JPH06214220A - 液晶表示装置 - Google Patents
液晶表示装置Info
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- JPH06214220A JPH06214220A JP710793A JP710793A JPH06214220A JP H06214220 A JPH06214220 A JP H06214220A JP 710793 A JP710793 A JP 710793A JP 710793 A JP710793 A JP 710793A JP H06214220 A JPH06214220 A JP H06214220A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】この発明は、可撓性基板を用いて基板を湾曲さ
せた曲面表示用アクティブマトリクス型液晶表示装置に
おいて、配線電極及びスイッチング素子の電極剥がれや
クラックによる電気的導通不良に起因する欠陥のない、
信頼性の高い液晶表示装置を提供することを目的とす
る。 【構成】この発明は、実質的に矩形状のスイッチング素
子の短辺に沿う方向に湾曲せしめること、およびまたは
対向する配線電極のうち線幅の広い配線電極に沿う方向
に湾曲せしめること、およびまたはスイッチング素子の
形成された基板を湾曲する基板の曲率中心とは反対側に
位置せしめること、即ち、基板上の電極パターンを曲げ
応力に強い方向に湾曲せしめることによって、上記目的
を達成することができる。
せた曲面表示用アクティブマトリクス型液晶表示装置に
おいて、配線電極及びスイッチング素子の電極剥がれや
クラックによる電気的導通不良に起因する欠陥のない、
信頼性の高い液晶表示装置を提供することを目的とす
る。 【構成】この発明は、実質的に矩形状のスイッチング素
子の短辺に沿う方向に湾曲せしめること、およびまたは
対向する配線電極のうち線幅の広い配線電極に沿う方向
に湾曲せしめること、およびまたはスイッチング素子の
形成された基板を湾曲する基板の曲率中心とは反対側に
位置せしめること、即ち、基板上の電極パターンを曲げ
応力に強い方向に湾曲せしめることによって、上記目的
を達成することができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は液晶表示装置に係わ
り、特に可撓性基板を用いて表示面を湾曲配置した液晶
表示装置に関する。
り、特に可撓性基板を用いて表示面を湾曲配置した液晶
表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、アクティブマトリクス型液晶表示
器をもちいた表示装置は、パーソナルコンピュータ、ワ
ードプロセッサ、各種ＯＡ用端末機器やＴＶ用画像表示
などの大容量の情報表示用途に使用されてきており、よ
り高画質な表示が求められている。アクティブマトリク
ス型液晶表示器のスイッチング素子としては各種のもの
が実用化されており、代表的には薄膜トランジスタを用
いたＴＦＴ型と非線形抵抗素子を用いたＭＩＭ型が挙げ
られる。この内、２端子型ＭＩＭ、即ち、金属−絶縁膜
−金属からなる非線形抵抗素子は構造が簡単で製造が容
易であることから多用化されつつある。このようなＭＩ
Ｍ型非線形抵抗素子の基本的な構造及び製造方法は特開
昭５５−１６１２７３号公報や特開昭５８−１７８３２
０号公報に示されている。即ち、図７に示すように、ガ
ラス基板１上に金属例えばＴａ膜３をスパッタリング法
や蒸着法により形成し、写真食刻法によりパターニング
し、一方向に延伸する配線とＭＩＭの片方の電極とが形
成される。次に、Ｔａ膜３を例えばクエン酸水溶液中で
陽極酸化法により化成し、酸化膜５を形成する。さらに
ＭＩＭのもう片方の電極として、例えばＣｒ膜６を同じ
く写真食刻法によりパターニング形成することにより、
ＭＩＭ素子が完成する。さらにＣｒ膜６の一部に重畳す
るように画素表示用の透明電極８を形成する。他方の基
板（図示せず）上には一方向に延伸する透明電極を形成
し、２枚の基板の一方向に延伸する電極同志が直交する
ように対向配置し、２枚の基板間には液晶層が注入され
る。スイッチング素子としてのＭＩＭ素子は上記交差部
に対応して配置されることになる。このようなアクティ
ブマトリクス型液晶表示器の基板としては、通常ガラス
板が用いられるので、表示面はフラットである。
器をもちいた表示装置は、パーソナルコンピュータ、ワ
ードプロセッサ、各種ＯＡ用端末機器やＴＶ用画像表示
などの大容量の情報表示用途に使用されてきており、よ
り高画質な表示が求められている。アクティブマトリク
ス型液晶表示器のスイッチング素子としては各種のもの
が実用化されており、代表的には薄膜トランジスタを用
いたＴＦＴ型と非線形抵抗素子を用いたＭＩＭ型が挙げ
られる。この内、２端子型ＭＩＭ、即ち、金属−絶縁膜
−金属からなる非線形抵抗素子は構造が簡単で製造が容
易であることから多用化されつつある。このようなＭＩ
Ｍ型非線形抵抗素子の基本的な構造及び製造方法は特開
昭５５−１６１２７３号公報や特開昭５８−１７８３２
０号公報に示されている。即ち、図７に示すように、ガ
ラス基板１上に金属例えばＴａ膜３をスパッタリング法
や蒸着法により形成し、写真食刻法によりパターニング
し、一方向に延伸する配線とＭＩＭの片方の電極とが形
成される。次に、Ｔａ膜３を例えばクエン酸水溶液中で
陽極酸化法により化成し、酸化膜５を形成する。さらに
ＭＩＭのもう片方の電極として、例えばＣｒ膜６を同じ
く写真食刻法によりパターニング形成することにより、
ＭＩＭ素子が完成する。さらにＣｒ膜６の一部に重畳す
るように画素表示用の透明電極８を形成する。他方の基
板（図示せず）上には一方向に延伸する透明電極を形成
し、２枚の基板の一方向に延伸する電極同志が直交する
ように対向配置し、２枚の基板間には液晶層が注入され
る。スイッチング素子としてのＭＩＭ素子は上記交差部
に対応して配置されることになる。このようなアクティ
ブマトリクス型液晶表示器の基板としては、通常ガラス
板が用いられるので、表示面はフラットである。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】近年、種々の電子機器
にアクティブマトリクス型液晶表示器が多用化されるに
伴い、電子機器の形状やデザイン上の問題、あるいは省
スペースの問題などから曲面表示用液晶表示器が要求さ
れるようになってきた。このような曲面表示に対して、
従来のガラス基板ではガラスを予め曲面状に成型してお
くしかないが、曲面状の基板上へのスイッチング素子の
高精度の形成や基板間距離の一定化など製造面からは実
用できない。
にアクティブマトリクス型液晶表示器が多用化されるに
伴い、電子機器の形状やデザイン上の問題、あるいは省
スペースの問題などから曲面表示用液晶表示器が要求さ
れるようになってきた。このような曲面表示に対して、
従来のガラス基板ではガラスを予め曲面状に成型してお
くしかないが、曲面状の基板上へのスイッチング素子の
高精度の形成や基板間距離の一定化など製造面からは実
用できない。
【０００４】そこで、可撓性の基板を用いることが考え
られる。光学表示である液晶表示器では、光学的に等方
なことが要求されるので、２軸延伸のポリエステルフィ
ルム（ＰＥＴ）などは使用できない。光学軸がフィルム
面内で変化しないような１軸延伸のポリエステルフィル
ム（ＰＥＴ）やポリエーテルサルフォン（ＰＥＳ）を用
いることができる。例えば、ＰＥＳはガラス転移点が２
００℃以上、連続１８０℃の高温で変化せず、透明で耐
薬品性に優れているところから、１００乃至３００μｍ
のものを用いることができる。しかしながら、実際にス
イッチング素子としての、例えば、ＭＩＭ素子に必要な
数千オングストロームの厚さで数十μｍの幅で、長さ数
ｃｍ以上の一方向に延伸する金属配線をこの可撓性基板
フィルム上に形成し、金属配線の延伸する方向に湾曲さ
せてみると、数ｍｍから数ｃｍ程度の曲率半径で金属配
線の長手方向で剥がれが発生する。同様なパターンを透
明電極（ＩＴＯ）で形成し同じく湾曲させた場合は良く
密着しており剥がれは生じなかった。即ち、一方向に延
伸する金属配線の延伸する方向に湾曲させると金属配線
の剥がれが多発する。しかも、これは大画面、高精細の
ものほど顕著であった。
られる。光学表示である液晶表示器では、光学的に等方
なことが要求されるので、２軸延伸のポリエステルフィ
ルム（ＰＥＴ）などは使用できない。光学軸がフィルム
面内で変化しないような１軸延伸のポリエステルフィル
ム（ＰＥＴ）やポリエーテルサルフォン（ＰＥＳ）を用
いることができる。例えば、ＰＥＳはガラス転移点が２
００℃以上、連続１８０℃の高温で変化せず、透明で耐
薬品性に優れているところから、１００乃至３００μｍ
のものを用いることができる。しかしながら、実際にス
イッチング素子としての、例えば、ＭＩＭ素子に必要な
数千オングストロームの厚さで数十μｍの幅で、長さ数
ｃｍ以上の一方向に延伸する金属配線をこの可撓性基板
フィルム上に形成し、金属配線の延伸する方向に湾曲さ
せてみると、数ｍｍから数ｃｍ程度の曲率半径で金属配
線の長手方向で剥がれが発生する。同様なパターンを透
明電極（ＩＴＯ）で形成し同じく湾曲させた場合は良く
密着しており剥がれは生じなかった。即ち、一方向に延
伸する金属配線の延伸する方向に湾曲させると金属配線
の剥がれが多発する。しかも、これは大画面、高精細の
ものほど顕著であった。
【０００５】この発明は、以上の問題に鑑みてなされた
もので、可撓性基板を用いて表示面を湾曲させた大画
面、高精細の表示でも電極剥がれのないスイッチング素
子をもちいた高性能の液晶表示装置を提供することを目
的とする。
もので、可撓性基板を用いて表示面を湾曲させた大画
面、高精細の表示でも電極剥がれのないスイッチング素
子をもちいた高性能の液晶表示装置を提供することを目
的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、第１の方向に
延伸する配線電極が表面に形成された第１の可撓性基板
と、前記第１の方向とは直交する第２の方向に延伸する
配線電極が表面に形成された第２の可撓性基板と、前記
第１の可撓性基板と第２の可撓性基板の配線電極が直交
するように対向配置され前記透明電極が直交する部分に
形成されたスイッチング素子と、前記対向配置された第
１の可撓性基板と第２の可撓性基板の間に挟持された液
晶層とを少なくとも備えた液晶表示装置において、可撓
性基板を湾曲させる時、その湾曲方向をスイッチング素
子の実質的に矩形状の短辺方向と一致させること、ある
いは、その湾曲方向を線幅の大きい方の配線電極の延伸
する方向と一致させること、さらには、スイッチング素
子が形成された可撓性基板を湾曲する曲率中心とは反対
側に位置せしめることによって、上記目的を達成するも
のである。
延伸する配線電極が表面に形成された第１の可撓性基板
と、前記第１の方向とは直交する第２の方向に延伸する
配線電極が表面に形成された第２の可撓性基板と、前記
第１の可撓性基板と第２の可撓性基板の配線電極が直交
するように対向配置され前記透明電極が直交する部分に
形成されたスイッチング素子と、前記対向配置された第
１の可撓性基板と第２の可撓性基板の間に挟持された液
晶層とを少なくとも備えた液晶表示装置において、可撓
性基板を湾曲させる時、その湾曲方向をスイッチング素
子の実質的に矩形状の短辺方向と一致させること、ある
いは、その湾曲方向を線幅の大きい方の配線電極の延伸
する方向と一致させること、さらには、スイッチング素
子が形成された可撓性基板を湾曲する曲率中心とは反対
側に位置せしめることによって、上記目的を達成するも
のである。
【０００７】
【作用】アクティブマトリクス型液晶表示装置では、画
素をアドレスするために、上下基板上には互いに直交す
るようにストライプ状の配線電極が形成される。そして
スイッチング素子は、２枚の基板の一対の配線電極の直
交交差する対応部分に形成される。今、液晶表示装置を
２枚の基板の配線電極の一方に沿って湾曲させる場合、
曲げ剥がれに対して強い方に沿って湾曲させれば剥がれ
不良に対する効果は高い。例えば、ＭＩＭ素子の場合、
基板側の金属電極となるＴａは金属膜の内部応力が大き
く、且つ厚みのわりには幅が狭い。このため、図１に示
すように、対向基板上の透明電極（ＩＴＯ）パターン８
の向きの矢印１０に沿って湾曲させた方がアレイ基板の
配線電極３の向きの矢印１１に沿って湾曲させるよりも
剥がれは少ない。実際に、前者の場合、曲率半径１０ｍ
ｍで剥がれは生じないのに対し、後者は曲率半径５０ｍ
ｍで剥がれが生じた。
素をアドレスするために、上下基板上には互いに直交す
るようにストライプ状の配線電極が形成される。そして
スイッチング素子は、２枚の基板の一対の配線電極の直
交交差する対応部分に形成される。今、液晶表示装置を
２枚の基板の配線電極の一方に沿って湾曲させる場合、
曲げ剥がれに対して強い方に沿って湾曲させれば剥がれ
不良に対する効果は高い。例えば、ＭＩＭ素子の場合、
基板側の金属電極となるＴａは金属膜の内部応力が大き
く、且つ厚みのわりには幅が狭い。このため、図１に示
すように、対向基板上の透明電極（ＩＴＯ）パターン８
の向きの矢印１０に沿って湾曲させた方がアレイ基板の
配線電極３の向きの矢印１１に沿って湾曲させるよりも
剥がれは少ない。実際に、前者の場合、曲率半径１０ｍ
ｍで剥がれは生じないのに対し、後者は曲率半径５０ｍ
ｍで剥がれが生じた。
【０００８】さらに、図２に示すように、ＭＩＭ素子９
の矩形状の幅Ｗ１とＷ２、即ち、Ｔａ電極３の幅Ｗ１を
６μｍとし、Ｔｉ電極６の幅Ｗ２を４μｍとして形成し
たところ、Ｔｉ電極６の配線方向である矢印１３の方向
に沿う湾曲は、Ｔａ電極３の配線方向である矢印１２の
方向に沿う湾曲に比較して、圧倒的に剥がれ易かった。
また、基板を湾曲させるとき、湾曲の曲率中心側の基
板上の湾曲方向に沿う電極には全て発散応力が働き剥が
れが生じ易くなる。剥がれにまで至らなくてもクラック
が生じ電気的導通が損なわれると、液晶表示装置として
致命的な欠陥となる。これに対して、湾曲の曲率中心と
は反対側の基板上の湾曲方向に沿う電極には全て圧縮応
力が働き、従って、湾曲の曲率中心側の基板上の湾曲方
向に沿う電極よりは剥がれやクラックの危険性ははるか
に少なくなる。
の矩形状の幅Ｗ１とＷ２、即ち、Ｔａ電極３の幅Ｗ１を
６μｍとし、Ｔｉ電極６の幅Ｗ２を４μｍとして形成し
たところ、Ｔｉ電極６の配線方向である矢印１３の方向
に沿う湾曲は、Ｔａ電極３の配線方向である矢印１２の
方向に沿う湾曲に比較して、圧倒的に剥がれ易かった。
また、基板を湾曲させるとき、湾曲の曲率中心側の基
板上の湾曲方向に沿う電極には全て発散応力が働き剥が
れが生じ易くなる。剥がれにまで至らなくてもクラック
が生じ電気的導通が損なわれると、液晶表示装置として
致命的な欠陥となる。これに対して、湾曲の曲率中心と
は反対側の基板上の湾曲方向に沿う電極には全て圧縮応
力が働き、従って、湾曲の曲率中心側の基板上の湾曲方
向に沿う電極よりは剥がれやクラックの危険性ははるか
に少なくなる。
【０００９】この結果、基板の湾曲方向に対して、予め
配線電極やスイッチング素子のパターン方向を適切に選
択設計しておく必要がある。即ち、一方の基板上に形成
されたスイッチング素子を構成する部分が実質的に矩形
状であり、その矩形状の短辺に沿う方向を湾曲方向と一
致させれば良い。また、２枚の基板の配線電極の内、電
極幅の広い方の配線方向に沿う方向を湾曲方向と一致さ
せれば良い。さらにはスイッチング素子が形成された基
板は、湾曲の曲率中心とは反対側に配置すると良い。
配線電極やスイッチング素子のパターン方向を適切に選
択設計しておく必要がある。即ち、一方の基板上に形成
されたスイッチング素子を構成する部分が実質的に矩形
状であり、その矩形状の短辺に沿う方向を湾曲方向と一
致させれば良い。また、２枚の基板の配線電極の内、電
極幅の広い方の配線方向に沿う方向を湾曲方向と一致さ
せれば良い。さらにはスイッチング素子が形成された基
板は、湾曲の曲率中心とは反対側に配置すると良い。
【００１０】
【実施例】以下に本発明の実施例について、アクティブ
マトリクス型液晶表示装置のスイッチング素子としてＭ
ＩＭを適用した例を挙げて図３および図４を用いて詳細
に説明する。まず、図３（ａ）に示すように、例えば、
低温スパッターで形成した二酸化シリコンのアンダーコ
ート膜を表面部に備えた０．２ｍｍ厚のポリエーテルサ
ルフォンフィルム基板１の上に、３０００オングストロ
ームのＴａからなる薄膜３をスパッタ法で形成する。次
に、薄膜３上にポジタイプのフォトレジスト膜を全面塗
布した後、フォトマスクを用いて露光し、現像してレジ
ストパターン４ａを形成する。続いて、ケミカルドライ
エッチング法により薄膜３のエッチングを行なう。ここ
では、ＣＦ４とＯ２ガスを等量混合したプラズマ中でエ
ッチングを行ない、パターン周辺のエッジ部にテーパ形
状が形成される。引き続き、図３（ｂ）に示すように、
レジストパターン４ａを除去した後、Ｔａからなる薄膜
パターン３を陽極とし、白金メッシュ板を陰極として、
１重量％硼酸アンモニウム水溶液の電解液中で陽極酸化
を行ない、電圧を制御することによってＴａからなる薄
膜パターン３の表面上に絶縁体層５を所望の厚さに形成
する。例えば、４８Ｖの電圧印加で約８００オングスト
ロームの絶縁体層が得られた。電解液に対し、露出して
いるＴａでは、膜厚約３２０オングストロームの金属が
膜厚約８００オングストロームの五酸化タンタルに変化
する。次に、図３（ｃ）に示すように、全面に膜厚約１
２００オングストロームのＴｉからなる薄膜６をスパッ
タ法で形成する。このＴｉからなる薄膜６の上に、再度
ポジタイプのフォトレジスト膜を全面塗布した後、フォ
トマスクを用いて露光し、現像してレジストパターン４
ｂを形成する。続いて、エチレンジアミン・テトラ・ア
セティック・アシッド９ｇと水４００ｃｃ、過酸化水素
２１６ｃｃ、アンモニア水３０ｍｌの割合で混合し、室
温に保ってＴｉからなる薄膜６をエッチングし、残った
レジストパターン４ｂを除去する。これにより、ＭＩＭ
素子のうち基板に遠い側の上部電極が形成される。次
に、図３（ｄ）に示すように、全面に膜厚約１０００オ
ングストロームのＩＴＯからなる透明導電膜７をスパッ
タ法で形成する。この透明導電膜７の上に、再度ポジタ
イプのフォトレジスト膜を全面塗布した後、フォトマス
クを用いて露光し、現像してレジストパターン４ｃを形
成する。続いて、水、塩酸、硝酸を容量比１：１：０．
１の割合で混合し、３０℃に加熱したエッチング液によ
りエッチングし、ＩＴＯパターン８を形成する。このよ
うにして、図３（ｅ）及び図４に示すように、ＭＩＭ素
子９を含むアレイ基板が形成される。
マトリクス型液晶表示装置のスイッチング素子としてＭ
ＩＭを適用した例を挙げて図３および図４を用いて詳細
に説明する。まず、図３（ａ）に示すように、例えば、
低温スパッターで形成した二酸化シリコンのアンダーコ
ート膜を表面部に備えた０．２ｍｍ厚のポリエーテルサ
ルフォンフィルム基板１の上に、３０００オングストロ
ームのＴａからなる薄膜３をスパッタ法で形成する。次
に、薄膜３上にポジタイプのフォトレジスト膜を全面塗
布した後、フォトマスクを用いて露光し、現像してレジ
ストパターン４ａを形成する。続いて、ケミカルドライ
エッチング法により薄膜３のエッチングを行なう。ここ
では、ＣＦ４とＯ２ガスを等量混合したプラズマ中でエ
ッチングを行ない、パターン周辺のエッジ部にテーパ形
状が形成される。引き続き、図３（ｂ）に示すように、
レジストパターン４ａを除去した後、Ｔａからなる薄膜
パターン３を陽極とし、白金メッシュ板を陰極として、
１重量％硼酸アンモニウム水溶液の電解液中で陽極酸化
を行ない、電圧を制御することによってＴａからなる薄
膜パターン３の表面上に絶縁体層５を所望の厚さに形成
する。例えば、４８Ｖの電圧印加で約８００オングスト
ロームの絶縁体層が得られた。電解液に対し、露出して
いるＴａでは、膜厚約３２０オングストロームの金属が
膜厚約８００オングストロームの五酸化タンタルに変化
する。次に、図３（ｃ）に示すように、全面に膜厚約１
２００オングストロームのＴｉからなる薄膜６をスパッ
タ法で形成する。このＴｉからなる薄膜６の上に、再度
ポジタイプのフォトレジスト膜を全面塗布した後、フォ
トマスクを用いて露光し、現像してレジストパターン４
ｂを形成する。続いて、エチレンジアミン・テトラ・ア
セティック・アシッド９ｇと水４００ｃｃ、過酸化水素
２１６ｃｃ、アンモニア水３０ｍｌの割合で混合し、室
温に保ってＴｉからなる薄膜６をエッチングし、残った
レジストパターン４ｂを除去する。これにより、ＭＩＭ
素子のうち基板に遠い側の上部電極が形成される。次
に、図３（ｄ）に示すように、全面に膜厚約１０００オ
ングストロームのＩＴＯからなる透明導電膜７をスパッ
タ法で形成する。この透明導電膜７の上に、再度ポジタ
イプのフォトレジスト膜を全面塗布した後、フォトマス
クを用いて露光し、現像してレジストパターン４ｃを形
成する。続いて、水、塩酸、硝酸を容量比１：１：０．
１の割合で混合し、３０℃に加熱したエッチング液によ
りエッチングし、ＩＴＯパターン８を形成する。このよ
うにして、図３（ｅ）及び図４に示すように、ＭＩＭ素
子９を含むアレイ基板が形成される。
【００１１】次に、上記アレイ基板に用いたと同じポリ
エーテルサルフォンフィルム基板上に上記と同様の手法
で、一方向に延伸する配線電極としてのＩＴＯパターン
電極を形成する。これらのようにして準備された両基板
は、ポリイミド樹脂からなる配向膜を塗布、焼成し、液
晶配向を規制するために一方向に沿ったラビング処理を
行なう。次いで、両基板の配線電極が対向し、配線電極
が互いに９０度を成すように直交させ、且つ両基板の間
隔を５〜１０μｍに保持して基板周辺部を接着剤により
一部の液晶注入口を除いてシールする（図示せず）。そ
して液晶注入口より、例えばＴＮ型液晶材を真空注入法
により注入し、最後に液晶注入口もシールする。さら
に、両基板の外側にラビング方向に沿って互いに９０度
直交するように偏光板を装着することにより、９０度捩
じれのＴＮ型アクティブマトリクス型液晶表示装置が完
成する。
エーテルサルフォンフィルム基板上に上記と同様の手法
で、一方向に延伸する配線電極としてのＩＴＯパターン
電極を形成する。これらのようにして準備された両基板
は、ポリイミド樹脂からなる配向膜を塗布、焼成し、液
晶配向を規制するために一方向に沿ったラビング処理を
行なう。次いで、両基板の配線電極が対向し、配線電極
が互いに９０度を成すように直交させ、且つ両基板の間
隔を５〜１０μｍに保持して基板周辺部を接着剤により
一部の液晶注入口を除いてシールする（図示せず）。そ
して液晶注入口より、例えばＴＮ型液晶材を真空注入法
により注入し、最後に液晶注入口もシールする。さら
に、両基板の外側にラビング方向に沿って互いに９０度
直交するように偏光板を装着することにより、９０度捩
じれのＴＮ型アクティブマトリクス型液晶表示装置が完
成する。
【００１２】次に、この液晶表示装置の基板の湾曲方向
について、図５及び図６を用いて説明する。図５は、１
画素と対向基板上の対向電極の配置関係を重ねて示すも
のである。図５において、斜線部分で示すＭＩＭ素子部
９は長辺方向の幅Ｗ１が６μｍ、短辺方向の幅Ｗ２が４
μｍの矩形状をなしている。また、配線電極であるＴａ
パターン３の線幅Ｗ３が２０μｍであるのに対し、対向
基板上の配線電極であるＩＴＯパターン７の線幅Ｗ４は
２５０μｍであり、Ｔａパターン３とＩＴＯパターン７
のうち、一方が走査信号供給配線、他方がデータ信号供
給配線として機能する。
について、図５及び図６を用いて説明する。図５は、１
画素と対向基板上の対向電極の配置関係を重ねて示すも
のである。図５において、斜線部分で示すＭＩＭ素子部
９は長辺方向の幅Ｗ１が６μｍ、短辺方向の幅Ｗ２が４
μｍの矩形状をなしている。また、配線電極であるＴａ
パターン３の線幅Ｗ３が２０μｍであるのに対し、対向
基板上の配線電極であるＩＴＯパターン７の線幅Ｗ４は
２５０μｍであり、Ｔａパターン３とＩＴＯパターン７
のうち、一方が走査信号供給配線、他方がデータ信号供
給配線として機能する。
【００１３】図６（ａ）は、図５のＡ−Ａ線に沿う断面
を示し、同じく図６（ｂ）は、図５のＢ−Ｂ線に沿う断
面をそれぞれ示す。即ち、ＭＩＭ素子９の短辺方向と、
配線電極のうちより線幅の広いＩＴＯパターン７に沿う
Ａ−Ａ線に平行な方向に、基板は約３０ｃｍの曲率半径
を以て湾曲されているのに対し、Ｂ−Ｂ線に沿う方向は
フラットである。さらに、ＭＩＭ素子の形成された基板
１は対向基板２に対し湾曲の曲率中心とは反対側に位置
している。
を示し、同じく図６（ｂ）は、図５のＢ−Ｂ線に沿う断
面をそれぞれ示す。即ち、ＭＩＭ素子９の短辺方向と、
配線電極のうちより線幅の広いＩＴＯパターン７に沿う
Ａ−Ａ線に平行な方向に、基板は約３０ｃｍの曲率半径
を以て湾曲されているのに対し、Ｂ−Ｂ線に沿う方向は
フラットである。さらに、ＭＩＭ素子の形成された基板
１は対向基板２に対し湾曲の曲率中心とは反対側に位置
している。
【００１４】この実施例の液晶表示装置を駆動させた
が、配線電極及びＭＩＭ素子の電極剥がれやクラックに
よる電気的導通不良に起因する欠陥は何等認められなか
った。以上の実施例では、スイッチング素子としてＭＩ
Ｍ素子を適用したアクティブマトリクス型液晶表示装置
について説明したが、本発明はこれに捕われず薄膜トラ
ンジスタを用いたアクティブマトリクス型液晶表示装置
にも適用し得る。
が、配線電極及びＭＩＭ素子の電極剥がれやクラックに
よる電気的導通不良に起因する欠陥は何等認められなか
った。以上の実施例では、スイッチング素子としてＭＩ
Ｍ素子を適用したアクティブマトリクス型液晶表示装置
について説明したが、本発明はこれに捕われず薄膜トラ
ンジスタを用いたアクティブマトリクス型液晶表示装置
にも適用し得る。
【００１５】
【発明の効果】以上述べたように、この発明による可撓
性基板を湾曲した曲面表示面を有する液晶表示装置は、
実質的に矩形状のスイッチング素子の短辺に沿う方向に
湾曲せしめること、およびまたは対向する配線電極のう
ち線幅の広い配線電極に沿う方向に湾曲せしめること、
およびまたはスイッチング素子の形成された基板を湾曲
する基板の曲率中心とは反対側に位置せしめること、即
ち、基板上の電極パターンを曲げ応力に強い方向に湾曲
せしめることによって、配線電極及びスイッチング素子
の電極剥がれやクラックによる電気的導通不良に起因す
る欠陥のない、信頼性の高い曲面表示用の液晶表示装置
に有効である。
性基板を湾曲した曲面表示面を有する液晶表示装置は、
実質的に矩形状のスイッチング素子の短辺に沿う方向に
湾曲せしめること、およびまたは対向する配線電極のう
ち線幅の広い配線電極に沿う方向に湾曲せしめること、
およびまたはスイッチング素子の形成された基板を湾曲
する基板の曲率中心とは反対側に位置せしめること、即
ち、基板上の電極パターンを曲げ応力に強い方向に湾曲
せしめることによって、配線電極及びスイッチング素子
の電極剥がれやクラックによる電気的導通不良に起因す
る欠陥のない、信頼性の高い曲面表示用の液晶表示装置
に有効である。
【図１】この発明の作用を説明するための模式図。
【図２】この発明の作用を説明するための模式図。
【図３】この発明の実施例の製造工程を説明するための
工程分解図。
工程分解図。
【図４】図３の平面を示す平面図。
【図５】この発明の実施例の電極配置を示す平面図。
【図６】図５のＡ−Ａ線、Ｂ−Ｂ線に沿う断面をしめす
断面図。
断面図。
【図７】スイッチング素子としてのＭＩＭ素子の構造を
示す断面図。
示す断面図。
１…基板 ２…基板 ３…Ｔａ電極 ５…絶縁体層 ６…Ｔｉ電極 ７…ＩＴＯ電極 ８…ＩＴＯ電極 ９…ＭＩＭ素子 １４…液晶層
Claims (3)
- 【請求項１】 第１の方向に延伸する配線電極が表面に
形成された第１の可撓性基板と、前記第１の方向とは直
交する第２の方向に延伸する配線電極が表面に形成され
た第２の可撓性基板と、前記第１の可撓性基板と第２の
可撓性基板の配線電極が直交するように対向配置され前
記配線電極が直交する部分に形成された実質的に矩形状
のスイッチング素子と、前記対向配置された第１の可撓
性基板と第２の可撓性基板の間に挟持された液晶層とを
少なくとも備えた液晶表示装置において、前記２枚の可
撓性基板は前記第１の方向または第２の方向のいずれか
の方向に沿って湾曲配置され、その湾曲方向が前記スイ
ッチング素子の矩形状の短辺方向と一致することを特徴
とする液晶表示装置。 - 【請求項２】 第１の方向に延伸する配線電極が表面に
形成された第１の可撓性基板と、前記第１の方向とは直
交する第２の方向に延伸する配線電極が表面に形成され
た第２の可撓性基板と、前記第１の可撓性基板と第２の
可撓性基板の配線電極が直交するように対向配置され前
記配線電極が直交する部分に形成されたスイッチング素
子と、前記対向配置された第１の可撓性基板と第２の可
撓性基板の間に挟持された液晶層とを少なくとも備えた
液晶表示装置において、前記第１の方向に延伸する配線
電極の線幅と前記第２の方向に延伸する配線電極の線幅
とは異なっており、前記２枚の可撓性基板は前記第１の
方向または第２の方向のいずれかの方向に沿って湾曲配
置され、その湾曲方向が前記線幅の大きい方の配線電極
の延伸する方向と一致することを特徴とする液晶表示装
置。 - 【請求項３】 第１の方向に延伸する配線電極が表面に
形成された第１の可撓性基板と、前記第１の方向とは直
交する第２の方向に延伸する配線電極が表面に形成され
た第２の可撓性基板と、前記第１の可撓性基板と第２の
可撓性基板の配線電極が直交するように対向配置され前
記配線電極が直交する部分に形成されたスイッチング素
子と、前記対向配置された第１の可撓性基板と第２の可
撓性基板の間に挟持された液晶層とを少なくとも備えた
液晶表示装置において、前記２枚の可撓性基板は前記第
１の方向または第２の方向のいずれかの方向に沿って湾
曲配置され、前記スイッチング素子が形成された可撓性
基板は前記湾曲する曲率中心とは反対側に位置すること
を特徴とする液晶表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP710793A JP3238223B2 (ja) | 1993-01-20 | 1993-01-20 | 液晶表示装置および表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP710793A JP3238223B2 (ja) | 1993-01-20 | 1993-01-20 | 液晶表示装置および表示装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06214220A true JPH06214220A (ja) | 1994-08-05 |
| JP3238223B2 JP3238223B2 (ja) | 2001-12-10 |
Family
ID=11656870
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP710793A Expired - Fee Related JP3238223B2 (ja) | 1993-01-20 | 1993-01-20 | 液晶表示装置および表示装置 |
Country Status (1)
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|---|---|
| JP (1) | JP3238223B2 (ja) |
Cited By (11)
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|---|---|---|---|---|
| JP2002032036A (ja) * | 2000-07-18 | 2002-01-31 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 表示素子用基板および反射型液晶表示装置 |
| JP2002229479A (ja) * | 2001-02-06 | 2002-08-14 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 表示素子用プラスチック基板 |
| JP2003045890A (ja) * | 2001-08-01 | 2003-02-14 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置およびその作製方法 |
| JP2003229548A (ja) * | 2001-11-30 | 2003-08-15 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 乗物、表示装置、および半導体装置の作製方法 |
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| JP2012124516A (ja) * | 2012-02-09 | 2012-06-28 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
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| JP2016191961A (ja) * | 2003-11-25 | 2016-11-10 | イー インク コーポレイション | 電気光学ディスプレイおよびドライブ方法 |
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|---|---|---|---|---|
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| JP2003109773A (ja) | 2001-07-27 | 2003-04-11 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置、半導体装置およびそれらの作製方法 |
| TW558743B (en) | 2001-08-22 | 2003-10-21 | Semiconductor Energy Lab | Peeling method and method of manufacturing semiconductor device |
| TW594947B (en) | 2001-10-30 | 2004-06-21 | Semiconductor Energy Lab | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
| KR101079757B1 (ko) | 2002-10-30 | 2011-11-04 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체장치 및 반도체장치의 제작방법 |
-
1993
- 1993-01-20 JP JP710793A patent/JP3238223B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US7335573B2 (en) * | 2001-11-30 | 2008-02-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Vehicle, display device and manufacturing method for a semiconductor device |
| KR100944887B1 (ko) * | 2001-11-30 | 2010-03-03 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치의 제조 방법 |
| KR100952320B1 (ko) * | 2001-11-30 | 2010-04-09 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치의 제조 방법 |
| US10957723B2 (en) | 2001-11-30 | 2021-03-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Vehicle, display device and manufacturing method for a semiconductor device |
| JP2011063263A (ja) * | 2001-11-30 | 2011-03-31 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置の作製方法 |
| US10629637B2 (en) | 2001-11-30 | 2020-04-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Vehicle, display device and manufacturing method for a semiconductor device |
| JP2018066999A (ja) * | 2001-11-30 | 2018-04-26 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置および表示装置 |
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| US9337341B2 (en) | 2001-12-28 | 2016-05-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device having aluminum-containing layer between two curved substrates |
| US9536901B2 (en) | 2001-12-28 | 2017-01-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for fabricating a semiconductor device by bonding a layer to a support with curvature |
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| US11243420B2 (en) | 2009-04-07 | 2022-02-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device and manufacturing method thereof |
| US11906826B2 (en) | 2009-04-07 | 2024-02-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device and manufacturing method thereof |
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