JPH0695133A - 液晶電気光学装置 - Google Patents
液晶電気光学装置Info
- Publication number
- JPH0695133A JPH0695133A JP26785592A JP26785592A JPH0695133A JP H0695133 A JPH0695133 A JP H0695133A JP 26785592 A JP26785592 A JP 26785592A JP 26785592 A JP26785592 A JP 26785592A JP H0695133 A JPH0695133 A JP H0695133A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- liquid crystal
- electrodes
- films
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- electrooptical device
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Abstract
(57)【要約】
【構成】電極２の形成された２枚の基板１を対向させ、
その間に液晶３を挟持して構成される。ここで、電極２
は有機高分子膜に電荷移動錯体を添加し、導電性を付与
したものである。 【効果】電極が有機高分子膜であるため液晶と接する面
が平坦かつ配向性に優れ、ギャップ精度を良好に保つこ
とができ、広範囲に渡って均一な配向状態を得ることが
できる。また、電圧降下やイオン電荷の帯電を防止する
ことができため、特性の優れた液晶電気光学装置を作製
することができる。
その間に液晶３を挟持して構成される。ここで、電極２
は有機高分子膜に電荷移動錯体を添加し、導電性を付与
したものである。 【効果】電極が有機高分子膜であるため液晶と接する面
が平坦かつ配向性に優れ、ギャップ精度を良好に保つこ
とができ、広範囲に渡って均一な配向状態を得ることが
できる。また、電圧降下やイオン電荷の帯電を防止する
ことができため、特性の優れた液晶電気光学装置を作製
することができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、液晶表示素子や液晶光
シャッターアレー等の液晶電気光学装置に関するもので
ある。
シャッターアレー等の液晶電気光学装置に関するもので
ある。
【０００２】
【従来の技術】図２にＴＮ（捩れネマティック）型液晶
電気光学装置の断面図を示す。一般的なＴＮ型液晶電気
光学装置は、ＩＴＯ（Indium−Tin −Oxide ）電極４の
設けられた２枚の基板１を対向させ、下側の基板１から
上側の基板１へ配向ベクトルが９０度捩れるように液晶
３を配向させ、液晶３の配向ベクトルと吸収軸とを一致
させるようにそれぞれの基板１の外側に偏光子６と検光
子７が設置されることによって構成される。
電気光学装置の断面図を示す。一般的なＴＮ型液晶電気
光学装置は、ＩＴＯ（Indium−Tin −Oxide ）電極４の
設けられた２枚の基板１を対向させ、下側の基板１から
上側の基板１へ配向ベクトルが９０度捩れるように液晶
３を配向させ、液晶３の配向ベクトルと吸収軸とを一致
させるようにそれぞれの基板１の外側に偏光子６と検光
子７が設置されることによって構成される。
【０００３】電界無印加時には図２に示されるように分
子配向が９０度捻れているので、偏光子６と検光子７は
直交しているのに光は透過し、液晶電気光学装置は明状
態になる。また、対向するＩＴＯ電極４間に電界を印加
すると、図３に示されるように液晶３の捻れ構造は消滅
し垂直配向となり光は透過できず、液晶電気光学装置は
暗状態となる。この電界印加の有無に対応する光学的な
２状態を用いて表示や光シャッター動作を行う。この
際、有限な面積範囲内で均一な表示やシャッター動作を
得るための十分条件は、液晶３がその面積範囲内で一様
に連続に配向していることである。
子配向が９０度捻れているので、偏光子６と検光子７は
直交しているのに光は透過し、液晶電気光学装置は明状
態になる。また、対向するＩＴＯ電極４間に電界を印加
すると、図３に示されるように液晶３の捻れ構造は消滅
し垂直配向となり光は透過できず、液晶電気光学装置は
暗状態となる。この電界印加の有無に対応する光学的な
２状態を用いて表示や光シャッター動作を行う。この
際、有限な面積範囲内で均一な表示やシャッター動作を
得るための十分条件は、液晶３がその面積範囲内で一様
に連続に配向していることである。
【０００４】しかし、ＩＴＯ電極４自身には配向制御能
はなく、ＩＴＯ電極４上に液晶を直接配置しただけでは
液晶３は配向しない。このため、一様に連続な配向を得
るための手段として、ＩＴＯ電極４と液晶３との間に、
有機高分子膜にラビング処理を施したものや無機斜方蒸
着膜等の配向膜５を配置する。この配向膜５はまた、Ｉ
ＴＯ電極４の凹凸が原因となるギャップ不良やショート
などの問題を平坦化により防止する役割もあわせもって
いる。
はなく、ＩＴＯ電極４上に液晶を直接配置しただけでは
液晶３は配向しない。このため、一様に連続な配向を得
るための手段として、ＩＴＯ電極４と液晶３との間に、
有機高分子膜にラビング処理を施したものや無機斜方蒸
着膜等の配向膜５を配置する。この配向膜５はまた、Ｉ
ＴＯ電極４の凹凸が原因となるギャップ不良やショート
などの問題を平坦化により防止する役割もあわせもって
いる。
【０００５】しかし、無機斜方蒸着膜、有機高分子膜双
方とも絶縁性材料であるために新たな問題点を生じてい
た。一つは、ＩＴＯ電極４に印加された電界が配向膜５
により電圧降下を引き起こすことである。このため液晶
３の駆動に必要な電圧以上の駆動電圧が必要になり、高
耐圧ＩＣや低抵抗の接続システムなどの開発が要求され
ている。もう一つは、配向膜５表面の電荷の偏りによる
液晶不純物イオン電荷の帯電である。これにより電荷二
重層が形成され、残像現象などが起こる原因の一つとも
考えられている。
方とも絶縁性材料であるために新たな問題点を生じてい
た。一つは、ＩＴＯ電極４に印加された電界が配向膜５
により電圧降下を引き起こすことである。このため液晶
３の駆動に必要な電圧以上の駆動電圧が必要になり、高
耐圧ＩＣや低抵抗の接続システムなどの開発が要求され
ている。もう一つは、配向膜５表面の電荷の偏りによる
液晶不純物イオン電荷の帯電である。これにより電荷二
重層が形成され、残像現象などが起こる原因の一つとも
考えられている。
【０００６】そこで、電圧降下を防止し前記イオン電荷
を中和するために、配向膜中に電荷移動錯体を混入し導
電性をもたせる方法が小林らにより報告されている（Ja
panese Journal of Applide Physics,Vol.28,No.1,Janu
ary,1989,L116-L118）。しかし、この方法は電極−液晶
間の電荷のみではなく、隣接する電極間の電荷も授受し
てしまうため分割された電極パターンには適切ではなか
った。
を中和するために、配向膜中に電荷移動錯体を混入し導
電性をもたせる方法が小林らにより報告されている（Ja
panese Journal of Applide Physics,Vol.28,No.1,Janu
ary,1989,L116-L118）。しかし、この方法は電極−液晶
間の電荷のみではなく、隣接する電極間の電荷も授受し
てしまうため分割された電極パターンには適切ではなか
った。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】したがって、液晶と接
する面を充分に平坦かつ配向性に優れるように保つため
には配向膜が必要ではあるが、電圧降下やイオン電荷の
帯電などの問題が生じてくる。また、電圧降下やイオン
電荷の帯電を防止するためには電極のパターン化が困難
となっていた。
する面を充分に平坦かつ配向性に優れるように保つため
には配向膜が必要ではあるが、電圧降下やイオン電荷の
帯電などの問題が生じてくる。また、電圧降下やイオン
電荷の帯電を防止するためには電極のパターン化が困難
となっていた。
【０００８】そこで本発明は、液晶と接する面上の平坦
性と配向性を確保するとともに電圧降下やイオン電荷の
帯電を防止し、かつパターン化も簡略で素子特性および
生産性に優れた液晶電気光学装置の提供を目的とするも
のである。
性と配向性を確保するとともに電圧降下やイオン電荷の
帯電を防止し、かつパターン化も簡略で素子特性および
生産性に優れた液晶電気光学装置の提供を目的とするも
のである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明の液晶電気光学装
置は、電極の設けられた二枚の基板間に液晶を挟示して
なるものであって、少なくとも一方の基板上の電極は電
荷移動錯体を含有する有機高分子膜よりなることを特徴
とするものである。
置は、電極の設けられた二枚の基板間に液晶を挟示して
なるものであって、少なくとも一方の基板上の電極は電
荷移動錯体を含有する有機高分子膜よりなることを特徴
とするものである。
【００１０】
【作用】電極２として導電性を付与した有機高分子膜を
用いることにより、電極自身に配向制御性を付与するこ
とができ、かつＩＴＯ電極に比べ優れた平坦性とパター
ン性を得ることができる。本発明では有機高分子膜へ導
電性を付与するため電荷移動錯体を添加している。この
方法によれば所望の抵抗値を電荷移動錯体の添加率によ
って制御することが可能となり、電極の部分的な抵抗の
差による階調表示なども容易に行えるようになる。
用いることにより、電極自身に配向制御性を付与するこ
とができ、かつＩＴＯ電極に比べ優れた平坦性とパター
ン性を得ることができる。本発明では有機高分子膜へ導
電性を付与するため電荷移動錯体を添加している。この
方法によれば所望の抵抗値を電荷移動錯体の添加率によ
って制御することが可能となり、電極の部分的な抵抗の
差による階調表示なども容易に行えるようになる。
【００１１】
【実施例】以下、図面を基に本発明による液晶電気光学
装置の詳細を説明する。
装置の詳細を説明する。
【００１２】図１に本発明による液晶電気光学装置の断
面図を示す。本発明における液晶電気光学装置は、電極
２の形成された２枚の基板１を対向させ、その間に液晶
３を挟持してなる。ここで、電極２は有機高分子膜に電
荷移動錯体を添加し、導電性を付与したものである。
面図を示す。本発明における液晶電気光学装置は、電極
２の形成された２枚の基板１を対向させ、その間に液晶
３を挟持してなる。ここで、電極２は有機高分子膜に電
荷移動錯体を添加し、導電性を付与したものである。
【００１３】次に本発明による液晶電気光学装置の作製
工程の例を示す。樹脂分７％のポリイミドのＮＭＰ（Ｎ
−methyl−pyrrolidone ）溶液に、電荷移動錯体ＴＣＮ
Ｑ（tetracyanoquinodimethane）を２０wt％添加し超音
波により分散させた後、ガラス基板１上にスピンコート
し、３００℃で１時間焼成し膜厚２００nmの導電性ポリ
イミド膜を得た。この上にレジスト膜を塗布し所望の電
極パターンをもつマスクを用いて露光、現像、エッチン
グ、レジスト剥離の工程を経て導電性有ポリイミド膜の
電極２を得た。
工程の例を示す。樹脂分７％のポリイミドのＮＭＰ（Ｎ
−methyl−pyrrolidone ）溶液に、電荷移動錯体ＴＣＮ
Ｑ（tetracyanoquinodimethane）を２０wt％添加し超音
波により分散させた後、ガラス基板１上にスピンコート
し、３００℃で１時間焼成し膜厚２００nmの導電性ポリ
イミド膜を得た。この上にレジスト膜を塗布し所望の電
極パターンをもつマスクを用いて露光、現像、エッチン
グ、レジスト剥離の工程を経て導電性有ポリイミド膜の
電極２を得た。
【００１４】次に、前記電極２にラビング処理を施し一
軸配向性をもたせた。対向基板側にも同様の工程を行っ
た後、電極２が内側にくるようにスペーサーを介して重
ね合わせ周囲を樹脂にて固着し、内部に液晶を注入し液
晶電気光学装置を得た。
軸配向性をもたせた。対向基板側にも同様の工程を行っ
た後、電極２が内側にくるようにスペーサーを介して重
ね合わせ周囲を樹脂にて固着し、内部に液晶を注入し液
晶電気光学装置を得た。
【００１５】電極としての特性条件、例えば１０18〜１
０19のキャリア電子密度と１０〜３０cm 2 V - 1S - 1
程度の電子移動度を満たすものであれば、ポリイミドの
他にポリアミド、ポリビニルアルコール等のホストとな
る有機高分子材料と、ゲストとなる種々の電荷移動錯体
との最適な組み合わせが考えられる。また、感光性の高
分子材料を用いることができれば、製造工程をさらに簡
略化することも可能である。
０19のキャリア電子密度と１０〜３０cm 2 V - 1S - 1
程度の電子移動度を満たすものであれば、ポリイミドの
他にポリアミド、ポリビニルアルコール等のホストとな
る有機高分子材料と、ゲストとなる種々の電荷移動錯体
との最適な組み合わせが考えられる。また、感光性の高
分子材料を用いることができれば、製造工程をさらに簡
略化することも可能である。
【００１６】
【発明の効果】本発明により得られた液晶電気光学装置
では、電極が有機高分子膜であるため液晶と接する面が
平坦かつ配向性に優れ、ギャップ精度を良好に保つこと
ができ、かつ広範囲に渡って均一な配向状態を得ること
ができる。また、配向膜が不要であり、電圧降下やイオ
ン電荷の帯電も防止することができる。さらに、高分子
材料を用いたことにより電極の抵抗値を膜厚を変化させ
ることなく自由に調整することもできる。さらにまた、
無機材料に比較し有機高分子膜はパターン性に優れてい
るため、微細電極の形成も可能である。
では、電極が有機高分子膜であるため液晶と接する面が
平坦かつ配向性に優れ、ギャップ精度を良好に保つこと
ができ、かつ広範囲に渡って均一な配向状態を得ること
ができる。また、配向膜が不要であり、電圧降下やイオ
ン電荷の帯電も防止することができる。さらに、高分子
材料を用いたことにより電極の抵抗値を膜厚を変化させ
ることなく自由に調整することもできる。さらにまた、
無機材料に比較し有機高分子膜はパターン性に優れてい
るため、微細電極の形成も可能である。
【図１】本発明による液晶電気光学装置の断面図であ
る。
る。
【図２】従来の液晶電気光学装置の断面図である。
【図３】従来の液晶電気光学装置の断面図である。
１ 基板 ２ 電極 ３ 液晶
Claims (1)
- 【請求項１】 電極の設けられた二枚の基板間に液晶を
挟示してなる液晶電気光学装置において、少なくとも一
方の前記基板上の前記電極は電荷移動錯体を含有する有
機高分子膜よりなることを特徴とする液晶電気光学装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26785592A JPH0695133A (ja) | 1992-09-11 | 1992-09-11 | 液晶電気光学装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26785592A JPH0695133A (ja) | 1992-09-11 | 1992-09-11 | 液晶電気光学装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0695133A true JPH0695133A (ja) | 1994-04-08 |
Family
ID=17450575
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26785592A Pending JPH0695133A (ja) | 1992-09-11 | 1992-09-11 | 液晶電気光学装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0695133A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR19990000971A (ko) * | 1997-06-11 | 1999-01-15 | 손욱 | 액정표시소자 |
| WO2001025843A1 (fr) * | 1999-10-06 | 2001-04-12 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Element a cristaux liquides, dispositif afficheur a cristaux liquides et procedes de fabrication s'y rapportant |
| JP2005223194A (ja) * | 2004-02-06 | 2005-08-18 | Japan Science & Technology Agency | 電荷移動錯体分子による点状発光源、及びその製造方法 |
| JP2012247663A (ja) * | 2011-05-30 | 2012-12-13 | Seiko Epson Corp | 液晶装置、投射型表示装置および電子機器 |
-
1992
- 1992-09-11 JP JP26785592A patent/JPH0695133A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR19990000971A (ko) * | 1997-06-11 | 1999-01-15 | 손욱 | 액정표시소자 |
| WO2001025843A1 (fr) * | 1999-10-06 | 2001-04-12 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Element a cristaux liquides, dispositif afficheur a cristaux liquides et procedes de fabrication s'y rapportant |
| US6801293B1 (en) | 1999-10-06 | 2004-10-05 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method for manufacturing an in-plane electric field mode liquid crystal element |
| JP2005223194A (ja) * | 2004-02-06 | 2005-08-18 | Japan Science & Technology Agency | 電荷移動錯体分子による点状発光源、及びその製造方法 |
| JP2012247663A (ja) * | 2011-05-30 | 2012-12-13 | Seiko Epson Corp | 液晶装置、投射型表示装置および電子機器 |
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