JP3645465B2 - 表示装置 - Google Patents
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Description
【産業上の利用分野】
本発明は、アクティブ型表示装置、特にアクティブ型液晶表示装置に関するもので、明確な階調のレベルを設定できるようにしたものである。
【0002】
【従来の技術】
液晶組成物はその物質特性から、分子軸に対して水平方向と垂直方向の誘電率が異なるため、外部の電界に対して水平方向に配列したり、垂直方向に配列したりさせることが容易にできる。液晶電気光学装置はこの誘電率の異方性を利用して、光の透過光量または分散量を制御することで、ON/OFFの表示を行っている。
【0003】
図2にネマチック液晶の電気光学特性を示す。印加電圧が小さいVa(A点201)のときには、透過光量がほぼ0%、Vb(B点202)の場合には20%ほど、Vc(C点203)の場合には70%ほど、Vd(D点204)の場合には100%ほどになる。つまり、A、D点のみを利用すれば、白黒の2階調表示が、B、C点のように電気光学特性の立ち上がりの部分を利用すれば、中間階調表示が可能となる。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
従来のTFTを利用した液晶電気光学装置の階調表示の場合、TFTのゲート印加電圧もしくはソース・ドレイン間の印加電圧を変化させてアナログ的に電圧を調整し、階調表示をおこなっていた。
【0005】
しかしながら、マトリクス構成をなす多数のTFT素子の全てが均一な電気特性を有するように作成するのには困難を有し、ばらつきが大きいため特にアナログ階調表示に必要な中間の電圧の微調整は非常な困難を要していた。
【0006】
また、階調表示を行う別の方法として、複数の書込み(表示フレーム)を用いて、例えば16フレームを利用して、そのON/OFFの割合に応じたデジタル的階調表示を行う方法が提案されていた。これは、16フレームの内、8フレームをON、残り8フレームをOFFとした場合、その平均的な透過率である50%の透過として、階調表示がなされる。また、16フレームの内、4フレームがON、残り12フレームがOFFの場合、その平均的な透過率である25%の透過として、階調表示がなされる。しかし、この方法を用いた場合、人間の目が確認不可能なフレームである30フレームにあたる確認最低フレーム数を割り込む可能性が大きく表示品質を落とす要因となっていた。
【0007】
【問題を解決するための手段】
そこで本発明では、従来のアナログ的階調表示ではなく、デジタル的階調表示を行うことで、明確な階調表示レベルを液晶に供給する手段を提案するものである。本発明では、ドライバーICの駆動周波数を上げて、階調表示を行う本発明による方式では、前記駆動方法にあるような実質的なフレーム周波数を落とすことなく階調表示が可能になるために、視覚確認周波数を割り込むことなく、表示品質の低下をおこすことが無い、良質な画面を提供することができる。
【0008】
本発明では、アクティブマトリクス型液晶表示装置において、任意の画素に書き込む単位時間tと1画面を書き込む時間Fで関係される表示タイミングを有する表示駆動方式を用いた表示装置の階調表示を、前記時間Fを変更すること無しに前記時間tの書込み時間中の信号を時分割とし、分割の割合に応じた階調を表示可能にしたことを特徴としている。
【0009】
説明のために図3に示す様な2×2のマトリクスを用いる。従来の表示装置の場合は図4に示す様に、複数フレームを使って、例えば16フレームを使用して画素をON・OFFすることで、16フレームの平均電圧として、画素電極にかかる電界が決まり、それによって液晶の透過率が決定される。
【0010】
本発明では、従来のアナログ的な階調制御または複数フレーム階調表示を行うのでは無く、図1に示す様に、任意の画素に書き込む単位時間t225の書込み時間中の信号を時分割とし、分割数分の階調を表示可能にしている。
【0011】
その際、書き込み時間における電界変化227、229が図1のように変化した場合、印加電圧の平均値で液晶が動作することになり、明解な階調表示が可能となる。以下に実施例をもってさらに詳細な説明を加える。
【0012】
【実施例】
『実施例1』 本実施例では図3に示すような回路構成を用いた液晶表示装置を用いて、液晶表示装置の説明を行う。この回路構成に対応する実際の電極等の配置構成を図5に示している。これらは説明を簡単にする為2×2に相当する部分のみ記載されている。また、実際の駆動信号波形を図1に示す。これも説明を簡単にする為に2×2のマトリクス構成とした場合の信号波形で説明を行う。
【0013】
まず、本実施例で使用する液晶表示装置用の基板の作製方法を図6を使用して説明する。図6(A)において、石英ガラス等の高価でない700℃以下、例えば約600℃の熱処理に耐え得るガラス50上にマグネトロンRF(高周波) スパッタ法を用いてブロッキング層51としての酸化珪素膜を1000〜3000Åの厚さに作製する。プロセス条件は酸素100%雰囲気、成膜温度150℃、出力400〜800W、圧力0.5Paとした。タ−ゲットに石英または単結晶シリコンを用いた成膜速度は30〜100Å/分であった。
【0014】
この上にシリコン膜をLPCVD(減圧気相)法、スパッタ法またはプラズマCVD法により形成した。減圧気相法で形成する場合、結晶化温度よりも100〜200℃低い450〜550℃、例えば530℃でジシラン(Si2H6) またはトリシラン(Si3H8) をCVD装置に供給して成膜した。反応炉内圧力は30〜300Paとした。成膜速度は50〜250Å/ 分であった。PTFTとNTFTとのスレッシュホ−ルド電圧(Vth)に概略同一に制御するため、ホウ素をジボランを用いて1×1015〜1×1018cm-3の濃度として成膜中に添加してもよい。
【0015】
スパッタ法で行う場合、スパッタ前の背圧を1×10-5Pa以下とし、単結晶シリコンをタ−ゲットとして、アルゴンに水素を20〜80%混入した雰囲気で行った。例えばアルゴン20%、水素80%とした。成膜温度は150℃、周波数は13.56MHz、スパッタ出力は400〜800W、圧力は0.5Paであった。
【0016】
プラズマCVD法により珪素膜を作製する場合、温度は例えば300℃とし、モノシラン(SiH4)またはジシラン(Si2H6) を用いた。これらをPCVD装置内に導入し、13.56MHzの高周波電力を加えて成膜した。
【0017】
これらの方法によって形成された被膜は、酸素が5×1021cm-3以下であることが好ましい。この酸素濃度が高いと、結晶化させにくく、熱アニ−ル温度を高くまたは熱アニ−ル時間を長くしなければならない。また少なすぎると、バックライトによりオフ状態のリ−ク電流が増加してしまう。そのため4×1019〜4×1021cm-3の範囲とした。水素は4×1020cm-3であり、珪素4×1022cm-3として比較すると1原子%であった。また、ソ−ス、ドレインに対してより結晶化を助長させるため、酸素濃度を7×1019cm-3以下、好ましくは1×1019cm-3以下とし、ピクセル構成するTFTのチャネル形成領域のみに酸素をイオン注入法により5×1020〜5×1021cm-3となるように添加してもよい。その時周辺回路を構成するTFTには光照射がなされないため、この酸素の混入をより少なくし、より大きいキャリア移動度を有せしめることは、高周波動作をさせるためる有効である。
【0018】
上記方法によって、アモルファス状態の珪素膜を500〜5000Å、例えば1500Åの厚さに作製の後、450〜700℃の温度にて12〜70時間非酸化物雰囲気にて中温の加熱処理、例えば水素雰囲気下にて600℃の温度で保持した。珪素膜の下の基板表面にアモルファス構造の酸化珪素膜が形成されているため、この熱処理で特定の核が存在せず、全体が均一に加熱アニ−ルされる。即ち、成膜時はアモルファス構造を有し、また水素は単に混入しているのみである。
【0019】
アニ−ルにより、珪素膜はアモルファス構造から秩序性の高い状態に移り、一部は結晶状態を呈する。特にシリコンの成膜後の状態で比較的秩序性の高い領域は特に結晶化をして結晶状態となろうとする。しかしこれらの領域間に存在する珪素により互いの結合がなされるため、珪素同志は互いにひっぱりあう。レ−ザラマン分光により測定すると単結晶の珪素のピ−ク522cm-1より低波数側にシフトしたピ−クが観察される。それの見掛け上の粒径は半値巾から計算すると、50〜500Åとマイクロクリスタルのようになっているが、実際はこの結晶性の高い領域は多数あってクラスタ構造を有し、各クラスタ間は互いに珪素同志で結合(アンカリング) がされたセミアモルファス構造の被膜を形成させることができた。
【0020】
結果として、被膜は実質的にグレインバウンダリ(以下GBという)がないといってもよい状態を呈する。キャリアは各クラスタ間をアンカリングされた個所を通じ互いに容易に移動し得るため、いわゆるGBの明確に存在する多結晶珪素よりも高いキャリア移動度となる。即ちホ−ル移動度(μh)=10〜200cm2 /VSec、電子移動度(μe )=15〜300cm2 /VSecが得られる。
【0021】
他方、上記の如き中温でのアニ−ルではなく、900〜1200℃の高温アニ−ルにより被膜を多結晶化すると、核からの固相成長により被膜中の不純物の偏析がおきて、GBには酸素、炭素、窒素等の不純物が多くなり、結晶中の移動度は大きいが、GBでのバリア(障壁)を作ってそこでのキャリアの移動を阻害してしまう。結果として10cm2/Vsec以上の移動度がなかなか得られないのが実情である。即ち、本実施例ではかくの如き理由により、セミアモルファスまたはセミクリスタル構造を有するシリコン半導体を用いているが、その他の半導体材料でも高移動度を持ち結晶性を持つ半導体材料であれば十分使用可能である。
【0022】
図6(A) において、珪素膜を第1のフォトマスク▲1▼にてフォトエッチングを施し、PTFT用の領域13(チャネル巾20μm)を図面の左側に、NTFT用の領域22を右側に作製した。
【0023】
この上に酸化珪素膜をゲイト絶縁膜として500〜2000Å例えば1000Åの厚さに形成した。これはブロッキング層としての酸化珪素膜の作製と同一条件とした。この成膜中に弗素を少量添加し、ナトリウムイオンの固定化をさせてもよい。
【0024】
この後、この上側にリンが1〜5×1021cm-3の濃度に入ったシリコン膜またはこのシリコン膜とその上にモリブデン(Mo)、タングステン(W),MoSi2 またはWSi2との多層膜を形成した。これを第2のフォトマスク▲2▼にてパタ−ニングして図6(B) を得た。PTFT用のゲイト電極9、NTFT用のゲイト電極21を形成した。例えばチャネル長10μm、ゲイト電極としてリンド−プ珪素を0.2μm、その上にモリブデンを0.3μmの厚さに形成した。 図6(C)において、フォトレジスト57をフォトマスク▲3▼を用いて形成し、NTFT用のソ−ス18ドレイン20に対し、リンを1〜5×1015cm-2のド−ズ量でイオン注入法により添加した。 次に図6(D)の如く、フォトレジスト61をフォトマスク▲4▼を用いて形成した。PTFT用のソ−ス10、ドレイン12としてホウ素を1〜5×1015cm-2のドーズ量でイオン注入法により添加した。
【0025】
また、ゲート電極材料としてアルミニウム(Al)を用いた場合、これを第2のフォトマスク▲2▼にてパタ−ニング後、その表面を陽極酸化することで、セルファライン工法が適用可能なため、ソース・ドレインのコンタクトホールをよりゲートに近い位置に形成することが出来るため、移動度、スレッシュホールド電圧の低減からさらにTFTの特性を上げることができる。
【0026】
これらはゲイト絶縁膜54を通じて行った。しかし図6(B)において、ゲイト電極21、9をマスクとしてシリコン膜上の酸化珪素を除去し、その後、ホウ素、リンを直接珪素膜中にイオン注入してもよい。
【0027】
次に、600℃にて10〜50時間再び加熱アニ−ルを行った。PTFTのソ−ス10、ドレイン12、NTFTのソ−ス18、ドレイン20を不純物を活性化してP+ 、N+ として作製した。またゲイト電極21、9下にはチャネル形成領域19、11がセミアモルファス半導体として形成されている。
【0028】
かくすると、セルフアライン方式でありながらも、700℃以上にすべての工程で温度を加えることがなくC/TFTを作ることができる。そのため、基板材料として、石英等の高価な基板を用いなくてもよく、本発明の大画素の液晶表示装置にきわめて適したプロセスである。
【0029】
本実施例では熱アニ−ルは図6(A)、(D)で2回行った。しかし図6(A)のアニ−ルは求める特性により省略し、双方を図6(D)のアニ−ルにより兼ね製造時間の短縮を図ってもよい。図6(E)において、層間絶縁物65を前記したスパッタ法により酸化珪素膜の形成として行った。この酸化珪素膜の形成はLPCVD法、光CVD法、常圧CVD法を用いてもよい。例えば0.2〜0.6μmの厚さに形成し、その後、フォトマスク▲5▼を用いて電極用の窓66を形成した。さらに、これら全体にアルミニウムをスパッタ法により形成し、リ−ド71、72およびコンタクト67、68をフォトマスク▲6▼を用いて作製した後、表面を平坦化用有機樹脂69例えば透光性ポリイミド樹脂を塗布形成し、再度の電極穴あけをフォトマスク▲7▼にて行った。
【0030】
図6(F)に示す如く2つのTFTを相補型構成とし、かつその出力端を液晶装置の一方の画素の電極を透明電極としてそれに連結するため、スパッタ法によりITO(インジュ−ム・スズ酸化膜)を形成した。それをフォトマスク▲8▼によりエッチングし、電極17を構成させた。このITOは室温〜150℃で成膜し、200〜400℃の酸素または大気中のアニ−ルにより成就した。かくの如くにしてPTFT13とNTFT22と透明導電膜の電極17とを同一ガラス基板50上に作製した。得られたTFTの電気的な特性はPTFTで移動度は20(cm2/Vs)、Vthは−5.9(V)で、NTFTで移動度は40(cm2/Vs)、Vthは5.0(V)であった。
【0031】
上記の様な方法に従って作製された液晶装置用の一方の基板と他方ガラス基板上に全面に透明電極を設け、これら基板を張り合わせて液晶セルを形成し、この中にTNの液晶材料を注入した。この液晶表示装置の電極等の配置の様子を図5に示している。PTFT13を第1の信号線5と第3の信号線3との交差部に設け、第1の信号線5と第3の信号線4との交差部にも他の画素用のPTFTが同様に設けられている。一方NTFTは第2の信号線8と第3の信号線3との交差部に設けられている。また、隣接した他の第1の信号線6と第3の信号線3との交差部には、他の画素用のPTFTが設けられており、同様に第1の信号線6と第3の信号線4との交差部にはPTFTがもうけられている。このようなC/TFTを用いたマトリクス構成を有せしめた。PTFT13は、ドレイン10の入力端のコンタクトを介し第1の信号線5に連結され、ゲイト9は多層配線形成がなされた信号線3に連結されている。ソ−ス12の出力端はコンタクトを介して画素の電極17に連結している。
【0032】
他方、NTFT22はドレイン20の入力端がコンタクトを介して第2の信号線8に連結され、ゲイト21は信号線3に、ソ−ス18の出力端はコンタクトを介してPTFTと同様に画素電極17に連結している。また、同じ第3の信号線に接続され、かつとなりに設けられた他のC/TFTはPTFT13が第1の信号線6にNTFT22が第2の信号線7に接続されている。かくして一対の信号線5、8に挟まれた間(内側) に、透明導電膜よりなる画素23とC/TFTとにより1つのピクセルを構成せしめた。かかる構造を左右、上下に繰り返すことにより、2×2のマトリクスをそれを拡大した640×480、1280×960といった大画素の液晶表示装置とすることができる。
【0033】
ここでの特長は、1つの画素に2つのTFTが相補構成をして設けられていることにより、画素電極17は3つの値の液晶電位VLCに固定されることである。
【0034】
また、PTFTがとなりあい、それに接続される信号線間に加わる電位差は最大VSSでありリークが少ない。
【0035】
次に第二の基板として、青板ガラス上にスパッタ法を用いて、酸化珪素膜を2000Å積層した基板上に、やはり スパッタ法によりITO(インジュ−ム・スズ酸化膜)を形成した。このITOは室温〜150℃で成膜し、200〜400℃の酸素または大気中のアニ−ルにより成就した。
【0036】
前記基板上に、オフセット法を用いて、ポリイミド前駆体を印刷し、非酸化性雰囲気たとえば窒素中にて350℃1時間焼成を行った。その後、公知のラビング法を用いて、ポリイミド表面を改質し、少なくとも初期において、液晶分子を一定方向に配向させる手段を設けて第二の基板とした。
【0037】
その後、前記第一の基板と第二の基板によって、強誘電性を示す液晶組成物を挟持し、周囲をエポキシ性接着剤にて固定した。基板上のリードにTAB形状の駆動ICを接続し、外側に偏光板を貼り、透過型の液晶表示装置を得た。
【0038】
図4に示す駆動波形を加えた時の画素A、E、Cの表示の様子を図7に示す。この図において、ドットの数が多い程画面が暗くなることを現しており、十分に明解な階調表示がえられることが分かった。
【0039】
『実施例2』 本実施例では前実施例1と同様の工程によって、第一の基板と第二の基板を得た。ただし、第二の基板上にはポリイミドの配向膜は形成しなかった。また用途としてビデオカメラのビューファインダー用途としたため、画素ピッチは60μmとし、縦200×横300ドットのマトリクス構成とした。
【0040】
本実施例では、液晶組成物としてアクリル有機樹脂中にネマチック液晶組成物を分散させた分散型液晶表示装置とした。紫外線硬化性を有するエポキシ変成アクリル樹脂中に62重量%のネマチック液晶を分散させ、第一の基板と第二の基板にて挟持した後に、1000mWの出力を有するUV光源を20秒照射によって硬化させた。
【0041】
階調表示のための時分割数を16として、各色16諧調、合計4096色の表示が可能な液晶表示装置となった。そのときの駆動波形を図8に示す。
【0042】
従来、階調表示を行う方法として、複数の書込み(表示フレーム)を用いて、例えば16フレームを利用して、そのON/OFFの割合に応じた階調表示を行う方法が提案されていた。これは、16フレームの内、8フレームをON、残り8フレームをOFFとした場合、その平均的な透過率である50%の透過として、階調表示がなされる。また、16フレームの内、4フレームがON、残り12フレームがOFFの場合、その平均的な透過率である25%の透過として、階調表示がなされる。しかし、この方法を用いた場合、人間の目が確認不可能なフレームである30フレームにあたる確認最低フレーム数を割り込む可能性が多きく表示品質を落とす要因となっていた。
【0043】
しかしながら、本発明では、ドライバーの駆動周波数を上げて、階調表示を行う本発明による方式では、実質的なフレーム周波数を落とすことなく階調表示が可能になるために、視覚確認周波数を割り込むことなく、表示品質の低下をおこすことが無い、良質な画面を提供することができた。
【0044】
同様の工程、駆動方法をもちいることによって、ワードプロセッサーの画面、コンピュータの画面、またプロジェクション式の映像表示装置等が作成可能である。
【0045】
【発明の効果】
任意の画素に書き込む単位時間tと1画面を書き込む時間Fで関係される表示タイミングを有する表示駆動方式を用いた表示装置の階調表示を、前記時間Fを偏向すること無しに前記時間tの書込み時間中の信号を時分割としたことで、デジタル制御された明解な階調表示をえることができ、前記時間Fで定義されるフレーム周波数の低下による画質劣化の無い、分割の割合に応じた階調が表示可能になった。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明例による駆動波形
【図2】ネマチック液晶の電気光学特性を示す
【図3】インバーター型CTFTマトリクス回路図
【図4】従来例の駆動波形
【図5】本実施例による液晶表示装置の平面図
【図6】本実施例による工程
【図7】本実施例による表示例
【図8】本実施例による駆動波形
Claims (5)
- 絶縁表面上に形成された薄膜トランジスタと、
前記薄膜トランジスタ上に形成された有機樹脂膜と、
前記有機樹脂膜上に形成され、かつ前記有機樹脂膜に形成された穴を通して前記薄膜トランジスタに電気的に接続される配線とを有し、
前記薄膜トランジスタのゲート絶縁膜は、弗素を含む酸化珪素膜であることを特徴とする表示装置。 - 絶縁表面上に形成された薄膜トランジスタと、
前記薄膜トランジスタ上に形成された有機樹脂膜と、
前記有機樹脂膜上に形成され、かつ前記有機樹脂膜に形成された穴を通して前記薄膜トランジスタに電気的に接続される配線と、
TABテ−プを用いて前記配線に電気的に接続される駆動ICとを有し、
前記薄膜トランジスタのゲート絶縁膜は、弗素を含む酸化珪素膜であることを特徴とする表示装置。 - 請求項1又は請求項2において、前記表示装置はプロジェクション式の映像表示装置であることを特徴とする表示装置。
- 請求項1又は請求項2に記載の表示装置を備えることを特徴とするコンピュータ。
- 請求項1又は請求項2に記載の表示装置を備えることを特徴とするビューファインダー。
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