ポリプロ
モスチレン系、ポリクロロスチレン系、ポリビニルピリ
ジン系の中の少なくとも１つであることを特徴とする請
求項４に記載の液晶表示装置。 - 【請求項６】 前記基板の少なくとも一方上に、スイッ
チング素子を有することを特徴とする請求項１、請求項
２および請求項４に記載の液晶表示装置。 - 【請求項７】 画素書き換えパルス印加時以外の時間に
おいては、該基板間の液晶にかかる電圧が、該液晶の誘
電率異方性に基づくフレデリックス転移の効果に関する
閾値以下であることを特徴とする請求項１に記載の液晶
表示装置の駆動方式。 - 【請求項８】 ソース電極が、ゲート電極より信号を送
ってスイッチング素子をＯＮ状態にするのと同期させ
て、ＯＮ状態の間にまず液晶にかかる電圧がゼロになる
ような信号、次に表示に対応する信号と逆極性の信号、
最後に表示に対応する信号の３値信号を送るように構成
したことを特徴とする請求項７に記載の液晶表示装置の
駆動方式。 - 【請求項９】 表示に対応する信号の電圧及び印加パル
ス幅を制御して、安定配向方向から準安定配向方向への
平均分子スイッチング角、又はドメイン発生量を制御す
ることにより、階調表示させることを特徴とする請求項
７および請求項８に記載の液晶表示装置の駆動方式。 - 【請求項１０】 前記液晶表示装置に反射板又は光拡散
板を設けることにより、該液晶表示装置を反射型液晶表
示装置として用いることを特徴とする請求項１および請
求項７に記載の液晶表示装置の表示方式。 - 【請求項１１】 前記液晶表示装置に注入する液晶に、
色素を混入することを特徴とする請求項１０に記載の液
晶表示方式。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16116593A JP2942442B2 (ja) | 1993-06-30 | 1993-06-30 | 液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16116593A JP2942442B2 (ja) | 1993-06-30 | 1993-06-30 | 液晶表示装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0720468A true JPH0720468A (ja) | 1995-01-24 |
| JP2942442B2 JP2942442B2 (ja) | 1999-08-30 |
Family
ID=15729839
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16116593A Expired - Fee Related JP2942442B2 (ja) | 1993-06-30 | 1993-06-30 | 液晶表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2942442B2 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2278084A (en) * | 1993-05-22 | 1994-11-23 | Dunlop Ltd | Ultra-high performance carbon composites |
| JP2006508393A (ja) * | 2002-11-26 | 2006-03-09 | ネモプティック | 双安定ネマチック液晶ディスプレイ装置およびこのような装置の制御方法 |
| KR100880319B1 (ko) * | 2001-09-28 | 2009-01-28 | 소니 가부시끼 가이샤 | 액정 표시 장치 |
| JP2012500997A (ja) * | 2008-08-22 | 2012-01-12 | アクロン ポリマー システムズ | 延伸ポリマーフィルムを基礎とする光学補償フィルム |
| US9096719B2 (en) | 2007-03-29 | 2015-08-04 | Akron Polymer Systems | Optical compensation films with mesogen groups for liquid crystal display |
| US9785011B2 (en) | 2007-03-29 | 2017-10-10 | Akron Polymer Systems | Liquid crystal display having improved wavelength dispersion characteristics |
-
1993
- 1993-06-30 JP JP16116593A patent/JP2942442B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2278084A (en) * | 1993-05-22 | 1994-11-23 | Dunlop Ltd | Ultra-high performance carbon composites |
| US5503893A (en) * | 1993-05-22 | 1996-04-02 | Dunlop Limited | Ultra-high performance carbon composites |
| GB2278084B (en) * | 1993-05-22 | 1997-04-09 | Dunlop Ltd | Ultra-high performance carbon composites |
| KR100880319B1 (ko) * | 2001-09-28 | 2009-01-28 | 소니 가부시끼 가이샤 | 액정 표시 장치 |
| JP2006508393A (ja) * | 2002-11-26 | 2006-03-09 | ネモプティック | 双安定ネマチック液晶ディスプレイ装置およびこのような装置の制御方法 |
| US9011992B2 (en) | 2007-03-29 | 2015-04-21 | Akron Polymer Systems | Optical compensation films based on stretched polymer films |
| US9096719B2 (en) | 2007-03-29 | 2015-08-04 | Akron Polymer Systems | Optical compensation films with mesogen groups for liquid crystal display |
| US9785011B2 (en) | 2007-03-29 | 2017-10-10 | Akron Polymer Systems | Liquid crystal display having improved wavelength dispersion characteristics |
| JP2012500997A (ja) * | 2008-08-22 | 2012-01-12 | アクロン ポリマー システムズ | 延伸ポリマーフィルムを基礎とする光学補償フィルム |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2942442B2 (ja) | 1999-08-30 |
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