JPH067236B2 - 液晶パネル - Google Patents
液晶パネルInfo
- Publication number
- JPH067236B2 JPH067236B2 JP3833085A JP3833085A JPH067236B2 JP H067236 B2 JPH067236 B2 JP H067236B2 JP 3833085 A JP3833085 A JP 3833085A JP 3833085 A JP3833085 A JP 3833085A JP H067236 B2 JPH067236 B2 JP H067236B2
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- Japan
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- liquid crystal
- crystal panel
- sio
- alignment
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Description
【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は強誘電性液晶を使用した液晶パネルに関し、更
に詳しくは上下の配向層が異質の材料で構成された表示
用液晶パネルに関する。
に詳しくは上下の配向層が異質の材料で構成された表示
用液晶パネルに関する。
液晶組成物を用いた表示装置は、種々の分野で応用され
ているが、従来の液晶表示装置は主にネマチツク液晶相
を利用したＴＮ表示方式のものである。このＴＮ表示方
式を利用した表示装置は薄型化、軽量化が可能であり、
しかも消費電力が極めて小さい。また受光素子であるた
め、日光の下などの明るい所でも表示が見やすく、長時
間使用しても目が疲れないなどの特徴を持つている。こ
のような特徴を生かして、腕時計や電卓及び各種測定装
置に利用され、最近では、パソコンの端末表示等にも利
用されるようになりつつある。しかし、このように応用
分野が拡大されて来ると、液晶表示装置の欠点である、
応答速度が遅い、視野角が狭い等の欠点がその応用分野
の拡大に大きな障害となつて来ている。この障害を乗り
越えるべく研究が盛んに行なわれてはいるが、さらなる
拡大を計るためには、ＴＮ表示方式に代わる表示方式の
開発が不可欠である。そのような試みのひとつとして、
強誘電性をしめすカイラルスメクチツクＣ液晶相の光ス
イツチ現象を応用した表示素子が挙げられる。
ているが、従来の液晶表示装置は主にネマチツク液晶相
を利用したＴＮ表示方式のものである。このＴＮ表示方
式を利用した表示装置は薄型化、軽量化が可能であり、
しかも消費電力が極めて小さい。また受光素子であるた
め、日光の下などの明るい所でも表示が見やすく、長時
間使用しても目が疲れないなどの特徴を持つている。こ
のような特徴を生かして、腕時計や電卓及び各種測定装
置に利用され、最近では、パソコンの端末表示等にも利
用されるようになりつつある。しかし、このように応用
分野が拡大されて来ると、液晶表示装置の欠点である、
応答速度が遅い、視野角が狭い等の欠点がその応用分野
の拡大に大きな障害となつて来ている。この障害を乗り
越えるべく研究が盛んに行なわれてはいるが、さらなる
拡大を計るためには、ＴＮ表示方式に代わる表示方式の
開発が不可欠である。そのような試みのひとつとして、
強誘電性をしめすカイラルスメクチツクＣ液晶相の光ス
イツチ現象を応用した表示素子が挙げられる。
（N.A.Clark,S.T.Lagawall;Appl.Phys.Lett.,36,899,19
80） この方式の特徴は、ＴＮ表示方式に比較して応答速度が
速いこと、視角依存性が小さいこと、メモリー効果があ
ることなどである。しかしこの表示方式を実用化するた
めには種々の方面でのまだ多くの課題を解決する必要が
ある。そのひとつの大きな課題として、強誘電性液晶分
子の配向の問題が挙げられる。液晶分子の配向が均一で
ないと、表示にむらが出来たり、表示面が着色したりし
て、表示品質を著しく低下させてしまう。このため表示
素子として品位の優れたものにするためには、液晶分子
を均一に配向させることが必須要件である。
80） この方式の特徴は、ＴＮ表示方式に比較して応答速度が
速いこと、視角依存性が小さいこと、メモリー効果があ
ることなどである。しかしこの表示方式を実用化するた
めには種々の方面でのまだ多くの課題を解決する必要が
ある。そのひとつの大きな課題として、強誘電性液晶分
子の配向の問題が挙げられる。液晶分子の配向が均一で
ないと、表示にむらが出来たり、表示面が着色したりし
て、表示品質を著しく低下させてしまう。このため表示
素子として品位の優れたものにするためには、液晶分子
を均一に配向させることが必須要件である。
そのためには液晶パネルの基板表面に配向層を形成させ
るのであるが、現在工業的に利用されている配向層の形
成手段としては高分子配向膜をラビングする方法及びSi
O等の金属酸化物の斜方蒸着膜を形成させる方法などが
よく知られている。ところが強誘電性液晶を利用した液
晶パネルに於ては上下に同じ配向層を使用した場合、液
晶分子の配向状態が３つ存在するため、コントラストが
よくなかつたり、非選択部分のパターンが見えてしまう
などの問題があつた。そこで本発明者らは液晶分子と配
向層との相互作用について検討した結果、上下で異つた
配向層を使用することにより、これらの問題点がなくな
ることを見出し本発明に到達した。
るのであるが、現在工業的に利用されている配向層の形
成手段としては高分子配向膜をラビングする方法及びSi
O等の金属酸化物の斜方蒸着膜を形成させる方法などが
よく知られている。ところが強誘電性液晶を利用した液
晶パネルに於ては上下に同じ配向層を使用した場合、液
晶分子の配向状態が３つ存在するため、コントラストが
よくなかつたり、非選択部分のパターンが見えてしまう
などの問題があつた。そこで本発明者らは液晶分子と配
向層との相互作用について検討した結果、上下で異つた
配向層を使用することにより、これらの問題点がなくな
ることを見出し本発明に到達した。
即ち、本発明は上下の基板に形成した配向層が、その一
方を金属酸化物の斜方蒸着法により形成され、もう一方
を高分子膜のラビングにより形成された、一組の配向層
により構成されていることを特徴とする強誘電性液晶パ
ネルである。
方を金属酸化物の斜方蒸着法により形成され、もう一方
を高分子膜のラビングにより形成された、一組の配向層
により構成されていることを特徴とする強誘電性液晶パ
ネルである。
以下実例に基いて、本発明の液晶パネルについて説明す
る。
る。
強誘電性液晶材料としては次の組成の液晶組成物Ａを使
用した。
用した。
(S)４−オクチルオキシ安息香酸−４（２−メチルブチ
ルオキシ）フエニルエステル ２０wt% (S)４−ノニルオキシ安息香酸−４（２−メチルブチル
オキシ）フエニルエステル ２０wt% (S)４−デシルオキシ安息香酸−４（２−メチルブチル
オキシ）フエニルエステル ２０wt% (S)４−ドデシルオキシ安息香酸−４（２−メチルブチ
ルオキシ）フエニルエステル ２０wt% (S)４−ヘキシルオキシビフエニルカルボン酸−４（２
−メチルブチルオキシ）フエニルエステル １０wt% (S)４−オクチルオキシビフエニルカルボン酸−４（２
−メチルブチルオキシ）フエニルエステル １０wt% この液晶組成物Ａは２５〜５１℃の温度領域でカイラル
スメクチツクＣ液晶相を示し、自発分極は２nC／cm、傾
き角は２２゜である。
ルオキシ）フエニルエステル ２０wt% (S)４−ノニルオキシ安息香酸−４（２−メチルブチル
オキシ）フエニルエステル ２０wt% (S)４−デシルオキシ安息香酸−４（２−メチルブチル
オキシ）フエニルエステル ２０wt% (S)４−ドデシルオキシ安息香酸−４（２−メチルブチ
ルオキシ）フエニルエステル ２０wt% (S)４−ヘキシルオキシビフエニルカルボン酸−４（２
−メチルブチルオキシ）フエニルエステル １０wt% (S)４−オクチルオキシビフエニルカルボン酸−４（２
−メチルブチルオキシ）フエニルエステル １０wt% この液晶組成物Ａは２５〜５１℃の温度領域でカイラル
スメクチツクＣ液晶相を示し、自発分極は２nC／cm、傾
き角は２２゜である。
これを、一方の基板がＰＶＡ（ポリビニルアルコール）
の薄膜を塗布してラビングしたものであり、もう一方の
基板が６０〜８０゜の方向からSiOを斜方蒸着した配向
膜であり、電極間隔1.7μｍであるセルに注入して強誘
電性液晶パネルを構成し、両基板の間に１０Ｖの電圧を
かけたところ、コントラストのよい、しかも歪のないパ
ターンが得られた。
の薄膜を塗布してラビングしたものであり、もう一方の
基板が６０〜８０゜の方向からSiOを斜方蒸着した配向
膜であり、電極間隔1.7μｍであるセルに注入して強誘
電性液晶パネルを構成し、両基板の間に１０Ｖの電圧を
かけたところ、コントラストのよい、しかも歪のないパ
ターンが得られた。
第１図はこの液晶パネルの平均誘電率〈ε〉と印加電圧
Ｅの関係を示したもので、SiO配向膜側にプラス電圧を
印加した場合を正にしてある。このSiO配向層−ＰＶＡ
配向層の組み合わせに於てはSiO側の電極を負にした時
に大きな誘電率をもち、正にした時には平均誘電率は小
さくなる。このことからダイポール（双極子）の向きが
ＰＶＡ側からSiO側にそろつて配列していることが判
る。又、偏光顕微鏡で、この液晶パネルの配向状態を観
察するとSiO側の電極を負にした場合には何らの変化も
認められないが、正にすると屈折率に変化があらわれ、
コントラストの良いパターンが認められた。
Ｅの関係を示したもので、SiO配向膜側にプラス電圧を
印加した場合を正にしてある。このSiO配向層−ＰＶＡ
配向層の組み合わせに於てはSiO側の電極を負にした時
に大きな誘電率をもち、正にした時には平均誘電率は小
さくなる。このことからダイポール（双極子）の向きが
ＰＶＡ側からSiO側にそろつて配列していることが判
る。又、偏光顕微鏡で、この液晶パネルの配向状態を観
察するとSiO側の電極を負にした場合には何らの変化も
認められないが、正にすると屈折率に変化があらわれ、
コントラストの良いパターンが認められた。
上記液晶セルで上下両方共、ＰＶＡ膜配向層を使用した
場合は非選択部分においても表示パターンがはつきり見
えてしまい、実用的な表示素子としては適さないものし
か得られなかつた。SiO蒸着と同様な作用をする配向膜
としてはSiO2、Al2O3などの金属酸化物の蒸着膜があげ
られる。又、ＰＶＡと同様な作用をする配向膜としては
ポリアクリレートがある。
場合は非選択部分においても表示パターンがはつきり見
えてしまい、実用的な表示素子としては適さないものし
か得られなかつた。SiO蒸着と同様な作用をする配向膜
としてはSiO2、Al2O3などの金属酸化物の蒸着膜があげ
られる。又、ＰＶＡと同様な作用をする配向膜としては
ポリアクリレートがある。
前記の例に於てＰＶＡの代りにＰＩＤ（ポリイミド）を
使用した場合も、きれいなパターンの表示素子が得られ
た。但しこの場合は電極に対する液晶分子の双極子の方
向は逆になつていることがわかつている。
使用した場合も、きれいなパターンの表示素子が得られ
た。但しこの場合は電極に対する液晶分子の双極子の方
向は逆になつていることがわかつている。
以上の如くセルの基板の配向層を金属酸化物の斜方蒸着
膜とラビング処理した高分子膜とからなる一対で構成す
ることにより強誘電性液晶分子の双極子が配列され非常
にコントラストのよい、歪のない表示用液晶パネルを得
ることができる。
膜とラビング処理した高分子膜とからなる一対で構成す
ることにより強誘電性液晶分子の双極子が配列され非常
にコントラストのよい、歪のない表示用液晶パネルを得
ることができる。
第１図は本発明の液晶パネルの一例の特性を示す図面で
平均誘電率〈ε〉と印加電圧Ｅの関係を示すグラフであ
る。
平均誘電率〈ε〉と印加電圧Ｅの関係を示すグラフであ
る。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 古川 顕治 神奈川県横須賀市久里浜１丁目16番７号 (56)参考文献 特開 昭59−214824（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−131913（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−165730（ＪＰ，Ａ)
Claims (3)
- 【請求項１】強誘電性液晶材料を挟持してなる液晶パネ
ルに於て、一方の基板が表面に金属酸化物の斜方蒸着法
により形成された配向層を有し、他方の基板が表面に高
分子膜のラビングにより形成された配向層を有する一対
の基板で構成されていることを特徴とする液晶パネル。 - 【請求項２】金属酸化物がSiO、SiO2又はAl2O3であると
ころの特許請求の範囲第１項記載の液晶パネル。 - 【請求項３】高分子膜がポリビニルアルコール、ポリア
クリレート、ポリエステル、ポリカーボネート又はポリ
イミドであるところの特許請求の範囲第１項記載の液晶
パネル。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3833085A JPH067236B2 (ja) | 1985-02-27 | 1985-02-27 | 液晶パネル |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3833085A JPH067236B2 (ja) | 1985-02-27 | 1985-02-27 | 液晶パネル |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61198130A JPS61198130A (ja) | 1986-09-02 |
| JPH067236B2 true JPH067236B2 (ja) | 1994-01-26 |
Family
ID=12522266
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3833085A Expired - Lifetime JPH067236B2 (ja) | 1985-02-27 | 1985-02-27 | 液晶パネル |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH067236B2 (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6373223A (ja) * | 1986-09-17 | 1988-04-02 | Mitsubishi Electric Corp | 液晶表示素子 |
| JP2667816B2 (ja) * | 1986-09-20 | 1997-10-27 | キヤノン株式会社 | 液晶素子 |
| JP2609856B2 (ja) * | 1987-01-19 | 1997-05-14 | セイコー電子工業株式会社 | 電気光学装置 |
| JPH01177016A (ja) * | 1987-12-28 | 1989-07-13 | Sharp Corp | 強誘電性液晶シャッタ |
| JP2799418B2 (ja) * | 1989-06-30 | 1998-09-17 | 株式会社 半導体エネルギー研究所 | 強誘電性液晶電気光学装置 |
| JP2002148631A (ja) * | 2000-11-09 | 2002-05-22 | Citizen Watch Co Ltd | 液晶表示素子 |
-
1985
- 1985-02-27 JP JP3833085A patent/JPH067236B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61198130A (ja) | 1986-09-02 |
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