JPS62229231A - 液晶表示装置 - Google Patents
液晶表示装置Info
- Publication number
- JPS62229231A JPS62229231A JP7324486A JP7324486A JPS62229231A JP S62229231 A JPS62229231 A JP S62229231A JP 7324486 A JP7324486 A JP 7324486A JP 7324486 A JP7324486 A JP 7324486A JP S62229231 A JPS62229231 A JP S62229231A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- liquid crystal
- display device
- crystal display
- layer
- electrode
- Prior art date
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- Pending
Links
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は薄膜トランジスタ(TPT)を有する液晶表示
装置に関する。
装置に関する。
(発明の概要)
本発明はTFTアレイを有する液晶表示装置において、
半導体基板上のソース線とゲート線の交差する場所の上
に絶縁層を形成し、対向基板と接触さゼ、スペーサ材と
することにより、液晶層厚を均一に保持し易くしたもの
である。
半導体基板上のソース線とゲート線の交差する場所の上
に絶縁層を形成し、対向基板と接触さゼ、スペーサ材と
することにより、液晶層厚を均一に保持し易くしたもの
である。
(従来の技術)
半導体基板と、対向電極を有する対向基板の2枚の基板
により液晶をはさみ込んだ液晶表示装置すなわちアクテ
ィブマトリクスパネルは近年、そのコントラスト比の高
さ、視角範囲の広さ、応答の速さから表示装置として脚
光をあびている。2枚の基板のうち一方には、その全面
に電極が形成され、他方の半導体基板面には、小さなブ
ロックパターンの画素電極が複数個形成される。各画素
電極にはスイッチング素子として、薄膜トランジスタ(
TFT)を付けることが行なわれる。
により液晶をはさみ込んだ液晶表示装置すなわちアクテ
ィブマトリクスパネルは近年、そのコントラスト比の高
さ、視角範囲の広さ、応答の速さから表示装置として脚
光をあびている。2枚の基板のうち一方には、その全面
に電極が形成され、他方の半導体基板面には、小さなブ
ロックパターンの画素電極が複数個形成される。各画素
電極にはスイッチング素子として、薄膜トランジスタ(
TFT)を付けることが行なわれる。
第2図はこの様なTFTアレイを有する液晶表示装置の
断面概略図であり、20a、20bはガラス等の透明基
板であり、2a及び2bはゲート電極、22a、22b
は絶縁層、23a、23bは半導体層、24a、24b
はソース電極、25a、25bはドレイン電極、26a
、26bは配向層(絶縁層)、27は液晶、28は透明
電極、29はスペーサ材であり、グラスファイバー、高
分子粉体等からなる。
断面概略図であり、20a、20bはガラス等の透明基
板であり、2a及び2bはゲート電極、22a、22b
は絶縁層、23a、23bは半導体層、24a、24b
はソース電極、25a、25bはドレイン電極、26a
、26bは配向層(絶縁層)、27は液晶、28は透明
電極、29はスペーサ材であり、グラスファイバー、高
分子粉体等からなる。
(発明が解決しようと1“る問題点)
以上の様な液晶表示装置において、液晶層厚を均一に保
持するためには、一般にスペーサー材を散布し、上下基
板を均一に保持する方法がとられているが、以下の様な
問題点がある。
持するためには、一般にスペーサー材を散布し、上下基
板を均一に保持する方法がとられているが、以下の様な
問題点がある。
1、スペーサー材により表示装置としての開口率がさが
る。
る。
2、スペーサー材がTFT上に散布され、上下基板に圧
迫されると、TPTが破壊される。
迫されると、TPTが破壊される。
3、スペーサー散布工程中にショートの原因となる異物
が混入しやすい。
が混入しやすい。
(問題点を解決するための手段)
上記問題を解決するためにこの発明は、半導体基板上の
ソース線とゲート線の交差する場所の上に絶縁層を形成
し、対向基板と接触させ、スペーサー材とすることによ
り、液晶層厚を均一に保持し易くしたことを特徴とする
ものである。
ソース線とゲート線の交差する場所の上に絶縁層を形成
し、対向基板と接触させ、スペーサー材とすることによ
り、液晶層厚を均一に保持し易くしたことを特徴とする
ものである。
(実施例)
以下に本発明の詳細を図示した実施例に基づいて説明す
る。
る。
第1図は本発明に係る液晶表示装置の断面概略図であり
、11a及び11bはゲート電極、12a、12bは絶
縁層、13a、13bは半導体層、14a、14bはソ
ース電極、15a、15bはドレイン電極、16a、1
6bは配向層(絶縁層)、17は液晶、18は透明電極
、19はソース線とゲート線の交差する場所の上に形成
された絶縁層、10a、10bはガラス等の透明基板で
ある。
、11a及び11bはゲート電極、12a、12bは絶
縁層、13a、13bは半導体層、14a、14bはソ
ース電極、15a、15bはドレイン電極、16a、1
6bは配向層(絶縁層)、17は液晶、18は透明電極
、19はソース線とゲート線の交差する場所の上に形成
された絶縁層、10a、10bはガラス等の透明基板で
ある。
絶縁層の形成は蒸着あるいはスパッタ、印刷による方法
がある。
がある。
また本発明の液晶表示装置中に封入する液晶は、ツイス
ト角度がOoから360°までのずべての電界効果型の
ツイストネマティック液晶ばかりでなく、カイラルスメ
クティツク液晶でもよい。
ト角度がOoから360°までのずべての電界効果型の
ツイストネマティック液晶ばかりでなく、カイラルスメ
クティツク液晶でもよい。
(効果)
以上説明した様に、ソース線とゲート線の交差する場所
の上に絶縁層を形成することにより、液晶表示装置の液
晶層厚を均一に保持しやすくなった。
の上に絶縁層を形成することにより、液晶表示装置の液
晶層厚を均一に保持しやすくなった。
また表示画素上にスペーサー材が存在しないため、開口
率が大きくなった。
率が大きくなった。
第1図は本発明の液晶表示装置の断面図、第2図はTF
Tアレイを有する一般の液晶表示装置断面図。 10a、10b・・・ガラス等の透明基板11a、11
b・・・ゲート電極 12a、12b・・・絶縁層 13a、13b・・・半導体層 14a、i4b・y−スミ極 15a、15b・・・ドレイン電極 16a、16b・・・配向層 17・・・液晶 18・・・透明電極 19・・・ソース線とゲート線の交差する場所の上に形
成された絶縁層 29・・・スペーサー材
Tアレイを有する一般の液晶表示装置断面図。 10a、10b・・・ガラス等の透明基板11a、11
b・・・ゲート電極 12a、12b・・・絶縁層 13a、13b・・・半導体層 14a、i4b・y−スミ極 15a、15b・・・ドレイン電極 16a、16b・・・配向層 17・・・液晶 18・・・透明電極 19・・・ソース線とゲート線の交差する場所の上に形
成された絶縁層 29・・・スペーサー材
Claims (2)
- (1)複数個の薄膜トランジスタが表示画素毎に形成さ
れ、ソース線、ゲート線を有する半導体基板と、対向電
極を有する対向基板の間に液晶を封入した液晶表示装置
において、前記半導体基板上、前記ソース線、ゲート線
の交差する場所の上に絶縁層を形成することを特徴とす
る液晶表示装置。 - (2)前記絶縁層が、対向基板と接触することを特徴と
する特許請求の範囲1項記載の液晶表示装置
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7324486A JPS62229231A (ja) | 1986-03-31 | 1986-03-31 | 液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7324486A JPS62229231A (ja) | 1986-03-31 | 1986-03-31 | 液晶表示装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62229231A true JPS62229231A (ja) | 1987-10-08 |
Family
ID=13512572
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP7324486A Pending JPS62229231A (ja) | 1986-03-31 | 1986-03-31 | 液晶表示装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS62229231A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100431361B1 (ko) * | 2001-12-29 | 2004-05-14 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 무전해 도금법을 이용한 액정표시장치 |
US6862056B2 (en) * | 2000-11-10 | 2005-03-01 | Nec Lcd Technologies, Ltd. | Reflection type liquid crystal display device and method of fabricating the same |
JP2005062889A (ja) * | 2003-08-19 | 2005-03-10 | Samsung Electronics Co Ltd | 薄膜トランジスタ表示板及びその製造方法 |
KR100502805B1 (ko) * | 1998-03-12 | 2005-11-21 | 삼성전자주식회사 | 액정 표시 장치 및 그 제조 방법 |
KR100685312B1 (ko) * | 2000-02-25 | 2007-02-22 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정표시패널 및 그의 제조방법 |
-
1986
- 1986-03-31 JP JP7324486A patent/JPS62229231A/ja active Pending
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100502805B1 (ko) * | 1998-03-12 | 2005-11-21 | 삼성전자주식회사 | 액정 표시 장치 및 그 제조 방법 |
KR100685312B1 (ko) * | 2000-02-25 | 2007-02-22 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정표시패널 및 그의 제조방법 |
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US7220625B2 (en) | 2000-11-10 | 2007-05-22 | Nec Lcd Technologies | Method of fabricating reflection type liquid crystal display |
US7514303B2 (en) | 2000-11-10 | 2009-04-07 | Nec Lcd Technologies, Ltd. | Method of fabricating reflection type liquid crystal display |
KR100431361B1 (ko) * | 2001-12-29 | 2004-05-14 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 무전해 도금법을 이용한 액정표시장치 |
JP2005062889A (ja) * | 2003-08-19 | 2005-03-10 | Samsung Electronics Co Ltd | 薄膜トランジスタ表示板及びその製造方法 |
US7566906B2 (en) | 2003-08-19 | 2009-07-28 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Thin film transistor array panel and manufacturing method thereof |
JP4732722B2 (ja) * | 2003-08-19 | 2011-07-27 | 三星電子株式会社 | 薄膜トランジスタ表示板及びその製造方法 |
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