JPH0743722A - 液晶素子 - Google Patents
液晶素子Info
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- JPH0743722A JPH0743722A JP20447993A JP20447993A JPH0743722A JP H0743722 A JPH0743722 A JP H0743722A JP 20447993 A JP20447993 A JP 20447993A JP 20447993 A JP20447993 A JP 20447993A JP H0743722 A JPH0743722 A JP H0743722A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 反電場によるメモリー性や階調性の低下を防
止し、大きな自発分極により高速応答が可能な液晶素子
を提供すること。 【構成】 少なくとも一方に透明電極を有する基板間に
カイラルスメクチック相を有する液晶を狭持してなる液
晶素子において、少なくとも一方の液晶と電極との間に
可逆的な酸化還元反応層を設けたことを特徴とする液晶
素子。
止し、大きな自発分極により高速応答が可能な液晶素子
を提供すること。 【構成】 少なくとも一方に透明電極を有する基板間に
カイラルスメクチック相を有する液晶を狭持してなる液
晶素子において、少なくとも一方の液晶と電極との間に
可逆的な酸化還元反応層を設けたことを特徴とする液晶
素子。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、自発分極を有する液晶
を用いた液晶素子、特に、大きな自発分極を有し高速応
答を行なうことが出来る液晶素子に関する。
を用いた液晶素子、特に、大きな自発分極を有し高速応
答を行なうことが出来る液晶素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、液晶表示方式としては、ＴＮ（ツ
イステッド ネマチック：Ｔｗｉｓｔｅｄ Ｎｅｍａｔ
ｉｃ）型表示方式が多く用いられてきた。この方式は、
消費電力が少ない等の特長を有する反面、画素密度を高
くしたマトリクス電極構造を用いた時分割駆動の時、ク
ロストークを発生する問題点がある為、画素数が制限さ
れていた。又、電界応答が遅く、視野角特性が悪い等の
問題点があった。一方、従来の液晶素子の問題点を改善
するものとして、双安定性を有する強誘電性液晶の使用
が、クラーク（Ｃｌａｒｋ）及びラガウェル（Ｌａｇｅ
ｒｗａｌｌ）により提案されている（特開昭５６−１０
７２１６号公報、米国特許第４３６７９２４号明細書
等）。上記の双安定性を有する液晶としては、一般に、
カイラルスメクティックＣ相（Ｓm *Ｃ）又はカイラルス
メクティックＨ相（Ｓm *Ｈ）を有する強誘電性液晶が用
いられている。この強誘電性液晶の特徴として、電界応
答が速く、視野角特性も優れていることから、大容量及
び大面積の液晶素子への応答が考えられている（Ｎ．
Ａ．Ｃｌａｒｋ、Ｓ．Ｔ．Ｌａｇｅｒｗａｌｌ“Ａｐｐ
ｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．”３６、８９９頁（１９８０
年）参照）。又、自発分極を有する別の液晶としては反
強誘電性液晶がある。（Ｙ．Ｙａｍａｄａ ｅｔ ａ
ｌ．、Ｊｐｎ．Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．、２８、Ｌ１
６０６（１９８９年）参照）。この反強誘電性液晶も、
上記した強誘電性液晶を用いた液晶素子と同様に、高速
応答性が期待されている。
イステッド ネマチック：Ｔｗｉｓｔｅｄ Ｎｅｍａｔ
ｉｃ）型表示方式が多く用いられてきた。この方式は、
消費電力が少ない等の特長を有する反面、画素密度を高
くしたマトリクス電極構造を用いた時分割駆動の時、ク
ロストークを発生する問題点がある為、画素数が制限さ
れていた。又、電界応答が遅く、視野角特性が悪い等の
問題点があった。一方、従来の液晶素子の問題点を改善
するものとして、双安定性を有する強誘電性液晶の使用
が、クラーク（Ｃｌａｒｋ）及びラガウェル（Ｌａｇｅ
ｒｗａｌｌ）により提案されている（特開昭５６−１０
７２１６号公報、米国特許第４３６７９２４号明細書
等）。上記の双安定性を有する液晶としては、一般に、
カイラルスメクティックＣ相（Ｓm *Ｃ）又はカイラルス
メクティックＨ相（Ｓm *Ｈ）を有する強誘電性液晶が用
いられている。この強誘電性液晶の特徴として、電界応
答が速く、視野角特性も優れていることから、大容量及
び大面積の液晶素子への応答が考えられている（Ｎ．
Ａ．Ｃｌａｒｋ、Ｓ．Ｔ．Ｌａｇｅｒｗａｌｌ“Ａｐｐ
ｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．”３６、８９９頁（１９８０
年）参照）。又、自発分極を有する別の液晶としては反
強誘電性液晶がある。（Ｙ．Ｙａｍａｄａ ｅｔ ａ
ｌ．、Ｊｐｎ．Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．、２８、Ｌ１
６０６（１９８９年）参照）。この反強誘電性液晶も、
上記した強誘電性液晶を用いた液晶素子と同様に、高速
応答性が期待されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
た従来例において動画像を表示することが出来る様に高
速化を行なう場合には、自発分極を大きくすることが望
まれているが、大きな自発分極は大きな反電場を生じ、
メモリー性や階調性に悪影響を与えるということが知ら
れている（福田 敦夫、竹添 秀男共著“強誘電性液晶
の構造と物性”ｐ１９６、コロナ社（１９９０年）参
照）。この為、マルチプレックス駆動による大表示容量
液晶素子に用いられる液晶の自発分極は小さいものであ
った。従って、本発明の目的は、反電場によるメモリー
性や階調性の低下を防止し、大きな自発分極により高速
応答が可能な液晶素子を提供することにある。
た従来例において動画像を表示することが出来る様に高
速化を行なう場合には、自発分極を大きくすることが望
まれているが、大きな自発分極は大きな反電場を生じ、
メモリー性や階調性に悪影響を与えるということが知ら
れている（福田 敦夫、竹添 秀男共著“強誘電性液晶
の構造と物性”ｐ１９６、コロナ社（１９９０年）参
照）。この為、マルチプレックス駆動による大表示容量
液晶素子に用いられる液晶の自発分極は小さいものであ
った。従って、本発明の目的は、反電場によるメモリー
性や階調性の低下を防止し、大きな自発分極により高速
応答が可能な液晶素子を提供することにある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】上記の目的は、以下の本
発明によって達成される。即ち、本発明は、少なくとも
一方に透明電極を有する基板間にカイラルスメクチック
相を有する液晶を狭持してなる液晶素子において、少な
くとも一方の液晶と電極との間に可逆的な酸化還元反応
層を設けたことを特徴とする液晶素子である。
発明によって達成される。即ち、本発明は、少なくとも
一方に透明電極を有する基板間にカイラルスメクチック
相を有する液晶を狭持してなる液晶素子において、少な
くとも一方の液晶と電極との間に可逆的な酸化還元反応
層を設けたことを特徴とする液晶素子である。
【０００５】
【作用】本発明者らは、上記した従来技術の問題点を解
決する為に鋭意研究の結果、少なくとも一方が透明であ
るところの電極を有する基板間に、カイラルスメクチッ
ク相を有する液晶を狭持してなる液晶素子において、少
なくとも一方の液晶と電極との間に可逆的な酸化還元反
応層を設けることにより、大きな自発分極を有する高速
応答が可能な液晶を用いても、反電場やイオンの泳動に
よる悪影響を生ずることがないことを知見して本発明に
至った。自発分極を有する液晶を用いた表示素子におい
ては、一般に、そのスウィッチングは外部電界を用いて
行なわれる。自発分極は、外部電界により一方向に配列
するが、その自発分極の表面電荷は印加した外部電界と
逆方向の反電場を生じる。この反電場がそのまま存在す
ることにより、液晶の配列は容易に反転し、メモリー性
が得られなくなる。
決する為に鋭意研究の結果、少なくとも一方が透明であ
るところの電極を有する基板間に、カイラルスメクチッ
ク相を有する液晶を狭持してなる液晶素子において、少
なくとも一方の液晶と電極との間に可逆的な酸化還元反
応層を設けることにより、大きな自発分極を有する高速
応答が可能な液晶を用いても、反電場やイオンの泳動に
よる悪影響を生ずることがないことを知見して本発明に
至った。自発分極を有する液晶を用いた表示素子におい
ては、一般に、そのスウィッチングは外部電界を用いて
行なわれる。自発分極は、外部電界により一方向に配列
するが、その自発分極の表面電荷は印加した外部電界と
逆方向の反電場を生じる。この反電場がそのまま存在す
ることにより、液晶の配列は容易に反転し、メモリー性
が得られなくなる。
【０００６】これらの反電場の影響を小さくする方法と
しては、表示画素の電気容量を大きくすることやイオン
の泳動がある。しかし、電気容量を大きくする方法とし
ては、誘電率の大きな物質を液晶素子に設けるものがあ
るが、その誘電率には限界があり、且つ消費電力が増加
することから必ずしも十分なものでない。又、イオンの
泳動により自発分極を中和する方法は、泳動に時間が必
要であり、分極したイオンが次のスウィッチングに悪影
響を与えると共に、直流成分が残存した時に片寄りが生
じる為に、メモリー性及び階調性に悪影響を与える。
しては、表示画素の電気容量を大きくすることやイオン
の泳動がある。しかし、電気容量を大きくする方法とし
ては、誘電率の大きな物質を液晶素子に設けるものがあ
るが、その誘電率には限界があり、且つ消費電力が増加
することから必ずしも十分なものでない。又、イオンの
泳動により自発分極を中和する方法は、泳動に時間が必
要であり、分極したイオンが次のスウィッチングに悪影
響を与えると共に、直流成分が残存した時に片寄りが生
じる為に、メモリー性及び階調性に悪影響を与える。
【０００７】上記の様な現象に対し、本発明において
は、少なくとも液晶と電極との間に可逆的な酸化還元反
応層を設けておくことにより、自発分極の反転によって
生じる分極反転電流により酸化還元反応が生じ、可逆的
な酸化還元反応層にイオンが生成し、自発分極による表
面電荷を中和することが可能となる。このことは、自発
分極の表面電荷を中和する為に必要な量のみのイオンを
生成することが出来、余分なイオンによる悪影響が生じ
にくいことを意味する。又、短落した場合には逆反応を
生じるが、しきい値電圧の存在により、より安定にイオ
ンを保持し、液晶のメモリー性を良好に保つことが可能
となる。
は、少なくとも液晶と電極との間に可逆的な酸化還元反
応層を設けておくことにより、自発分極の反転によって
生じる分極反転電流により酸化還元反応が生じ、可逆的
な酸化還元反応層にイオンが生成し、自発分極による表
面電荷を中和することが可能となる。このことは、自発
分極の表面電荷を中和する為に必要な量のみのイオンを
生成することが出来、余分なイオンによる悪影響が生じ
にくいことを意味する。又、短落した場合には逆反応を
生じるが、しきい値電圧の存在により、より安定にイオ
ンを保持し、液晶のメモリー性を良好に保つことが可能
となる。
【０００８】
【好ましい実施態様】次に好ましい実施態様を挙げて、
本発明を更に詳しく説明する。図１及び図２は、本発明
の配向制御膜を用いた液晶素子の一例を示し、図１は本
発明の液晶素子の平面図、図２はそのＡ−Ａ´線断面図
を示す。図１において、本発明の液晶素子は、ガラス板
又はプラスチック板等からなる一対の基板１０１及び１
０１´（少なくとも一方の基板が複屈折を有する）がス
ペーサ１０６で所定の間隔に保持され、この一対の基板
１０１及び１０１´をシーリングする為に接着剤１０７
で接着したセル構造を有している。更に、基板１０１の
上には複数の透明電極１０２からなる電極群（例えば、
マトリクス電極構造のうちの走査電圧印加用電極群）
が、例えば、帯状パターン等の所定パターンで形成され
ている。又、基板１０１´の上には前述の透明電極１０
２と交差させた複数の透明電極からなる電極群（例え
ば、マトリクス電極構造のうちの信号電圧印加用電極
群）が形成されている。
本発明を更に詳しく説明する。図１及び図２は、本発明
の配向制御膜を用いた液晶素子の一例を示し、図１は本
発明の液晶素子の平面図、図２はそのＡ−Ａ´線断面図
を示す。図１において、本発明の液晶素子は、ガラス板
又はプラスチック板等からなる一対の基板１０１及び１
０１´（少なくとも一方の基板が複屈折を有する）がス
ペーサ１０６で所定の間隔に保持され、この一対の基板
１０１及び１０１´をシーリングする為に接着剤１０７
で接着したセル構造を有している。更に、基板１０１の
上には複数の透明電極１０２からなる電極群（例えば、
マトリクス電極構造のうちの走査電圧印加用電極群）
が、例えば、帯状パターン等の所定パターンで形成され
ている。又、基板１０１´の上には前述の透明電極１０
２と交差させた複数の透明電極からなる電極群（例え
ば、マトリクス電極構造のうちの信号電圧印加用電極
群）が形成されている。
【０００９】この様な透明電極１０２を設けた基板１０
１には、例えば、一酸化珪素、二酸化珪素、酸化アルミ
ニウム、ジルコニア、フッ化マグネシウム、酸化セリウ
ム、フッ化セリウム、シリコン窒化物、シリコン炭化
物、ホウ素窒化物等の無機絶縁物質や、ポリビニルアル
コール、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリエステル
イミド、ポリパラキシレリン、ポリエステル、ポリカー
ボネート、ポリビニルアセタール、ポリ塩化ビニル、ポ
リアミド、ポリスチレン、セルロース樹脂、メラミン樹
脂、ユリア樹脂及びアクリル樹脂等の有機絶縁物質を用
いて被膜形成した配向制御膜１０４を設けてもよい。こ
の配向制御膜１０４は、上記の如き無機絶縁物質又は有
機絶縁物質を被膜形成した後に、その表面をビロード、
布や紙で一方向に摺擦（ラビング）することによって得
られる。
１には、例えば、一酸化珪素、二酸化珪素、酸化アルミ
ニウム、ジルコニア、フッ化マグネシウム、酸化セリウ
ム、フッ化セリウム、シリコン窒化物、シリコン炭化
物、ホウ素窒化物等の無機絶縁物質や、ポリビニルアル
コール、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリエステル
イミド、ポリパラキシレリン、ポリエステル、ポリカー
ボネート、ポリビニルアセタール、ポリ塩化ビニル、ポ
リアミド、ポリスチレン、セルロース樹脂、メラミン樹
脂、ユリア樹脂及びアクリル樹脂等の有機絶縁物質を用
いて被膜形成した配向制御膜１０４を設けてもよい。こ
の配向制御膜１０４は、上記の如き無機絶縁物質又は有
機絶縁物質を被膜形成した後に、その表面をビロード、
布や紙で一方向に摺擦（ラビング）することによって得
られる。
【００１０】又、他にＳｉＯやＳｉＯ2 等の無機絶縁物
質を基板１０１の上に斜め蒸着法によって被膜形成する
ことによって、配向制御膜１０４を得ることも出来る。
又、更に別の具体例では、ガラス又はプラスチックから
なる基板１０１の表面或は基板１０１の上に、前述した
無機絶縁物質や有機絶縁物質を被膜形成した後に、該被
膜の表面を斜方エッチング法によりエッチングすること
によって、その表面に配向制御効果を付与することも出
来る。
質を基板１０１の上に斜め蒸着法によって被膜形成する
ことによって、配向制御膜１０４を得ることも出来る。
又、更に別の具体例では、ガラス又はプラスチックから
なる基板１０１の表面或は基板１０１の上に、前述した
無機絶縁物質や有機絶縁物質を被膜形成した後に、該被
膜の表面を斜方エッチング法によりエッチングすること
によって、その表面に配向制御効果を付与することも出
来る。
【００１１】上記の様にして形成された配向制御膜１０
４の膜厚は、一般には１００Å〜１μｍ、好ましくは５
００Å〜５０００Åの範囲に設定することが出来る。こ
の絶縁層は液晶層に微量に含有される不純物等の為に生
ずる電流の発生を防止することが出来る利点をも有して
おり、従って、動作を繰り返し行っても液晶化合物を劣
化させることがない。又、本発明の液晶素子では上記の
配向制御膜１０４と同様のものをもう一方の基板にも設
けることが出来る。図中、１０８は偏光子、１０９は検
光子を示す。又、本発明における液晶の配向方法として
は、上記した配向制御膜１０４を用いる方法の他、磁場
・電場による配向も行なわれ、他の配向方法と組み合わ
せることも可能である。
４の膜厚は、一般には１００Å〜１μｍ、好ましくは５
００Å〜５０００Åの範囲に設定することが出来る。こ
の絶縁層は液晶層に微量に含有される不純物等の為に生
ずる電流の発生を防止することが出来る利点をも有して
おり、従って、動作を繰り返し行っても液晶化合物を劣
化させることがない。又、本発明の液晶素子では上記の
配向制御膜１０４と同様のものをもう一方の基板にも設
けることが出来る。図中、１０８は偏光子、１０９は検
光子を示す。又、本発明における液晶の配向方法として
は、上記した配向制御膜１０４を用いる方法の他、磁場
・電場による配向も行なわれ、他の配向方法と組み合わ
せることも可能である。
【００１２】本発明の液晶素子においては、上記した様
な配向制御膜１０４と電極１０２の間に可逆的な酸化還
元反応層１０３を設けることを特徴とする。可逆的な酸
化還元反応層１０３に用いられる物質としては、一般的
には固体系エレクトロクロミック材料と呼ばれるものが
用いられる。固体エレクトロクロミック材料としては、
例えば、酸化タングステン、ＩｎＮ、ＺｒＮＣｌ、Ｍｏ
Ｏ3、Ｖ2Ｏ5 、Ｎｂ2Ｏ5 、ＴｉＯ2、ＲｈＯ2、Ｉｒ
Ｏ2、ＮｉＯＯＨ、ＣｕＯ、ＭｎＯｘ、ＣｏＯｘ、Ｆｅ
Ｏｘ、プルシアンブルー類、ポリタングステン酸、Ｚｒ
（ＷＯ4)2 等の無機物が用いられるが、安定な可逆反応
を行なうものであれば有機物でもよい。
な配向制御膜１０４と電極１０２の間に可逆的な酸化還
元反応層１０３を設けることを特徴とする。可逆的な酸
化還元反応層１０３に用いられる物質としては、一般的
には固体系エレクトロクロミック材料と呼ばれるものが
用いられる。固体エレクトロクロミック材料としては、
例えば、酸化タングステン、ＩｎＮ、ＺｒＮＣｌ、Ｍｏ
Ｏ3、Ｖ2Ｏ5 、Ｎｂ2Ｏ5 、ＴｉＯ2、ＲｈＯ2、Ｉｒ
Ｏ2、ＮｉＯＯＨ、ＣｕＯ、ＭｎＯｘ、ＣｏＯｘ、Ｆｅ
Ｏｘ、プルシアンブルー類、ポリタングステン酸、Ｚｒ
（ＷＯ4)2 等の無機物が用いられるが、安定な可逆反応
を行なうものであれば有機物でもよい。
【００１３】又、固体系エレクトロクロミック材料から
なる層は、以下の様な成膜法により形成される。先ず、
乾式法としては、１．真空蒸着、２．イオンプレーティ
ング、３．スパッタリング、４．ＣＶＤ、５．分子線エ
ピタキシー法等があり、湿式法としては、１．陽極酸化
法、２．電解折出法、３．コロイド塗布法、４．電気泳
動折出法、５．ＬＢ法等がある。
なる層は、以下の様な成膜法により形成される。先ず、
乾式法としては、１．真空蒸着、２．イオンプレーティ
ング、３．スパッタリング、４．ＣＶＤ、５．分子線エ
ピタキシー法等があり、湿式法としては、１．陽極酸化
法、２．電解折出法、３．コロイド塗布法、４．電気泳
動折出法、５．ＬＢ法等がある。
【００１４】又、固体系エレクトロクロミック材料は、
酸化若しくは還元により着色されるが、十分薄いもので
あれば，液晶素子の光透過率に影響を与えることなく良
好なコントラストで使用することが可能である。好まし
くは５０００Å以下の膜厚で用いられ、より好ましくは
３０００Å以下で用いられる。
酸化若しくは還元により着色されるが、十分薄いもので
あれば，液晶素子の光透過率に影響を与えることなく良
好なコントラストで使用することが可能である。好まし
くは５０００Å以下の膜厚で用いられ、より好ましくは
３０００Å以下で用いられる。
【００１５】本発明で用いられるカイラルスメクチック
相を有する液晶としては、自発分極の大きなものが好ま
しい。自発分極の絶対値が大きいほど同一電界での応答
時間は短縮することが可能であり、１０ｎＣ／ｃｍ2 以
上のものが用いられ、より好ましくは２０ｎＣ／ｃｍ2
以上のものが用いられる。以下、本発明で用いることの
可能なカイラルスメクチック相を有する液晶の具体例を
示すが、単独で自発分極の小さなものは、他の液晶と組
合せて用いられる。又、単独で液晶温度、液晶温度領域
及び配向性制等の特性が十分でないものも、他の液晶と
組合せて用いられる。
相を有する液晶としては、自発分極の大きなものが好ま
しい。自発分極の絶対値が大きいほど同一電界での応答
時間は短縮することが可能であり、１０ｎＣ／ｃｍ2 以
上のものが用いられ、より好ましくは２０ｎＣ／ｃｍ2
以上のものが用いられる。以下、本発明で用いることの
可能なカイラルスメクチック相を有する液晶の具体例を
示すが、単独で自発分極の小さなものは、他の液晶と組
合せて用いられる。又、単独で液晶温度、液晶温度領域
及び配向性制等の特性が十分でないものも、他の液晶と
組合せて用いられる。
【００１６】
【化１】
【化２】
【００１７】
【化３】
【化４】
【化５】
【化６】
【化７】
【００１８】
【化８】
【化９】
【化１０】
【化１１】
【化１２】
【００１９】
【化１３】
【化１４】
【化１５】
【化１６】
【化１７】
【００２０】
【化１８】
【化１９】
【化２０】
【化２１】
【００２１】
【実施例】以下、実施例を挙げて本発明を更に具体的に
説明する。 ＜実施例１＞膜厚１０００ÅのＩＴＯ透明電極を蒸着し
たガラス基板へ、スパッタリング法によりＷＯ3 を５０
０Å厚に蒸着し、可逆的な酸化還元層を形成した。この
基板へポリアミック酸（日産化学工業（株）製、高純度
ポリイミドワニス（サンエバー１００））をスピナー塗
布後、焼成して厚み５００Åのポリイミド配向膜を形成
した。その後、ラビング法により一軸配向性を与えた。
この上に上記したと同様の基板を重ね合わせ、１．５μ
ｍシリカビーズをスペーサとして周辺をエポキシ樹脂で
封止した。このセルを減圧し、等方相に加熱したカイラ
ルスメクチック液晶（メルク社製、ＺＬＩ−３６５４、
Ｐｓ＝−２９ｎＣ／ｃｍ2 （２０℃））を注入し、本実
施例の液晶素子を得た。上記の様にして作製した実施例
１の液晶素子に、２０℃で±４０Ｖの電圧を印加したと
ころ、４０μｓで応答し、コントラスト比は３８：１と
良好でありメモリー性も良好であった。又、５０μｓ、
＋４０Ｖのパルス電圧を印加後、１分間放置して５０μ
ｓ、−４０Ｖのパルス電圧を印加したが、良好に応答
し、メモリー性も良好であった。
説明する。 ＜実施例１＞膜厚１０００ÅのＩＴＯ透明電極を蒸着し
たガラス基板へ、スパッタリング法によりＷＯ3 を５０
０Å厚に蒸着し、可逆的な酸化還元層を形成した。この
基板へポリアミック酸（日産化学工業（株）製、高純度
ポリイミドワニス（サンエバー１００））をスピナー塗
布後、焼成して厚み５００Åのポリイミド配向膜を形成
した。その後、ラビング法により一軸配向性を与えた。
この上に上記したと同様の基板を重ね合わせ、１．５μ
ｍシリカビーズをスペーサとして周辺をエポキシ樹脂で
封止した。このセルを減圧し、等方相に加熱したカイラ
ルスメクチック液晶（メルク社製、ＺＬＩ−３６５４、
Ｐｓ＝−２９ｎＣ／ｃｍ2 （２０℃））を注入し、本実
施例の液晶素子を得た。上記の様にして作製した実施例
１の液晶素子に、２０℃で±４０Ｖの電圧を印加したと
ころ、４０μｓで応答し、コントラスト比は３８：１と
良好でありメモリー性も良好であった。又、５０μｓ、
＋４０Ｖのパルス電圧を印加後、１分間放置して５０μ
ｓ、−４０Ｖのパルス電圧を印加したが、良好に応答
し、メモリー性も良好であった。
【００２２】＜比較例１＞ＷＯ3 蒸着を行なわない以外
は実施例１と同様にポリイミド配向膜を形成した後、実
施例１と同様にしてラビング処理を行なって一軸配向性
を与えた。この上に基板を重ね合わせ、１．５μｍシリ
カビーズをスペーサとして、実施例１と同様に、液晶セ
ルを作成した。このセルを減圧し、等方相に加熱した実
施例１で用いたカイラルスメクチック液晶を注入し、比
較用の液晶素子とした。上記の様にして作製した比較例
１の液晶素子に、２０℃で±４０Ｖの電圧を印加したと
ころ、応答後すぐに元の状態となりメモリー性が不良で
あった。
は実施例１と同様にポリイミド配向膜を形成した後、実
施例１と同様にしてラビング処理を行なって一軸配向性
を与えた。この上に基板を重ね合わせ、１．５μｍシリ
カビーズをスペーサとして、実施例１と同様に、液晶セ
ルを作成した。このセルを減圧し、等方相に加熱した実
施例１で用いたカイラルスメクチック液晶を注入し、比
較用の液晶素子とした。上記の様にして作製した比較例
１の液晶素子に、２０℃で±４０Ｖの電圧を印加したと
ころ、応答後すぐに元の状態となりメモリー性が不良で
あった。
【００２３】＜実施例２＞膜厚１０００ÅのＩＴＯ透明
電極を蒸着したガラス基板を、０．００５Ｍ ＮｉＳＯ
4 ＋０．０１５Ｍ（ＮＨ4)2ＳＯ4 水溶液（アンモニウ
ム水でｐＨ＝８．５に調整）に浸透し、２５℃で弱い電
流密度（１００μＡ／ｍ2 ）で電解を行ない、５００Å
のＮｉＯＯＨ薄膜を得た。２５０℃で乾燥・熱処理した
後、ポリイミド配向膜を形成して、ラビング処理を行な
って一軸配向性を与えた。この基板を重ね合わせ、１．
５μｍシリカビーズスペーサとして実施例１と同様に液
晶セルを作成した。このセルを減圧し、等方相に加熱し
たカイラルスメクチック液晶（メルク社、ＺＬＩ−４６
５５、Ｐｓ＝−２３ｎｃ／ｃｍ2 ）を注入して、実施例
２の液晶セルを作成した。上記の様にして作製した実施
例２の得衣装素子に、２０℃で±４０Ｖのパルス電圧を
印加したところ、４０μｓで高速応答し、メモリー性も
良好であった。
電極を蒸着したガラス基板を、０．００５Ｍ ＮｉＳＯ
4 ＋０．０１５Ｍ（ＮＨ4)2ＳＯ4 水溶液（アンモニウ
ム水でｐＨ＝８．５に調整）に浸透し、２５℃で弱い電
流密度（１００μＡ／ｍ2 ）で電解を行ない、５００Å
のＮｉＯＯＨ薄膜を得た。２５０℃で乾燥・熱処理した
後、ポリイミド配向膜を形成して、ラビング処理を行な
って一軸配向性を与えた。この基板を重ね合わせ、１．
５μｍシリカビーズスペーサとして実施例１と同様に液
晶セルを作成した。このセルを減圧し、等方相に加熱し
たカイラルスメクチック液晶（メルク社、ＺＬＩ−４６
５５、Ｐｓ＝−２３ｎｃ／ｃｍ2 ）を注入して、実施例
２の液晶セルを作成した。上記の様にして作製した実施
例２の得衣装素子に、２０℃で±４０Ｖのパルス電圧を
印加したところ、４０μｓで高速応答し、メモリー性も
良好であった。
【００２４】＜実施例３〜実施例５＞実施例１と同様に
して作成したセルについて、酸化還元反応層であるＷＯ
3 の膜厚を、下記の表１に示した様に変化させた時に得
られた液晶素子のコントラスト比を表１に示す。この結
果、ＷＯ3の膜厚が１．１μｍと厚い場合には、コント
ラスト比が不十分であった。
して作成したセルについて、酸化還元反応層であるＷＯ
3 の膜厚を、下記の表１に示した様に変化させた時に得
られた液晶素子のコントラスト比を表１に示す。この結
果、ＷＯ3の膜厚が１．１μｍと厚い場合には、コント
ラスト比が不十分であった。
【００２５】
【表１】
【００２６】
【発明の効果】以上説明した様に、本発明の液晶素子に
よれば、液晶と電極との間に可逆的な酸化還元反応層を
設けることにより、高速応答が可能となり、且つ反電場
及びイオン泳動による画質の低下及びメモリー性の低下
を防止することが出来る。
よれば、液晶と電極との間に可逆的な酸化還元反応層を
設けることにより、高速応答が可能となり、且つ反電場
及びイオン泳動による画質の低下及びメモリー性の低下
を防止することが出来る。
【図１】図１は、本発明の液晶素子の平面図である。
【図２】図１の本発明の液晶素子の断面図である。
【符号の説明】 １０１、１０１’：基板 １０２、１０２’：透明電極 １０３、１０３’：酸化還元反応層 １０４、１０４’：配向制御膜 １０５：自発分極を有する液晶層 １０６：スペーサー １０７：接着剤 １０８：偏光子 １０９：検光子
Claims (2)
- 【請求項１】 少なくとも一方に透明電極を有する基板
間にカイラルスメクチック相を有する液晶を狭持してな
る液晶素子において、少なくとも一方の液晶と電極との
間に可逆的な酸化還元反応層を設けたことを特徴とする
液晶素子。 - 【請求項２】 可逆的な酸化還元反応層の膜厚が５００
０Å以下である請求項１に記載の液晶素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20447993A JPH0743722A (ja) | 1993-07-28 | 1993-07-28 | 液晶素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20447993A JPH0743722A (ja) | 1993-07-28 | 1993-07-28 | 液晶素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0743722A true JPH0743722A (ja) | 1995-02-14 |
Family
ID=16491209
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20447993A Pending JPH0743722A (ja) | 1993-07-28 | 1993-07-28 | 液晶素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0743722A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2779839A1 (fr) * | 1998-06-10 | 1999-12-17 | Saint Gobain Vitrage | Systeme electrocommandable a proprietes optiques variables |
| US6266656B1 (en) | 1997-09-19 | 2001-07-24 | Nec Corporation | Classification apparatus |
-
1993
- 1993-07-28 JP JP20447993A patent/JPH0743722A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6266656B1 (en) | 1997-09-19 | 2001-07-24 | Nec Corporation | Classification apparatus |
| FR2779839A1 (fr) * | 1998-06-10 | 1999-12-17 | Saint Gobain Vitrage | Systeme electrocommandable a proprietes optiques variables |
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