JP2000162649A - アクティブ型表示装置およびビデオカメラ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】良好なアクティブ型表示装置を提供すること。 【解決手段】 本発明によると、絶縁表面を有する基板
と、前記基板上に形成され、ゲイト電極、ゲイト絶縁
膜、チャネル形成領域、ソース領域及びドレイン領域を
有する少なくとも１つの薄膜トランジスタと、前記薄膜
トランジスタを覆う層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜上に
形成され、かつ前記層間絶縁膜に開けられた第１のコン
タクトホールを介して前記ソース領域およびドレイン領
域のいずれか一方に電気的に接続された電極と、前記電
極上に形成された平坦化膜と、前記平坦化膜上に形成さ
れ、かつ前記平坦化膜に形成された第２のコンタクトホ
ールを介して前記電極に電気的に接続された画素電極
と、を有し、前記第１のコンタクトホールは、前記第２
のコンタクトホールから離れて形成されていることを特
徴とするアクティブ型表示装置が提供される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、アクティブ型表示
装置、特にアクティブ型液晶表示装置に関するもので、
明確な階調のレベルを設定できるようにしたものであ
る。

【０００２】

【従来の技術】液晶組成物はその物質特性から、分子軸
に対して水平方向と垂直方向の誘電率が異なるため、外
部の電界に対して水平方向に配列したり、垂直方向に配
列したりさせることが容易にできる。液晶電気光学装置
はこの誘電率の異方性を利用して、光の透過光量または
分散量を制御することで、ＯＮ／ＯＦＦの表示を行って
いる。

【０００３】図２にネマチック液晶の電気光学特性を示
す。印加電圧が小さいＶａ（Ａ点２０１）のときには、
透過光量がほぼ０％、Ｖｂ（Ｂ点２０２）の場合には２
０％ほど、Ｖｃ（Ｃ点２０３）の場合には７０％ほど、
Ｖｄ（Ｄ点２０４）の場合には１００％ほどになる。つ
まり、Ａ、Ｄ点のみを利用すれば、白黒の２階調表示
が、Ｂ、Ｃ点のように電気光学特性の立ち上がりの部分
を利用すれば、中間階調表示が可能となる。

【０００４】従来、ＴＦＴを利用した液晶電気光学装置
の階調表示の場合、ＴＦＴのゲート印加電圧もしくはソ
ース・ドレイン間の印加電圧を変化させてアナログ的に
電圧を調整し、階調表示をおこなっていた。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、マトリ
クス構成をなす多数のＴＦＴ素子の全てが均一な特性を
有するように作成するのには困難を有し、特に階調表示
に必要な中間の電圧の微調整は非常な困難を要してい
た。

【０００６】

【問題を解決するための手段】そこで本発明では、従来
のアナログ的階調表示ではなく、デジタル的階調表示を
行うことで、明確な階調表示レベルを液晶に供給する手
段を提案するものである。

【０００７】そこで、アクティブマトリクス型液晶表示
装置において、任意の画素に書き込む単位時間ｔと１画
面を書き込む時間Ｆで関係される表示タイミングを有す
る表示駆動方式を用いた表示装置の階調表示を、前記時
間Ｆを変更すること無しに前記時間ｔの書込み時間中の
信号を時分割とし、このことによって時間ｔに画素の液
晶に加わる電界の平均値を分割の割合に応じた変化さ
せ、階調を表示可能にしたことを特徴としている。

【０００８】説明のために図３に示す様な４×４のマト
リクスを用いる。従来の表示装置の場合図４に示す様
に、データ方向の信号線２１０〜２１３の電界の強さの
強弱で２２０〜２２３ に示すような画素電極にかかる
電界が決まり、それによって液晶の透過率が決定され
る。なお図３と図４の符号が対応していることはいうま
でもない。

【０００９】本発明では、このようなアナログ的な階調
制御を行うのでは無く、図１に示す様に、任意の画素に
書き込む単位時間ｔ２２５の書込み時間中の信号を時分
割とし、分割数分の階調を表示可能にしている。

【００１０】その際、書き込み時間における電界変化２
２７、２２９、２３１が図１のように変化した場合、非
書き込み時間ではその平均値２２８、２３０、２３２の
ようになり、明解な階調表示が可能となる。以下に実施
例をもってさらに詳細な説明を加える。

【００１１】

【実施例】『実施例１』 本実施例では図３に示すよう
な回路構成を用いた液晶表示装置を用いて、液晶表示装
置の説明を行う。この回路構成に対応する実際の電極等
の配置構成を図５に示している。これらは説明を簡単に
する為２×２に相当する部分のみ記載されている。ま
た、実際の駆動信号波形を図１に示す。これも説明を簡
単にする為に４×４のマトリクス構成とした場合の信号
波形で説明を行う。

【００１２】まず、本実施例で使用する液晶表示装置の
作製方法を図６において説明する。図６（Ａ）におい
て、石英ガラス等の高価でない７００℃以下、例えば約
６００℃の熱処理に耐え得るガラス５０上にマグネトロ
ンＲＦ（高周波) スパッタ法を用いてブロッキング層５
１としての酸化珪素膜を１０００〜３０００Åの厚さに
作製する。プロセス条件は酸素１００％雰囲気、成膜温
度１５℃、出力４００〜８００Ｗ、圧力０．５Ｐａとし
た。タ−ゲットに石英または単結晶シリコンを用いた成
膜速度は３０〜１００Å／分であった。

【００１３】この上にシリコン膜をＬＰＣＶＤ（減圧気
相）法、スパッタ法またはプラズマＣＶＤ法により形成
した。減圧気相法で形成する場合、結晶化温度よりも１
００〜２００℃低い４５０〜５５０℃、例えば５３０℃
でジシラン(Si₂H₆) またはトリシラン(Si₃H₈) をＣＶＤ
装置に供給して成膜した。反応炉内圧力は３０〜３００
Ｐａとした。成膜速度は５０〜２５０Å/ 分であった。
ＮＴＦＴのスレッシュホ−ルド電圧（Ｖth）を制御する
ため、ホウ素をジボランを用いて１×10¹⁵〜１×10¹⁸cm
^-3の濃度として成膜中に添加してもよい。

【００１４】スパッタ法で行う場合、スパッタ前の背圧
を１×10^-5Ｐａ以下とし、単結晶シリコンをタ−ゲット
として、アルゴンに水素を２０〜８０％混入した雰囲気
で行った。例えばアルゴン２０％、水素８０％とした。
成膜温度は１５０℃、周波数は１３．５６ＭＨｚ、スパ
ッタ出力は４００〜８００Ｗ、圧力は０．５Ｐａであっ
た。

【００１５】プラズマＣＶＤ法により珪素膜を作製する
場合、温度は例えば３００℃とし、モノシラン(SiH₄)ま
たはジシラン(Si₂H₆) を用いた。これらをＰＣＶＤ装置
内に導入し、１３．５６ＭＨｚの高周波電力を加えて成
膜した。

【００１６】これらの方法によって形成された被膜は、
酸素が５×10²¹cm^-3以下であることが好ましい。この酸
素濃度が高いと、結晶化させにくく、熱アニ−ル温度を
高くまたは熱アニ−ル時間を長くしなければならない。
また少なすぎると、バックライトによりオフ状態のリ−
ク電流が増加してしまう。そのため４×10¹⁹〜４×10 ²¹
cm^-3の範囲とした。水素は４×10²⁰cm^-3であり、珪素４
×10²²cm^-3として比較すると１原子％であった。また、
ソ−ス、ドレインに対してより結晶化を助長させるた
め、酸素濃度を７×10¹⁹cm^-3以下、好ましくは１×10¹⁹
cm^-3以下とし、ピクセル構成するＴＦＴのチャネル形成
領域のみに酸素をイオン注入法により５×10²⁰〜５×10
²¹cm^-3となるように添加してもよい。その時周辺回路を
構成するＴＦＴには光照射がなされないため、この酸素
の混入をより少なくし、より大きいキャリア移動度を有
せしめることは、高周波動作をさせるためる有効であ
る。

【００１７】前記の様な方法によって、アモルファス状
態の珪素膜を５００〜５０００Å、例えば１５００Åの
厚さに作製の後、４５０〜７００℃の温度にて１２〜７
０時間非酸化物雰囲気にて中温の加熱処理、例えば水素
雰囲気下にて６００℃の温度で保持した。珪素膜の下の
基板表面にアモルファス構造の酸化珪素膜が形成されて
いるため、この熱処理で特定の核が存在せず、全体が均
一に加熱アニ−ルされる。即ち、成膜時はアモルファス
構造を有し、また水素は単に混入しているのみである。

【００１８】アニ−ルにより、珪素膜はアモルファス構
造から秩序性の高い状態に移り、一部は結晶状態を呈す
る。特にシリコンの成膜後の状態で比較的秩序性の高い
領域は特に結晶化をして結晶状態となろうとする。しか
しこれらの領域間に存在する珪素により互いの結合がな
されるため、珪素同志は互いにひっぱりあう。レ−ザラ
マン分光により測定すると単結晶の珪素のピ−ク５２２
cm^-1より低周波側にシフトしたピ−クが観察される。そ
れの見掛け上の粒径は半値巾から計算すると、５０〜５
００Åとマイクロクリスタルのようになっているが、実
際はこの結晶性の高い領域は多数あってクラスタ構造を
有し、各クラスタ間は互いに珪素同志で結合（アンカリ
ング) がされたセミアモルファス構造の被膜を形成させ
ることができた。

【００１９】結果として、被膜は実質的にグレインバウ
ンダリ（以下ＧＢという）がないといってもよい状態を
呈する。キャリアは各クラスタ間をアンカリングされた
個所を通じ互いに容易に移動し得るため、いわゆるGBの
明確に存在する多結晶珪素よりも高いキャリア移動度と
なる。即ちホ−ル移動度（μｈ）＝１０〜２００cm²／
ＶＳｅｃ、電子移動度（μe ）＝１５〜３００cm² ／Ｖ
Ｓｅｃが得られる。

【００２０】他方、上記の如き中温でのアニ−ルではな
く、９００〜１２００℃の高温アニ−ルにより被膜を多
結晶化すると、核からの固相成長により被膜中の不純物
の偏析がおきて、ＧＢには酸素、炭素、窒素等の不純物
が多くなり、結晶中の移動度は大きいが、ＧＢでのバリ
ア（障壁）を作ってそこでのキャリアの移動を阻害して
しまう。結果として１０cm²/Vsec以上の移動度がなかな
か得られないのが実情である。即ち、本実施例ではかく
の如き理由により、セミアモルファスまたはセミクリス
タル構造を有するシリコン半導体を用いている。

【００２１】この上に酸化珪素膜をゲイト絶縁膜５４と
して５００〜２０００Å例えば１０００Åの厚さに形成
した。これはブロッキング層としての酸化珪素膜の作製
と同一条件とした。この成膜中に弗素を少量添加し、ナ
トリウムイオンの固定化をさせてもよい。

【００２２】この後、この上側にリンが１〜５×10²¹cm
^-3の濃度に入ったシリコン膜またはこのシリコン膜とそ
の上にモリブデン(Mo)、タングステン(W),MoSi₂ または
WSi₂との多層膜を形成した。これを第２のフォトマスク
にてパタ−ニングして図６(B) を得た。図６（Ｃ）に
おいて、ＮＴＦＴ用のソ−ス２０、ドレイン１８として
リンを１〜５×１０¹⁵cm^-2のドーズ量でゲート電極９を
マスクとしてイオン注入法により添加した。また、ゲー
ト電極材料としてアルミニウム（Al）を用いた場合、こ
れを第２のフォトマスクにてパタ−ニング後、その表
面を陽極酸化することで、セルファライン工法が適用可
能なため、ソース・ドレインのコンタクトホールをより
ゲートに近い位置に形成することが出来るため、移動
度、スレッシュホールド電圧の低減からさらにＴＦＴの
特性を上げることができる。

【００２３】これらはゲイト絶縁膜５４を通じて行っ
た。しかし図６（Ｂ）において、ゲイト電極９をマスク
としてシリコン膜上の酸化珪素を除去し、その後、リン
を直接珪素膜中にイオン注入してもよい。

【００２４】次に、６００℃にて１０〜５０時間再び加
熱アニ−ルを行った。ＮＴＦＴのソ−ス２０、ドレイン
１８を不純物を活性化してＮ⁺として作製した。またゲ
イト電極９下にはチャネル形成領域２１がセミアモルフ
ァス半導体として形成されている。

【００２５】かくすると、セルフアライン方式でありな
がらも、７００℃以上にすべての工程で温度を加えるこ
とがなくＮＴＦＴを作ることができる。そのため、基板
材料として、石英等の高価な基板を用いなくてもよく、
本発明の大画素の液晶表示装置にきわめて適したプロセ
スである。

【００２６】本実施例では熱アニ−ルは図６（Ａ）、
（Ｃ）で２回行った。しかし図６（Ａ）のアニ−ルは求
める特性により省略し、双方を図６（Ｃ）のアニ−ルに
より兼ね製造時間の短縮を図ってもよい。図６（Ｄ）に
おいて、層間絶縁物６５を前記したスパッタ法により酸
化珪素膜の形成として行った。この酸化珪素膜の形成は
ＬＰＣＶＤ法、光ＣＶＤ法、常圧ＣＶＤ法を用いてもよ
い。例えば０．２〜０．６μｍの厚さに形成し、その
後、フォトマスクを用いて電極用の窓６６を形成し
た。さらに、これら全体にアルミニウムをスパッタ法に
より形成し、リ−ド７１、７２およびコンタクト６７、
６８をフォトマスクを用いて作製した後、表面を平坦
化用有機樹脂６９例えば透光性ポリイミド樹脂を塗布形
成し、再度の電極穴あけをフォトマスクにて行った。

【００２７】図６（Ｇ）に示す如くＴＦＴを形成し、か
つその出力端を液晶装置の一方の画素の電極を透明電極
としてそれに連結するため、スパッタ法によりＩＴＯ
（インジュ−ム・スズ酸化膜）を形成した。それをフォ
トマスクによりエッチングし、画素電極１７、画素電
極とドレイン電極とのコンタクト７３を構成させた。こ
のＩＴＯは室温〜１５０℃で成膜し、２００〜４００℃
の酸素または大気中のアニ−ルにより成就した。

【００２８】かくの如くにしてＮＴＦＴ１３と画素電極
である透明導電膜の電極１７とを同一ガラス基板５０上
に作製した。得られたＴＦＴの特性は移動度は４０（cm
²/Vs）、Ｖthは５．０（Ｖ）であった。このようにし
て、第一の基板を得た。

【００２９】次に第二の基板として、青板ガラス上にス
パッタ法を用いて、酸化珪素膜を２０００Å積層した基
板上に、やはり スパッタ法によりＩＴＯ（インジュ−
ム・スズ酸化膜）を形成した。このＩＴＯは室温〜１５
０℃で成膜し、２００〜４００℃の酸素または大気中の
アニ−ルにより成就した。

【００３０】前記基板上に、オフセット法を用いて、ポ
リイミド前駆体を印刷し、非酸化性雰囲気たとえば窒素
中にて３５０℃１時間焼成を行った。その後、公知のラ
ビング法を用いて、ポリイミド表面を改質し、少なくと
も初期において、液晶分子を一定方向に配向させる手段
を設けて第二の基板とした。

【００３１】その後、前記第一の基板と第二の基板によ
って、強誘電性を示す液晶組成物を挟持し、周囲をエポ
キシ性接着剤にて固定した。基板上のリードにＴＡＢ形
状の駆動ＩＣを接続し、外側に偏光板を貼り、透過型の
液晶表示装置を得た。

【００３２】図１に示す駆動波形を加えた時の画素Ａ、
Ｆ、Ｉの表示の様子を図７に示す。明解な階調表示がえ
られることが分かった。

【００３３】『実施例２』 本実施例では前実施例１と
同様の工程によって、第一の基板と第二の基板を得た。
ただし、第二の基板上にはポリイミドの配向膜は形成し
なかった。また用途としてビデオカメラのビューファイ
ンダー用途としたため、画素ピッチは６０μｍとし、縦
２００×横３００ドットのマトリクス構成とした。

【００３４】本実施例では、液晶組成物としてアクリル
有機樹脂中にネマチック液晶組成物を分散させた分散型
液晶表示装置とした。紫外線硬化性を有するエポキシ変
成アクリル樹脂中に６２重量％のネマチック液晶を分散
させ、第一の基板と第二の基板にて挟持した後に、１０
００ｍＷの出力を有するＵＶ光源を２０秒照射によって
硬化させた。

【００３５】階調表示のための時分割数を１６として、
各色１６諧調、合計４０９６色の表示が可能な液晶表示
装置となった。そのときの駆動波形を図８に示す。

【００３６】従来、階調表示を行う方法として、複数の
書込み（表示フレーム）を用いて、例えば１６フレーム
を利用して、そのＯＮ／ＯＦＦの割合に応じた階調表示
を行う方法が提案されていた。これは、１６フレームの
内、８フレームをＯＮ、残り８フレームをＯＦＦとした
場合、その平均的な透過率である５０％の透過として、
階調表示がなされる。また、１６フレームの内、４フレ
ームがＯＮ、残り１２フレームがＯＦＦの場合、その平
均的な透過率である２５％の透過として、階調表示がな
される。しかし、この方法を用いた場合、人間の目が確
認不可能なフレームである３０フレームにあたる確認最
低フレーム数を割り込む可能性が多きく表示品質を落と
す要因となっていた。

【００３７】しかしながら、本発明では、ドライバーの
駆動周波数を上げて、階調表示を行う本発明による方式
では、実質的なフレーム周波数を落とすことなく階調表
示が可能になるために、視覚確認周波数を割り込むこと
なく、表示品質の低下をおこすことが無い、良質な画面
を提供することができた。

【００３８】本発明の階調表示方法を行うのと同時にさ
らに前記従来の階調方法を同時に行うことによって、従
来より階調表示能力を高めることは有用である。本発明
は１つの画素を表示させる際の液晶画素に加わる平均電
圧をコントロールする方法であり、この時液晶を完全に
応答させる必要がないという特徴を有する。これは従
来、図２のＶ_b やＶ_C の電圧を画素に直接くわえること
が困難であったものを画素電極へ加える平均の電圧を変
化させることによって、あたかもＶ_bやＶ_C の電圧を直
接加えたのと同じ効果を得られるからである。いいかえ
らば、本発明は中途半端に応答する液晶をコントロール
する方法である。

【００３９】なお本明細書中においてはＮＴＦＴすなわ
ちＮチャネル型電界効果トランジスタを用いたがＰＴＦ
ＴすなわちＰチャネル型電界効果トランジスタを駆動素
子として用いてもよい。

【００４０】

【発明の効果】任意の画素に書き込む単位時間ｔと１画
面を書き込む時間Ｆで関係される表示タイミングを有す
る表示駆動方式を用いた表示装置の階調表示を、前記時
間Ｆを偏向すること無しに前記時間ｔの書込み時間中の
信号を時分割としたことで、デジタル制御された明解な
階調表示をえることができ、ＴＦＴの面内特性ばらつき
を補償することができた。かつ、複数フレームによる階
調表示方法に比べて、表示周波数の低下が生じず、高品
位な表示が可能となっている。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明例による駆動波形

【図２】ネマチック液晶の電気光学特性を示す。

【図３】ＮチャネルＴＦＴマトリクス回路図

【図４】従来例の駆動波形

【図５】本実施例によるデバイス平面図

【図６】本実施例の作成工程

【図７】本実施例による表示例

【図８】本実施例による駆動波形

【符号の説明】

２２７、２２９、２３１・・・書込み時間における電界
変化 ２２８、２３０、２３２・・・非書込み時間において画
素電極に加わる電界 ２２５・・・画素に書込みを行う単位時

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】絶縁表面を有する基板と、 前記基板上に形成され、ゲイト電極、ゲイト絶縁膜、チ
   ャネル形成領域、ソース領域及びドレイン領域を有する
   少なくとも１つの薄膜トランジスタと、 前記薄膜トランジスタを覆う層間絶縁膜と、 前記層間絶縁膜上に形成され、かつ前記層間絶縁膜に開
   けられた第１のコンタクトホールを介して前記ソース領
   域およびドレイン領域のいずれか一方に電気的に接続さ
   れた電極と、 前記電極上に形成された平坦化膜と、 前記平坦化膜上に形成され、かつ前記平坦化膜に形成さ
   れた第２のコンタクトホールを介して前記電極に電気的
   に接続された画素電極と、を有し、 前記第１のコンタクトホールは、前記第２のコンタクト
   ホールから離れて形成されていることを特徴とするアク
   ティブ型表示装置。
2. 【請求項２】絶縁表面を有する基板と、 前記基板上に形成され、ゲイト電極、ゲイト絶縁膜、チ
   ャネル形成領域、ソース領域及びドレイン領域を有する
   少なくとも１つの薄膜トランジスタと、 前記薄膜トランジスタを覆う層間絶縁膜と、 前記層間絶縁膜上に形成され、かつ前記層間絶縁膜に開
   けられた第１のコンタクトホールを介して前記ソース領
   域およびドレイン領域のいずれか一方に電気的に接続さ
   れた電極と、 前記電極上に形成された有機樹脂でなる平坦化膜と、 前記平坦化膜上に形成され、かつ前記平坦化膜に形成さ
   れた第２のコンタクトホールを介して前記電極に電気的
   に接続された画素電極と、を有し、 前記第１のコンタクトホールは、前記第２のコンタクト
   ホールから離れて形成されていることを特徴とするアク
   ティブ型表示装置。
3. 【請求項３】絶縁表面を有する基板と、 前記基板上に形成され、ゲイト電極、ゲイト絶縁膜、チ
   ャネル形成領域、ソース領域及びドレイン領域を有する
   少なくとも１つの薄膜トランジスタと、 前記薄膜トランジスタを覆う層間絶縁膜と、 前記層間絶縁膜上に形成され、かつ前記層間絶縁膜に開
   けられた第１のコンタクトホールを介して前記ソース領
   域およびドレイン領域のいずれか一方に電気的に接続さ
   れた電極と、 前記電極上に形成された平坦化膜と、 前記平坦化膜上に形成され、かつ前記平坦化膜に形成さ
   れた第２のコンタクトホールを介して前記電極に電気的
   に接続された画素電極と、を有し、 前記第１のコンタクトホールは、前記第２のコンタクト
   ホールから離れて形成されており、 前記第２のコンタクトホールは、上面が下面より広いテ
   ーパ状であることを特徴とするアクティブ型表示装置。
4. 【請求項４】絶縁表面を有する基板と、 前記基板上に形成され、ゲイト電極、ゲイト絶縁膜、チ
   ャネル形成領域、ソース領域及びドレイン領域を有する
   少なくとも１つの薄膜トランジスタと、 前記薄膜トランジスタを覆う層間絶縁膜と、 前記層間絶縁膜上に形成され、かつ前記層間絶縁膜に開
   けられた第１のコンタクトホールを介して前記ソース領
   域およびドレイン領域のいずれか一方に電気的に接続さ
   れた電極と、 前記電極上に形成された有機樹脂でなる平坦化膜と、 前記平坦化膜上に形成され、かつ前記平坦化膜に形成さ
   れた第２のコンタクトホールを介して前記電極に電気的
   に接続された画素電極と、 を有し、 前記第１のコンタクトホールは、前記第２のコンタクト
   ホールから離れて形成されており、 前記第２のコンタクトホールは、上面が下面より広いテ
   ーパ状であることを特徴とするアクティブ型表示装置。
5. 【請求項５】絶縁表面を有する基板と、 前記基板上に形成され、ゲイト電極、ゲイト絶縁膜、チ
   ャネル形成領域、ソース領域及びドレイン領域を有する
   少なくとも１つの薄膜トランジスタと、 前記薄膜トランジスタを覆う層間絶縁膜と、 前記層間絶縁膜上に形成され、かつ前記層間絶縁膜に開
   けられた第１のコンタクトホールを介して前記ソース領
   域およびドレイン領域のいずれか一方に電気的に接続さ
   れた電極と、 前記電極上に形成された平坦化膜と、 前記平坦化膜上に形成され、かつ前記平坦化膜に形成さ
   れた第２のコンタクトホールを介して前記電極に電気的
   に接続された画素電極と、を有し、 前記第１のコンタクトホールは、前記第２のコンタクト
   ホールから離れて形成されていることを特徴とするビュ
   ーファインダー用アクティブ型表示装置を有するビデオ
   カメラ。
6. 【請求項６】絶縁表面を有する基板と、 前記基板上に形成され、ゲイト電極、ゲイト絶縁膜、チ
   ャネル形成領域、ソース領域及びドレイン領域を有する
   少なくとも１つの薄膜トランジスタと、 前記薄膜トランジスタを覆う層間絶縁膜と、 前記層間絶縁膜上に形成され、かつ前記層間絶縁膜に開
   けられた第１のコンタクトホールを介して前記ソース領
   域およびドレイン領域のいずれか一方に電気的に接続さ
   れた電極と、 前記電極上に形成された有機樹脂でなる平坦化膜と、 前記平坦化膜上に形成され、かつ前記平坦化膜に形成さ
   れた第２のコンタクトホールを介して前記電極に電気的
   に接続された画素電極と、を有し、 前記第１のコンタクトホールは、前記第２のコンタクト
   ホールから離れて形成されていることを特徴とするビュ
   ーファインダー用アクティブ型表示装置を有するビデオ
   カメラ。
7. 【請求項７】絶縁表面を有する基板と、 前記基板上に形成され、ゲイト電極、ゲイト絶縁膜、チ
   ャネル形成領域、ソース領域及びドレイン領域を有する
   少なくとも１つの薄膜トランジスタと、 前記薄膜トランジスタを覆う層間絶縁膜と、 前記層間絶縁膜上に形成され、かつ前記層間絶縁膜に開
   けられた第１のコンタクトホールを介して前記ソース領
   域およびドレイン領域のいずれか一方に電気的に接続さ
   れた電極と、 前記電極上に形成された平坦化膜と、 前記平坦化膜上に形成され、かつ前記平坦化膜に形成さ
   れた第２のコンタクトホールを介して前記電極に電気的
   に接続された画素電極と、を有し、 前記第１のコンタクトホールは、前記第２のコンタクト
   ホールから離れて形成されており、 前記第２のコンタクトホールは、上面が下面より広いテ
   ーパ状であることを特徴とするビューファインダー用ア
   クティブ型表示装置を有するビデオカメラ。
8. 【請求項８】絶縁表面を有する基板と、 前記基板上に形成され、ゲイト電極、ゲイト絶縁膜、チ
   ャネル形成領域、ソース領域及びドレイン領域を有する
   少なくとも１つの薄膜トランジスタと、 前記薄膜トランジスタを覆う層間絶縁膜と、 前記層間絶縁膜上に形成され、かつ前記層間絶縁膜に開
   けられた第１のコンタクトホールを介して前記ソース領
   域およびドレイン領域のいずれか一方に電気的に接続さ
   れた電極と、 前記電極上に形成された有機樹脂でなる平坦化膜と、 前記平坦化膜上に形成され、かつ前記平坦化膜に形成さ
   れた第２のコンタクトホールを介して前記電極に電気的
   に接続された画素電極と、を有し、 前記第１のコンタクトホールは、前記第２のコンタクト
   ホールから離れて形成されており、 前記第２のコンタクトホールは、上面が下面より広いテ
   ーパ状であることを特徴とするビューファインダー用ア
   クティブ型表示装置を有するビデオカメラ。