JP3068736B2 - 液晶表示装置 - Google Patents
液晶表示装置Info
- Publication number
- JP3068736B2 JP3068736B2 JP27243193A JP27243193A JP3068736B2 JP 3068736 B2 JP3068736 B2 JP 3068736B2 JP 27243193 A JP27243193 A JP 27243193A JP 27243193 A JP27243193 A JP 27243193A JP 3068736 B2 JP3068736 B2 JP 3068736B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- liquid crystal
- thickness
- alignment
- sio
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は電気光学効果としてネマ
チック液晶の双安定性を利用した液晶表示装置に関す
る。
チック液晶の双安定性を利用した液晶表示装置に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】これまでに、液晶を用いた表示方式に
は、液晶に対して印加された電気信号を光情報に変換す
る方式によりＤＳ（dynamic scattering）方式、ＴＮ
（twistednematic）方式、ＥＣＢ（electrically contr
olled birefringence)方式、ＰＣ（phase change）方
式、記憶形方式、ＧＨ（guest-host）方式、ＳＳＦ（su
rfacestabirized ferro-electric)方式等が考えられて
いる。
は、液晶に対して印加された電気信号を光情報に変換す
る方式によりＤＳ（dynamic scattering）方式、ＴＮ
（twistednematic）方式、ＥＣＢ（electrically contr
olled birefringence)方式、ＰＣ（phase change）方
式、記憶形方式、ＧＨ（guest-host）方式、ＳＳＦ（su
rfacestabirized ferro-electric)方式等が考えられて
いる。
【０００３】その中で現在、時計、電卓、ワープロ、パ
ソコン、テレビ等の商品において表示装置として用いら
れている方式は、主にネマチック液晶を用いたＴＮ方式
とその改良型のＳＴＮ（super twisted nematic)方式で
ある。これらの方式はともに片安定であり、電界無印加
状態で液晶分子が基板と平行かつ一方向に配列するよう
配向処理されており、この配向を安定に行わせるため、
ガラス基板と配向処理層との間に絶縁物層を設ける事に
関する特許は既に公開されている（特開昭５１−１２４
９４１）。また、配向処理として電極を含む基板上を覆
った絶縁性無機薄膜の上に斜方蒸着を行うことに関する
特許も公開されている（特開昭５７−１１２７１４）。
ソコン、テレビ等の商品において表示装置として用いら
れている方式は、主にネマチック液晶を用いたＴＮ方式
とその改良型のＳＴＮ（super twisted nematic)方式で
ある。これらの方式はともに片安定であり、電界無印加
状態で液晶分子が基板と平行かつ一方向に配列するよう
配向処理されており、この配向を安定に行わせるため、
ガラス基板と配向処理層との間に絶縁物層を設ける事に
関する特許は既に公開されている（特開昭５１−１２４
９４１）。また、配向処理として電極を含む基板上を覆
った絶縁性無機薄膜の上に斜方蒸着を行うことに関する
特許も公開されている（特開昭５７−１１２７１４）。
【０００４】本発明で用いるネマチック液晶を用いた双
安定液晶表示装置においては、ジョルジュ．デュランに
よって、ネマチック液晶を用いた双安定液晶表示装置が
２種類提唱されている。１つはカイラルイオンを駆動ト
ルクに用いるもので（国際公開番号WO 91/11747 号）、
右巻き、左巻き両方のカイラルイオンを液晶に混合し、
電圧によってイオン分布に片寄りをつくりだし、これを
駆動トルクとするものである。この方式は強誘電性液晶
素子表面安定化（ＳＳＦＬＣＤ：Surface Stabilized F
erro-electric Liquid Crystal Display）と同様にパル
ス電界の印加によって、基板面に平行に液晶分子をスイ
ッチングさせることが可能となる。しかしこの方式は不
純物であるイオンを駆動に用いるため、信頼性の面で本
質的に大きな問題が残る。
安定液晶表示装置においては、ジョルジュ．デュランに
よって、ネマチック液晶を用いた双安定液晶表示装置が
２種類提唱されている。１つはカイラルイオンを駆動ト
ルクに用いるもので（国際公開番号WO 91/11747 号）、
右巻き、左巻き両方のカイラルイオンを液晶に混合し、
電圧によってイオン分布に片寄りをつくりだし、これを
駆動トルクとするものである。この方式は強誘電性液晶
素子表面安定化（ＳＳＦＬＣＤ：Surface Stabilized F
erro-electric Liquid Crystal Display）と同様にパル
ス電界の印加によって、基板面に平行に液晶分子をスイ
ッチングさせることが可能となる。しかしこの方式は不
純物であるイオンを駆動に用いるため、信頼性の面で本
質的に大きな問題が残る。
【０００５】いま１つはフレクソ分極を駆動トルクに用
いるもので、これは配向膜としてＳｉＯ斜め蒸着膜を用
い、膜条件を適当に選べば、ネマチック液晶が２つの方
向に安定配向を示すことを利用するものである（国際公
開番号WO92/00546)。この方式は配向歪によるフレクソ
分極を駆動トルクとするため、不純物等の問題も生じず
高い信頼性が見込まれる。この方式もＳＳＦＬＣＤと同
様にパルス電界の印加によって、基板面に平行に液晶分
子をスイッチングさせることが可能となり、その応答速
度は１００μsec程度で、液晶分子が基板面に平行にス
イッチングするため視角依存性もない。またネマチック
液晶を用いるためＳＳＦＬＣＤの様に配向制御の問題も
なく、動作温度範囲も十分広くとることができる。本発
明は後者の方式に属するものである。
いるもので、これは配向膜としてＳｉＯ斜め蒸着膜を用
い、膜条件を適当に選べば、ネマチック液晶が２つの方
向に安定配向を示すことを利用するものである（国際公
開番号WO92/00546)。この方式は配向歪によるフレクソ
分極を駆動トルクとするため、不純物等の問題も生じず
高い信頼性が見込まれる。この方式もＳＳＦＬＣＤと同
様にパルス電界の印加によって、基板面に平行に液晶分
子をスイッチングさせることが可能となり、その応答速
度は１００μsec程度で、液晶分子が基板面に平行にス
イッチングするため視角依存性もない。またネマチック
液晶を用いるためＳＳＦＬＣＤの様に配向制御の問題も
なく、動作温度範囲も十分広くとることができる。本発
明は後者の方式に属するものである。
【０００６】ジョルジュ・デュランによって従来報告さ
れている（９１年ＳＩＤ予稿集 pp606〜607, Appl.Phy
s.Lett.60(9),2 March 1992 pp1085〜1086）フレクソ分
極によるネマチック双安定表示装置の構成は図１に示さ
れるようなものである。図１中1a,1bはガラス基板、6は
液晶層、2a,2bは透明電極、4a,4bＳｉＯ配向膜、5a,5b
はスペーサである。ＳｉＯ配向膜の蒸着角は基板法線よ
り７４°、膜厚は３０オングストロームとし、スペーサ
の直径は１〜３μｍ程度とする。このような条件で液晶
分子の配向方向は図２に示すように、基板面からθ°テ
ィルトして、またその基板面に投影した方向がＳｉＯ蒸
着方向からα°及び−α°傾いた方向Ａ及びＢで双安定
となる。加えてセル厚が１〜３μｍと十分薄くすると液
晶分子はＳｉＯ蒸着方向と垂直かつ基板面に平行な方向
Ｃの配向も安定となる。
れている（９１年ＳＩＤ予稿集 pp606〜607, Appl.Phy
s.Lett.60(9),2 March 1992 pp1085〜1086）フレクソ分
極によるネマチック双安定表示装置の構成は図１に示さ
れるようなものである。図１中1a,1bはガラス基板、6は
液晶層、2a,2bは透明電極、4a,4bＳｉＯ配向膜、5a,5b
はスペーサである。ＳｉＯ配向膜の蒸着角は基板法線よ
り７４°、膜厚は３０オングストロームとし、スペーサ
の直径は１〜３μｍ程度とする。このような条件で液晶
分子の配向方向は図２に示すように、基板面からθ°テ
ィルトして、またその基板面に投影した方向がＳｉＯ蒸
着方向からα°及び−α°傾いた方向Ａ及びＢで双安定
となる。加えてセル厚が１〜３μｍと十分薄くすると液
晶分子はＳｉＯ蒸着方向と垂直かつ基板面に平行な方向
Ｃの配向も安定となる。
【０００７】図３はＳｉＯ蒸着方向と液晶分子配向の安
定し得る方向を示している。上下基板の配向処理方向は
上下基板のＳｉＯ蒸着方向が反平行（アンチパラレル）
から４５°ねじって構成されている。液晶材料は液晶単
体で上下基板間で２２．５°ねじるようカイラル材を添
加したものを用いる。なお、ねじれ方向は図３に示す上
下基板間のＳｉＯ蒸着方向のねじれと反対方向とする。
定し得る方向を示している。上下基板の配向処理方向は
上下基板のＳｉＯ蒸着方向が反平行（アンチパラレル）
から４５°ねじって構成されている。液晶材料は液晶単
体で上下基板間で２２．５°ねじるようカイラル材を添
加したものを用いる。なお、ねじれ方向は図３に示す上
下基板間のＳｉＯ蒸着方向のねじれと反対方向とする。
【０００８】図中破線矢印はＳｉＯ蒸着方向を〜及
び’〜’は各基板表面での分子の取り得る安定方向
を示している。この様にＳｉＯ蒸着方向を反平行（アン
チパラレル）から４５°だけ回転させた構造をとり、上
記の条件の液晶材料を注入すると、カイラル材の効果で
安定に存在できる配向が制限され、液晶分子は−
’、−’の２つの組み合わせが安定となる。
び’〜’は各基板表面での分子の取り得る安定方向
を示している。この様にＳｉＯ蒸着方向を反平行（アン
チパラレル）から４５°だけ回転させた構造をとり、上
記の条件の液晶材料を注入すると、カイラル材の効果で
安定に存在できる配向が制限され、液晶分子は−
’、−’の２つの組み合わせが安定となる。
【０００９】図４はセルの断面図を示しておりａは図３
における−’、ｂは−’の配向に対応してい
る。ここで使用する液晶の分子形状が楔型なら、スプレ
イの配向歪によってフレクソ分極が生じる。図中の矢印
のはフレクソ分極の向きを示している。ここでａとｂで
はフレクソ分極の垂直成分が反対方向を向いている。し
たがってパルス電界を印加してフレクソ分極の垂直成分
を反転させることによって、ａ，ｂ２つの状態を双安定
スイッチングすることができる。
における−’、ｂは−’の配向に対応してい
る。ここで使用する液晶の分子形状が楔型なら、スプレ
イの配向歪によってフレクソ分極が生じる。図中の矢印
のはフレクソ分極の向きを示している。ここでａとｂで
はフレクソ分極の垂直成分が反対方向を向いている。し
たがってパルス電界を印加してフレクソ分極の垂直成分
を反転させることによって、ａ，ｂ２つの状態を双安定
スイッチングすることができる。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上述の方法の
ように基板上にＳｉＯ配向膜を直接形成すると、基板の
ガラス表面部分と基板上に形成した透明電極部分との段
差のために、ガラス表面上と透明電極上とでは双安定の
配向状態が異なってしまう。また、ＳｉＯ配向膜の膜厚
が薄いため、ガラス表面あるいは透明電極表面の影響を
受けてしまい、安定な双安定状態にならないことが多
く、特に透明電極上の凹凸による影響を大きくうける。
また、電界を印加する前の配向状態１と電界を印加した
後、さらに電界を切った時の配向状態２のうち、安定な
配向状態はそのどちらかに片寄るため、双安定なスイッ
チングができない。先のジョルジュ・ジョランの報告に
おいても、１ｍｍの大きさの液晶ドメインでスイッチン
グしたと記載されており、表示画面全体の双安定なスイ
ッチングは実現していない。従って、大面積にわたって
一様な配向状態を得るのは難しい。また、セル厚が１．
５μｍ〜３．０μｍと薄いため、電界を印加すると上下
基板の短絡が生じてしまう。本発明は、上述のような問
題点を解決するもので、その目的とするところは、電界
を印加する前の配向状態１と電界を印加した後、さらに
電界を切った時の配向状態２のどちらの配向状態におい
ても、表示面全体に亘って一様な双安定状態を有するネ
マチック液晶を用いた液晶表示素子を提供するところに
ある。
ように基板上にＳｉＯ配向膜を直接形成すると、基板の
ガラス表面部分と基板上に形成した透明電極部分との段
差のために、ガラス表面上と透明電極上とでは双安定の
配向状態が異なってしまう。また、ＳｉＯ配向膜の膜厚
が薄いため、ガラス表面あるいは透明電極表面の影響を
受けてしまい、安定な双安定状態にならないことが多
く、特に透明電極上の凹凸による影響を大きくうける。
また、電界を印加する前の配向状態１と電界を印加した
後、さらに電界を切った時の配向状態２のうち、安定な
配向状態はそのどちらかに片寄るため、双安定なスイッ
チングができない。先のジョルジュ・ジョランの報告に
おいても、１ｍｍの大きさの液晶ドメインでスイッチン
グしたと記載されており、表示画面全体の双安定なスイ
ッチングは実現していない。従って、大面積にわたって
一様な配向状態を得るのは難しい。また、セル厚が１．
５μｍ〜３．０μｍと薄いため、電界を印加すると上下
基板の短絡が生じてしまう。本発明は、上述のような問
題点を解決するもので、その目的とするところは、電界
を印加する前の配向状態１と電界を印加した後、さらに
電界を切った時の配向状態２のどちらの配向状態におい
ても、表示面全体に亘って一様な双安定状態を有するネ
マチック液晶を用いた液晶表示素子を提供するところに
ある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、所定形
状の電極及び配向膜がこの順に形成された一対の基板が
略平行になるよう対向して配置され、該基板間に液晶が
介在されて液晶セルが形成され、前記電極に選択的に電
圧が印加されることによって液晶の光軸を切替えるスイ
ッチング手段を有し、前記基板間にネマチック液晶を封
入した双安定性液晶表示装置において、前記透明電極と
基板法線に対して斜め配向させたＳｉＯからなる配向膜
との間に、膜厚５００Å〜３０００ÅのＳｉＯ2からな
る絶縁膜が設けられてなることを特徴とする液晶表示装
置が提供される。
状の電極及び配向膜がこの順に形成された一対の基板が
略平行になるよう対向して配置され、該基板間に液晶が
介在されて液晶セルが形成され、前記電極に選択的に電
圧が印加されることによって液晶の光軸を切替えるスイ
ッチング手段を有し、前記基板間にネマチック液晶を封
入した双安定性液晶表示装置において、前記透明電極と
基板法線に対して斜め配向させたＳｉＯからなる配向膜
との間に、膜厚５００Å〜３０００ÅのＳｉＯ2からな
る絶縁膜が設けられてなることを特徴とする液晶表示装
置が提供される。
【００１２】この発明の基板としては透光性の絶縁性基
板が用いられ、通常ガラス基板が使れる。この絶縁性基
板にはそれぞれＩｎＯ3,ＳｎＯ2,ＩＴＯ(Indium Tin Ox
ide)などの導電性薄膜からなる所定のパターンの透明電
極が形成される。その上に、絶縁膜が形成される。この
絶縁膜は例えば、ＳｉＯ2,ＳｉＮｘ，Ａｌ2Ｏ3などの無
機系薄膜、ポリイミド、フォトレジスト樹脂、高分子液
晶など有機系薄膜などを用いることができる。絶縁膜が
無機系薄膜の場合には蒸着法、スパッタ法、ＣＶＤ（Ch
emical Vapor Deposition)法、あるいは溶液塗布法など
によって形成できる。特にＥＢ(Electron Beam)蒸着法
で形成すると良い。また、絶縁膜が有機系薄膜の場合に
は有機物質を溶かした溶液またはその前駆体溶液を用い
て、スピンナー塗布法、浸せき塗布法、スクリーン印刷
法、ロール塗布法などで塗布し、所定の硬化条件（加
熱、光照射など）で硬化させ形成する方法、あるいは蒸
着法、スパッタ法、ＣＶＤ法などで形成したり、ＬＢ
（Langumuir-Blodgett）法などで形成することもでき
る。
板が用いられ、通常ガラス基板が使れる。この絶縁性基
板にはそれぞれＩｎＯ3,ＳｎＯ2,ＩＴＯ(Indium Tin Ox
ide)などの導電性薄膜からなる所定のパターンの透明電
極が形成される。その上に、絶縁膜が形成される。この
絶縁膜は例えば、ＳｉＯ2,ＳｉＮｘ，Ａｌ2Ｏ3などの無
機系薄膜、ポリイミド、フォトレジスト樹脂、高分子液
晶など有機系薄膜などを用いることができる。絶縁膜が
無機系薄膜の場合には蒸着法、スパッタ法、ＣＶＤ（Ch
emical Vapor Deposition)法、あるいは溶液塗布法など
によって形成できる。特にＥＢ(Electron Beam)蒸着法
で形成すると良い。また、絶縁膜が有機系薄膜の場合に
は有機物質を溶かした溶液またはその前駆体溶液を用い
て、スピンナー塗布法、浸せき塗布法、スクリーン印刷
法、ロール塗布法などで塗布し、所定の硬化条件（加
熱、光照射など）で硬化させ形成する方法、あるいは蒸
着法、スパッタ法、ＣＶＤ法などで形成したり、ＬＢ
（Langumuir-Blodgett）法などで形成することもでき
る。
【００１３】絶縁膜の配向処理方法としては、ラビング
法、斜方蒸着法などがあるが、大画面の液晶表示装置の
量産化の場合にはラビング法が有利である。ラビング法
の場合、絶縁膜を形成した後、ラビング処理を施すわけ
であるが、パラレルラビング法（一対の基板の両方にラ
ビング処理を施しラビング方向が同一になるように貼り
合わせる方法）、アンチパラレルラビング法（一対の基
板の両方にラビング処理を施しラビング方向が逆になる
ように貼り合わせる方法）、片ラビング法（一対の基板
の片方にのみラビング処理を施す方法）がある。
法、斜方蒸着法などがあるが、大画面の液晶表示装置の
量産化の場合にはラビング法が有利である。ラビング法
の場合、絶縁膜を形成した後、ラビング処理を施すわけ
であるが、パラレルラビング法（一対の基板の両方にラ
ビング処理を施しラビング方向が同一になるように貼り
合わせる方法）、アンチパラレルラビング法（一対の基
板の両方にラビング処理を施しラビング方向が逆になる
ように貼り合わせる方法）、片ラビング法（一対の基板
の片方にのみラビング処理を施す方法）がある。
【００１４】絶縁膜の厚さは０．０１〜１μｍであるこ
とが好ましい。さらに０．０２〜０．５μｍが最も好ま
しい。この厚さが０．０１μｍより薄いと、ガラス表面
あるいは透明電極表面の影響をうけ好ましくない。また
この厚さが１μｍより厚いと、ガラス表面部分との段差
の原因となり好ましくない。また、絶縁膜の厚さは、透
明電極の厚さより０．５倍から３倍の厚さであることが
好ましい。厚さが０．５倍以下だと透明電極上の凹凸に
よる影響を受けやすく、配向制御が困難であり、３倍以
上だと駆動電圧を上げなければならない。また、電荷が
絶縁膜内に蓄積し、逆電界が発生してしまう。
とが好ましい。さらに０．０２〜０．５μｍが最も好ま
しい。この厚さが０．０１μｍより薄いと、ガラス表面
あるいは透明電極表面の影響をうけ好ましくない。また
この厚さが１μｍより厚いと、ガラス表面部分との段差
の原因となり好ましくない。また、絶縁膜の厚さは、透
明電極の厚さより０．５倍から３倍の厚さであることが
好ましい。厚さが０．５倍以下だと透明電極上の凹凸に
よる影響を受けやすく、配向制御が困難であり、３倍以
上だと駆動電圧を上げなければならない。また、電荷が
絶縁膜内に蓄積し、逆電界が発生してしまう。
【００１５】絶縁膜の上には配向膜が形成される。配向
膜には無機系の層を用いる場合と有機系の層を用いる場
合とがある。無機系の配向膜を用いる場合、酸化ケイ素
の斜め蒸着が良好である。また、回転蒸着などの方法を
用いることもできる。有機系の配向膜を用いる場合、ナ
イロン、ポリビニルアルコール、ポリイミド等を用いる
ことができ、通常この上をラビングして配向処理され
る。また、高分子液晶、ＬＢ膜を用いて配向させたり、
磁場による配向、スペーサエッジ法による配向処理など
も可能である。また、ＳｉＯ2,ＳｉＮｘなどを蒸着し、
その上をラビングして配向処理する方法も可能である。
膜には無機系の層を用いる場合と有機系の層を用いる場
合とがある。無機系の配向膜を用いる場合、酸化ケイ素
の斜め蒸着が良好である。また、回転蒸着などの方法を
用いることもできる。有機系の配向膜を用いる場合、ナ
イロン、ポリビニルアルコール、ポリイミド等を用いる
ことができ、通常この上をラビングして配向処理され
る。また、高分子液晶、ＬＢ膜を用いて配向させたり、
磁場による配向、スペーサエッジ法による配向処理など
も可能である。また、ＳｉＯ2,ＳｉＮｘなどを蒸着し、
その上をラビングして配向処理する方法も可能である。
【００１６】プレティルト角は基板に対し、垂直方向か
らの液晶分子の傾き角と定義されるが、ポリイミド系等
の配向膜をラビング処理あるいは酸化珪素を斜め蒸着し
た後、これを垂直配向剤Ｎ，Ｎーオクタデシルー３ーア
ミノプロピルトリメソオキシリル クロリド（Ｎ，Ｎ−
ｏｃｔａｄｅｃｙｌ−３−ａｍｉｎｏｐｒｏｐｙｌｔｒ
ｉｍｅｔｈｏｘｙｓｉｌｙｌ ｃｈｒｏｌｉｄｅ：ＤＭ
ＯＡＰ）によって処理することによって変更できる。ラ
ビング処理条件においては、ラビング処理時の布の種
類、毛足のあたる長さ、ローラーの回転数を変化させる
ことにより、プレティルト角を変更できる。さらに、蒸
着処理条件においては酸化珪素の蒸着角度と厚膜によっ
て制御できる。
らの液晶分子の傾き角と定義されるが、ポリイミド系等
の配向膜をラビング処理あるいは酸化珪素を斜め蒸着し
た後、これを垂直配向剤Ｎ，Ｎーオクタデシルー３ーア
ミノプロピルトリメソオキシリル クロリド（Ｎ，Ｎ−
ｏｃｔａｄｅｃｙｌ−３−ａｍｉｎｏｐｒｏｐｙｌｔｒ
ｉｍｅｔｈｏｘｙｓｉｌｙｌ ｃｈｒｏｌｉｄｅ：ＤＭ
ＯＡＰ）によって処理することによって変更できる。ラ
ビング処理条件においては、ラビング処理時の布の種
類、毛足のあたる長さ、ローラーの回転数を変化させる
ことにより、プレティルト角を変更できる。さらに、蒸
着処理条件においては酸化珪素の蒸着角度と厚膜によっ
て制御できる。
【００１７】本発明においては、一方の基板上の配向膜
と他方の基板上の配向膜とのそれぞれの配向方向が互に
異なるよう、ことに０〜９０度となるように配置するの
が好ましい。さらに、この角度は１５〜６０度が好まし
い。具体的にはＳｉＯ斜め蒸着膜を配向膜とし、上下基
板におけるＳｉＯ蒸着方向が平行（パラレル）から９０
°ねじれ方向以内、好ましくは約４５°としたものであ
る（図６参照）。
と他方の基板上の配向膜とのそれぞれの配向方向が互に
異なるよう、ことに０〜９０度となるように配置するの
が好ましい。さらに、この角度は１５〜６０度が好まし
い。具体的にはＳｉＯ斜め蒸着膜を配向膜とし、上下基
板におけるＳｉＯ蒸着方向が平行（パラレル）から９０
°ねじれ方向以内、好ましくは約４５°としたものであ
る（図６参照）。
【００１８】この発明のネマチック液晶は、シッフ塩基
系、アゾ系、アゾキシ系、安息香酸エステル系、ビフェ
ニル系、ターフェニル系、シクロヘキシルカルボ酸エス
テル系、フェニルシクロヘキサン系、ピリミジン系およ
びジオキサン系の液晶とそれらの混合物である多成分液
晶が挙げられる。具体的な市販の混合液晶としては、メ
ルク社製のＺシリーズ（Ｚ−１６２５，Ｚ−１５６５，
Ｚ−１７８０，Ｚ−１８００，Ｚ−１８４０，Ｚ−１８
２５）５ＣＢ、ＢＤＨ社製のＥシリーズ（Ｅ−７，Ｅ−
３７，Ｅ−３１ＬＶ，Ｅ−８０，Ｅ−４４）、ロシュ社
製のＲシリーズ（Ｒ−２００，Ｒ−６２３，Ｒ−７０
１，Ｒ−６１９，Ｒ−６２７Ｃ）、チッソ社製のＬシリ
ーズ（Ｌ−ＧＲ４６，Ｌ−９１０６，Ｌ−ＥＮ２４，Ｌ
−Ｐ２３ＮＮ２３）および大日本インキ社製のＤシリー
ズ（Ｄ−６０１Ｔ，Ｄ−Ｘ０１Ａ，Ｄ−８００）などが
挙げられる。さらに、これら液晶を適宜混合して用いて
もよい。
系、アゾ系、アゾキシ系、安息香酸エステル系、ビフェ
ニル系、ターフェニル系、シクロヘキシルカルボ酸エス
テル系、フェニルシクロヘキサン系、ピリミジン系およ
びジオキサン系の液晶とそれらの混合物である多成分液
晶が挙げられる。具体的な市販の混合液晶としては、メ
ルク社製のＺシリーズ（Ｚ−１６２５，Ｚ−１５６５，
Ｚ−１７８０，Ｚ−１８００，Ｚ−１８４０，Ｚ−１８
２５）５ＣＢ、ＢＤＨ社製のＥシリーズ（Ｅ−７，Ｅ−
３７，Ｅ−３１ＬＶ，Ｅ−８０，Ｅ−４４）、ロシュ社
製のＲシリーズ（Ｒ−２００，Ｒ−６２３，Ｒ−７０
１，Ｒ−６１９，Ｒ−６２７Ｃ）、チッソ社製のＬシリ
ーズ（Ｌ−ＧＲ４６，Ｌ−９１０６，Ｌ−ＥＮ２４，Ｌ
−Ｐ２３ＮＮ２３）および大日本インキ社製のＤシリー
ズ（Ｄ−６０１Ｔ，Ｄ−Ｘ０１Ａ，Ｄ−８００）などが
挙げられる。さらに、これら液晶を適宜混合して用いて
もよい。
【００１９】ついで、上記液晶にカイラル剤（光学活性
化合物）を添加される。それによって、液晶相のらせん
ピッチを調整する。具体的なカイラル剤はコレステリル
ブロマイド、コレステリル−ｎ−ヘキシルエーテル、コ
レステリルベンゾエート、コレステリル−ｎ−ヘキシル
ヘプタノエート、コレステリルヌナノエート、４−［４
−（２−メチルブチル）フェニル］ベンゼン酸４’−シ
アノフェニルエステル、ｔ−４−（２−メチルブチル）
シクロヘキシルカルボキシル酸シアノビフェニルエステ
ル、４−ｎ−ヘキシルオキシベンゼン酸４’−（２−ブ
トキシカルボニル）フェニルエステル、４−（４−メチ
ルブチル）−４’−シアノ−ｐ−ターフェニル、Ｎ−
（４−エトキシベンジリデン）−４−（２−メチルブチ
ル）アニリン、４−（２−メチルブチル）ベンゼン酸
４’−ｎ−ヘキシルオキシフェニルエステル、４−ｎ−
ヘプトキシ−４’−（２−メチルブチルオキシカルボニ
ル）ビフェニル、４−（２−メチルブチル）−４’−カ
ルボニルフェニル、４−［４−（２−メチルブチル）フ
ェニル］ベンゼン酸４’ブチルフェニルエステルなどが
挙げられる。市販品としてはＳ−８１１（メルク社製）
が挙げられる。
化合物）を添加される。それによって、液晶相のらせん
ピッチを調整する。具体的なカイラル剤はコレステリル
ブロマイド、コレステリル−ｎ−ヘキシルエーテル、コ
レステリルベンゾエート、コレステリル−ｎ−ヘキシル
ヘプタノエート、コレステリルヌナノエート、４−［４
−（２−メチルブチル）フェニル］ベンゼン酸４’−シ
アノフェニルエステル、ｔ−４−（２−メチルブチル）
シクロヘキシルカルボキシル酸シアノビフェニルエステ
ル、４−ｎ−ヘキシルオキシベンゼン酸４’−（２−ブ
トキシカルボニル）フェニルエステル、４−（４−メチ
ルブチル）−４’−シアノ−ｐ−ターフェニル、Ｎ−
（４−エトキシベンジリデン）−４−（２−メチルブチ
ル）アニリン、４−（２−メチルブチル）ベンゼン酸
４’−ｎ−ヘキシルオキシフェニルエステル、４−ｎ−
ヘプトキシ−４’−（２−メチルブチルオキシカルボニ
ル）ビフェニル、４−（２−メチルブチル）−４’−カ
ルボニルフェニル、４−［４−（２−メチルブチル）フ
ェニル］ベンゼン酸４’ブチルフェニルエステルなどが
挙げられる。市販品としてはＳ−８１１（メルク社製）
が挙げられる。
【００２０】また上記のネマティック液晶化合物以外の
化合物を適宜混合してもよい。この化合物は必ずしも液
晶相を示す必要はなく、（ａ）作製する組成物の液晶相
の温度範囲を調整するための化合物、（ｂ）強誘電性液
晶相において大きな自発分極を示すか、または誘起する
光学活性化合物、などが挙げられる。
化合物を適宜混合してもよい。この化合物は必ずしも液
晶相を示す必要はなく、（ａ）作製する組成物の液晶相
の温度範囲を調整するための化合物、（ｂ）強誘電性液
晶相において大きな自発分極を示すか、または誘起する
光学活性化合物、などが挙げられる。
【００２１】注入後、アクリル系等のＵＶ硬化型の樹脂
で注入口を封止して液晶セルとされる。さらに、この液
晶セルの上下に偏光軸をほぼ直交させた偏光板を配置さ
せ、偏光板の一方の偏光軸をセルの液晶のどちらか一方
の光軸にほぼ一致させて液晶表示装置とすることができ
る。
で注入口を封止して液晶セルとされる。さらに、この液
晶セルの上下に偏光軸をほぼ直交させた偏光板を配置さ
せ、偏光板の一方の偏光軸をセルの液晶のどちらか一方
の光軸にほぼ一致させて液晶表示装置とすることができ
る。
【００２２】
実施例１ 図５は本発明の実施例に於ける液晶表示装置の主要断面
図である。ガラス基板１ａ，１ｂ上に１０００オングス
トロームの厚さの透明電極（２ａ，２ｂ）を形成する。
その基板上に、絶縁膜３ａ，３ｂとしてＳｉＯ2 を蒸着
により配向させ、１０００オングストロームの膜厚で形
成する。その上にＳｉＯ（４ａ，４ｂ）を斜方蒸着し、
配向膜を形成する。なお、条件は蒸着角度は基板法線か
ら７４°、膜厚は７０オングストロームである。これら
の上下の基板を蒸着方向アンチパラレルから４５°ねじ
って貼り合わせる。セル厚は、１．５μｍとした。でき
あがったセルにネマチック液晶（ホスト液晶５ＣＢメル
ク社製にカイラル材Ｓ−８１１メルク社製を０．３６ｗ
ｔ％混合したもの）を注入した。この結果、均一で安定
な配向状態が得られた。以上の手順で作成したパネル
に、パルス電界を印加したときに安定した双安定性を示
し、コントラストは２０対１であった。
図である。ガラス基板１ａ，１ｂ上に１０００オングス
トロームの厚さの透明電極（２ａ，２ｂ）を形成する。
その基板上に、絶縁膜３ａ，３ｂとしてＳｉＯ2 を蒸着
により配向させ、１０００オングストロームの膜厚で形
成する。その上にＳｉＯ（４ａ，４ｂ）を斜方蒸着し、
配向膜を形成する。なお、条件は蒸着角度は基板法線か
ら７４°、膜厚は７０オングストロームである。これら
の上下の基板を蒸着方向アンチパラレルから４５°ねじ
って貼り合わせる。セル厚は、１．５μｍとした。でき
あがったセルにネマチック液晶（ホスト液晶５ＣＢメル
ク社製にカイラル材Ｓ−８１１メルク社製を０．３６ｗ
ｔ％混合したもの）を注入した。この結果、均一で安定
な配向状態が得られた。以上の手順で作成したパネル
に、パルス電界を印加したときに安定した双安定性を示
し、コントラストは２０対１であった。
【００２３】実施例２ 基本的構成は実施例１と同じである。ガラス基板上に１
０００オングストロームの厚さの透明電極を形成する。
その基板上に絶縁膜としてＳｉＯ2 を蒸着により１００
０オングストロームの膜厚で形成した後に同一方向にラ
ビングする。その上にＳｉＯを斜方蒸着し、配向膜を形
成する。なお、条件は蒸着角度は基板法線から７４°、
膜厚は７０オングストロームである。これらの上下の基
板を蒸着方向アンチパラレルから４５°ねじって貼り合
わせる。セル厚は、１．５μｍとした。できあがったセ
ルにネマチック液晶（ホスト液晶５ＣＢにカイラル材Ｓ
−８１１を０．３６ｗｔ％混合したもの）を注入した。
この結果、双安定性に片寄りがなく、均一で安定な配向
状態が得られた。
０００オングストロームの厚さの透明電極を形成する。
その基板上に絶縁膜としてＳｉＯ2 を蒸着により１００
０オングストロームの膜厚で形成した後に同一方向にラ
ビングする。その上にＳｉＯを斜方蒸着し、配向膜を形
成する。なお、条件は蒸着角度は基板法線から７４°、
膜厚は７０オングストロームである。これらの上下の基
板を蒸着方向アンチパラレルから４５°ねじって貼り合
わせる。セル厚は、１．５μｍとした。できあがったセ
ルにネマチック液晶（ホスト液晶５ＣＢにカイラル材Ｓ
−８１１を０．３６ｗｔ％混合したもの）を注入した。
この結果、双安定性に片寄りがなく、均一で安定な配向
状態が得られた。
【００２４】実施例３ 基本的構成は実施例１と同じである。ガラス基板上に１
０００オングストロームの厚さの透明電極を形成した。
その基板上に絶縁膜として東京応化製のＯＣＤ（OCD P-
59310)をスピンナーにより基板に塗布し配向させた後、
３５０℃で焼成する事より形成した。その上にＳｉＯを
斜方蒸着し、配向膜を形成する。なお、条件は蒸着角度
は基板法線から７４°、膜厚は７０オングストロームで
ある。これらの上下の基板を蒸着方向パラレルから４５
°ねじって貼り合わせる。セル厚は、１．５μｍとし
た。できあがったセルにネマチック液晶（ホスト液晶５
ＣＢにカイラル材Ｓ−８１１を０．３６ｗｔ％混合した
もの）を注入した。この結果、双安定性に片寄りがな
く、均一で安定な配向状態が得られた。
０００オングストロームの厚さの透明電極を形成した。
その基板上に絶縁膜として東京応化製のＯＣＤ（OCD P-
59310)をスピンナーにより基板に塗布し配向させた後、
３５０℃で焼成する事より形成した。その上にＳｉＯを
斜方蒸着し、配向膜を形成する。なお、条件は蒸着角度
は基板法線から７４°、膜厚は７０オングストロームで
ある。これらの上下の基板を蒸着方向パラレルから４５
°ねじって貼り合わせる。セル厚は、１．５μｍとし
た。できあがったセルにネマチック液晶（ホスト液晶５
ＣＢにカイラル材Ｓ−８１１を０．３６ｗｔ％混合した
もの）を注入した。この結果、双安定性に片寄りがな
く、均一で安定な配向状態が得られた。
【００２５】実施例４ 基本的構成は実施例１と同じである。ガラス基板上に１
０００オングストロームの厚さの透明電極を形成する。
その基板上に、絶縁膜としてＳｉＯ2 を蒸着により配向
させ、１０００オングストロームの膜厚で形成した。そ
の上にＳｉＯを斜方蒸着し、配向膜を形成した。なお、
条件は蒸着角度は基板法線から７４°、膜厚は７０オン
グストロームである。これらの上下の基板を蒸着方向パ
ラレルから４５°ねじって貼り合わせる（図６）。セル
厚は、１．５μｍとした。できあがったセルにネマチッ
ク液晶（ホスト液晶５ＣＢにカイラル材Ｓ−８１１を
０．３６ｗｔ％混合したもの）を注入した。この結果、
均一で安定な配向状態が得られた。以上の手順で作成し
たパネルに、パルス電界を印加したときに安定して双安
定性を示しコントラストは２０対１であった。
０００オングストロームの厚さの透明電極を形成する。
その基板上に、絶縁膜としてＳｉＯ2 を蒸着により配向
させ、１０００オングストロームの膜厚で形成した。そ
の上にＳｉＯを斜方蒸着し、配向膜を形成した。なお、
条件は蒸着角度は基板法線から７４°、膜厚は７０オン
グストロームである。これらの上下の基板を蒸着方向パ
ラレルから４５°ねじって貼り合わせる（図６）。セル
厚は、１．５μｍとした。できあがったセルにネマチッ
ク液晶（ホスト液晶５ＣＢにカイラル材Ｓ−８１１を
０．３６ｗｔ％混合したもの）を注入した。この結果、
均一で安定な配向状態が得られた。以上の手順で作成し
たパネルに、パルス電界を印加したときに安定して双安
定性を示しコントラストは２０対１であった。
【００２６】実施例５ 基本的構成は実施例１と同じである。ガラス基板上に１
０００オングストロームの厚さの透明電極を形成する。
その基板上に、下地膜としてＳｉＯ2 を蒸着により５０
０オングストロームの膜厚で形成した。その上にＳｉＯ
を斜方蒸着し、配向膜を形成した。なお、条件は蒸着角
度は基板法線から７４°、膜厚は７０オングストローム
である。これらの上下の基板を蒸着方向アンチパラレル
から４５°ねじって貼り合わせる。セル厚は、１．５μ
ｍとした。できあがったセルにネマチック液晶（ホスト
液晶５ＣＢにカイラル材Ｓ−８１１を０．３６ｗｔ％混
合したもの）を注入した。この結果、均一で安定な配向
状態が得られた。以上の手順で作成したパネルに、パル
ス電界を20vol.印加したときに安定して双安定性を示し
コントラストは２０対１であった。
０００オングストロームの厚さの透明電極を形成する。
その基板上に、下地膜としてＳｉＯ2 を蒸着により５０
０オングストロームの膜厚で形成した。その上にＳｉＯ
を斜方蒸着し、配向膜を形成した。なお、条件は蒸着角
度は基板法線から７４°、膜厚は７０オングストローム
である。これらの上下の基板を蒸着方向アンチパラレル
から４５°ねじって貼り合わせる。セル厚は、１．５μ
ｍとした。できあがったセルにネマチック液晶（ホスト
液晶５ＣＢにカイラル材Ｓ−８１１を０．３６ｗｔ％混
合したもの）を注入した。この結果、均一で安定な配向
状態が得られた。以上の手順で作成したパネルに、パル
ス電界を20vol.印加したときに安定して双安定性を示し
コントラストは２０対１であった。
【００２７】実施例６ 基本的構成は実施例１と同じである。ガラス基板上に１
０００オングストロームの厚さの透明電極を形成する。
その基板上に、下地膜としてＳｉＯ2 を蒸着により３０
００オングストロームの膜厚で形成した。その上にＳｉ
Ｏを斜方蒸着し、配向膜を形成した。なお、条件は蒸着
角度は基板法線から７４°、膜厚は７０オングストロー
ムである。これらの上下の基板を蒸着方向パラレルから
４５°ねじって貼り合わせる。セル厚は、１．５μｍと
した。できあがったセルにネマチック液晶（ホスト液晶
５ＣＢにカイラル材Ｓ−８１１を０．３６ｗｔ％混合し
たもの）を注入した。この結果、双安定性に片寄りがな
く、均一で安定な配向状態が得られた。
０００オングストロームの厚さの透明電極を形成する。
その基板上に、下地膜としてＳｉＯ2 を蒸着により３０
００オングストロームの膜厚で形成した。その上にＳｉ
Ｏを斜方蒸着し、配向膜を形成した。なお、条件は蒸着
角度は基板法線から７４°、膜厚は７０オングストロー
ムである。これらの上下の基板を蒸着方向パラレルから
４５°ねじって貼り合わせる。セル厚は、１．５μｍと
した。できあがったセルにネマチック液晶（ホスト液晶
５ＣＢにカイラル材Ｓ−８１１を０．３６ｗｔ％混合し
たもの）を注入した。この結果、双安定性に片寄りがな
く、均一で安定な配向状態が得られた。
【００２８】比較例１ 基本的構成は実施例１と同じである。ガラス基板上に１
０００オングストロームの厚さの透明電極を形成する。
その基板上に、下地膜としてＳｉＯ2 を蒸着により３０
０オングストロームの膜厚で形成した。その上にＳｉＯ
を斜方蒸着し、配向膜を形成した。なお、条件は蒸着角
度は基板法線から７４°、膜厚は７０オングストローム
である。これらの上下の基板を蒸着方向パラレルから４
５°ねじって貼り合わせる。セル厚は、１．５μｍとし
た。できあがったセルにネマチック液晶（ホスト液晶５
ＣＢにカイラル材Ｓ−８１１を０．３６ｗｔ％混合した
もの）を注入した。配向状態を評価すると、透明電極上
での配向状態が不安定で、電圧を印加すると双安定状態
を示さず、しばらくすると上下基板の短絡を生じた。
０００オングストロームの厚さの透明電極を形成する。
その基板上に、下地膜としてＳｉＯ2 を蒸着により３０
０オングストロームの膜厚で形成した。その上にＳｉＯ
を斜方蒸着し、配向膜を形成した。なお、条件は蒸着角
度は基板法線から７４°、膜厚は７０オングストローム
である。これらの上下の基板を蒸着方向パラレルから４
５°ねじって貼り合わせる。セル厚は、１．５μｍとし
た。できあがったセルにネマチック液晶（ホスト液晶５
ＣＢにカイラル材Ｓ−８１１を０．３６ｗｔ％混合した
もの）を注入した。配向状態を評価すると、透明電極上
での配向状態が不安定で、電圧を印加すると双安定状態
を示さず、しばらくすると上下基板の短絡を生じた。
【００２９】比較例２ 基本的構成は実施例１と同じである。ガラス基板上に１
０００オングストロームの厚さの透明電極を形成する。
その基板上に、下地膜としてＳｉＯ2 を蒸着により５０
００オングストロームの膜厚で形成した。その上にＳｉ
Ｏを斜方蒸着し、配向膜を形成した。なお、条件は蒸着
角度は基板法線から７４°、膜厚は７０オングストロー
ムである。これらの上下の基板を蒸着方向パラレルから
４５°ねじって貼り合わせる。セル厚は、１．５μｍと
した。できあがったセルにネマチック液晶（ホスト液晶
５ＣＢにカイラル材Ｓ−８１１を０．３６ｗｔ％混合し
たもの）を注入した。配向状態は比較的安定な状態を示
したが、パルス電界を20vol.印加したときにはスイッチ
ングせず、30vol.印加したときに一部分のみスイッチン
グした。
０００オングストロームの厚さの透明電極を形成する。
その基板上に、下地膜としてＳｉＯ2 を蒸着により５０
００オングストロームの膜厚で形成した。その上にＳｉ
Ｏを斜方蒸着し、配向膜を形成した。なお、条件は蒸着
角度は基板法線から７４°、膜厚は７０オングストロー
ムである。これらの上下の基板を蒸着方向パラレルから
４５°ねじって貼り合わせる。セル厚は、１．５μｍと
した。できあがったセルにネマチック液晶（ホスト液晶
５ＣＢにカイラル材Ｓ−８１１を０．３６ｗｔ％混合し
たもの）を注入した。配向状態は比較的安定な状態を示
したが、パルス電界を20vol.印加したときにはスイッチ
ングせず、30vol.印加したときに一部分のみスイッチン
グした。
【００３０】同様方法によって、透明電極の厚さを１０
００オングストローム（一定）にして、実施例として絶
縁膜厚さを７５０、１０００、１５００、２０００、２
５００オングストロームと変化させ、比較例として絶縁
膜厚さが４００オングストロームにしたときの表示装置
を作成し、液晶配向状態を評価した。これをまとめて、
絶縁膜厚さが３００〜５０００オングストロームの範囲
に変化したときの、ネマチック液晶の配向状態を評価し
た結果を表１に示す。表から明らかなように、絶縁膜厚
さが５００〜３０００オングストロームのとき、液晶の
配向状態は安定し、スイッチングも安定していることが
分る。
００オングストローム（一定）にして、実施例として絶
縁膜厚さを７５０、１０００、１５００、２０００、２
５００オングストロームと変化させ、比較例として絶縁
膜厚さが４００オングストロームにしたときの表示装置
を作成し、液晶配向状態を評価した。これをまとめて、
絶縁膜厚さが３００〜５０００オングストロームの範囲
に変化したときの、ネマチック液晶の配向状態を評価し
た結果を表１に示す。表から明らかなように、絶縁膜厚
さが５００〜３０００オングストロームのとき、液晶の
配向状態は安定し、スイッチングも安定していることが
分る。
【００３１】
【表１】
【００３２】本実施例は、絶縁膜としてＳｉＯ2 もしく
は東京応化製のＯＣＤ（OCD P-59310)を使用したが、本
発明は均一で双安定な配向が得られるよう基板全体が均
一な絶縁膜で覆われていればよく、絶縁膜として二酸化
珪素、酸化チタン、酸化アルミニウム、ポリイミド等を
用いてもよい。また、絶縁膜の形成手段としては、スパ
ッタリング、蒸着、ＣＶＤ、スピンナーによる塗布など
いずれの方法も可能であり、何ら本実施例に限定される
ものではない。絶縁膜の厚さは０．０２〜０．５μｍ、
好ましくは０．０５〜０．２μｍの範囲に設定すること
ができる。
は東京応化製のＯＣＤ（OCD P-59310)を使用したが、本
発明は均一で双安定な配向が得られるよう基板全体が均
一な絶縁膜で覆われていればよく、絶縁膜として二酸化
珪素、酸化チタン、酸化アルミニウム、ポリイミド等を
用いてもよい。また、絶縁膜の形成手段としては、スパ
ッタリング、蒸着、ＣＶＤ、スピンナーによる塗布など
いずれの方法も可能であり、何ら本実施例に限定される
ものではない。絶縁膜の厚さは０．０２〜０．５μｍ、
好ましくは０．０５〜０．２μｍの範囲に設定すること
ができる。
【００３３】
【発明の効果】この発明により高速作動であり、かつ大
面積の液晶素子装置を作製することができる。これは従
来の液晶装置に較べて大面積にわたって、液晶が一様な
配向状態を示し、透明電極表面の凹凸による影響を受け
ず、安定な双安定性なスイッチングを行うことができ
た。
面積の液晶素子装置を作製することができる。これは従
来の液晶装置に較べて大面積にわたって、液晶が一様な
配向状態を示し、透明電極表面の凹凸による影響を受け
ず、安定な双安定性なスイッチングを行うことができ
た。
【図１】この発明の従来の発明の液晶表示装置の主要断
面図を示す模式図である。
面図を示す模式図である。
【図２】液晶の双安定を示す概略図である。
【図３】蒸着方向と液晶分子配向の関係を示す概略図で
ある。
ある。
【図４】液晶セルの断面における液晶の配向を示す模式
図である。
図である。
【図５】本発明の液晶表示装置の主要断面を示す模式図
である。
である。
【図６】蒸着方向と液晶分子配向の関係を示す模式図で
ある。
ある。
１，１’ 基板面で安定な液晶分子の方向 ２，２’ 基板面で安定な液晶分子の方向 ３，３’ 基板面で安定な液晶分子の方向 １ａ，１ｂ ガラス基板 ２ａ，２ｂ 透明電極 ３ａ，３ｂ 絶縁膜 ４ａ，４ｂ 配向膜 ５ａ，５ｂ スペーサ ６ ネマチック液晶 Ａ 双安定性を示す液晶分子の長軸 Ｂ 双安定性を示す液晶分子の長軸 Ｃ 双安定性を示す液晶分子の長軸
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平１−280723（ＪＰ，Ａ) 特開 昭57−112714（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G02F 1/1337
Claims (3)
- 【請求項１】 所定形状の電極及び配向膜がこの順に形
成された一対の基板が略平行になるよう対向して配置さ
れ、該基板間に液晶が介在されて液晶セルが形成され、
前記電極に選択的に電圧が印加されることによって液晶
の光軸を切替えるスイッチング手段を有し、前記基板間
にネマチック液晶を封入した双安定性液晶表示装置にお
いて、 前記透明電極と基板法線に対して斜め配向させたＳｉＯ
からなる配向膜との間に、膜厚５００Å〜３０００Åの
ＳｉＯ2からなる絶縁膜が設けられてなることを特徴と
する液晶表示装置。 - 【請求項２】 絶縁膜が配向処理されてなる請求項１に
記載の液晶表示装置。 - 【請求項３】絶縁膜の厚さが電極の０．５〜３．０倍の
厚さである請求項１又は２に記載の液晶表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27243193A JP3068736B2 (ja) | 1992-11-30 | 1993-10-29 | 液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4-320848 | 1992-11-30 | ||
| JP32084892 | 1992-11-30 | ||
| JP27243193A JP3068736B2 (ja) | 1992-11-30 | 1993-10-29 | 液晶表示装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06214225A JPH06214225A (ja) | 1994-08-05 |
| JP3068736B2 true JP3068736B2 (ja) | 2000-07-24 |
Family
ID=26550192
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27243193A Expired - Fee Related JP3068736B2 (ja) | 1992-11-30 | 1993-10-29 | 液晶表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3068736B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2846453B1 (fr) * | 2002-10-28 | 2005-01-28 | Valois Sas | Dispositif d'affichage electronique et dispositif de distribution de produit fluide comportant un tel dispositif d'affichage |
-
1993
- 1993-10-29 JP JP27243193A patent/JP3068736B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06214225A (ja) | 1994-08-05 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5529818A (en) | Liquid crystal display device | |
| JPH08122750A (ja) | 液晶電気光学装置、それを利用した投射型表示装置及びそれらの駆動方法 | |
| JPH1152431A (ja) | 液晶表示素子 | |
| JP2927662B2 (ja) | 液晶表示装置 | |
| JP3068736B2 (ja) | 液晶表示装置 | |
| JP2942442B2 (ja) | 液晶表示装置 | |
| JP3102972B2 (ja) | 液晶表示装置及びその製造方法 | |
| JP2001226674A (ja) | 単安定強誘電液晶表示装置 | |
| JP3102973B2 (ja) | 液晶表示装置及びその製造方法 | |
| JPH06138441A (ja) | 双安定性液晶表示装置 | |
| JP3586779B2 (ja) | 強誘電性液晶表示素子 | |
| JPH06265909A (ja) | 液晶表示装置 | |
| JP2693558B2 (ja) | 光変調素子 | |
| JP2983724B2 (ja) | 強誘電性液晶素子の配向処理法 | |
| JP2692673B2 (ja) | 光シャッター装置 | |
| JPH10253993A (ja) | 液晶表示素子 | |
| JP3062978B2 (ja) | 強誘電性液晶素子 | |
| JPH06289407A (ja) | 双安定性液晶表示装置の製造方法 | |
| JPH0545929B2 (ja) | ||
| JP2598276B2 (ja) | 強誘電性液晶素子 | |
| JPS63153523A (ja) | 液晶表示素子 | |
| JPH06273801A (ja) | 液晶電気光学装置 | |
| JPH10177348A (ja) | 反射型液晶表示素子 | |
| JPH0777707A (ja) | 液晶表示装置 | |
| JPH05127164A (ja) | 液晶素子 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080519 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090519 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100519 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 11 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110519 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110519 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 12 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120519 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |