JPS5929289A - 液晶表示パネル用基板 - Google Patents
液晶表示パネル用基板Info
- Publication number
- JPS5929289A JPS5929289A JP57140077A JP14007782A JPS5929289A JP S5929289 A JPS5929289 A JP S5929289A JP 57140077 A JP57140077 A JP 57140077A JP 14007782 A JP14007782 A JP 14007782A JP S5929289 A JPS5929289 A JP S5929289A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- liquid crystal
- transparent conductive
- conductive film
- active element
- wiring
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Liquid Crystal (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は液晶の電気−光学効果を利用した液晶表示パネ
ル用の基板に関する。
ル用の基板に関する。
本発明は能動素子として多結晶シリコン膜を用いた薄膜
トランジスタを例に、又、駆動用配線材料あるいは、液
晶駆動電極材料として酸化スズ膜を例に説明するが他の
半導体材料あるいは配線材料にも適用する。
トランジスタを例に、又、駆動用配線材料あるいは、液
晶駆動電極材料として酸化スズ膜を例に説明するが他の
半導体材料あるいは配線材料にも適用する。
薄膜トランジスタは、高価なシリコン基板上に形成する
半導体素子に比べ、安価なガラス基板上に形成すること
ができると共に、工程数も少なくできる利点を持ってい
る。
半導体素子に比べ、安価なガラス基板上に形成すること
ができると共に、工程数も少なくできる利点を持ってい
る。
特に透明基板上にＮ膜トランジスタアレイを形成し、液
晶ディスプレイを構成したフラットパネル等では、裏面
に反射率の良い反射板をセットする事により、コントラ
ストの良い表示を得ることができる。
晶ディスプレイを構成したフラットパネル等では、裏面
に反射率の良い反射板をセットする事により、コントラ
ストの良い表示を得ることができる。
一般に液晶表示装置にはダイナミック駆動方式とスタテ
ィック駆動方式とがあるが、後者の方が駆動電圧、消！
電力の点で優れている。スタティック駆動方式の液晶表
示装置は第１図の様に内面に酸化スズ膜等の透明電導性
皮膜２をコーティングした透明ガラス板と、同じく内面
に透明電導性皮膜２′を形成したガラス板１′の間に、
液晶物質３をサンドイッチ状にはさみこんだもので、上
記電極板間に電圧を印加すると、液晶分子の配列方向が
変化し、それによる電気−光学効果を生じ、上記電気−
光学効果を表示装置として利用したものである。
ィック駆動方式とがあるが、後者の方が駆動電圧、消！
電力の点で優れている。スタティック駆動方式の液晶表
示装置は第１図の様に内面に酸化スズ膜等の透明電導性
皮膜２をコーティングした透明ガラス板と、同じく内面
に透明電導性皮膜２′を形成したガラス板１′の間に、
液晶物質３をサンドイッチ状にはさみこんだもので、上
記電極板間に電圧を印加すると、液晶分子の配列方向が
変化し、それによる電気−光学効果を生じ、上記電気−
光学効果を表示装置として利用したものである。
又、＠２図の様に一方のガラス基板５の内面に薄膜トラ
ンジスタ９をマトリックス状に配置し、前ＭｊＦ薄膜ト
ランジスタに接続された透明を導性皮膜６に電圧を印加
することにより、任意の文字図形、あるいは、画像表示
を行なうものである・しかしながら、従来のこの種の液
晶表示パネルに用いられる透明電導性皮膜２，６．能動
素子９、能動素子駆動用配線１０の断面形状は矩形にな
っているため、液晶の配向処理として行なわれるラビン
グ工程において、次の欠陥が発生する。
ンジスタ９をマトリックス状に配置し、前ＭｊＦ薄膜ト
ランジスタに接続された透明を導性皮膜６に電圧を印加
することにより、任意の文字図形、あるいは、画像表示
を行なうものである・しかしながら、従来のこの種の液
晶表示パネルに用いられる透明電導性皮膜２，６．能動
素子９、能動素子駆動用配線１０の断面形状は矩形にな
っているため、液晶の配向処理として行なわれるラビン
グ工程において、次の欠陥が発生する。
（リ 断面形状が矩形になっている為、配線近傍はラビ
ングされず、配向処理不良が発生する。
ングされず、配向処理不良が発生する。
（２） 能動素子駆動配線と、透明電導性皮膜の重な
り合う箇所は、ラビング時に透明電導性皮膜がけづられ
断線部８，８′が発生する。
り合う箇所は、ラビング時に透明電導性皮膜がけづられ
断線部８，８′が発生する。
本発明はこの様な従来の欠点を減少させたものであり、
その目的とするところは、透明電導性皮膜、液晶駆動用
能動素子あるいは能動素子駆動用配線の断面形状に６０
６以下の傾斜を付与し、ラビングによる配向処理不良、
断線防止を達成できる構造を有する液晶表示パネルを提
供することである。
その目的とするところは、透明電導性皮膜、液晶駆動用
能動素子あるいは能動素子駆動用配線の断面形状に６０
６以下の傾斜を付与し、ラビングによる配向処理不良、
断線防止を達成できる構造を有する液晶表示パネルを提
供することである。
次に掲載した図面を参照しながら本発明の詳細な説明を
する。
する。
第３図は本発明に基づき作成された具体的な液晶表示パ
ネルの断面図であり、１１は内面に酸化スス膜等の透明
電導性皮膜１２をコーティングした透明ガラス板、１１
′は内面に透明電導性皮膜１２′をホトリソグラフィー
技術により、レジスト膜をマスクに透明電導性皮膜をエ
ツチングしパターニングして形成したガラス板、このパ
ターニング方法による透明電導性皮膜１２′の断面形状
に傾斜角を付与する場合は、マスク材であるレジスト膜
と被エツチング物である透明電導性皮膜との密着度を低
下すれば、任意の傾斜角を付与することができる。さら
に、レジスト膜をマスクに透明電導性皮膜を四塩化炭素
系のエツチングガスによりドライエツチングする場合は
、エツチングガスに少量の酸素を混合することにより、
混入したガスの割合によりやはり断面形状に傾斜角を付
与することができる。
ネルの断面図であり、１１は内面に酸化スス膜等の透明
電導性皮膜１２をコーティングした透明ガラス板、１１
′は内面に透明電導性皮膜１２′をホトリソグラフィー
技術により、レジスト膜をマスクに透明電導性皮膜をエ
ツチングしパターニングして形成したガラス板、このパ
ターニング方法による透明電導性皮膜１２′の断面形状
に傾斜角を付与する場合は、マスク材であるレジスト膜
と被エツチング物である透明電導性皮膜との密着度を低
下すれば、任意の傾斜角を付与することができる。さら
に、レジスト膜をマスクに透明電導性皮膜を四塩化炭素
系のエツチングガスによりドライエツチングする場合は
、エツチングガスに少量の酸素を混合することにより、
混入したガスの割合によりやはり断面形状に傾斜角を付
与することができる。
又、本発明の目的に必要な傾斜角としては、ラビング用
治其の半径と透明電導性皮膜の膜厚の関係から傾斜面へ
のラビング及び透明電導性皮膜配線近傍のラビング可能
な角度として６０″以下にする必要があり、６０°以上
では、上記の目的は達成できない。
治其の半径と透明電導性皮膜の膜厚の関係から傾斜面へ
のラビング及び透明電導性皮膜配線近傍のラビング可能
な角度として６０″以下にする必要があり、６０°以上
では、上記の目的は達成できない。
１３は上記２枚のガラス板間にサンドウィッチ状にはさ
みこまれた液晶物質である。図からも判かる様に、透明
電導性皮膜１２′の断面形状は６０°以下の傾斜を付与
しである為、配向処理時に傾斜面も配向処理され、配向
処理不良部は発生しない。
みこまれた液晶物質である。図からも判かる様に、透明
電導性皮膜１２′の断面形状は６０°以下の傾斜を付与
しである為、配向処理時に傾斜面も配向処理され、配向
処理不良部は発生しない。
第４図は本発明に基づき作成された第２の実施例であり
、１５は内面に酸化スズ膜等の透明電導゛性成膜１６を
コーティングした透明ガラス板、１５′は内面に多結晶
シリコン膜を用いた薄膜トランジスタ１９をマトリック
ス状に配置し、前記薄膜トランジスタに接続された透明
電導性皮膜１６′を形成したガラス板である。前記薄膜
トランジスタの製造プロセス中において、多結晶シリコ
ン膜のパターニングをレジスト膜をマスクに７レオンガ
スによるドライエツチングで行なう場合は、エツチング
ガスであるフレオンガスに少量の酸素を混入させれば任
意の傾斜面を持つ薄膜トランジスタが作成できる。傾斜
角については、実施例１で説明した如く６０°以下が必
要となる。
、１５は内面に酸化スズ膜等の透明電導゛性成膜１６を
コーティングした透明ガラス板、１５′は内面に多結晶
シリコン膜を用いた薄膜トランジスタ１９をマトリック
ス状に配置し、前記薄膜トランジスタに接続された透明
電導性皮膜１６′を形成したガラス板である。前記薄膜
トランジスタの製造プロセス中において、多結晶シリコ
ン膜のパターニングをレジスト膜をマスクに７レオンガ
スによるドライエツチングで行なう場合は、エツチング
ガスであるフレオンガスに少量の酸素を混入させれば任
意の傾斜面を持つ薄膜トランジスタが作成できる。傾斜
角については、実施例１で説明した如く６０°以下が必
要となる。
１７は上記２枚のガラス板間にサンドイッチ状にはさみ
こまれた液晶物質、２０は薄膜トランジスタ駆動用配線
である。能動素子である薄膜トランジスタ、及び駆動用
配線の断面形状に６０°以下の傾斜を付与したことによ
り、配向処理による透明電導性皮膜１６′の断線を防止
することができる。又、第１の実施例で説明した配向処
理不良も解消できる。
こまれた液晶物質、２０は薄膜トランジスタ駆動用配線
である。能動素子である薄膜トランジスタ、及び駆動用
配線の断面形状に６０°以下の傾斜を付与したことによ
り、配向処理による透明電導性皮膜１６′の断線を防止
することができる。又、第１の実施例で説明した配向処
理不良も解消できる。
さらに本発明によれば、薄膜トランジスタ及び駆動用配
線の断面形状に傾斜があるため、透明電導度膜１６′の
形成が均一に行なわれ、皮膜自体の断線防止の効果もあ
る。
線の断面形状に傾斜があるため、透明電導度膜１６′の
形成が均一に行なわれ、皮膜自体の断線防止の効果もあ
る。
以上述べた如く、本発明によれば、液晶の配向不良を防
止できるだけでなく、透明電導皮膜の断線防止、信頼性
向上等種々の優れた効果を有するものである。
止できるだけでなく、透明電導皮膜の断線防止、信頼性
向上等種々の優れた効果を有するものである。
第１・、２図は従来の液晶表示パネルの断面図、第３
、４ｐｌは本発明による液晶表示パネルの断面図である
。 図中、１，１１，５．１５はガラス板、２゜１２．６．
１６は透明電導皮膜、３．１３，７゜１７は液晶物質、
９．１９は薄膜トランジスタ、１０．２０は駆動用配線
である。 以 上 第１図 第２図
、４ｐｌは本発明による液晶表示パネルの断面図である
。 図中、１，１１，５．１５はガラス板、２゜１２．６．
１６は透明電導皮膜、３．１３，７゜１７は液晶物質、
９．１９は薄膜トランジスタ、１０．２０は駆動用配線
である。 以 上 第１図 第２図
Claims (1)
- ２枚の基板により液晶物質を挾持してなる液晶表示パネ
ルにおいて、前記基板の少なくとも一方上に、透明電導
性皮膜、液晶駆動用能動素子あるいは、能動素子駆動用
配線を備え、前記透明電導性皮膜、能動素子、および、
能動素子駆動用配線の断面形状は６０°以下の傾斜面を
有することを特徴とする液晶表示パネル用基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57140077A JPS5929289A (ja) | 1982-08-12 | 1982-08-12 | 液晶表示パネル用基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57140077A JPS5929289A (ja) | 1982-08-12 | 1982-08-12 | 液晶表示パネル用基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5929289A true JPS5929289A (ja) | 1984-02-16 |
Family
ID=15260422
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57140077A Pending JPS5929289A (ja) | 1982-08-12 | 1982-08-12 | 液晶表示パネル用基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5929289A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6280626A (ja) * | 1985-10-04 | 1987-04-14 | Hosiden Electronics Co Ltd | 液晶表示素子 |
| JPH0282579A (ja) * | 1988-09-19 | 1990-03-23 | Seiko Epson Corp | 薄膜トランジスタの製造方法 |
| JPH02134620A (ja) * | 1988-11-15 | 1990-05-23 | Fujitsu Ltd | 液晶表示装置 |
| JPH06349856A (ja) * | 1993-03-18 | 1994-12-22 | Gold Star Electron Co Ltd | 薄膜トランジスタ及びその製造方法 |
| US6417543B1 (en) | 1993-01-18 | 2002-07-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | MIS semiconductor device with sloped gate, source, and drain regions |
-
1982
- 1982-08-12 JP JP57140077A patent/JPS5929289A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6280626A (ja) * | 1985-10-04 | 1987-04-14 | Hosiden Electronics Co Ltd | 液晶表示素子 |
| JPH0282579A (ja) * | 1988-09-19 | 1990-03-23 | Seiko Epson Corp | 薄膜トランジスタの製造方法 |
| JPH02134620A (ja) * | 1988-11-15 | 1990-05-23 | Fujitsu Ltd | 液晶表示装置 |
| US6417543B1 (en) | 1993-01-18 | 2002-07-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | MIS semiconductor device with sloped gate, source, and drain regions |
| US6984551B2 (en) | 1993-01-18 | 2006-01-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | MIS semiconductor device and method of fabricating the same |
| US7351624B2 (en) | 1993-01-18 | 2008-04-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | MIS semiconductor device and method of fabricating the same |
| JPH06349856A (ja) * | 1993-03-18 | 1994-12-22 | Gold Star Electron Co Ltd | 薄膜トランジスタ及びその製造方法 |
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