JP2006210890A - 半導体装置の作製方法 - Google Patents

Abstract

【課題】透明導電膜とエッチングガスが反応して細かいパーティクルが形成されるのを防ぎ、良好な特性を持つ半導体装置を作製することを課題とする。
【解決手段】透明導電膜を形成し、前記透明導電膜上に第１の導電膜を形成し、前記第１の導電膜上に第２の導電膜を形成し、前記第２の導電膜を、塩素を含むガスでエッチングし、前記第１の導電膜を、フッ素を含むガスでエッチングすることを特徴とする半導体装置の作製方法に関するものである。塩素を含むガスで第２の導電膜をエッチングする際には、第１の導電膜により透明導電膜が保護され、フッ素を含むガスで第１の導電膜をエッチングする際には、透明導電膜とフッ素を含むガスは反応しないので、パーティクルが形成されない。
【選択図】図１

Description

本発明は、複数の導電膜を積層した積層膜をエッチングする方法、及びそのような導電膜を用いた半導体装置の作製方法に関する。

近年、表示装置の開発がますます盛んになっており、表示装置を構成する個々の素子の微細化が求められてきている。

素子の微細化には、精度の高いエッチング技術が必要である。通常、導電膜を成膜し、ウェットエッチング又はドライエッチングによって電極や配線が形成されるが、ドライエッチングの方が微細な構造を形成するのに適している（特許文献１〜特許文献３参照）。

このような素子には、電極や配線を形成する材料として、低抵抗の導電膜、例えばアルミニウム（Ａｌ）を主成分とする導電膜が用いられる。アルミニウムのドライエッチングにはＣｌ_２、ＢＣｌ_３、ＳｉＣｌ_４、ＣＣｌ_４等、塩素を含むガスが用いられることが多い。

ところで表示装置の画素部には透明導電膜が設けられていることが多いが、抵抗を下げるためや薄膜トランジスタ等の素子とのコンタクトを良好にするために、透明導電膜と前述のような低抵抗の導電膜とを積層して電極を形成することが行われる。ところがドライエッチングにて透明導電膜のエッチングする際、エッチングガスと導電膜が反応して、細かいパーティクルが生成されてしまうことがわかった。

図２（Ａ）〜図２（Ｂ）において、１００１は透明導電膜である酸化インジウムスズ合金（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ（ＩＴＯ））膜、１００２はアルミニウム膜（Ａｌ膜）である。ＩＴＯ膜１００１上にＡｌ膜１００２を形成後（図２（Ａ））、Ａｌ膜１００２をエッチングするのだが、塩素系のガス、例えばＢＣｌ_３とＣｌ_２の混合ガス、をエッチングガスとして用いると、Ａｌ膜１００２をエッチングすると同時に、ＩＴＯ膜１００１と混合ガス中の塩素（Ｃｌ）が反応して、エッチングされた領域周辺に細かいパーティクル１００３が形成されてしまう（図２（Ｂ））。

また図３（Ａ）〜図３（Ｂ）には、ＩＴＯ膜とＡｌ膜との間にチタン膜（Ｔｉ膜）を成膜した例を示す。１１０１はＩＴＯ膜、１１０２はＴｉ膜、１１０３はＡｌ膜であるが（図３（Ａ））、Ａｌ膜１１０３とＴｉ膜１１０２を塩素を含むガス、例えばＢＣｌ_３とＣｌ_２の混合ガスをエッチングガスとして連続的にエッチングすると、Ｔｉ膜１１０２の下に形成されているＩＴＯ膜１１０１が露出してしまい、塩素（Ｃｌ）とＩＴＯ膜１１０１が反応してしまう。その結果図２（Ｂ）と同様に細かいパーティクル１１０４が発生してしまう（図３（Ｂ））。

このようなパーティクルは、透明導電膜と他の導電膜とのショートの原因となり、例えば表示装置を作製した際に、画素部に点欠陥や線欠陥ができる原因になってしまう。
特許公報第２７３４７５３号 特開２００１−１８８２４０号公報 特開２００３−１７４１７３号公報

本発明はこのような細かいパーティクルが形成されるのを防ぎ、良好な特性を持つ半導体装置を作製することを課題とする。

まず、下層、中層、上層の導電膜を形成する。このとき下層の導電膜は透明導電膜であり、フッ素を含むガスでエッチングされない材料で形成される。また中層の導電膜は塩素を含むガスと反応せず、しかしフッ素を含むガスでエッチングされるような材料で形成する。

次に、塩素を含むガスを用いてプラズマを発生させ、上層の導電膜をドライエッチング法でエッチングする。このとき下層の導電膜は中層の導電膜によって保護されるので、塩素を含むガスと下層の導電膜が反応することはない。また中層の導電膜は塩素を含むガスと反応しない材料によって形成されているので、上層の導電膜のエッチングストッパとして働く。

次にフッ素を含むガスで中層の導電膜をドライエッチングにてエッチングするが、フッ素を含むガスと下層の導電膜は反応しないので、下層の導電膜とフッ素の反応化合物は発生せずパーティクルが形成されることはない。またこのときは下層の導電膜がエッチングストッパとして働く。

本発明は、透明導電膜を形成し、前記透明導電膜上に第１の導電膜を形成し、前記第１の導電膜上に第２の導電膜を形成し、前記第２の導電膜を、塩素を含むガスでエッチングし、前記第１の導電膜を、フッ素を含むガスでエッチングすることを特徴とする半導体装置の作製方法に関するものである。

また、他の構成として、本発明は、絶縁表面を有する基板上に半導体膜を形成し、前記半導体膜を覆うように絶縁膜を形成し、前記絶縁膜上に透明導電膜を形成し、前記絶縁膜にコンタクトホールを形成し、前記透明導電膜上と前記コンタクトホール内に第１の導電膜を形成し、前記第１の導電膜上に第２の導電膜を形成し、前記第２の導電膜を、塩素を含むガスでエッチングし、前記第１の導電膜を、フッ素を含むガスでエッチングし、前記透明導電膜は前記半導体膜と電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置の作製方法に関するものである。

また、他の構成として、本発明は、絶縁表面を有する基板上に半導体膜を形成し、前記半導体膜を覆うように絶縁膜を形成し、前記絶縁膜上に透明導電膜を形成し、前記絶縁膜にコンタクトホールを形成し、前記透明導電膜上と前記コンタクトホール内に第１の導電膜を形成し、前記第１の導電膜上に第２の導電膜を形成し、前記第２の導電膜を、塩素を含むガスでエッチングし、前記第１の導電膜を、フッ素を含むガスでエッチングし、前記透明導電膜上に、発光層を含む有機化合物層を形成し、前記透明導電膜は前記半導体膜と電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置の作製方法に関するものである。

本発明において、前記透明導電膜は、酸化インジウムスズ合金（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ（ＩＴＯ））膜、シリコン（Ｓｉ）を含む酸化インジウムスズ合金膜、酸化亜鉛（ＺｎＯ）膜、酸化スズ（ＳｎＯ_２）膜、酸化インジウム（ＩｎＯ）膜、酸化インジウム（ＩｎＯ）に２〜２０ａｔｏｍｉｃ％の酸化亜鉛（ＺｎＯ）を混合した酸化インジウム酸化亜鉛合金膜のいずれか１つである。

本発明において、前記第１の導電膜は、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、タンタル（Ｔａ）、クロム（Ｃｒ）等の金属、又はその窒化物、さらにはその合金のいずれか１つを含むものである。

本発明において、前記第２の導電膜は、アルミニウム膜、ニッケル（Ｎｉ）、モリブデン（Ｍｏ）、シリコン（Ｓｉ）、チタン（Ｔｉ）、ネオジウム（Ｎｄ）、銅（Ｃｕ）のうち少なくとも１種の元素を含むアルミニウム合金膜、ニッケル（Ｎｉ）、モリブデン（Ｍｏ）、シリコン（Ｓｉ）、チタン（Ｔｉ）、ネオジウム（Ｎｄ）、銅（Ｃｕ）のうち少なくとも１種の元素及び炭素を含むアルミニウム合金膜のいずれか１つである。

本発明において、前記塩素を含むガスは、Ｃｌ_２、ＢＣｌ_３、ＳｉＣｌ_４もしくはＣＣｌ_４のいずれか１つを含むガスである。

本発明において、前記フッ素を含むガスは、ＣＦ_４、ＳＦ_６もしくはＮＦ_３のいずれか１つを含むガスである。

本発明において、前記透明導電膜上に、発光層を含む有機化合物層が形成される。

本発明により、導電膜のエッチングの際に、透明導電膜と塩素系ガスと反応するのを防ぐことができるので、細かいパーティクルが形成されるのを抑制することができ、良好な特性を持つ半導体装置を作製することができる。

本発明の実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、以下に説明する本発明の構成において、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を異なる図面間で共通して用い、その繰り返しの説明は省略する。

本実施の形態について、図１（Ａ）〜図１（Ｃ）を用いて説明する。

まず第１の導電膜１０１、第２の導電膜１０２及び第３の導電膜１０３を積層する（図１（Ａ））。導電膜１０１には、酸化インジウムスズ合金（インジウム錫酸化物ともいう）（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ（ＩＴＯ））、シリコン（Ｓｉ）を含むＩＴＯ、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化スズ（ＳｎＯ_２）、酸化インジウム、酸化インジウムに２〜２０ａｔｏｍｉｃ％の酸化亜鉛（ＺｎＯ）を混合した酸化インジウム酸化亜鉛合金のような透明導電膜が用いられ、本実施の形態ではＳｉを含むＩＴＯ膜が形成される。Ｓｉを含むＩＴＯ膜は、ＩＴＯと酸化珪素（ＳｉＯ_２）のターゲットを用いてスパッタリング法で成膜すればよい。

また第２の導電膜１０２としては、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、タンタル（Ｔａ）、クロム（Ｃｒ）等の金属、又はその窒化物、さらにはその合金を用いることができ、本実施の形態ではモリブデン（Ｍｏ）膜をスパッタ法で形成する。

さらに第３の導電膜１０３としては、アルミニウムを主成分とする膜をスパッタ法で形成する。アルミニウムを主成分とする膜は、アルミニウム膜、ニッケル、モリブデン（Ｍｏ）、シリコン（Ｓｉ）、チタン（Ｔｉ）、ネオジウム（Ｎｄ）、銅（Ｃｕ）のうち少なくとも１種の元素を含むアルミニウム合金膜、またはニッケル、モリブデン（Ｍｏ）、シリコン（Ｓｉ）、チタン（Ｔｉ）、ネオジウム（Ｎｄ）、銅（Ｃｕ）のうち少なくとも１種の元素及び炭素を含むアルミニウム合金膜を用いることができる。炭素を含むアルミニウム合金膜においては、ニッケル、モリブデン（Ｍｏ）、シリコン（Ｓｉ）、チタン（Ｔｉ）、ネオジウム（Ｎｄ）、銅（Ｃｕ）のうち少なくとも１種の元素は０．５〜７．０ａｔｏｍｉｃ％、炭素は０．１〜３．０ａｔｏｍｉｃ％含まれているのが好ましい。

次に第３の導電膜１０３上にマスクを形成し、ドライエッチングにて第３の導電膜１０３をエッチングする（図１（Ｂ））。

エッチング用ガスとしては、塩素を含むガス、例えばＣｌ_２、ＢＣｌ_３、ＳｉＣｌ_４もしくはＣＣｌ_４のいずれか１つを含むガスを用いればよい。また用いるエッチング用ガスに不活性気体を添加してもよい。添加する不活性元素としては、Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅから選ばれた一種または複数種の元素を用いることができる。

本実施の形態では第３の導電膜１０３のドライエッチングは、ＢＣｌ_３とＣｌ_２の混合ガスを用い、ＢＣｌ_３とＣｌ_２をそれぞれ６０ｓｃｃｍ、２０ｓｃｃｍの流量で流してドライエッチングを行う。

このとき第２の導電膜１０２がエッチングストッパとなり、第１の導電膜１０１がＢＣｌ_３とＣｌ_２の混合ガスと触れることがない。そのためパーティクルが発生することを防ぐことができる。

次に第２の導電膜１０２を第１の導電膜１０１をエッチングストッパとして、ドライエッチングを行う。エッチング用ガスとして、フッ素を含むガス、例えばＣＦ_４、ＳＦ_６もしくはＮＦ_３のいずれか１つを含むガスを用いてエッチングすればよい。本実施の形態では、ＣＦ_４とＯ_２をそれぞれ３０〜６０ｓｃｃｍ、４０〜７０ｓｃｃｍ流して第２の導電膜１０２のドライエッチングを行う（図１（Ｃ））。

これにより、第２の導電膜１０２のみをエッチングできる。ＣＦ_４とＯ_２は第１の導電膜１０１と反応しないので、細かいパーティクルが形成されることがない。

本発明により、第３の導電膜１０３を塩素を含んだガスでエッチングする際には、第２の導電膜１０２が第１の導電膜１０１上に形成されているので、第１の導電膜１０１が塩素を含んだガスに曝されることがなく、パーティクルは形成されない。また第２の導電膜１０２をエッチングする際には、第１の導電膜１０１と反応しない、フッ素を含んだガスを用いるので、このときにもパーティクルが発生することはない。よって本発明により良好な半導体装置を作製することができる。

本実施例では図１８、図１９、図２０を用いて、本発明の構成と従来の構成の比較を行う。

図１８及び図１９に、ガラス基板上に、窒素を含む酸化珪素膜、酸化インジウムスズ合金（ＩＴＯ）膜、モリブデン（Ｍｏ）膜、アルミニウム（Ａｌ）膜を成膜し、表１に示す条件でエッチングを行ったときの走査電子顕微鏡写真を示す。

なお、表１（Ａ）はモリブデン（Ｍｏ）膜をエッチングするときのＣＦ_４及びＯ_２の条件、表１（Ｂ）はアルミニウム（Ａｌ）膜をエッチングするときのＢＣｌ_３及びＣｌ_２の条件を示している。

なお、図１８はレジストを剥離する前の走査電子顕微鏡写真であり、図１９はレジスト剥離後の走査電子顕微鏡写真である。図１９においては、レジストが剥離されているのでアルミニウム膜が露出している。

図１８及び図１９を見てわかるように、細かいパーティクルが発生しておらず、エッチングが良好に行われたことがわかる。

図２０に、比較例としてガラス基板上に、窒素を含む酸化珪素膜、酸化インジウムスズ合金（ＩＴＯ）膜、チタン（Ｔｉ）膜、アルミニウム（Ａｌ）膜を成膜し、表１（Ｂ）の条件でエッチングを行ったときの走査電子顕微鏡写真を示す。図２０は前述した図３の積層構造に対応しており、図２０と図１８及び図１９との違いは、図１８及び図１９ではモリブデン（Ｍｏ）膜を用いたが、図２０ではチタン（Ｔｉ）膜を用いているところである。

なお図２０においては、アルミニウム膜上のレジストは剥離しておらず残っている。

図２０ではＢＣｌ_３及びＣｌ_２でエッチングする段階で、塩素とＩＴＯが反応して、細かいパーティクルが発生していることがわかる。

また表１（Ａ）からＭｏとＩＴＯのエッチング選択比（ｓｅｌｅ．）が、５１．６と大きく、比較的良好であった。

表１（Ａ）の条件でエッチング選択比が大きかった理由としては、Ｏ_２の量がＣＦ_４に対して適量であったからと考えられる。

ＣＦ_４にＯ_２を添加すると、ＣＦ_４とＯ_２が反応してＣＯとＦになり、Ｆラジカル又はＦイオンが発生する。Ｏ_２の量が少ないとＦラジカル又はＦイオンの量が少ないのでエッチングが充分にされない。一方、Ｏ_２の量が多すぎると回り込みが起こってエッチングが過剰になってしまう。

以上から、本発明がＩＴＯ膜上の導電膜のエッチングにおいて細かいパーティクルの発生を抑制するのに有効なことがわかる。

本発明を用いて半導体装置の作製方法を用いる例を、図４（Ａ）〜図４（Ｄ）、図５（Ａ）〜図５（Ｃ）、図６（Ａ）〜図６（Ｃ）、図７（Ａ）〜図７（Ｃ）及び図８（Ａ）〜図８（Ｂ）を用いて説明する。

まず図４（Ａ）に示すように、基板５０１上に下地膜５０２を成膜する。基板５０１には、例えばバリウムホウケイ酸ガラスや、アルミノホウケイ酸ガラスなどのガラス基板、石英基板、ステンレス基板等を用いることができる。また、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）、ＰＥＳ（ポリエーテルサルフォン）、ＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）に代表されるプラスチックや、アクリル等の可撓性を有する合成樹脂からなる基板を用いることも可能である。

下地膜５０２は基板５０１中に含まれるＮａなどのアルカリ金属やアルカリ土類金属が、半導体膜中に拡散し、半導体素子の特性に悪影響を及ぼすのを防ぐために設ける。

下地膜５０２としては、酸化珪素、窒化珪素、窒素を含む酸化珪素、酸素を含む窒化珪素などを用いることができ、単層でも２層、３層といった積層構造でもよい。またガラス基板、ステンレス基板またはプラスチック基板のように、アルカリ金属やアルカリ土類金属が多少なりとも含まれている基板を用いる場合、不純物の拡散を防ぐという観点から下地膜を設けることは有効であるが、石英基板など不純物の拡散がさして問題とならない場合は、必ずしも設ける必要はない。

本実施例では、基板上にＳｉＨ_４、ＮＨ_３、Ｎ_２Ｏ、Ｎ_２及びＨ_２を反応ガスとして酸素を含む窒化珪素膜５０２ａを膜厚５０ｎｍ形成し、その上にＳｉＨ_４及びＮ_２Ｏを反応ガスとして窒素を含む酸化珪素膜５０２ｂを膜厚１００ｎｍで形成する。また酸素を含む窒化珪素膜の膜厚を１４０ｎｍ、積層する窒素を含む酸化珪素膜の膜厚を１００ｎｍとしてもよい。

次に下地膜５０２上に半導体膜５０３を形成する。半導体膜５０３の膜厚は２５ｎｍ〜１００ｎｍ（好ましくは３０ｎｍ〜６０ｎｍ）とする。なお半導体はシリコン（Ｓｉ）だけではなくシリコンゲルマニウム（ＳｉＧｅ）も用いることができる。シリコンゲルマニウムを用いる場合、ゲルマニウムの濃度は０．０１〜４．５ａｔｏｍｉｃ％程度であることが好ましい。

半導体膜５０３は、シランやゲルマン等の半導体材料ガスを用いて気相成長法やスパッタリング法で作製される非晶質半導体（以下「アモルファス半導体」ともいう）、あるいはセミアモルファス半導体（微結晶若しくはマイクロクリスタルとも呼ばれる。以下「ＳＡＳ」ともいう）などを用いることができる。

セミアモルファス半導体（ＳＡＳ）は、非晶質と結晶構造（単結晶、多結晶を含む）の中間的な構造を有し、自由エネルギー的に安定な第３の状態を有する半導体であって、短距離秩序を持ち格子歪みを有する結晶質な領域を含んでいる。少なくとも膜中の一部の領域には、０．５〜２０ｎｍの結晶領域を観測することが出来、珪素を主成分とする場合にはラマンスペクトルが５２０ｃｍ^−１よりも低波数側にシフトしている。Ｘ線回折では珪素結晶格子に由来するとされる（１１１）、（２２０）の回折ピークが観測される。未結合手（ダングリングボンド）の終端化させるものとして水素またはハロゲンを少なくとも１原子％またはそれ以上含ませている。ＳＡＳは、珪素を含む気体をグロー放電分解（プラズマＣＶＤ）して形成する。珪素を含む気体としては、ＳｉＨ_４、その他にもＳｉ_２Ｈ_６、ＳｉＨ_２Ｃｌ_２、ＳｉＨＣｌ_３、ＳｉＣｌ_４、ＳｉＦ_４などを用いることが可能である。またＦ_２、ＧｅＦ_４を混合させても良い。この珪素を含む気体をＨ_２、又は、Ｈ_２とＨｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｎｅから選ばれた一種または複数種の希ガス元素で希釈しても良い。希釈率は２〜１０００倍の範囲、圧力は０．１Ｐａ〜１３３Ｐａの範囲、電源周波数は１ＭＨｚ〜１２０ＭＨｚ、好ましくは１３ＭＨｚ〜６０ＭＨｚである。基板加熱温度は３００℃以下が好ましく、１００〜２００℃の基板加熱温度でも形成可能である。ここで、主に成膜時に取り込まれる不純物元素として、酸素、窒素、炭素などの大気成分に由来する不純物は１×１０^２０ｃｍ^−３以下とすることが望ましく、特に、酸素濃度は５×１０^１９ｃｍ^−３以下、好ましくは１×１０^１９ｃｍ^−３以下となるようにすることが好ましい。また、ヘリウム、アルゴン、クリプトン、ネオンなどの希ガス元素を含ませて格子歪みをさらに助長させることで安定性が増し良好なＳＡＳが得られる。また半導体膜としてフッ素系ガスより形成されるＳＡＳ層に水素系ガスより形成されるＳＡＳ層を積層してもよい。

非晶質半導体としては、代表的には水素化アモルファスシリコンなどがあげられる。また前述したように、セミアモルファス半導体又は半導体膜の一部に結晶相を含む半導体を用いることもできる。

本実施例では、半導体膜５０３として、プラズマＣＶＤ法で非晶質珪素膜を５４ｎｍの厚さで成膜する。

次に半導体膜５０３に半導体の結晶化を促進する金属元素を導入する。半導体膜５０３への金属元素の導入の方法としては、金属元素を半導体膜５０３の表面又はその内部に存在させ得る手法であれば特に限定はなく、例えばスパッタ法、ＣＶＤ法、プラズマ処理法（プラズマＣＶＤ法も含む）、吸着法、金属塩の溶液を添加する方法を使用することができる。このうち溶液を用いる方法は簡便であり、金属元素の濃度調整が容易であるという点で有用である。また、このとき半導体膜５０３の表面のぬれ性を改善し、非晶質半導体膜の表面全体に水溶液を行き渡らせるため、酸素雰囲気中でのＵＶ光の照射、熱酸化法、ヒドロキシラジカルを含むオゾン水又は過酸化水素による処理等により、酸化膜を成膜することが望ましい。

半導体の結晶化を促進する金属元素としては、ニッケル（Ｎｉ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、鉄（Ｆｅ）、パラジウム（Ｐｄ）、スズ（Ｓｎ）、鉛（Ｐｂ）、コバルト（Ｃｏ）、白金（Ｐｔ）、銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）から選ばれた一つの元素、又は複数の元素を用いることが可能である。本実施例では、金属元素としてニッケル（Ｎｉ）を用い、液相のニッケル酢酸溶液５０４をスピンコート法で半導体膜５０３の表面に添加する（図４（Ａ））。

次に窒素雰囲気中において、４５０〜５００℃の温度で１時間保持することにより、半導体膜５０３中の水素を離脱させる。これは、半導体膜５０３中に不対結合手を意図的に形成することにより、後の結晶化に際してのしきい値エネルギーを下げるためである。

そして窒素雰囲気中において、５５０〜６００℃、４〜８時間の加熱処理を施すことにより、半導体膜５０３を結晶化させて結晶性半導体膜５０５を得る。この金属元素により、半導体膜５０３の結晶化の温度を５５０〜６００℃という比較的低温とすることができる。

次に、結晶性半導体膜５０５に線状レーザビーム５００を照射し、結晶性をさらに改善する（図４（Ｂ））。

レーザ結晶化を行なう場合、レーザ結晶化の前に、レーザに対する結晶性半導体膜５０５の耐性を高めるために、５００℃、１時間の加熱処理を結晶性半導体膜５０５に加えてもよい。

レーザ結晶化は、連続発振のレーザ、または擬似ＣＷレーザとして、発振周波数が１０ＭＨｚ以上、好ましくは８０ＭＨｚ以上のパルス発振レーザを用いることができる。

具体的には、連続発振のレーザとして、Ａｒレーザ、Ｋｒレーザ、ＣＯ_２レーザ、ＹＡＧレーザ、ＹＶＯ_４レーザ、ＹＬＦレーザ、ＹＡｌＯ_３レーザ、ＧｄＶＯ_４レーザ、Ｙ_２Ｏ_３レーザ、ルビーレーザ、アレキサンドライトレーザ、Ｔｉ：サファイアレーザ、ヘリウムカドミウムレーザなどが挙げられる。

また擬似ＣＷレーザとして、発振周波数が１０ＭＨｚ以上、好ましくは８０ＭＨｚ以上のパルス発振させることができるのであれば、Ａｒレーザ、Ｋｒレーザ、エキシマレーザ、ＣＯ_２レーザ、ＹＡＧレーザ、Ｙ_２Ｏ_３レーザ、ＹＶＯ_４レーザ、ＹＬＦレーザ、ＹＡｌＯ_３レーザ、ＧｄＶＯ_４レーザ、ガラスレーザ、ルビーレーザ、アレキサンドライトレーザ、Ｔｉ：サファイアレーザ、銅蒸気レーザまたは金蒸気レーザのようなパルス発振レーザを用いることができる。

このようなパルス発振レーザは、発振周波数を増加させていくと、いずれは連続発振レーザと同等の効果を示すものである。

例えば連続発振が可能な固体レーザを用いる場合、第２高調波〜第４高調波のレーザ光を照射することで、大粒径の結晶を得ることができる。代表的には、ＹＡＧレーザ（基本波１０６４ｎｍ）の第２高調波（５３２ｎｍ）や第３高調波（３５５ｎｍ）を用いるのが望ましい。例えば、連続発振のＹＡＧレーザから射出されたレーザ光を非線形光学素子により高調波に変換して、半導体膜５０５に照射する。エネルギー密度は０．０１〜１００ＭＷ／ｃｍ^２程度（好ましくは０．１〜１０ＭＷ／ｃｍ^２）とすれば良い。

なお、希ガスや窒素などの不活性ガスを含む雰囲気中でレーザ光を照射するようにしても良い。これにより、レーザ光照射による半導体表面の荒れを抑えることができ、界面準位密度のばらつきによって生じる閾値電圧のばらつきを抑えることができる。

上述した半導体膜５０５へのレーザビーム５００の照射により、結晶性がより高められた結晶性半導体膜５０６が形成される（図４（Ｃ））。

次に、図４（Ｄ）に示すように結晶性半導体膜５０６を用いて、島状半導体膜５０７〜５１０が形成される。この島状半導体膜５０７〜５１０は、以降の工程で形成されるＴＦＴの活性層となる。

次に島状半導体膜にしきい値制御のための不純物を導入する。本実施例においてはジボラン（Ｂ_２Ｈ_６）をドープすることによってボロン（Ｂ）を島状半導体膜中に導入する。

次に島状半導体膜５０７〜５１０を覆うように絶縁膜５１１を成膜する。絶縁膜５１１には、例えば酸化珪素、窒化珪素または窒素を含んだ酸化珪素等を用いることができる。また成膜方法は、プラズマＣＶＤ法、スパッタ法などを用いることができる。

次に、絶縁膜５１１上に導電膜を成膜した後、第１導電膜５１２及び第２導電膜５１３を成膜し、これらを用いてゲート電極５１５〜５１９を形成する。

ゲート電極５１５〜５１９は、導電膜を単層または２層以上積層させた構造を用いて形成する。導電膜を２層以上積層させている場合は、タンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）、モリブデン（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）から選ばれた元素、または前記元素を主成分とする合金材料、若しくは化合物材料を積層させてゲート電極５１５〜５１９を形成してもよい。また、リン（Ｐ）等の不純物元素をドーピングした多結晶シリコン膜に代表される半導体膜を用いてゲート電極を形成してもよい。

本実施例では、まず第１の導電膜５１２として、例えば窒化タンタル（ＴａＮ）膜を１０〜５０ｎｍ、例えば３０ｎｍの膜厚で形成する。そして第１の導電膜５１２上に第２の導電膜５１３として、例えばタングステン（Ｗ）膜を２００〜４００ｎｍ、例えば３７０ｎｍの膜厚で形成し、第１の導電膜５１２及び第２の導電膜５１３の積層膜を形成する（図５（Ａ））。

次に第２の導電膜と第１の導電膜を連続的に異方性エッチングし、次いで第２の導電膜を等方性エッチングすることで、上層ゲート電極５１５ｂ〜５１９ｂ、下層ゲート電極５１５ａ〜５１９ａを形成する。以上よりゲート電極５１５〜５１９を形成する（図５（Ｂ））。

ゲート電極５１５〜５１９は、ゲート配線の一部として形成してもよいし、別にゲート配線を形成して、そのゲート配線にゲート電極５１５〜５１９を接続してもよい。

またゲート電極５１５〜５１９形成の際に、絶縁膜５１１の一部もエッチングされ、ゲート絶縁膜５１４が形成される。

そして、ゲート電極５１５〜５１９や、あるいはレジストをマスクとして用い、島状半導体膜５０７〜５１０それぞれに一導電性（ｎ型またはｐ型の導電性）を付与する不純物を添加し、ソース領域、ドレイン領域、さらには低濃度不純物領域等を形成する。

まず、フォスフィン（ＰＨ_３）を用いて、リン（Ｐ）を、加速電圧を６０〜１２０ｋｅＶ、ドーズ量を１×１０^１３〜１×１０^１５ｃｍ^−２として島状半導体膜中に導入する。この不純物導入の際にｎチャネル型ＴＦＴ５４２及び５４３のチャネル形成領域５２５、５２８及び５３１が形成される。

またｐチャネル型ＴＦＴ５４１及び５４４を作製するために、ジボラン（Ｂ_２Ｈ_６）を印加電圧６０〜１００ｋｅＶ、例えば８０ｋｅＶ、ドーズ量１×１０^１３〜５×１０^１５ｃｍ^−２、例えば３×１０^１５ｃｍ^−２の条件で、島状半導体膜中にボロン（Ｂ）を導入する。これによりｐチャネル型ＴＦＴ５４１及び５４４のソース領域又はドレイン領域５２１及び５３３、またこの不純物導入の際にチャネル形成領域５２２及び５３４が形成される。

さらにｎチャネル型ＴＦＴ５４２及び５４３となる島状半導体膜５０８及び５０９中に、フォスフィン（ＰＨ_３）を用いて、印加電圧４０〜８０ｋｅＶ、例えば５０ｋｅＶ、ドーズ量１．０×１０^１５〜２．５×１０^１６ｃｍ^−２、例えば３．０×１０^１５ｃｍ^−２で、リン（Ｐ）を導入する。これによりｎチャネル型ＴＦＴの低濃度不純物領域５２４、５２７及び５３０、及びソース領域又はドレイン領域５２３、５２６、５２９及び５３２が形成される（図５（Ｃ））。

本実施例においては、ｎチャネル型ＴＦＴ５４２及び５４３のソース領域又はドレイン領域５２３、５２６、５２９及び５３２のそれぞれには、１×１０^１９〜５×１０^２１ｃｍ^−３の濃度でリン（Ｐ）が含まれることとなる。またｎチャネル型ＴＦＴ５４２及び５４３の低濃度不純物領域５２４、５２７及び５３０のそれぞれには、１×１０^１８〜５×１０^１９ｃｍ^−３の濃度でリン（Ｐ）が含まれる。さらに、ｐチャネル型ＴＦＴ５４１及び５４４のソース又はドレイン領域５２１及び５３３には、１×１０^１９〜５×１０^２１ｃｍ^−３の濃度でボロン（Ｂ）が含まれる。

次に島状半導体膜５０７〜５１０、ゲート絶縁膜５１４及びゲート電極５１５〜５１９を覆って、第１層間絶縁膜５５１を形成する。

第１層間絶縁膜５５１としては、プラズマＣＶＤ法またはスパッタ法を用いて、シリコンを含む絶縁膜、例えば酸化珪素膜、窒化珪素膜、窒素を含む酸化珪素膜、またはその積層膜で形成する。勿論、第１層間絶縁膜５５１は窒素を含む酸化珪素膜や窒化珪素膜、またはその積層膜に限定されるものでなく、他のシリコンを含む絶縁膜を単層または積層構造として用いても良い。

本実施例では、不純物を導入した後、窒素を含む酸化珪素膜をプラズマＣＶＤ法により５０ｎｍ形成し、レーザ照射方法又は窒素を含む酸化珪素膜形成後、窒素雰囲気中５５０℃で４時間加熱して、不純物を活性化する。

次にプラズマＣＶＤ法により窒化珪素膜を５０ｎｍ形成し、更に窒素を含む酸化珪素膜を６００ｎｍ形成する。この、窒素を含む酸化珪素膜、窒化珪素膜及び窒素を含む酸化珪素膜の積層膜が第１層間絶縁膜５５１である。

次に全体を４１０℃で１時間加熱し、窒化珪素膜から水素を放出させることにより水素化を行う。

次に第１層間絶縁膜５５１を覆って、平坦化膜として機能する第２層間絶縁膜５５２を形成する（図６（Ａ））。

第２層間絶縁膜５５２としては、感光性または非感光性の有機材料（ポリイミド、アクリル、ポリアミド、ポリイミドアミド、レジストまたはベンゾシクロブテン）、シロキサン、及びそれらの積層構造を用いることができる。有機材料として、ポジ型感光性有機樹脂又はネガ型感光性有機樹脂を用いることができる。

シロキサンとは、シリコン（Ｓｉ）と酸素（Ｏ）との結合で骨格構造で構成されるものであり、置換基として、少なくとも水素を含む有機基（例えばアルキル基、芳香族炭化水素）が用いられる。置換基として、フルオロ基を用いてもよい。または置換基として、少なくとも水素を含む有機基と、フルオロ基とを用いてもよい。

本実施例では、第２層間絶縁膜５５２としてシロキサンをスピンコート法で形成する。

なお、第２層間絶縁膜５５２上に第３層間絶縁膜を形成してもよい。第３の層間絶縁膜としては、水分や酸素などを他の絶縁膜と比較して透過させにくい膜を用いる。代表的には、スパッタ法またはＣＶＤ法により得られる窒化珪素膜、酸化珪素膜、酸素を含む窒化珪素膜（組成比Ｎ＞Ｏ）または窒素を含む酸化珪素膜（組成比Ｎ＜Ｏ））、炭素を主成分とする薄膜（例えばダイヤモンドライクカーボン膜（ＤＬＣ膜）、窒化炭素膜（ＣＮ膜））などを用いることができる。

次に第２層間絶縁膜５５２上に透明導電膜５５３を形成する（図６（Ｂ））。本発明で用いる透明導電膜として、シリコン（Ｓｉ）を含む酸化インジウムスズ合金（Ｓｉを含むインジウム錫酸化物ともいう）を用いる。Ｓｉを含む酸化インジウムスズ合金以外にも、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化スズ（ＳｎＯ_２）、酸化インジウム、酸化インジウムに２〜２０ａｔｏｍｉｃ％の酸化亜鉛（ＺｎＯ）を混合した酸化インジウム酸化亜鉛合金などの透明導電膜を用いてもよい。本実施例では、透明導電膜５５３としてスパッタ法により、Ｓｉを含む酸化インジウムスズ合金を１１０ｎｍの厚さで成膜する。

次に透明導電膜５５３を用いて画素電極５５４を形成する（図６（Ｃ））。画素電極５５４の形成には、ウェットエッチング法にて透明導電膜５５３をエッチングすればよい。

第１層間絶縁膜５５１及び第２層間絶縁膜５５２をエッチングして、第１層間絶縁膜５５１及び第２層間絶縁膜５５２に、島状半導体膜５０７〜５１０に到達するコンタクトホールを形成する（図７（Ａ））。

第２層間絶縁膜５５１上にコンタクトホールを介して、第３の導電膜５５５及び第４の導電膜５５６を形成する（図７（Ｂ））。

本実施例として、第３の導電膜５５５は、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、タンタル（Ｔａ）、クロム（Ｃｒ）からなる膜又はこれらの元素を用いた合金膜を用いればよい。本実施例では、スパッタ法にてモリブデン（Ｍｏ）を１００ｎｍ成膜する。

また第４の導電膜５５６はアルミニウムを主成分とする膜をスパッタ法で形成する。アルミニウムを主成分とする膜は、アルミニウム膜、ニッケル、コバルト、鉄のうち少なくとも１種の元素を含むアルミニウム合金膜、またはニッケル、コバルト、鉄のうち少なくとも１種の元素及び炭素を含むアルミニウム合金膜を用いることができる。本実施例では、スパッタ法にてアルミニウム膜を７００ｎｍ成膜する。

次に第４の導電膜５５６をエッチングして、電極５６１ｂ〜５６７ｂを形成する（図８（Ａ））。

第４の導電膜５５６のエッチングは、ＢＣｌ_３とＣｌ_２の混合ガスを用いてドライエッチングにて行う。本実施例では、ＢＣｌ_３とＣｌ_２をそれぞれ６０ｓｃｃｍ、２０ｓｃｃｍの流量で流してドライエッチングを行う。

このとき第３の導電膜５５５がエッチングストッパとなり、画素電極５５４がＢＣｌ_３とＣｌ_２の混合ガスと触れることがない。そのためパーティクルが発生することを防ぐことができる。

次に第３の導電膜５５５のエッチングを行って電極５６１ａ〜５６７ａを形成する。本実施例では、ＣＦ_４とＯ_２をそれぞれ３０〜６０ｓｃｃｍ、４０〜７０ｓｃｃｍ流して第３の導電膜５５５のドライエッチングを行う。

このとき画素電極５５４はＣＦ_４及びＯ_２とは反応しないので、細かいパーティクルが形成されることがない。また画素電極５５４は、第３の導電膜５５５をエッチングして電極５６７ａを形成するためのエッチングストッパとなる。

以上のようにして電極５６１〜５６７が形成される。電極５６１〜５６７はそれぞれ、電極と配線を同一の材料及び同一の工程で形成してもよいし、電極と配線を別々に形成してそれらを接続させてもよい。

上記一連の工程によってｎチャネル型ＴＦＴ５４２、５４３及びｐチャネル型ＴＦＴ５４１、５４４が形成される。ｎチャネル型ＴＦＴ５４２及びｐチャネル型ＴＦＴ５４１は電極５６２で接続され、ＣＭＯＳ回路５７１を形成している（図８（Ｂ））。

また、本実施例は、必要であれば実施の形態及び実施例１のいかなる記載とも自由に組み合わせることが可能である。

本実施例では、本発明を用いて両面射出型表示装置を作製する例を図９（Ａ）〜図９（Ｂ）、図１０、図１１及び図２１を用いて示す。

まず実施例２に基づいて図８（Ｂ）の電極５６１〜５６７形成までを行う。なお、実施例２と同じものは同じ符号で表す。

本実施例において、基板５０１上には駆動回路部５９５及び画素部５９６が設けられており、駆動回路部５９５には、ｎチャネル型ＴＦＴ５４２とｐチャネル型ＴＦＴ５４１からなるＣＭＯＳ回路５７１が形成されている。また画素部５９６には、画素ＴＦＴとしてはたらくｐチャネル型ＴＦＴ５４４と、画素ＴＦＴを駆動するｎチャネル型ＴＦＴ５４３が形成されている。また本実施例において、画素電極５５４は発光素子の陽極としてはたらく。

電極５６１〜５６２形成後、画素電極５５４の端部を覆う絶縁物５８１（隔壁、障壁などと呼ばれる）を形成する。絶縁物５８１としては、塗布法により得られる感光性または非感光性の有機材料（ポリイミド、アクリル、ポリアミド、ポリイミドアミド、レジストまたはベンゾシクロブテン）、またはＳＯＧ膜（例えば、アルキル基を含む酸化珪素膜）を膜厚０．８μｍ〜１μｍの範囲で用いる（図９（Ａ））。

絶縁物５８１は、酸化珪素、窒化珪素、窒素を含む酸化珪素、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、酸窒化アルミニウムその他の無機絶縁性材料を用いてもよい。またはアクリル酸、メタクリル酸及びこれらの誘導体、又はポリイミド（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）、芳香族ポリアミド、ポリベンゾイミダゾール（ｐｏｌｙｂｅｎｚｉｍｉｄａｚｏｌｅ）などの耐熱性高分子を絶縁物５８１として用いることが可能である。さらには絶縁物５８１として、シロキサンを用いた絶縁性材料で形成することができる。絶縁物５８１は曲率半径が連続的に変化する形状が好ましく、このとき上に形成される有機化合物層５８２、第２の電極５８３の被覆性が向上する。

シロキサンとは、シリコン（Ｓｉ）と酸素（Ｏ）との結合で骨格構造で構成されるものであり、置換基として、少なくとも水素を含む有機基（例えばアルキル基、芳香族炭化水素）が用いられる。置換基として、フルオロ基を用いてもよい。または置換基として、少なくとも水素を含む有機基と、フルオロ基とを用いてもよい。

絶縁物５８１を形成後、有機化合物層５８２を形成する。次いで第２の電極５８３、即ち、発光素子の陰極を膜厚１０ｎｍ〜８００ｎｍの範囲で形成する（図９（Ｂ））。第２の電極５８３としては、酸化インジウムスズ合金（ＩＴＯ）の他、例えば、Ｓｉ元素を含む酸化インジウムスズ合金や酸化インジウムに２〜２０ａｔｏｍｉｃ％の酸化亜鉛（ＺｎＯ）を混合した酸化インジウム−酸化亜鉛（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）を用いることができる。

有機化合物層５８２は、蒸着法または塗布法を用いて形成された正孔注入層６０１、正孔輸送層６０２、発光層６０３、電子輸送層６０４及び電子注入層６０５を有している。なお、発光素子の信頼性を向上させるため、有機化合物層５８２の形成前に真空加熱を行って脱気を行うことが好ましい。例えば、有機化合物材料の蒸着を行う前に、基板に含まれるガスを除去するために減圧雰囲気や不活性雰囲気で２００℃〜３００℃の加熱処理を行うことが望ましい。なお、層間絶縁膜と絶縁物とを高耐熱性を有するＳｉＯｘ膜で形成した場合には、さらに高い加熱処理（４１０℃）を加えることもできる。

次に、蒸着マスクを用いて選択的に画素電極５５４上にモリブデン酸化物（ＭｏＯｘ）と、４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニル−アミノ］−ビフェニル（α−ＮＰＤ）と、ルブレンとを共蒸着して正孔注入層６０１を形成する。

なお、ＭｏＯｘの他、銅フタロシアニン（ＣｕＰｃ）やバナジウム酸化物（ＶＯｘ）、ルテニウム酸化物（ＲｕＯｘ）、タングステン酸化物（ＷＯｘ）等の正孔注入性の高い材料を用いることができる。また、ポリエチレンジオキシチオフェン水溶液（ＰＥＤＯＴ）又はポリスチレンスルホン酸水溶液（ＰＳＳ）等の正孔注入性の高い高分子材料を塗布法によって成膜したものを正孔注入層６０１として用いてもよい。

次いで、蒸着マスクを用いて選択的にα−ＮＰＤを蒸着し、正孔注入層６０１の上に正孔輸送層６０２を形成する。なお、α−ＮＰＤの他、４，４’−ビス［Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニル−アミノ］−ビフェニル（略称：ＴＰＤ）、４，４’，４’’−トリス（Ｎ，Ｎ−ジフェニル−アミノ）−トリフェニルアミン（略称：ＴＤＡＴＡ）、４，４’，４’’−トリス［Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニル−アミノ］−トリフェニルアミン（略称：ＭＴＤＡＴＡ）等の芳香族アミン系化合物に代表される正孔輸送性の高い材料を用いることができる。

次いで、選択的に発光層６０３を形成する。フルカラー表示装置とするためには発光色（Ｒ、Ｇ、Ｂ）ごとに蒸着マスクのアライメントを行ってそれぞれ選択的に蒸着する。

次いで、蒸着マスクを用いて選択的にＡｌｑ_３（トリス（８−キノリノラト）アルミニウム）を蒸着し、発光層６０３上に電子輸送層６０４を形成する。なお、Ａｌｑ_３の他、トリス（５−メチル−８−キノリノラト）アルミニウム（略称：Ａｌｍｑ_３）、ビス（１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］−キノリナト）ベリリウム（略称：ＢｅＢｑ_２）、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）−４−フェニルフェノラト−アルミニウム（略称：ＢＡｌｑ）等のキノリン骨格またはベンゾキノリン骨格を有する金属錯体等に代表される電子輸送性の高い材料を用いることができる。また、この他ビス［２−（２−ヒドロキシフェニル）−ベンゾオキサゾラト］亜鉛（略称：Ｚｎ（ＢＯＸ）_２）、ビス［２−（２−ヒドロキシフェニル）−ベンゾチアゾラト］亜鉛（略称：Ｚｎ（ＢＴＺ）_２）などのオキサゾール系、チアゾール系配位子を有する金属錯体なども用いることができる。さらに、金属錯体以外にも、２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール（略称：ＰＢＤ）や、１，３−ビス［５−（ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール−２−イル］ベンゼン（略称：ＯＸＤ−７）、３−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−４−フェニル−５−（４−ビフェニリル）−１，２，４−トリアゾール（略称：ＴＡＺ）、３−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−４−（４−エチルフェニル）−５−（４−ビフェニリル）−１，２，４−トリアゾール（略称：ｐ−ＥｔＴＡＺ）、バソフェナントロリン（略称：ＢＰｈｅｎ）、バソキュプロイン（略称：ＢＣＰ）なども電子輸送性が高いため、電子輸送層６０４として用いることができる。

次いで、４，４−ビス（５−メチルベンズオキサゾル−２−イル）スチルベン（略称：ＢｚＯｓ）とリチウム（Ｌｉ）とを共蒸着し、電子輸送層６０４および絶縁物５８１を覆って全面に電子注入層６０５を形成する。ベンゾオキサゾール誘導体（ＢｚＯＳ）を用いることで、後の工程に行われる第２の電極５８３形成時におけるスパッタ法に起因する損傷を抑制している。なお、ＢｚＯｓ：Ｌｉ以外に、ＣａＦ_２、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化セシウム（ＣｓＦ）等のようなアルカリ金属又はアルカリ土類金属の化合物等の電子注入性の高い材料を用いることができる。また、この他、Ａｌｑ_３とマグネシウム（Ｍｇ）とを混合したものも用いることができる。

次に、電子注入層６０５の上に第２の電極５８３、即ち、有機発光素子の陰極を膜厚１０ｎｍ〜８００ｎｍの範囲で形成する。第２の電極５８３としては、酸化インジウムスズ合金（ＩＴＯ）の他、例えば、Ｓｉを含む酸化インジウムスズ合金や酸化インジウムに２〜２０ａｔｏｍｉｃ％の酸化亜鉛（ＺｎＯ）を混合したＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）を用いることができる。

なお、本実施例では両面射出型表示装置を作製する例を説明しているので、第２の電極５８３に透明電極を用いているが、片面射出型表示装置を作製する場合には、反射する導電材料を用いて第２の電極５８３を形成すればよい。このような導電材料として、仕事関数の小さい（仕事関数３．８ｅＶ以下）金属、合金、電気伝導性化合物、およびこれらの混合物などを用いることが好ましい。なお、第２の電極５８３の材料の具体例としては、元素周期律の１族または２族に属する元素、すなわちＬｉやＣｓ等のアルカリ金属、およびＭｇ、Ｃａ、Ｓｒ等のアルカリ土類金属、およびこれらを含む合金（Ｍｇ：Ａｇ、Ａｌ：Ｌｉ）や化合物（ＬｉＦ、ＣｓＦ、ＣａＦ_２）の他、希土類金属を含む遷移金属を用いて形成することができるが、Ａｌ、Ａｇ等の金属（合金を含む）との積層により形成することもできる。

以上のようにして、発光素子５８４が作製される。発光素子５８４を構成する陽極５５４、有機化合物層５８２、および陰極５８３の各材料は適宜選択し、各膜厚も調整する。陽極と陰極とで同じ材料を用い、且つ、同程度の膜厚、好ましくは１００ｎｍ程度の薄い膜厚とすることが望ましい。

また必要であれば、図９（Ｂ）に示すように、発光素子５８４を覆って、水分の侵入を防ぐ透明保護層５８５を形成する。透明保護層５８５としては、スパッタ法またはＣＶＤ法により得られる窒化珪素膜、酸化珪素膜、酸素を含む窒化珪素膜（組成比Ｎ＞Ｏ）または窒素を含む酸化珪素膜（組成比Ｎ＜Ｏ）、炭素を主成分とする薄膜（例えばダイヤモンドライクカーボン膜（ＤＬＣ膜）、窒化炭素膜（ＣＮ膜））などを用いることができる。なお図１０は図９（Ｂ）の一部を拡大したものを示している。

また図２１に画素部の画素ＴＦＴをＲＧＢによって作り分けた例を示す。赤色（Ｒ）用の画素には、画素ＴＦＴ５４４Ｒが画素電極５５４Ｒに接続されており、正孔注入層６０１Ｒ、正孔輸送層６０２Ｒ、発光層６０３Ｒ、電子輸送層６０４Ｒ、電子注入層６０５Ｒ、陰極５８３、透明保護層５８５が形成される。

また緑色（Ｇ）用の画素には、画素ＴＦＴ５４４Ｇが画素電極５５４Ｇに接続されており、正孔注入層６０１Ｇ，正孔輸送層６０２Ｇ、発光層６０３Ｇ、電子輸送層６０４Ｇ、電子注入層６０５Ｇ、陰極５８３、透明保護層５８５が形成される。

さらに青色（Ｂ）用の画素には、画素ＴＦＴ５４４Ｂが画素電極５５４Ｂに接続されており、正孔注入層６０１Ｂ、正孔輸送層６０２Ｂ、発光層６０３Ｂ、電子輸送層６０４Ｂ、電子注入層６０５Ｂ、陰極５８３、透明保護層５８５が形成される。

赤色の発光を示す発光層６０３Ｒとしては、Ａｌｑ_３：ＤＣＭ、またはＡｌｑ_３：ルブレン：ＢｉｓＤＣＪＴＭなどの材料を用いる。また、緑色の発光を示す発光層６０３Ｇとしては、Ａｌｑ_３：ＤＭＱＤ（Ｎ，Ｎ’−ジメチルキナクリドン）、またはＡｌｑ_３：クマリン６などの材料を用いる。また、青色の発光を示す発光層６０３Ｂとしては、α―ＮＰＤ、またはｔＢｕ−ＤＮＡなどの材料を用いる。

次いで、ＣＭＯＳ回路５７１を有する駆動回路部５９５上に、基板間隔を確保するためのギャップ材を含有するシール材５９３を設け、第２の基板５９１と基板５０１とを貼り合わせる。第２の基板５９１も、光透過性を有するガラス基板や石英基板を用いればよい。なお、基板５０１及び５９１の間隙のうち、画素部５９６が設けられている領域５９２には、空隙（不活性気体）として乾燥剤を配置してもよいし、透明なシール材（紫外線硬化または熱硬化のエポキシ樹脂など）を充填してもよい。

発光素子は、画素電極５５４及び第２の電極５８３が透光性材料で形成されるため、一つの発光素子から２方向、即ち両面側から採光することができる。

以上に示すパネル構成とすることで上面からの発光と、下面からの発光とでほぼ同一とすることができる。

さらに基板５０１及び５９１のそれぞれの上に光学フィルム（偏光板、または円偏光板）５９７及び５９８を設けてコントラストを向上させるとよい（図１１）。
なお、本実施例では、ＴＦＴをトップゲート型ＴＦＴとしたが、この構造に限定されるものではなく、適宜ボトムゲート型（逆スタガ型）ＴＦＴや、順スタガ型ＴＦＴを用いることが可能である。また、シングルゲート構造のＴＦＴに限定されず、複数のチャネル形成領域を有するマルチゲート型ＴＦＴ、例えばダブルゲート型ＴＦＴとしてもよい。

本実施例の表示装置は、画素電極５５４の形成の際に細かいパーティクルが発生しないので、画素電極５５４と有機化合物層５８２間のショートを防ぐことができる。これにより信頼性の高い良好な表示装置を作製することが可能である。

また本実施例では、発光素子を有する表示装置について説明したが、同様の作製工程により液晶表示装置（Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｄｉｓｐｌａｙ（ＬＣＤ））を作製することも可能である。このようなＬＣＤは本実施例を基にして実施例２に示すＴＦＴを用いて画素部や駆動回路部を形成すればよい。

また、本実施例は、必要であれば実施の形態及び実施例１〜２のいかなる記載と自由に組み合わせることが可能である。

本発明が適用される電子機器として、ビデオカメラ、デジタルカメラ、ゴーグル型ディスプレイ、ナビゲーションシステム、音響再生装置（カーオーディオコンポ等）、コンピュータ、ゲーム機器、携帯情報端末（モバイルコンピュータ、携帯電話、携帯型ゲーム機または電子書籍等）、記録媒体を備えた画像再生装置（具体的にはＤｉｇｉｔａｌ Ｖｅｒｓａｔｉｌｅ Ｄｉｓｃ（ＤＶＤ）等の記録媒体を再生し、その画像を表示しうるディスプレイを備えた装置）などが挙げられる。それらの電子機器の具体例を図１２、図１３、図１４（Ａ）〜図１４（Ｂ）、図１５（Ａ）〜図１５（Ｂ）、図１６、図１７（Ａ）〜図１７（Ｅ）に示す。

図１２は表示パネル５００１と、回路基板５０１１を組み合わせたＥＬモジュールを示している。回路基板５０１１には、コントロール回路５０１２や信号分割回路５０１３などが形成されており、接続配線５０１４によって表示パネル５００１と電気的に接続されている。

この表示パネル５００１は、複数の画素が設けられた画素部５００２と、走査線駆動回路５００３、選択された画素にビデオ信号を供給する信号線駆動回路５００４を備えている。ＥＬモジュールの表示パネル５００１は実施例３で述べた表示装置の作製方法を用いて作製すればよい。

図１２に示すＥＬモジュールによりテレビ受像機を完成させることができる。図１３は、受像機の主要な構成を示すブロック図である。チューナ５１０１は映像信号と音声信号を受信する。映像信号は、映像信号増幅回路５１０２と、そこから出力される信号を赤、緑、青の各色に対応した色信号に変換する映像信号処理回路５１０３と、その映像信号をドライバＩＣの入力仕様に変換するためのコントロール回路５０１２により処理される。コントロール回路５０１２は、走査線側と信号線側にそれぞれ信号が出力する。デジタル駆動する場合には、信号線側に信号分割回路５０１３を設け、入力デジタル信号をｍ個に分割して供給する構成としても良い。

チューナ５１０１で受信した信号のうち、音声信号は音声信号増幅回路５１０５に送られ、その出力は音声信号処理回路５１０６を経てスピーカ５１０７に供給される。制御回路５１０８は受信局（受信周波数）や音量の制御情報を入力部５１０９から受け、チューナ５１０１や音声信号処理回路５１０６に信号を送出する。

図１４（Ａ）に示すように、ＥＬモジュールを筐体５２０１に組みこんで、テレビ受像機を完成させることができる。ＥＬモジュールにより、表示画面５２０２が形成される。また、スピーカー５２０３、操作スイッチ５２０４などが適宜備えられている。

また図１４（Ｂ）に、ワイヤレスでディスプレイのみを持ち運び可能なテレビ受像器を示す。筐体５２１２にはバッテリー及び信号受信器が内蔵されており、そのバッテリーで表示部５２１３やスピーカ部５２１７を駆動させる。バッテリーは充電器５２１０で繰り返し充電が可能となっている。また、充電器５２１０は映像信号を送受信することが可能で、その映像信号をディスプレイの信号受信器に送信することでができる。筐体５２１２は操作キー５２１６によって制御する。また、図１４（Ｂ）に示す装置は、操作キー５２１６を操作することによって、筐体５２１２から充電器５２１０に信号を送ることも可能であるため映像音声双方向通信装置とも言える。また、操作キー５２１６を操作することによって、筐体５２１２から充電器５２１０に信号を送り、さらに充電器５２１０が送信できる信号を他の電子機器に受信させることによって、他の電子機器の通信制御も可能であり、汎用遠隔制御装置とも言える。本発明は表示部５２１３及び制御用回路部等に適用することができる。

本発明を図１２、図１３、図１４（Ａ）〜図１４（Ｂ）に示すテレビ受像器に使用することにより、信頼性の高い良好なテレビ受像器を得ることができる。

勿論、本発明はテレビ受像機に限定されず、パーソナルコンピュータのモニタをはじめ、鉄道の駅や空港などにおける情報表示盤や、街頭における広告表示盤など特に大面積の表示媒体として様々な用途に適用することができる。

図１５（Ａ）は表示パネル５３０１とプリント配線基板５３０２を組み合わせたモジュールを示している。表示パネル５３０１は、複数の画素が設けられた画素部５３０３と、第１の走査線駆動回路５３０４、第２の走査線駆動回路５３０５と、選択された画素にビデオ信号を供給する信号線駆動回路５３０６を備えている。

プリント配線基板５３０２には、コントローラ５３０７、中央処理装置（ＣＰＵ）５３０８、メモリ５３０９、電源回路５３１０、音声処理回路５３１１及び送受信回路５３１２などが備えられている。プリント配線基板５３０２と表示パネル５３０１は、フレキシブル配線基板（ＦＰＣ）５３１３により接続されている。プリント配線基板５３０２には、容量素子、バッファ回路などを設け、電源電圧や信号にノイズがのったり、信号の立ち上がりが鈍ったりすることを防ぐ構成としても良い。また、コントローラ５３０７、音声処理回路５３１１、メモリ５３０９、ＣＰＵ５３０８、電源回路５３１０などは、ＣＯＧ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｇｌａｓｓ）方式を用いて表示パネル５３０１に実装することもできる。ＣＯＧ方式により、プリント配線基板５３０２の規模を縮小することができる。

プリント配線基板５３０２に備えられたインターフェース部５３１４を介して、各種制御信号の入出力が行われる。また、アンテナとの間の信号の送受信を行なうためのアンテナ用ポート５３１５が、プリント配線基板５３０２に設けられている。

図１５（Ｂ）は、図１５（Ａ）に示したモジュールのブロック図を示す。このモジュールは、メモリ５３０９としてＶＲＡＭ５３１６、ＤＲＡＭ５３１７、フラッシュメモリ５３１８などが含まれている。ＶＲＡＭ５３１６にはパネルに表示する画像のデータが、ＤＲＡＭ５３１７には画像データまたは音声データが、フラッシュメモリには各種プログラムが記憶されている。

電源回路５３１０は、表示パネル５３０１、コントローラ５３０７、ＣＰＵ５３０８、音声処理回路５３１１、メモリ５３０９、送受信回路５３１２を動作させる電力を供給する。またパネルの仕様によっては、電源回路５３１０に電流源が備えられている場合もある。

ＣＰＵ５３０８は、制御信号生成回路５３２０、デコーダ５３２１、レジスタ５３２２、演算回路５３２３、ＲＡＭ５３２４、ＣＰＵ５３０８用のインターフェース５３２９などを有している。インターフェース５３２９を介してＣＰＵ５３０８に入力された各種信号は、一旦レジスタ５３２２に保持された後、演算回路５３２３、デコーダ５３２１などに入力される。演算回路５３２３では、入力された信号に基づき演算を行ない、各種命令を送る場所を指定する。一方デコーダ５３２１に入力された信号はデコードされ、制御信号生成回路５３２０に入力される。制御信号生成回路５３２０は入力された信号に基づき、各種命令を含む信号を生成し、演算回路５３２３において指定された場所、具体的にはメモリ５３０９、送受信回路５３１２、音声処理回路５３１１、コントローラ５３０７などに送る。

メモリ５３０９、送受信回路５３１２、音声処理回路５３１１、コントローラ５３０７は、それぞれ受けた命令に従って動作する。以下その動作について簡単に説明する。

入力手段５３２５から入力された信号は、インターフェース部５３１４を介してプリント配線基板５３０２に実装されたＣＰＵ５３０８に送られる。制御信号生成回路５３２０は、ポインティングデバイスやキーボードなどの入力手段５３２５から送られてきた信号に従い、ＶＲＡＭ５３１６に格納してある画像データを所定のフォーマットに変換し、コントローラ５３０７に送付する。

コントローラ５３０７は、パネルの仕様に合わせてＣＰＵ５３０８から送られてきた画像データを含む信号にデータ処理を施し、表示パネル５３０１に供給する。またコントローラ５３０７は、電源回路５３１０から入力された電源電圧やＣＰＵ５３０８から入力された各種信号をもとに、Ｈｓｙｎｃ信号、Ｖｓｙｎｃ信号、クロック信号ＣＬＫ、交流電圧（ＡＣ Ｃｏｎｔ）、切り替え信号Ｌ／Ｒを生成し、表示パネル５３０１に供給する。

送受信回路５３１２では、アンテナ５３２８において電波として送受信される信号が処理されており、具体的にはアイソレータ、バンドパスフィルタ、ＶＣＯ（Ｖｏｌｔａｇｅ Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｄ Ｏｓｃｉｌｌａｔｏｒ）、ＬＰＦ（Ｌｏｗ Ｐａｓｓ Ｆｉｌｔｅｒ）、カプラ、バランなどの高周波回路を含んでいる。送受信回路５３１２において送受信される信号のうち音声情報を含む信号が、ＣＰＵ５３０８からの命令に従って、音声処理回路５３１１に送られる。

ＣＰＵ５３０８の命令に従って送られてきた音声情報を含む信号は、音声処理回路５３１１において音声信号に復調され、スピーカー５３２７に送られる。またマイク５３２６から送られてきた音声信号は、音声処理回路５３１１において変調され、ＣＰＵ５３０８からの命令に従って、送受信回路５３１２に送られる。

コントローラ５３０７、ＣＰＵ５３０８、電源回路５３１０、音声処理回路５３１１、メモリ５３０９を、本実施例のパッケージとして実装することができる。本実施例は、アイソレータ、バンドパスフィルタ、ＶＣＯ（Ｖｏｌｔａｇｅ Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｄ Ｏｓｃｉｌｌａｔｏｒ）、ＬＰＦ（Ｌｏｗ Ｐａｓｓ Ｆｉｌｔｅｒ）、カプラ、バランなどの高周波回路以外であれば、どのような回路にも応用することができる。

図１６は、図１５（Ａ）〜図１５（Ｂ）に示すモジュールを含む携帯電話機の一態様を示している。表示パネル５３０１はハウジング５３３０に脱着自在に組み込まれる。ハウジング５３３０は表示パネル５３０１のサイズに合わせて、形状や寸法を適宜変更することができる。表示パネル５３０１を固定したハウジング５３３０はプリント基板５３３１に嵌着されモジュールとして組み立てられる。

表示パネル５３０１はＦＰＣ５３１３を介してプリント基板５３３１に接続される。プリント基板５３３１には、スピーカ５３３２、マイクロフォン５３３３、送受信回路５３３４、ＣＰＵ及びコントローラなどを含む信号処理回路５３３５が形成されている。このようなモジュールと、入力手段５３３６、バッテリ５３３７、アンテナ５３４０を組み合わせ、筐体５３３９に収納する。表示パネル５３０１の画素部は筐体５３３９に形成された開口窓から視認できように配置する。

本実施例に係る携帯電話機は、その機能や用途に応じてさまざまな態様に変容し得る。例えば、表示パネルを複数備えたり、筐体を適宜複数に分割して蝶番により開閉式とした構成としても、上記した作用効果を奏することができる。
できる。

本発明を図１５（Ａ）〜図１５（Ｂ）、図１６に示す携帯電話に使用することにより、信頼性の高い良好な携帯電話を得ることができる。

図１７（Ａ）はＥＬディスプレイであり、筐体６００１、支持台６００２、表示部６００３などによって構成されている。本発明は図１２に示すＥＬモジュール、図１５（Ａ）に示す表示パネルの構成を用いて、表示部６００３に適用が可能である。

本発明を使用することにより、信頼性の高い良好なディスプレイを得ることができる。

図１７（Ｂ）はコンピュータであり、本体６１０１、筐体６１０２、表示部６１０３、キーボード６１０４、外部接続ポート６１０５、ポインティングマウス６１０６等を含む。本発明は図１２に示すＥＬモジュール、図１５（Ａ）に示す表示パネルの構成を用いて、表示部６１０３に適用することができる。

本発明を使用することにより、信頼性の高い良好なコンピュータを得ることができる。

図１７（Ｃ）は携帯可能なコンピュータであり、本体６２０１、表示部６２０２、スイッチ６２０３、操作キー６２０４、赤外線ポート６２０５等を含む。本発明は図１２に示すＥＬモジュール、図１５（Ａ）に示す表示パネルの構成を用いて、表示部６２０２に適用することができる。

本発明を使用することにより、信頼性の高い良好なコンピュータを得ることができる。

図１７（Ｄ）は携帯型のゲーム機であり、筐体６３０１、表示部６３０２、スピーカ部６３０３、操作キー６３０４、記録媒体挿入部６３０５等を含む。本発明は図１２に示すＥＬモジュール、図１５（Ａ）に示す表示パネルの構成を用いて、表示部６３０２に適用することができる。

本発明を使用することにより、信頼性の高い良好なゲーム機を得ることができる。

図１７（Ｅ）は記録媒体を備えた携帯型の画像再生装置（具体的にはＤＶＤ再生装置）であり、本体６４０１、筐体６４０２、表示部Ａ６４０３、表示部Ｂ６４０４、記録媒体（ＤＶＤ等）読込部６４０５、操作キー６４０６、スピーカ部６４０７等を含む。表示部Ａ６４０３は主として画像情報を表示し、表示部Ｂ６４０４は主として文字情報を表示する。本発明は図１２に示すＥＬモジュール、図１５（Ａ）に示す表示パネルの構成を用いて、表示部Ａ６４０３、表示部Ｂ６４０４に適用することができる。なお、記録媒体を備えた画像再生装置には家庭用ゲーム機器なども含まれる。

本発明を使用することにより、信頼性の高い良好な画像再生装置を得ることができる。

また図１２、図１３、図１４（Ａ）〜図１４（Ｂ）、図１５（Ａ）〜図１５（Ｂ）、図１６、図１７（Ａ）〜図１７（Ｅ）に示す電子機器は、本発明を用いて作製された液晶ディスプレイ（Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｄｉｓｐｌａｙ（ＬＣＤ））と組み合わせて作製してもよい。このようなＬＣＤは実施例２で述べたＴＦＴを画素部や駆動回路に用いることで作製することができる。

これらの電子機器に使われる表示装置は、大きさや強度、または使用目的に応じて、ガラス基板だけでなく耐熱性のプラスチック基板を用いることも可能である。それによってよりいっそうの軽量化を図ることができる。

なお、本実施例に示した例はごく一例であり、これらの用途に限定するものではない。

また本実施例は、実施の形態及び実施例１〜実施例３のいかなる記載とも自由に組み合せて実施することが可能である。

本発明の半導体装置の作製工程を示す図。 従来の半導体装置の作製工程を示す図。 従来の半導体装置の作製工程を示す図。 本発明の半導体装置の作製工程を示す図。 本発明の半導体装置の作製工程を示す図。 本発明の半導体装置の作製工程を示す図。 本発明の半導体装置の作製工程を示す図。 本発明の表示装置の作製工程を示す図。 本発明の表示装置の作製工程を示す図。 本発明の表示装置の作製工程を示す図。 本発明の表示装置の作製工程を示す図。 本発明が適用される電子機器の例を示す図。 本発明が適用される電子機器の例を示す図。 本発明が適用される電子機器の例を示す図。 本発明が適用される電子機器の例を示す図。 本発明が適用される電子機器の例を示す図。 本発明が適用される電子機器の例を示す図。 本発明の構成の電子顕微鏡写真。 本発明の構成の電子顕微鏡写真。 従来の構成の電子顕微鏡写真。 本発明の表示装置の作製工程を示す図。

符号の説明

１０１ 導電膜
１０２ 導電膜
１０３ 導電膜

Claims (19)

1. 透明導電膜を形成し、
   前記透明導電膜上に第１の導電膜を形成し、
   前記第１の導電膜上に第２の導電膜を形成し、
   前記第２の導電膜を、塩素を含むガスでエッチングし、
   前記第１の導電膜を、フッ素を含むガスでエッチングすることを特徴とする半導体装置の作製方法。
2. 請求項１において、
   前記透明導電膜は、酸化インジウムスズ合金（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ（ＩＴＯ））膜、シリコン（Ｓｉ）を含む酸化インジウムスズ合金膜、酸化亜鉛（ＺｎＯ）膜、酸化スズ（ＳｎＯ_２）膜、酸化インジウム（ＩｎＯ）膜、酸化インジウム（ＩｎＯ）に２〜２０ａｔｏｍｉｃ％の酸化亜鉛（ＺｎＯ）を混合した酸化インジウム酸化亜鉛合金膜のいずれか１つであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
3. 請求項１において、
   前記第１の導電膜は、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、タンタル（Ｔａ）、クロム（Ｃｒ）、またはその窒化物、さらにはその合金のいずれか１つを含むことを特徴する半導体装置の作製方法。
4. 請求項１において、
   前記第２の導電膜は、アルミニウム膜、
   ニッケル（Ｎｉ）、モリブデン（Ｍｏ）、シリコン（Ｓｉ）、チタン（Ｔｉ）、ネオジウム（Ｎｄ）、銅（Ｃｕ）のうち少なくとも１種の元素を含むアルミニウム合金膜、ニッケル（Ｎｉ）、コバルト（Ｃｏ）、モリブデン（Ｍｏ）、シリコン（Ｓｉ）、チタン（Ｔｉ）、ネオジウム（Ｎｄ）、銅（Ｃｕ）のうち少なくとも１種の元素及び炭素（Ｃ）を含むアルミニウム合金膜のいずれか１つであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
5. 請求項１において、
   前記塩素を含むガスは、Ｃｌ_２、ＢＣｌ_３、ＳｉＣｌ_４もしくはＣＣｌ_４のいずれか１つを含むガスであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
6. 請求項１において、
   前記フッ素を含むガスは、ＣＦ_４、ＳＦ_６もしくはＮＦ_３のいずれか１つを含むガスであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
7. 請求項１において、
   前記透明導電膜上に、発光層を含む有機化合物層を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
8. 絶縁表面を有する基板上に半導体膜を形成し、
   前記半導体膜を覆うように絶縁膜を形成し、
   前記絶縁膜上に透明導電膜を形成し、
   前記絶縁膜にコンタクトホールを形成し、
   前記透明導電膜上と前記コンタクトホール内に第１の導電膜を形成し、
   前記第１の導電膜上に第２の導電膜を形成し、
   前記第２の導電膜を、塩素を含むガスでエッチングし、
   前記第１の導電膜を、フッ素を含むガスでエッチングし、
   前記透明導電膜は前記半導体膜と電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置の作製方法。
9. 請求項８において、
   前記透明導電膜は、酸化インジウムスズ合金（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ（ＩＴＯ））膜、シリコン（Ｓｉ）を含む酸化インジウムスズ合金膜、酸化亜鉛（ＺｎＯ）膜、酸化スズ（ＳｎＯ_２）膜、酸化インジウム（ＩｎＯ）膜、酸化インジウム（ＩｎＯ）に２〜２０ａｔｏｍｉｃ％の酸化亜鉛（ＺｎＯ）を混合した酸化インジウム酸化亜鉛合金膜のいずれか１つであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
10. 請求項８において、
    前記第１の導電膜は、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、タンタル（Ｔａ）、クロム（Ｃｒ）、またはその窒化物、さらにはその合金のいずれか１つを含むことを特徴する半導体装置の作製方法。
11. 請求項８において、
    前記第２の導電膜は、アルミニウム膜、ニッケル（Ｎｉ）、モリブデン（Ｍｏ）、シリコン（Ｓｉ）、チタン（Ｔｉ）、ネオジウム（Ｎｄ）、銅（Ｃｕ）のうち少なくとも１種の元素を含むアルミニウム合金膜、ニッケル（Ｎｉ）、コバルト（Ｃｏ）、モリブデン（Ｍｏ）、シリコン（Ｓｉ）、チタン（Ｔｉ）、ネオジウム（Ｎｄ）、銅（Ｃｕ）のうち少なくとも１種の元素及び炭素（Ｃ）を含むアルミニウム合金膜のいずれか１つであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
12. 請求項８において、
    前記塩素を含むガスは、Ｃｌ_２、ＢＣｌ_３、ＳｉＣｌ_４もしくはＣＣｌ_４のいずれか１つを含むガスであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
13. 請求項８において、
    前記フッ素を含むガスは、ＣＦ_４、ＳＦ_６もしくはＮＦ_３のいずれか１つを含むガスであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
14. 絶縁表面を有する基板上に半導体膜を形成し、
    前記半導体膜を覆うように絶縁膜を形成し、
    前記絶縁膜上に透明導電膜を形成し、
    前記絶縁膜にコンタクトホールを形成し、
    前記透明導電膜上と前記コンタクトホール内に第１の導電膜を形成し、
    前記第１の導電膜上に第２の導電膜を形成し、
    前記第２の導電膜を、塩素を含むガスでエッチングし、
    前記第１の導電膜を、フッ素を含むガスでエッチングし、
    前記透明導電膜上に、発光層を含む有機化合物層を形成し、
    前記透明導電膜は前記半導体膜と電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置の作製方法。
15. 請求項１４において、
    前記透明導電膜は、酸化インジウムスズ合金（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ（ＩＴＯ））膜、シリコン（Ｓｉ）を含む酸化インジウムスズ合金膜、酸化亜鉛（ＺｎＯ）膜、酸化スズ（ＳｎＯ_２）膜、酸化インジウム膜、酸化インジウムに２〜２０ａｔｏｍｉｃ％の酸化亜鉛（ＺｎＯ）を混合した酸化インジウム酸化亜鉛合金膜のいずれか１つであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
16. 請求項１４において、
    前記第１の導電膜は、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、タンタル（Ｔａ）、クロム（Ｃｒ）、またはその窒化物、さらにはその合金のいずれか１つを含むことを特徴する半導体装置の作製方法。
17. 請求項１４において、
    前記第２の導電膜は、アルミニウム膜、ニッケル（Ｎｉ）、モリブデン（Ｍｏ）、シリコン（Ｓｉ）、チタン（Ｔｉ）、ネオジウム（Ｎｄ）、銅（Ｃｕ）のうち少なくとも１種の元素を含むアルミニウム合金膜、ニッケル（Ｎｉ）、コバルト（Ｃｏ）、モリブデン（Ｍｏ）、シリコン（Ｓｉ）、チタン（Ｔｉ）、ネオジウム（Ｎｄ）、銅（Ｃｕ）のうち少なくとも１種の元素及び炭素（Ｃ）を含むアルミニウム合金膜のいずれか１つであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
18. 請求項１４において、
    前記塩素を含むガスは、Ｃｌ_２、ＢＣｌ_３、ＳｉＣｌ_４もしくはＣＣｌ_４のいずれか１つを含むガスであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
19. 請求項１４において、
    前記フッ素を含むガスは、ＣＦ_４、ＳＦ_６もしくはＮＦ_３のいずれか１つを含むガスであることを特徴とする半導体装置の作製方法。