JPH02272090A - 高分子液晶組成物および高分子液晶素子 - Google Patents
高分子液晶組成物および高分子液晶素子Info
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- JPH02272090A JPH02272090A JP9178689A JP9178689A JPH02272090A JP H02272090 A JPH02272090 A JP H02272090A JP 9178689 A JP9178689 A JP 9178689A JP 9178689 A JP9178689 A JP 9178689A JP H02272090 A JPH02272090 A JP H02272090A
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Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
- Liquid Crystal Substances (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は、光学活性な高分子液晶性化合物を含有してな
るカイラル高分子液晶組成物およびそれを使用した高分
子液晶素子に関する。
るカイラル高分子液晶組成物およびそれを使用した高分
子液晶素子に関する。
[従来の技術]
従来の液晶表示方式としては、TN(ツィステッド ネ
マチック: Twisted Nematic )型表
示方式が多く用いられてきた。この方式は、消費電力が
少ないなどの特徴をもつ反面、画素密度を高くしたマト
リクス電極構造を用いた時分割駆動の時、クロストーク
を発生する問題点があるため1画素数が制限されていた
。また、電界応答が遅く、視野角特性が悪いなどの問題
点があった。
マチック: Twisted Nematic )型表
示方式が多く用いられてきた。この方式は、消費電力が
少ないなどの特徴をもつ反面、画素密度を高くしたマト
リクス電極構造を用いた時分割駆動の時、クロストーク
を発生する問題点があるため1画素数が制限されていた
。また、電界応答が遅く、視野角特性が悪いなどの問題
点があった。
一方、従来の液晶素子の欠点を改善するものとして、双
安定性を有する強誘電性液晶の使用が。
安定性を有する強誘電性液晶の使用が。
クラーク(C1ark)およびラガウェJしくLage
rwall)により提案されている。(特開昭56−1
07216号公報、米国特許第4367924号明細書
等)この、双安定性を有する液晶としては、一般にカイ
ラルスメクティックC相(Sm”C)またはH相(Sm
”H)を有する強誘電性液晶が用いられる。
rwall)により提案されている。(特開昭56−1
07216号公報、米国特許第4367924号明細書
等)この、双安定性を有する液晶としては、一般にカイ
ラルスメクティックC相(Sm”C)またはH相(Sm
”H)を有する強誘電性液晶が用いられる。
この強誘電性液晶の特徴として、電界応答が速く1視野
角特性もすぐれていることから、大容量、大面積の液晶
素子への応用が考えられている。双安定性と高速応答性
を得るため、クラーク等が提唱しているように、セルギ
ャップdを液晶のらせんピッチpよりも小さくしくd≦
P)、らせんをほどく必要がある(エフ。ニー、クラー
ク、ニス、ティー、ラガウェル“アプライド・フィジッ
クス・レターズ” (N、^、 C1ark、 S、
T。
角特性もすぐれていることから、大容量、大面積の液晶
素子への応用が考えられている。双安定性と高速応答性
を得るため、クラーク等が提唱しているように、セルギ
ャップdを液晶のらせんピッチpよりも小さくしくd≦
P)、らせんをほどく必要がある(エフ。ニー、クラー
ク、ニス、ティー、ラガウェル“アプライド・フィジッ
クス・レターズ” (N、^、 C1ark、 S、
T。
Lagerwall ”^ppl Phys、
Lett、” 36. 899 頁(1980年)
)が、一般に現状の強誘電性液晶のらせんピッチは短い
ものが多く、らせんピッチをほどくには、セル厚を1〜
2μ鐘にする必要がある。しかし、このように薄いセル
で大面積化をはかることはむずかしい。
Lett、” 36. 899 頁(1980年)
)が、一般に現状の強誘電性液晶のらせんピッチは短い
ものが多く、らせんピッチをほどくには、セル厚を1〜
2μ鐘にする必要がある。しかし、このように薄いセル
で大面積化をはかることはむずかしい。
この問題を解決する一つの方法として、らせんのねじれ
方が右回りの液晶と左回りの液晶を混合する方法が提案
されている。(特開昭6(1−9(12!10号公報)
この方法では、強誘電性液晶の自発分極の大きさをあま
り小さくすることなく、らせんピッチを長くすることが
できる。しかしながら、この様に、らせんピッチを長く
しても1液晶素子の大面積化をはかるためには、同時に
均一なモノドメインができなければならず、そのために
液晶セルに適当な配向処理を施す方法が行われるが、液
晶素子を作る際に用いるスペーサーの存在か原因となり
、配向欠陥が生じる。この点を解決する方法として成膜
性の良い高分子液晶を用いることか考えられる。
方が右回りの液晶と左回りの液晶を混合する方法が提案
されている。(特開昭6(1−9(12!10号公報)
この方法では、強誘電性液晶の自発分極の大きさをあま
り小さくすることなく、らせんピッチを長くすることが
できる。しかしながら、この様に、らせんピッチを長く
しても1液晶素子の大面積化をはかるためには、同時に
均一なモノドメインができなければならず、そのために
液晶セルに適当な配向処理を施す方法が行われるが、液
晶素子を作る際に用いるスペーサーの存在か原因となり
、配向欠陥が生じる。この点を解決する方法として成膜
性の良い高分子液晶を用いることか考えられる。
ところで5高分子液晶を用いた液晶表示の例としては、
ブイ・シバエフ(V、5hibaev) 、ニス・コス
トロミン(S、にostromin) 、 :t−ヌ・
ブラーテ(N、Plate) 、 xス・イワノフ(S
、Iva ov)、ブイ゛ヴエストロフ(V、Vest
rov) 、アイ・ヤコブレフ(1,Yakovlev
)著の“ポリマー・コミュニケーションズ″ (“Po
lymer Communieations″)tJS
24巻。
ブイ・シバエフ(V、5hibaev) 、ニス・コス
トロミン(S、にostromin) 、 :t−ヌ・
ブラーテ(N、Plate) 、 xス・イワノフ(S
、Iva ov)、ブイ゛ヴエストロフ(V、Vest
rov) 、アイ・ヤコブレフ(1,Yakovlev
)著の“ポリマー・コミュニケーションズ″ (“Po
lymer Communieations″)tJS
24巻。
第354頁〜365頁の“サーモトロピック・リキッド
クリスタリン・ボリマーズ、14” (“Thermo
−tropic Liquid Crystall
ine Polymers、 14″ ) に示さ
れる熱書き込み高分子液晶表示素子を挙げることができ
る。
クリスタリン・ボリマーズ、14” (“Thermo
−tropic Liquid Crystall
ine Polymers、 14″ ) に示さ
れる熱書き込み高分子液晶表示素子を挙げることができ
る。
しかしながら2この方法は読み取りとして光の散乱を利
用しているので、コントラストが悪く、かつ高分子化に
伴なう応答速度の遅れという問題もあって実用化には至
っていない。
用しているので、コントラストが悪く、かつ高分子化に
伴なう応答速度の遅れという問題もあって実用化には至
っていない。
前記高分子液晶デイスプレィの応答速度が遅いという欠
点に対して、特開昭6:l−72784号公報に示され
ているような強誘電性高分子液晶を用いることが試みら
れており、その結果従来の高分子液晶に対してかなりの
高速応答性が改善される。
点に対して、特開昭6:l−72784号公報に示され
ているような強誘電性高分子液晶を用いることが試みら
れており、その結果従来の高分子液晶に対してかなりの
高速応答性が改善される。
しかしながら、このような強誘電性高分子液晶において
も、大面積で9メモリー性のあるデイスプレィとして用
いるためには、S鱈1相におけるらせん構造の周期を長
くするように調整する必要がある。高分子液晶のらせん
構造の長周期化のための手法としては、Nえば特願昭5
2−122471号に示されるようならせん構造の向き
か逆の低分子液晶を配合する方法、あるいは側#I型嵩
高分子液晶おいて、らせん構造の向きが逆のモノマーを
共重合する方法等があり、これ等の方法によりらせん構
造の長周期化が行われている。
も、大面積で9メモリー性のあるデイスプレィとして用
いるためには、S鱈1相におけるらせん構造の周期を長
くするように調整する必要がある。高分子液晶のらせん
構造の長周期化のための手法としては、Nえば特願昭5
2−122471号に示されるようならせん構造の向き
か逆の低分子液晶を配合する方法、あるいは側#I型嵩
高分子液晶おいて、らせん構造の向きが逆のモノマーを
共重合する方法等があり、これ等の方法によりらせん構
造の長周期化が行われている。
しかしながら、低分子液晶を含有する強誘電性高分子液
晶は応答速度はかなり高速であるが、フィルム化した場
合の強度が、強誘電性高分子液晶化合物単独のフィルム
と比較してかなり低下する欠点を有している。更に、側
鎖型強誘電性高分子液晶においては、共重合によってら
せんの長周期化が行われているが、本来、強度が十分で
なく、また−軸配向を行うのに複雑な方法が必要とされ
ていた。
晶は応答速度はかなり高速であるが、フィルム化した場
合の強度が、強誘電性高分子液晶化合物単独のフィルム
と比較してかなり低下する欠点を有している。更に、側
鎖型強誘電性高分子液晶においては、共重合によってら
せんの長周期化が行われているが、本来、強度が十分で
なく、また−軸配向を行うのに複雑な方法が必要とされ
ていた。
[発明が解決しようとする課題]
本発明は、上記の様な従来例の問題点、特に大面積フィ
ルムにおいて配向が困難であることを改善し、高速応答
可能で、大面積フィルムにおいて良好な配向を与える高
分子液晶組成物およびそれを使用した高分子液晶素子を
提供することを目的とするものである。
ルムにおいて配向が困難であることを改善し、高速応答
可能で、大面積フィルムにおいて良好な配向を与える高
分子液晶組成物およびそれを使用した高分子液晶素子を
提供することを目的とするものである。
[課題を解決するための手段]
即ち、本発明は521a類以上の高分子液晶性化合物の
くり返し単位を含有する高分子液晶組成物において、カ
イラルネマチック相におけるらせん構造の巻き方向が互
いに逆の高分子液晶性化合物のくり返し単位を含有して
なることを特徴とする高分子液晶組成物5および該高分
子液晶組成物からなるフィルムの少なくとも片面に電極
を有することを特徴とする高分子液晶素子である。
くり返し単位を含有する高分子液晶組成物において、カ
イラルネマチック相におけるらせん構造の巻き方向が互
いに逆の高分子液晶性化合物のくり返し単位を含有して
なることを特徴とする高分子液晶組成物5および該高分
子液晶組成物からなるフィルムの少なくとも片面に電極
を有することを特徴とする高分子液晶素子である。
以下、本発明の詳細な説明する。
本発明は、2種類以上の高分子液晶性化合物のくり返し
単位を含有する高分子液晶組成物において2少なくとも
カイラルネマチック相、カイラルスメクチック相を有す
るものであり、該カイラルネマチック相におけるらせん
構造の巻き方向が逆のくり返し単位を含有し、フィルム
化した場合の高分子液晶組成物の膜厚の2倍以上のらせ
ん構造の周期とした高分子液晶組成物およびそれを用い
た高分子液晶素子に係るものである。
単位を含有する高分子液晶組成物において2少なくとも
カイラルネマチック相、カイラルスメクチック相を有す
るものであり、該カイラルネマチック相におけるらせん
構造の巻き方向が逆のくり返し単位を含有し、フィルム
化した場合の高分子液晶組成物の膜厚の2倍以上のらせ
ん構造の周期とした高分子液晶組成物およびそれを用い
た高分子液晶素子に係るものである。
本発明の高分子液晶組成物は、カイラルネマチック相よ
り低い温度領域にカイラルスメクチック相を有している
ものが好ましい。
り低い温度領域にカイラルスメクチック相を有している
ものが好ましい。
本発明において、高分子液晶における配向方法としては
、配向制御膜を用いる方法、液晶相でシェアを加える方
法、延伸を行う方法、磁場・電場を加える方法等がある
。
、配向制御膜を用いる方法、液晶相でシェアを加える方
法、延伸を行う方法、磁場・電場を加える方法等がある
。
第1図(a)、(b)は本発明の配向制御膜を用いた高
分子液晶素子の一例を示し、第1図(a)は本発明の高
分子液晶素子の平面図、第1図(b)はそのAA’線断
面図である。
分子液晶素子の一例を示し、第1図(a)は本発明の高
分子液晶素子の平面図、第1図(b)はそのAA’線断
面図である。
同第1図において5本発明の高分子液晶素子は、ガラス
板又はプラスチック板などからなる一対の基板1.1’
(少なくとも一方の基板が複屈折を有する)をスペーサ
4で所定の間隔に保持し、この一対の基板1.1′をシ
ーリングするために接着剤6で接着したセル構造を有し
ており2さらに基板lの上には複数の透明電極2からな
る電極群(例えば、マトリクス電極構造のうちの走査電
圧印加用電極群)が、例えば帯状パターンなどの所定パ
ターンで形成されている。また、基板1′の上には前述
の透明電極2と交差させた複数の透明電極2′からなる
電極群(例えば、マトリクス電極構造のうちの信号電圧
印加用電極群)が形成されている。
板又はプラスチック板などからなる一対の基板1.1’
(少なくとも一方の基板が複屈折を有する)をスペーサ
4で所定の間隔に保持し、この一対の基板1.1′をシ
ーリングするために接着剤6で接着したセル構造を有し
ており2さらに基板lの上には複数の透明電極2からな
る電極群(例えば、マトリクス電極構造のうちの走査電
圧印加用電極群)が、例えば帯状パターンなどの所定パ
ターンで形成されている。また、基板1′の上には前述
の透明電極2と交差させた複数の透明電極2′からなる
電極群(例えば、マトリクス電極構造のうちの信号電圧
印加用電極群)が形成されている。
この様な透明電極2′を設けた基板1′には。
例えば、−酸化珪素、二酸化珪素、酸化アルミニウム、
ジルコニア、フッ化マグネシウム、酸化セリウム、フッ
化セリウム、シリコン窒化物。シリコン炭化物、ホウ素
窒化物などの無機絶縁物質やポリビニルアルコール、ポ
リイミド、ポリアミドイミド、ポリエステルイミド、ポ
リバラキシシリン。ポリエステル、ポリカーボネート、
ポリビニルアセタール、ポリ塩化ビニル、ポリアミド、
ポリスチレン2セルロース樹脂、メラミン樹脂、ユリア
樹脂やアクリル横1などの有機絶縁物質を用いて被膜形
成した配向制御s5を設けてもよい。
ジルコニア、フッ化マグネシウム、酸化セリウム、フッ
化セリウム、シリコン窒化物。シリコン炭化物、ホウ素
窒化物などの無機絶縁物質やポリビニルアルコール、ポ
リイミド、ポリアミドイミド、ポリエステルイミド、ポ
リバラキシシリン。ポリエステル、ポリカーボネート、
ポリビニルアセタール、ポリ塩化ビニル、ポリアミド、
ポリスチレン2セルロース樹脂、メラミン樹脂、ユリア
樹脂やアクリル横1などの有機絶縁物質を用いて被膜形
成した配向制御s5を設けてもよい。
この配向制御膜5は、前述の如き無機絶縁物質又は有機
絶縁物質を被膜形成した後に、その表面をビロード、布
や紙で一方向に摺擦(ラビング)することによって得ら
れる。
絶縁物質を被膜形成した後に、その表面をビロード、布
や紙で一方向に摺擦(ラビング)することによって得ら
れる。
また、他にSiOや5inlIなどの無機絶縁物質を基
板1′の上に斜め蒸着法によって被膜形成することによ
って配向制御膜5を得ることもできる。
板1′の上に斜め蒸着法によって被膜形成することによ
って配向制御膜5を得ることもできる。
また、さらに別の具体例ではガラス又はプラスチックか
らなる基板1′の表面あるいは基板1′の上に前述した
無機絶縁物質や有機絶縁物質を被膜形成した後に、該被
膜の表面を斜方エツチング法によりエツチングすること
により、その表面に配向制御効果を付与することができ
る。
らなる基板1′の表面あるいは基板1′の上に前述した
無機絶縁物質や有機絶縁物質を被膜形成した後に、該被
膜の表面を斜方エツチング法によりエツチングすること
により、その表面に配向制御効果を付与することができ
る。
配向制御1lI5の膜厚は一般に 100人〜1終−2
好ましくは500λ〜5000人の範囲に設定すること
ができる。この絶縁層は液晶層3に微量に含有される不
純物等のために生ずる電流の発生を防止できる利点をも
有しており、従って動作を繰り返し行っても高分子液晶
化合物を劣化させることがない。
好ましくは500λ〜5000人の範囲に設定すること
ができる。この絶縁層は液晶層3に微量に含有される不
純物等のために生ずる電流の発生を防止できる利点をも
有しており、従って動作を繰り返し行っても高分子液晶
化合物を劣化させることがない。
また1本発明の高分子液晶素子では前述の配向制御!I
Isと同様のものをもう一方の基板lに設けることがで
きる。7は偏光子、8は検光子を示す。
Isと同様のものをもう一方の基板lに設けることがで
きる。7は偏光子、8は検光子を示す。
その他の配向法としては、−軸延伸、二輌延伸、インフ
レーション延伸等の延伸法やシェアソングによる再配列
が行われる。単独ではフィルム性がなく延伸が困難なも
のはフィルムにサンドイッチすることで共延伸すること
ができる。
レーション延伸等の延伸法やシェアソングによる再配列
が行われる。単独ではフィルム性がなく延伸が困難なも
のはフィルムにサンドイッチすることで共延伸すること
ができる。
また、磁場・電場による配向も行なわれ、前記の他の配
向方法と組み合わせることも可能である。
向方法と組み合わせることも可能である。
以上のような配向方法を高分子液晶に対して用いる場合
において、高分子液晶は低分子液晶に比較して液晶相に
おける粘度が高く、配向に時間がかかる上に、十分な配
向を得ることも困難であった。このような問題を避ける
ためには2出来るだけ高温で配向処理することが望まし
いが、非液晶相においては前記配向法の効果が少なくな
る欠点があった。したかって、最も粘度の低い配向性の
よい液晶相としてはネマチック相が好ましいが。
において、高分子液晶は低分子液晶に比較して液晶相に
おける粘度が高く、配向に時間がかかる上に、十分な配
向を得ることも困難であった。このような問題を避ける
ためには2出来るだけ高温で配向処理することが望まし
いが、非液晶相においては前記配向法の効果が少なくな
る欠点があった。したかって、最も粘度の低い配向性の
よい液晶相としてはネマチック相が好ましいが。
カイラルスメクチック相で用いるために必要な光学活性
基の影響でらせん構造を持つカイラルネマチック相とな
ってしまう、このらせん構造は、高分子液晶を一軸配向
させるためには好ましくなく、配向処理の効果が阻害さ
れる問題点を有している。また、−度、−軸配向させた
ものであってもカイラルネマチック相での緩和によりら
せん構造が生じて、−軸配向性がなくなってしまう欠点
があった。
基の影響でらせん構造を持つカイラルネマチック相とな
ってしまう、このらせん構造は、高分子液晶を一軸配向
させるためには好ましくなく、配向処理の効果が阻害さ
れる問題点を有している。また、−度、−軸配向させた
ものであってもカイラルネマチック相での緩和によりら
せん構造が生じて、−軸配向性がなくなってしまう欠点
があった。
このカイラルネマチック相におけるらせん構造は、実際
に用いるところのカイラルスメクチック相への転移に′
おいて配向欠陥を生じさせる原因となり、良好な配向が
得られなかった。
に用いるところのカイラルスメクチック相への転移に′
おいて配向欠陥を生じさせる原因となり、良好な配向が
得られなかった。
これに対して、2種類以上の高分子液晶性化合物のくり
返し単位を含有してなる高分子液晶において、カイラル
ネマチック相におけるらせん構造の巻き方向が逆の高分
子液晶性化合物のくり返し単位を含有することによって
、カイラルネマチック相のらせん構造の周期を長くし、
良好な配向性を得ることが可能となった。
返し単位を含有してなる高分子液晶において、カイラル
ネマチック相におけるらせん構造の巻き方向が逆の高分
子液晶性化合物のくり返し単位を含有することによって
、カイラルネマチック相のらせん構造の周期を長くし、
良好な配向性を得ることが可能となった。
カイラルネマチック相のらせん構造の周期は、用いられ
る高分子液晶のフィルムの膜厚の2倍以上で用いられる
。より好ましくは、膜厚の4倍以上である。2倍未満で
は配向処理の効果が小さく、また緩和によるらせん構造
の発生等によってカイラルスメクチック相における配向
欠陥が生じやすくなる。
る高分子液晶のフィルムの膜厚の2倍以上で用いられる
。より好ましくは、膜厚の4倍以上である。2倍未満で
は配向処理の効果が小さく、また緩和によるらせん構造
の発生等によってカイラルスメクチック相における配向
欠陥が生じやすくなる。
次に1本発明において用いられる高分子液晶としては、
側鎖型高分子液晶性化合物および主鎖型高分子液晶性化
合物等をWいることができる。側鎖型高分子液晶性化合
物としては、下記の式(1)〜(12)に示すようなも
のが挙げられる。(但し。
側鎖型高分子液晶性化合物および主鎖型高分子液晶性化
合物等をWいることができる。側鎖型高分子液晶性化合
物としては、下記の式(1)〜(12)に示すようなも
のが挙げられる。(但し。
式中2*は不斉炭素中心を示し、nm5〜1000であ
る) (鴎、x2〜10) (−3=2〜1s) (s、=2〜l5) (−=2〜l!II) (x+yxl。
る) (鴎、x2〜10) (−3=2〜1s) (s、=2〜l5) (−=2〜l!II) (x+yxl。
q−1〜to、 p、= L〜15)
(s、+m2〜Is)
(m、sa2〜15)
次に、
本発明の高分子液晶に用いることのできるメソーゲン基
の具体例を示すと、 次のようなも のが挙げられる。
の具体例を示すと、 次のようなも のが挙げられる。
j2+rn+n≦5
R+ m + n≦5
、e +m+ n≦5
υ
β、 n=0〜2
1≦β+n≦4
1)、 n=0〜2
1≦l+ n≦4
J?、 n=o〜2
1≦ρ+n≦4
1、 n=0〜2
1≦で+n≦4
1)、 n=o〜2
1≦β+n≦4
m、 n=0〜3
2≦m+n ≦4
m、 n=0〜3
2≦m+n ≦4
II、 n=o〜2
1≦f+n≦4
m 。
n=1〜2
1≦P +n≦4
m 。
n=1〜2
m 。
n=1〜2
m 。
nml 〜2
m=i 〜2
2≦2+m+n≦5
l
n=1〜2
m 。
n=1 へ3
次に、光学活性基の具体例を示すと、次のようなものが
挙げられる。
挙げられる。
mxo〜2
rn=2〜18
m=1〜2
2≦、2+m+ n≦5
C113
C(1゜
c i+。
C11゜
CH。
m=i 〜1O
n=2〜18
m=0〜10
n=1−S−11
0n=1−5
−18〜18
X=Cj)、F。
m=0〜■口
n=1−−18
B「
m=0〜1O
n=1〜18
X=CJ、F。
m=0〜10
n−1〜18
B「
m=1 〜10
n−1〜18
X、X’=Cj)、F、Br
47、nm=0〜10
C!13
rn=2〜18
右らせん
n=2〜18
右らせん
n=2〜18
右らせん
n=2〜18゜
X=Cj)、F、Br
右らせん
n=2〜18
左らせん
n=2〜18゜
X=Cj)、 F、 Br
右らせん
?113
−OCOよC11−(CI+□)1−〇n=2〜18
右らせん
n=2〜18
左らせん
n 冨 2〜18
左らせん
n=3〜18
左らせん
CHユ
次に。
本発明の高分子液晶の具体的な構造。
く
り返し単位の構造を以下に示す。
n=2〜18
左らせん
n=2〜18
左らせん
L
n=3〜18
左らせん
(m、=2〜15゜
x+y=1)
H3
Rユニ −C1ltCIHCH*→−
R,=→C1l□→−
(x+y工1.勧=2〜1s)
C;1゜
区
(x+y=l、an=2〜15)
(x+y=1.s、=2〜l5)
(a、〜1・〜5)
本発明の高分子液晶において、らせん構造の巻き方向が
互に逆の高分子液晶化合物のくり返し単位は、その一方
のくり返し単位が1〜99モル%、好ましくは10〜9
9モル%の範囲になるように含有して用いられ、くり返
し単位が萌記範囲以外の1モル%未満、□または99モ
ル%を越えると、らせん構造の長周期化を行うことが困
難となる。
互に逆の高分子液晶化合物のくり返し単位は、その一方
のくり返し単位が1〜99モル%、好ましくは10〜9
9モル%の範囲になるように含有して用いられ、くり返
し単位が萌記範囲以外の1モル%未満、□または99モ
ル%を越えると、らせん構造の長周期化を行うことが困
難となる。
また、光学活性基を含まないフレキシブル鎖を液晶相の
温度調整や粘度調整に用いることかできる。
温度調整や粘度調整に用いることかできる。
また2本発明の高分子液晶には2低分子液晶をブレンド
して使用することが可能であり、その場合らせん構造の
長周期化を行うために巻き方向を高分子液晶と逆となる
ように、もしくは、低分子液晶としてらせん構造がすで
に補償されている様に選択する必要がある。
して使用することが可能であり、その場合らせん構造の
長周期化を行うために巻き方向を高分子液晶と逆となる
ように、もしくは、低分子液晶としてらせん構造がすで
に補償されている様に選択する必要がある。
次に、ブレンドすることができるカイラル低分子液晶の
具体例を示すと1次のようなものか挙げられる。
具体例を示すと1次のようなものか挙げられる。
○らせんのねしれ方向か左のもの
Oらせんのねしれ方向が右のもの
末完(」の高分子液晶と低分子液晶の配合割合は、高分
子液晶が10重量%以上、好ましくは30重量%以上で
あることか望ましい。lUi量%未満では高分子特有の
成膜性が悪くなるので好ましない。
子液晶が10重量%以上、好ましくは30重量%以上で
あることか望ましい。lUi量%未満では高分子特有の
成膜性が悪くなるので好ましない。
上記の本発明の高分子液晶は、通常の溶液による塗布や
溶融状態での押し出1)、ロールコ−1・等の方法で容
易にフィルムを形成することかでき、得られた高分子液
晶のフィルムの少なくとも片面にITO等の透明電極を
設けることにより品分を液晶素子を得ることができる。
溶融状態での押し出1)、ロールコ−1・等の方法で容
易にフィルムを形成することかでき、得られた高分子液
晶のフィルムの少なくとも片面にITO等の透明電極を
設けることにより品分を液晶素子を得ることができる。
[実施例]
以下、実施例を示し本発明をさらに具体的に説明する。
実施例1
下記の構造式(1)、(INで表わされる高分子液晶化
合物のくり返し単位を共重合して含有せしめた高分子液
晶(x = 0.7. Mw= 8000)は、12
0〜130℃でカイラルネマチック相を示し、らせん構
造の周期は約6棒層であった。
合物のくり返し単位を共重合して含有せしめた高分子液
晶(x = 0.7. Mw= 8000)は、12
0〜130℃でカイラルネマチック相を示し、らせん構
造の周期は約6棒層であった。
この高分子液晶のシクロヘキサン溶液なPVAフィルム
上へバーコード法によって塗布し、乾燥後の厚み5体−
を得た。このフィルムを125℃で一軸延伸して約4倍
に延伸したところ、高分子液晶層の膜厚は2μ鳳となり
5欠陥のない良好な一軸配向モノドメインが得られた。
上へバーコード法によって塗布し、乾燥後の厚み5体−
を得た。このフィルムを125℃で一軸延伸して約4倍
に延伸したところ、高分子液晶層の膜厚は2μ鳳となり
5欠陥のない良好な一軸配向モノドメインが得られた。
この配向状態は、125℃から50℃まで冷却してS−
相としても安定であった。
相としても安定であった。
このフィルムを、たて loomm、よこ 2QOmm
のITO透明電極を設けたガラス基板に挟持し、100
Vの電圧を印加してクロスニコルてU測したところ、約
5:lのコントラストが得られた。さらに2±40Vの
電圧を印加したところ 120℃にて30−secで応
答した。
のITO透明電極を設けたガラス基板に挟持し、100
Vの電圧を印加してクロスニコルてU測したところ、約
5:lのコントラストが得られた。さらに2±40Vの
電圧を印加したところ 120℃にて30−secで応
答した。
70℃ tin℃
S−相一−−→Cトー−−→ lso。
比較例1
前記実施例1で用いた構造式(I)で表わされる高分子
液晶化合物のホモポリマーをPVAフィルム上へ塗布し
、180℃で延伸したが良好な配−1力を得られず、マ
ルチドメイン状態であった。
液晶化合物のホモポリマーをPVAフィルム上へ塗布し
、180℃で延伸したが良好な配−1力を得られず、マ
ルチドメイン状態であった。
ITO透明透明付極付ラス基板に挟持して、 100■
の直流電圧を印加し、クロスニコルで観測したところ、
コントラストは約1.5:lであり、明るさにムラかあ
った。
の直流電圧を印加し、クロスニコルで観測したところ、
コントラストは約1.5:lであり、明るさにムラかあ
った。
[発111の効果]
以上説明したように1本発明の高分子液晶組成物を用い
て素子化することにより、大面積フィルムにおいて配向
の良好な、コントラスト比の高い高分子液晶X子を容易
に得ることか可能となった。
て素子化することにより、大面積フィルムにおいて配向
の良好な、コントラスト比の高い高分子液晶X子を容易
に得ることか可能となった。
第1図は本発明の高分子液晶素子の一例を示し、第1図
(a)は高分子液晶素子の平面図、第1図(b)はその
AA’線断面図である。 1、l’・・・基板 2.2′・・・透明電極3
・・・液晶層 4・・・スペーサー5・・・
配向制御膜 6・−・vt着剤7・・・偏光子
8・・・検光子第1図 っ己向島所−1 2ff日月98
(a)は高分子液晶素子の平面図、第1図(b)はその
AA’線断面図である。 1、l’・・・基板 2.2′・・・透明電極3
・・・液晶層 4・・・スペーサー5・・・
配向制御膜 6・−・vt着剤7・・・偏光子
8・・・検光子第1図 っ己向島所−1 2ff日月98
Claims (4)
- (1)2種類以上の高分子液晶性化合物のくり返し単位
を含有する高分子液晶組成物において、カイラルネマチ
ック相におけるらせん構造の巻き方向が互いに逆の高分
子液晶性化合物のくり返し単位を含有してなることを特
徴とする高分子液晶組成物。 - (2)前記高分子液晶組成物がカイラルネマチック相よ
り低い温度領域にカイラルスメクチック相を有している
請求項1記載の高分子液晶組成物。 - (3)2種類以上の高分子液晶性化合物のくり返し単位
を含有する高分子液晶組成物において、カイラルネマチ
ック相におけるらせん構造の巻き方向が互いに逆の高分
子液晶性化合物のくり返し単位を含有してなる高分子液
晶組成物からなるフィルムの少なくとも片面に電極を有
することを特徴とする高分子液晶素子。 - (4)前記カイラルネマチック相におけるらせん構造の
周期が高分子液晶組成物からなるフィルムの膜厚の2倍
以上である請求項3記載の高分子液晶素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9178689A JPH02272090A (ja) | 1989-04-13 | 1989-04-13 | 高分子液晶組成物および高分子液晶素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9178689A JPH02272090A (ja) | 1989-04-13 | 1989-04-13 | 高分子液晶組成物および高分子液晶素子 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02272090A true JPH02272090A (ja) | 1990-11-06 |
Family
ID=14036284
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP9178689A Pending JPH02272090A (ja) | 1989-04-13 | 1989-04-13 | 高分子液晶組成物および高分子液晶素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02272090A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5206752A (en) * | 1990-05-18 | 1993-04-27 | Nippon Oil Company, Limited | Optical rotator formed of a twisted nematic liquid crystal polyster including an ortho-substituted aromatic unit |
EP1295929A2 (en) * | 2001-09-25 | 2003-03-26 | MERCK PATENT GmbH | Anisotropic polymer film |
WO2008001817A1 (en) * | 2006-06-27 | 2008-01-03 | Asahi Glass Company, Limited | Liquid crystal composition, liquid crystal optical element, and method for manufacturing liquid crystal optical element |
-
1989
- 1989-04-13 JP JP9178689A patent/JPH02272090A/ja active Pending
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5206752A (en) * | 1990-05-18 | 1993-04-27 | Nippon Oil Company, Limited | Optical rotator formed of a twisted nematic liquid crystal polyster including an ortho-substituted aromatic unit |
EP1295929A2 (en) * | 2001-09-25 | 2003-03-26 | MERCK PATENT GmbH | Anisotropic polymer film |
EP1295929A3 (en) * | 2001-09-25 | 2004-07-14 | MERCK PATENT GmbH | Anisotropic polymer film |
WO2008001817A1 (en) * | 2006-06-27 | 2008-01-03 | Asahi Glass Company, Limited | Liquid crystal composition, liquid crystal optical element, and method for manufacturing liquid crystal optical element |
US7864287B2 (en) | 2006-06-27 | 2011-01-04 | Asahi Glass Company, Limited | Liquid crystal composition, liquid crystal optical device, and method of producing liquid crystal optical device |
JP5242390B2 (ja) * | 2006-06-27 | 2013-07-24 | 旭硝子株式会社 | 液晶光学素子および液晶光学素子の製造方法 |
JP2013166950A (ja) * | 2006-06-27 | 2013-08-29 | Asahi Glass Co Ltd | 液晶組成物 |
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