JP2775350B2

JP2775350B2 - 液晶電気光学装置作製方法

Info

Publication number: JP2775350B2
Application number: JP3035483A
Authority: JP
Inventors: 崎舜平山; 瀬晃間; 谷敏次浜; 毅西
Original assignee: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Current assignee: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Priority date: 1991-02-04
Filing date: 1991-02-04
Publication date: 1998-07-16
Anticipated expiration: 2013-07-16
Also published as: JPH0519237A

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、従来２枚の基板より構
成されていた液晶電気光学装置を、１枚のみの基板で構
成し、薄型で軽量化された新しい液晶電気光学装置を作
製する作製方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来の液晶電気光学装置はネマティック
液晶を使用したＴＮ型やＳＴＮ型のものが広く実用化さ
れている。また、最近では強誘電性液晶を使用したもの
も知られている。これら液晶電気光学装置は、基板上に
電極およびリードを有する第一の基板と、基板上に電極
およびリードを有する第二の基板によって、液晶組成物
を挟持しており、前記基板上の電極によって、液晶組成
物に電界を加え、液晶の誘電率の異方性によって、液晶
分子を動作させてその結果液晶分子の持つ光学異方性を
利用する装置である。

【０００３】具体的には、ＴＮ（ツィストネマチック）
液晶電気光学装置の場合、図２に示すように、第一の基
板（２０１）のＩＴＯ（インジュウム酸化錫）（２０
２）上にポリイミドを主体とする配向膜（２０３）を設
け、ラビング法によって液晶分子（２０４）の方向を一
定にそろえる手段をもたせる。同様にして第二の基板を
設け、第一の基板と第二の基板のラビング方向が９０°
をなす様に対向させ、ネマチック液晶組成物（２０５）
を挟持するものである。

【０００４】液晶分子は、液晶層の両基板接触面ではラ
ビングの規制力につられて、ラビング方向に並ぶ。液晶
層の中間付近では、９０°に位置する上下の分子の間
を、エネルギーが一番小さくなる様に、螺旋を描いて並
ぶことになる。

【０００５】これらの装置はいずれも偏光板を要し、か
つ液晶を装置内で一定の方向に規則正しく配向させる必
要があった。その為、装置の構造は一対の基板によっ
て、液晶材料を保持する容器を構成して、その容器中に
液晶を注入し、液晶を配向させてその光学的な効果を利
用していた。

【０００６】一方、これらの偏光板や配向を必要とせ
ず、画面の明るい、コントラストのよい分散型液晶が知
られている。この分散型液晶とは透光性の固相ポリマー
がネマティク、コレステリックあるいはスメクティクの
液晶を粒状または海綿状に保持しているものである。こ
の液晶装置の作成方法としては、液晶のカプセル化によ
りポリマー中に液晶を分散させ、そのポリマーをフィル
ムあるいは基板上に薄膜として形成されているものが知
られている。ここで、カプセル化物質としてはゼラチ
ン、アラビアゴム、ポリビニルアルコール等が提案され
ている。

【０００７】これらの技術ではポリビニルアルコールで
カプセル化された液晶分子は、それらが薄膜中で正の誘
電異方性を有するものであれば、電界の存在下でその液
晶分子が電界の方向に配列し、液晶の屈折率とポリマー
の屈折率とが等しい場合には透明性が発現する。一方電
界が無い場合には液晶は特定の方向に配列せず様々な方
向をむいているので、液晶の屈折率がポリマーの屈折率
とずれることになり、光は散乱され光の透過をさまた
げ、白濁状態となる。この様にカプセル化された液晶を
分散して内部に有するポリマーをフィルムあるいは薄膜
化したものとしては、前述の例以外に、いくつか知られ
ている。例えば、液晶材料がエポキシ樹脂中に分散した
もの、また、液晶と光硬化物質との相分離を利用したも
の、３次元につながったポリマー中に液晶を含侵させた
ものなどが知られている。本発明においてはこれらの液
晶電気光学装置を総称して分散型液晶と言う。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】前記の様な大型の液晶
電気光学装置の実用化において、特に液晶電気光学装置
の作製方法においては、安価で、容易に大型装置を作製
する技術が必要とされている。

【０００９】大型化する際の問題点としては、ＴＮ型、
ＳＴＮ型、ＦＬＣ型等は液晶分子を一定の方向に配向さ
せる必要があるため、液晶材料を一対の基板で囲まれた
容器内に注入しなければならい。

【００１０】これらの液晶を注入するには、図３に示す
ように、予め作成した一対の基板から構成される液晶セ
ル（３０１）を液晶注入装置の容器内に配置し、この容
器を真空排気して、液晶セルの内部の空気を除去した後
に、セルの注入口（３０２）に液晶（３０３）を接触さ
せた後、窒素（３０４）等で注入装置の容器内の圧力を
上昇させて、液晶セル内の圧力と容器の圧力との圧力差
を利用して注入しなければならない。

【００１１】液晶装置が大型化した場合、例えばＡ４サ
イズの液晶セルの場合、注入口（３０２）から液晶セル
の端まで距離にして２００ｍｍ以上となる。また一対の
基板間隔は最大２０μｍ程度でこの間隔の部分を２００
ｍｍ以上も液晶材料は移動する必要があり、注入時間は
非常に長時間を必要とした。

【００１２】また、注入工程に真空雰囲気または減圧雰
囲気を必要とするために、価格の高い製造装置が必要で
あり、液晶セルの製造価格は高いものとなっていた。

【００１３】さらに、液晶組成物は数種類の単体液晶分
子の集合体であり、各液晶物質毎に転移温度、蒸気圧点
が異なるために、真空下に曝すことで、転移点の低いも
のは蒸気化し、液晶組成物の組成比が変化してしまい、
仕込み材料の液晶組成物の電気光学特性と注入後の液晶
組成物の電気光学特性とが大きく変化するという問題が
生じていた。

【００１４】さらにまた、大型基板にて基板間隔を均一
に保持する為に基板の厚みを増してゆく必要が生じ、基
板が２枚必要なこともあり、その重量が重くなり、世の
中が必要とする軽薄短小の大型液晶パネルと矛盾が生じ
て来ている。

【００１５】

【問題を解決するための手段】そこで、本発明では１枚
の基板上に設けた第一の電極上に、液晶材料を分散させ
た調光層をスクリーン方法またはオフセット方法等の印
刷方法またはスピン法によって塗布した後に、熱または
紫外線のエネルギーによって固体化し、さらにその上に
第二の電極を設けることで、対向の基板を必要としない
１枚の基板で構成される液晶電気光学装置の作製方法で
ある。

【００１６】具体的には、すなわち、所定のパターニン
グが施された第一の電極を有する１枚の基板上に、透明
固体物質である有機樹脂と液晶の混合物よりなる２０μ
ｍ以下の調光層薄膜を作製するために、オフセット法に
よって転写印刷、またはスクリーン法によって印刷、ス
ピンナーによって高速回転をさせて塗布した後に有機樹
脂の硬化手段（熱または紫外線）によって硬化させた
後、１本以上の本数よりなる第二の電極およびリード、
および保護膜を順に設けることにより、一枚のみの基板
で液晶電気光学装置を実現するものであります。

【００１７】ここで、調光層とは透明固体物質（透光性
の固相ポリマーまたは高分子形成性のモノマー）とネマ
ティック、コレステリックあるいはスメクティックの液
晶を含み、これらの液晶は粒状または海綿状にて、保持
されているものであります。この透光性の固相ポリマー
はポリエチレン、ポリメタクリル酸エステル、ポリスチ
レン、ポリ塩化ビニル、ポリアクリルニトリル、ポリビ
ニルアルコール、ポリエステル、ポリアミド樹脂、ポリ
エチレンテレフタレート樹脂、フッ素樹脂、シリコン樹
脂等の単独または混合物が用いられる。

【００１８】調光層構成材料物は高分子形成性のモノマ
ーと液晶材料あるいは前記固相ポリマーと液晶材料とを
共通の溶媒に溶解したものが使用される。前者の場合は
その混合物を塗布法で基板上に塗布したのちに熱または
光を照射して、調光層を形成する。一方、後者は溶解し
た液状物を塗布して液状媒体層を形成し、その後この溶
媒を除去して、調光層を形成する。

【００１９】溶媒としては、ケトン類、アルコール類、
ベンゼン、トルエン等の不飽和炭化水素や水等が使用で
きる。これらは塗布の方法により適宜選択して、単独あ
るいは混合して使用される。

【００２０】塗布の方法は液晶材料の形状、特性に応じ
て、ドクターナイフ、ロールコーター、カーテンコータ
ー、ナイフコーター、スプレー塗布、スピンコート、ス
クリーン印刷、オフセット印刷等の方法を採用できる。

【００２１】また、多数の電極をマトリクス構成にして
使用する場合、基板上にマトリックス構成を有する信号
線とそれぞれの画素電極にＰチャンネル型薄膜トランジ
スタとＮチャンネル型薄膜トランジスタとを相補型に構
成した相補型薄膜トランジスタを設け、該相補型薄膜ト
ランジスタの入出力側の一方を前記画素電極へ、他の一
方を前記マトリックス構成を有する一対の信号線の第一
の信号線へ接続し、かつ前記相補型薄膜トランジスタの
ゲートを前記マトリックス構成を有する信号線の第二の
信号線へ接続した電気回路を設けたものを基板としても
良い。

【００２２】また、基板上にマトリックス構成を有する
信号線とそれぞれの画素電極にＮチャンネル型薄膜トラ
ンジスタを設け、該薄膜トランジスタの入出力側の一方
を前記画素電極へ、他の一方を前記マトリックス構成を
有する一対の信号線の第一の信号線へ接続し、かつ前記
薄膜トランジスタのゲートを前記マトリックス構成を有
する信号線の第二の信号線へ接続した電気回路を設けた
ものを基板としても良い。

【００２３】また、基板上にマトリクス構成を有する液
晶装置において、それぞれの画素に繋がる配線に電気的
非線型素子を設け、該電気的非線型素子の出力を前記画
素に連結せしめた構成を設けたものを基板としても良
い。

【００２４】

【実施例】『実施例１』図１に本実施例の液晶電気光
学装置の作製方法の工程図を示す。図１においては、説
明の為の概略図である為実際の寸法とは異なって描かれ
ている。使用する基板としては通常の青板ガラス１００
上に透光性の画素電極１０１として厚さ２０００ÅのＩ
ＴＯを所定のパターンに形成したものを使用した。この
電極１０１は所定のパターンにエッチング形成されてお
り、画素電極１０１と同時に第二の電極の端子部１０２
を形成する。（図１（Ａ））

【００２５】但しこの端子部は特に金属で形成した場合
に有効で第二の電極の取り出し部の抵抗をさげる役目を
果たす。

【００２６】次に、プレポリマーとネマティック液晶の
混合均一溶液をスクリーン印刷法にて厚さ約１５μｍに
形成した。このプレポリマーとして、トリメチロールプ
ロパントリアクリレートを用い、重合開始剤とともに通
常のネマティク液晶材料に対して約２５％の割合で混合
した均一溶液を使用した。この後、印刷した混合溶液を
暫く放置して、十分にレベリングした後に基板全面に紫
外光を照射して、基板間に形成されたモノマーを硬化
（高分子化）させ、調光層１０３を２５μｍの厚さに形
成した。（図１（Ｂ））

【００２７】本実施例の場合、調光層塗布の後、溶媒を
除去する必要が無く、レベリングの際に溶媒が蒸発する
ことにより、調光層表面が乱れることが無く平坦な調光
層表面を得ることができ均一な液晶電気光学特性を実現
するのに都合が良かった。

【００２８】さらに、この調光層１０３上に第二の電極
１０４として、ＩＴＯを２０００Å形成し、所定のパタ
ーンにエッチング除去する。この時、調光層にダメージ
を与える可能性が高いので、ＩＴＯ膜をスパッタ法で形
成する際に加熱温度を通常より下げ、更に酸素雰囲気濃
度を下げた状態で低級酸化物の状態のＩＴＯ膜を形成す
る。そして、所定のマスクパターンを使用して、フォト
レジストにてマスクを形成し四塩化炭素を含むエッチン
グ気体にてドライエッチングを行いＩＴＯ膜をパターニ
ングした後に２５０℃程度の温度で酸化性雰囲気下で酸
化処理を行いＩＴＯ膜を酸化して、透過率を向上させ、
電気抵抗を下げることにより第二の電極を形成できる。

【００２９】もちろん、通常の酸溶液を使用したウェッ
トエッチングにてＩＴＯをパターニングできるが、その
際には使用する酸溶液に耐性のある調光層を選ばねば成
らない。

【００３０】次に、この第二の電極上に透光性の保護
膜、シリコーン樹脂を塗布法にて形成し、保護膜１０５
を完成して、１枚の基板だけで、液晶電気光学装置を完
成することができた。（図１（Ｃ））

【００３１】『実施例２』本実施例では図４に示すよ
うな回路構成すなわちインバータ型の回路構成を用いた
液晶表示装置を用いて、液晶表示装置の説明を行う。こ
の回路構成に対応する実際の電極等の配置構成を図５に
示している。これらは説明を簡単にする為２×２に相当
する部分のみ記載されている。また、実際の駆動信号波
形を図６に示す。これも説明を簡単にする為に４×４の
マトリクス構成とした場合の信号波形で説明を行う。

【００３２】まず、本実施例で使用するスイッチング素
子の作製方法を図７を使用して説明する。図７（Ａ）に
おいて、石英ガラス等の高価でない７００℃以下、例え
ば約６００℃の熱処理に耐え得るガラス５０上にマグネ
トロンＲＦ（高周波) スパッタ法を用いてブロッキング
層５１としての酸化珪素膜を１０００〜３０００Åの厚
さに作製する。プロセス条件は酸素１００％雰囲気、成
膜温度１５℃、出力４００〜８００Ｗ、圧力０．５Ｐａ
とした。ターゲットに石英または単結晶シリコンを用い
た成膜速度は３０〜１００Å／分であった。

【００３３】この上にシリコン膜をＬＰＣＶＤ（減圧気
相）法、スパッタ法またはプラズマＣＶＤ法により形成
した。減圧気相法で形成する場合、結晶化温度よりも１
００〜２００℃低い４５０〜５５０℃、例えば５３０℃
でジシラン(Si₂H₆) またはトリシラン(Si₃H₈) をＣＶＤ
装置に供給して成膜した。反応炉内圧力は３０〜３００
Ｐａとした。成膜速度は５０〜２５０Å／分であった。
ＮＴＦＴとＰＴＦＴとのスレッシュホールド電圧（Ｖt
h）に概略同一に制御するため、ホウ素をジボランを用
いて１×10¹⁵〜１×10¹⁸cm^-3の濃度として成膜中に添加
してもよい。

【００３４】スパッタ法で行う場合、スパッタ前の背圧
を１×10^-5Ｐａ以下とし、単結晶シリコンをターゲット
として、アルゴンに水素を２０〜８０％混入した雰囲気
で行った。例えばアルゴン２０％、水素８０％とした。
成膜温度は１５０℃、周波数は１３．５６ＭＨｚ、スパ
ッタ出力は４００〜８００Ｗ、圧力は０．５Ｐａであっ
た。

【００３５】プラズマＣＶＤ法により珪素膜を作製する
場合、温度は例えば３００℃とし、モノシラン(SiH₄)ま
たはジシラン(Si₂H₆) を用いた。これらをＰＣＶＤ装置
内に導入し、１３．５６ＭＨｚの高周波電力を加えて成
膜した。

【００３６】これらの方法によって形成された被膜は、
酸素が５×10²¹cm^-3以下であることが好ましい。この酸
素濃度が高いと、結晶化させにくく、熱アニール温度を
高くまたは熱アニール時間を長くしなければならない。
また少なすぎると、バックライトによりオフ状態のリー
ク電流が増加してしまう。そのため４×10¹⁹〜４×10²¹
cm^-3の範囲とした。水素は４×10²⁰cm^-3であり、珪素４
×10²²cm^-3として比較すると１原子％であった。また、
ソース、ドレインに対してより結晶化を助長させるた
め、酸素濃度を７×10¹⁹cm^-3以下、好ましくは１×10¹⁹
cm^-3以下とし、ピクセル構成するＴＦＴのチャネル形成
領域のみに酸素をイオン注入法により５×10²⁰〜５×10
²¹cm^-3となるように添加してもよい。その時周辺回路を
構成するＴＦＴには光照射がなされないため、この酸素
の混入をより少なくし、より大きいキャリア移動度を有
せしめることは、高周波動作をさせるためる有効であ
る。

【００３７】次に、アモルファス状態の珪素膜を２００
〜５０００Å、例えば１５００Åの厚さに作製の後、４
５０〜７００℃の温度にて１２〜７０時間非酸化物雰囲
気にて中温の加熱処理、例えば水素雰囲気下にて６００
℃の温度で保持した。珪素膜の下の基板表面にアモルフ
ァス構造の酸化珪素膜が形成されているため、この熱処
理で特定の核が存在せず、全体が均一に加熱アニールさ
れる。即ち、成膜時はアモルファス構造を有し、また水
素は単に混入しているのみである。

【００３８】アニールにより、珪素膜はアモルファス構
造から秩序性の高い状態に移り、一部は結晶状態を呈す
る。特にシリコンの成膜後の状態で比較的秩序性の高い
領域は特に結晶化をして結晶状態となろうとする。しか
しこれらの領域間に存在する珪素により互いの結合がな
されるため、珪素同志は互いにひっぱりあう。レーザラ
マン分光により測定すると単結晶の珪素のピ−ク５２２
cm^-1より低周波側にシフトしたピークが観察される。そ
れの見掛け上の粒径は半値巾から計算すると、５０〜５
００Åとマイクロクリスタルのようになっているが、実
際はこの結晶性の高い領域は多数あってクラスタ構造を
有し、各クラスタ間は互いに珪素同志で結合（アンカリ
ング) がされたセミアモルファス構造の被膜を形成させ
ることができた。また、半導体層として、ポリシリコン
膜を採用することも可能である。

【００３９】結果として、被膜は実質的にグレインバウ
ンダリ（以下ＧＢという）がないといってもよい状態を
呈する。キャリアは各クラスタ間をアンカリングされた
個所を通じ互いに容易に移動し得るため、いわゆるGBの
明確に存在する多結晶珪素よりも高いキャリア移動度と
なる。即ちホール移動度（μｈ）＝１０〜２００cm²／
ＶＳｅｃ、電子移動度（μe ）＝１５〜３００cm²／Ｖ
Ｓｅｃが得られる。

【００４０】他方、上記の如き中温でのアニールではな
く、９００〜１２００℃の高温アニールにより被膜を多
結晶化すると、核からの固相成長により被膜中の不純物
の偏析がおきて、ＧＢには酸素、炭素、窒素等の不純物
が多くなり、結晶中の移動度は大きいが、ＧＢでのバリ
ア（障壁）を作ってそこでのキャリアの移動を阻害して
しまう。結果として１０cm²/Vsec以上の移動度がなかな
か得られないのが実情である。即ち、本実施例ではかく
の如き理由により、セミアモルファスまたはセミクリス
タル構造を有するシリコン半導体を用いている。

【００４１】この上に酸化珪素膜をゲイト絶縁膜として
５００〜２０００Å例えば１０００Åの厚さに形成し
た。これはブロッキング層としての酸化珪素膜の作製と
同一条件とした。この成膜中に弗素を少量添加し、ナト
リウムイオンの固定化をさせてもよい。

【００４２】この後、この上側にリンが１〜５×10²¹cm
^-3の濃度に入ったシリコン膜またはこのシリコン膜とそ
の上にモリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）,MoSi₂
またはWSi₂との多層膜を形成した。これを第２のフォト
マスクにてパタ−ニングして図７（Ｂ）を得た。ＰＴ
ＦＴ用のゲイト電極９、ＮＴＦＴ用のゲイト電極１９を
形成した。例えばチャネル長１０μｍ、ゲイト電極とし
てリンド−プ珪素を０．２μｍ、その上にモリブデンを
０．３μｍの厚さに形成した。図７（Ｃ）において、
フォトレジスト５７をフォトマスクを用いて形成し、
ＰＴＦＴ用のソース１０、ドレイン１２に対し、ホウ素
を１〜５×１０¹⁵cm^-2のドーズ量でイオン注入法により
添加した。次に図７（Ｄ）の如く、ＮＴＦＴをフォト
マスクを用いて形成した。ＮＴＦＴ用のソース２０、
ドレイン１８としてリンを１〜５×１０¹⁵cm^-2のドーズ
量でイオン注入法により添加した。

【００４３】これらはゲイト絶縁膜５４を通じて行っ
た。しかし図７（Ｂ）において、ゲイト電極５５、５６
をマスクとしてシリコン膜上の酸化珪素を除去し、その
後、ホウ素、リンを直接珪素膜中にイオン注入してもよ
い。

【００４４】次に、６００℃にて１０〜５０時間再び加
熱アニールを行った。ＰＴＦＴのソース１０、ドレイン
１２、ＮＴＦＴのソ−ス２０、ドレイン１８を不純物を
活性化してＰ⁺、Ｎ⁺として作製した。またゲイト電極
９、１９下にはチャネル形成領域２１、１１がセミアモ
ルファス半導体として形成されている。

【００４５】かくすると、セルフアライン方式でありな
がらも、７００℃以上にすべての工程で温度を加えるこ
とがなくＣ／ＴＦＴを作ることができる。そのため、基
板材料として、石英等の高価な基板を用いなくてもよ
く、本発明の大画素の液晶表示装置にきわめて適したプ
ロセスである。

【００４６】本実施例では熱アニールは図７（Ａ）、
（Ｄ）で２回行った。しかし図７（Ａ）のアニールは求
める特性により省略し、双方を図７（Ｄ）のアニールに
より兼ね製造時間の短縮を図ってもよい。図７（Ｅ）に
おいて、層間絶縁物６５を前記したスパッタ法により酸
化珪素膜の形成として行った。この酸化珪素膜の形成は
ＬＰＣＶＤ法、光ＣＶＤ法、常圧ＣＶＤ法を用いてもよ
い。例えば０．２〜０．６μｍの厚さに形成し、その
後、フォトマスクを用いて電極用の窓６６を形成し
た。さらに、これら全体にアルミニウムをスパッタ法に
より形成し、リード７１、７２およびコンタクト６７、
６８をフォトマスクを用いて作製した後、表面を平坦
化用有機樹脂６９例えば透光性ポリイミド樹脂を塗布形
成し、再度の電極穴あけをフォトマスクにて行った。

【００４７】図７（Ｆ）に示す如く２つのＴＦＴを相補
型構成とし、かつその出力端を液晶装置の一方の画素の
電極を透明電極としてそれに連結するため、スパッタ法
によりＩＴＯ（インジューム・スズ酸化膜）を形成し
た。それをフォトマスクによりエッチングし、画素電
極１７を構成させた。このＩＴＯは室温〜１５０℃で成
膜し、２００〜４００℃の酸素または大気中のアニール
により成就した。

【００４８】かくの如くにしてＰＴＦＴ２２とＮＴＦＴ
１３と画素電極である透明導電膜の電極７０とを同一ガ
ラス基板５０上に作製した。得られたＴＦＴの特性はＰ
ＴＦＴで移動度は２０（cm²/Vs）、Ｖthは−５．９
（Ｖ）で、ＮＴＦＴで移動度は４０（cm²/Vs）、Ｖthは
５．０（Ｖ）であった。

【００４９】上記の作製法は、インバータ型であるが、
バッファ型であっても全く同じであることは、いうまで
もない。この様にして、基板を得た。

【００５０】図１の作製工程の順に従い前記基板を使用
して液晶電気光学装置を作製する。図８は本実施例の液
晶装置の概略断面図であるが、前述のアクティブ素子の
部分を外した断面の様子を示している。また本実施例で
はアクティブ素子を使用しているので調光層上の第二の
電極はパターニングせず、ほぼ全面に形成されている。
図８に示す様に、前記基板（２３０）上に、紫外線硬化
特性を有する、エポキシ変成アクリル樹脂中に５０重量
％のネマチック液晶を分散させた樹脂を、スクリーン法
を用いて形成した。

【００５１】使用したスクリーンのメッシュ密度は１イ
ンチ当り１２５メシュとし、エマルジョン厚は１５μｍ
とした。またスキージー圧は１．５ｋｇ／ｃｍ²とし
た。

【００５２】次に１０分間のレベリングの後２３６ｎｍ
を中心とした発光波長を有する高圧水銀ランプにて、１
０００ｍＪのエネルギーを与え、樹脂を硬化させ、１２
μｍ厚の調光層（２３１）を形成した。

【００５３】その後、直流スパッタ法を用いて、Ｍｏ
（モリブデン）を２５００Å成膜し、第二の電極（２３
２）とした。

【００５４】その後、黒色のエポキシ樹脂を、スクリー
ン法を用いて印刷を行い、５０℃で３０分仮焼成の後、
１８０℃で３０分本焼成を行い、５０μｍの保護膜（２
３３）を形成した。

【００５５】基板上のリードにＴＡＢ形状の駆動ＩＣを
接続し、ただひとつの基板で構成される反射型の液晶表
示装置を完成させた。本実施例ではアクティブ素子とし
て相補型構成のＴＦＴを各画素に１組づつ設けたが、特
にこの構成に限定されることはなく、複数組の相補型構
成のＴＦＴを設けてもよく、さらに複数組の相補型構成
のＴＦＴを複数に分割された画素電極に設けてもよい。

【００５６】また、相補型構成ではなく通常のＴＦＴ素
子を設けた基板を使用してよいことは言うまでもない。

【００５７】『実施例３』本実施例では、アクティブ
素子として、電気的に非線型特性を有するＭＩＭ型素子
を使用した例を示す。図９に示す様に、まず0.7ｍｍの
ポリカーボネイト（２４０）に、ＲＦスパッタで酸化珪
素膜（２４１）を１０００〜３０００Å設けた後に、Ｄ
Ｃスパッタ法によって、ＩＴＯ膜を1000Å成膜し、その
後、フォトリソ法を用いて、表示画素電極の一方の辺
と、概略同一寸法とする幅のストライプ状に、パターニ
ングをして、第一の電極（２４２）とした。

【００５８】その後、下記条件の下にグロー放電を行
い、Ｓｉ_XＣ_Y（Ｘ＋Ｙ＝１）膜（２４３）を１０００
Å成膜した。成膜条件は、ガス混合比Ｃ₂Ｈ₄が２ＳＣ
ＣＭ、ＳｉＨ₄が１ＳＣＣＭ、ＰＨ₃（５重量％）／Ｓ
ｉＨ₄が１ＳＣＣＭ、Ｈ₂が１０ＳＣＣＭであり、反応
圧力が５０Ｐａ、ＲＦパワーが１００Ｗである。

【００５９】本実施例においてＰＨ₃を添加するのは、
膜（２４３）の導電率を変化させ、非線型特性を制御す
るためであり、３０体積％以下の割合で添加すると効果
がある。この非線型性を制御する方法としては、熱アニ
ールを加える方法がある。これは、ＭＩＭ型素子のＩ
（insulator)部分に相当する薄膜（２４３）の脱水素化
を計ることによって膜中の水素含有量をコントロール
し、ＭＩＭ型素子の非線型性を制御するものである。本
実施例では、この熱アニールの処理条件は、温度が３８
０℃、圧力が１００Ｐａ、処理雰囲気がＡｒ、処理時間
が１時間とした。

【００６０】また、本発明においてはこのＳｉ_XＣ
_Y（Ｘ＋Ｙ＝１）で示される組成物を含む薄膜（２４
３）の厚さを２０００Å以下、好ましくは１０００Å以
下にすることによって、その光透過性を高めることがで
きた。図１０に本実施例にて使用したＳｉ_XＣ_Y（Ｘ＋
Ｙ＝１）で示される組成物を含む薄膜の１０００Å時の
分光透過率を示す。

【００６１】従来はＭＩＭ型素子のinsulator 部分に絶
縁性材料、例えばＴａ₂Ｏ₅（５酸化タンタル) 膜を用
いようとする場合、その光透過性が問題となるので、な
るべくその面積を小さくする等の工程上の制約があっ
た。その後，再びＤＣスパッタ法によって、膜（２４
３）上にＩＴＯを１０００Å成膜し、フォトリソ法を用
いて、第２の電極（２４４）を得た。この場合、マグネ
トロン型ＲＦスパッタ法を用いてもよい。

【００６２】画素電極の一方である電極の寸法は、一辺
が２５０μｍの正方形とし、画素間のギャップは、２５
μｍとした。この画素の電極（２４４）は表示の際、単
位画素となる大きさを有するものであり、薄膜（２４
３）に加わる電界が各画素において均一になるように作
用するものである。この様にして、基板（２４５）を得
た。

【００６３】前記基板上に、紫外線硬化特性を有する、
エポキシ変成アクリル樹脂中に６０重量％のコレスティ
ック液晶を分散させた樹脂を、スピン法を用いて塗布を
行った。その時の条件は、３５００ｒｐｍ、６０秒間と
した。レベリングの後２３６ｎｍを中心とした発光波長
を有する高圧水銀ランプにて、１０００ｍＪのエネルギ
ーを与え、樹脂を硬化させ、１２μｍ厚の液晶分散樹脂
層（２４６）を形成した。

【００６４】その後、直流スパッタ法を用いて、ＩＴＯ
を１２００Å成膜し、その後フォトリソ法を用いてパタ
ーニングをし、第二の電極（２４７）とした。

【００６５】その後、透光性のシリコン樹脂を、スクリ
ーン法を用いて印刷を行い、５０℃で３０分仮焼成の
後、１２０℃で３０分本焼成を行い、５０μｍの保護膜
（２４８）を形成し、基板上のリードにＴＡＢ形状の駆
動ＩＣを接続し、反射型の液晶電気光学装置を得た。

【００６６】以上の実施例において、調光層の塗布には
他の塗布法を必要に応じて採用することができる。その
際には使用する溶液の成分、粘度、特性によって適当に
選択することができる。

【００６７】

【発明の効果】従来の作製方法に比べて、印刷法または
スピン法を用いたために、真空装置を使用しなくてす
み、工程コストの低減化が可能となった。また、電極と
透明固体物質とを複数層積層することで、マルチパネル
も実現できる。この場合透明固体物質に挟まれた電極は
その上下の調光層の電極をかねることも可能である。

【００６８】また、真空装置を用いないため、液晶組成
物の組成比が変化することなく、工程間のばらつき、面
内のばらつきを無くすことができた。

【００６９】さらに、基板が１枚しか必要としないた
め、軽くて薄い液晶電気光学装置を安価で実現すること
ができた。

【００７０】偏向板を使用せず、配向膜も必要とせず、
一枚のみの基板で液晶電気光学効果を実現できるので、
非常に明るい液晶電気光学装置を実現できた。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の液晶電気光学装置の作製工程概略図

【図２】ＴＮ液晶表示装置の構造図

【図３】従来例による液晶組成物の注入方法

【図４】本発明の実施例によるインバーター型相補型薄
膜トランジスタのマトリクス回路図

【図５】本発明の実施例によるデバイス配置図

【図６】本発明の実施例による駆動信号

【図７】本発明の実施例による液晶電気光学装置作製方
法

【図８】本発明の実施例による液晶電気光学装置の断面
図

【図９】本発明の実施例による液晶電気光学装置の断面
図

【図１０】本発明の実施例によるＳｉＣ膜の分光透過率

【符号の説明】

１００・・・基板１０１・・・第一の電極１０３・・・調光層１０４・・・第二の電極

フロントページの続き (56)参考文献特開平４−208924（ＪＰ，Ａ) 特開平１−307728（ＪＰ，Ａ) 特開平２−251990（ＪＰ，Ａ) 特開平２−96714（ＪＰ，Ａ) 特開平１−145635（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁶，ＤＢ名) G02F 1/1333 G02F 1/1333 500 G02F 1/1343 G02F 1/136 500 - 510 G02F 1/13 101

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】基板上に、第１の電極と、前記第１の電
極を覆って形成された絶縁膜と、前記絶縁膜を介して前
記第１の電極上に形成された第２の電極とで構成される
ＭＩＭ型素子を形成する工程と、前記ＭＩＭ型素子を覆って、液晶材料を含む調光層を形
成する工程と、前記調光層上に、低級酸化物の状態のＩＴＯ膜を形成す
る工程と、前記ＩＴＯ膜をパターニングする工程と、前記ＩＴＯ膜を酸化性雰囲気下で酸化処理を行う工程
と、前記ＩＴＯ膜を覆って、保護膜を形成する工程と、を有することを特徴とする液晶電気光学装置作製方法。
【請求項２】請求項１において、前記調光層を形成する
工程は、ドクターナイフ、ロールコーター、カーテンコ
ーター、ナイフコーター、スプレー塗布、スピンコー
ト、スクリーン印刷、オフセット印刷より選ばれた方法
を用いることを特徴とする液晶電気光学装置作製方法。
【請求項３】請求項１において、前記保護膜は、シリコ
ン樹脂を含んでいることを特徴とする液晶電気光学装置
作製方法。
【請求項４】請求項１において、前記調光層は、液晶材
料を、プレポリマー中に分散させたものでなることを特
徴とする液晶電気光学装置作製方法。
【請求項５】請求項４において、前記調光層を形成する
工程の後、前記調光層に紫外線を照射して、プレポリマ
ーの重合を開始させる工程を有することを特徴とする液
晶電気光学装置作製方法。
【請求項６】請求項１において、前記調光層は、重合開
始剤を加えたプレポリマー中に液晶材料を分散させたも
のであることを特徴とする液晶電気光学装置作製方法。
【請求項７】請求項６において、前記調光層を形成する
工程の後、前記調光層を重合開始剤により重合する工程
を有することを特徴とする液晶電気光学装置作製方法。
【請求項８】基板上に、スイッチング素子を含む電子
回路を形成する工程と、前記電子回路上に、液晶材料を含む調光層を形成する工
程と、前記調光層上に、低級酸化物の状態のＩＴＯ膜を形成す
る工程と、前記ＩＴＯ膜をパターニングする工程と、前記ＩＴＯ膜を酸化性雰囲気下で酸化処理を行う工程
と、を有することを特徴とする液晶電気光学装置作製方法。
【請求項９】請求項８において、前記スイッチング素子
は、薄膜トランジスタからなることを特徴とする液晶電
気光学装置作製方法。