CN102912195A - 一种用于液晶显示器配线铝合金薄膜 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种用于液晶显示器配线铝合金薄膜，其各组成按原子百分含量包括：0.5-5.0at％的镍、钴和铁，0.3-2.0at％的碳，0.3-2.0at％的钼，余量为铝。因为在本发明的铝合金中，包含有过渡金属钼，能够有效的保持氧原子中电子的传递过程，减少因电极电位产生的电化学反应，并能够保持低电阻率及高强度。
Description
技术领域
本发明属于金属材料领域，涉及一种铝合金薄膜，特别是涉及一种用于液晶显示器配线的铝合金薄膜。
背景技术
在液晶显示器领域，薄膜型的液晶显示器的需求有很大的增长。同时随着液晶显示器的大画面化及高清晰化，对配线材料的要求也越来越严格。
现在以铝为基体的铝合金材料受到广泛的关注，但铝合金因为熔点低的问题，存在耐热性问题，一般铝合金配线在受到300-400℃的加热后铝合金薄膜表面会出现毛刺状突起，这样的突起在配线情况下会导致相邻电路的短路。
为此有技术提出了应用高熔点材料来制造铝合金薄膜配线，但是这类高熔点材料一般电阻率较高，无法适应于薄膜型液晶显示器的配线。
现也有技术提出了采用含有碳和锰的铝合金材料能够显著降低毛刺突起的产生且电阻率较低。但这类铝合金配线和显示器的透明电极ITO因电化学反应导致接合处电阻的改变。因此又有技术对此进行改进，如中国专利申请CN028032667提出，选用0.5-7.0at％的镍、钴、铁的至少一种以上元素，0.1-3.0at％的碳，余量为铝的铝合金。这一合金组成的薄膜电极电位同液晶显示器的ITO(氧化铟锡Indium Iin Oxide)膜的电极电位处于同等水平，并能够防止毛刺突起的产生。
但是该技术方案依然存在缺陷，就是该铝合金薄膜的电位同显示器的ITO膜电位并不完全相同。如果不使用阻挡层的情况下，在通电下不超过12小时，就会产生明显的电阻变化。在实验室中，将上述技术所提到的镍、钴、铁进行组合的各铝合金均存在电阻变化明显问题，并且在铝合金薄膜配线同液晶显示器的ITO膜相接合处发现有氧化铝的产生。
发明内容
本发明是针对现有的铝合金薄膜技术方案提出一改进技术，通过本技术方案，能够有效的克服铝合金薄膜配线同显示器的ITO膜之间的电化学反应问题，并有效的克服了铝合金薄膜配线毛刺状突起的产生。
本发明是通过以下技术方案实现的：
一种用于液晶显示器配线铝合金薄膜，其各组成按原子百分含量包括：0.5-5.0at％的镍、钴和铁，0.3-2.0at％的碳，0.3-2.0at％的钼，余量为铝。
所述镍、钴和铁的质量比为2∶1∶1。
本发明同现有技术相比的有益效果是：
因为在本申请的铝合金中，包含有过渡金属钼，能够有效的保持氧原子中电子的传递过程，减少因电极电位产生的电化学反应，并能够保持低电阻率及高强度。
具体实施方式
下面详细描述本发明的实施例，下面描述的实施例是示例性的，仅用于解释本发明，而不能解释为对本发明的限制。
一种用于液晶显示器配线铝合金薄膜，其各组成按原子百分含量包括：0.5-5.0at％的镍、钴和铁，0.3-2.0at％的碳，0.3-2.0at％的钼，余量为铝。
所述镍、钴和铁的质量比为2∶1∶1。
实施例1
一种用于液晶显示器配线铝合金薄膜，其各组成按原子百分含量包括：0.5at％的镍、钴和铁，0.3at％的碳，0.3at％的钼，余量为铝。
所述镍、钴和铁的质量比为2∶1∶1。
在本申请中，所有的镍、钴和铁的质量比为2∶1∶1，不作变化。
实施例2
一种用于液晶显示器配线铝合金薄膜，其各组成按原子百分含量包括：5.0at％的镍、钴和铁，2.0at％的碳，2.0at％的钼，余量为铝。
实施例3
一种用于液晶显示器配线铝合金薄膜，其各组成按原子百分含量包括：2.0at％的镍、钴和铁，0.8at％的碳，1.0at％的钼，余量为铝。
实施例4
一种用于液晶显示器配线铝合金薄膜，其各组成按原子百分含量包括：3.0at％的镍、钴和铁，1.2at％的碳，1.2at％的钼，余量为铝。
实施例5
一种用于液晶显示器配线铝合金薄膜，其各组成按原子百分含量包括：1.5at％的镍、钴和铁，1.5at％的碳，1.5at％的钼，余量为铝。
实施例6
一种用于液晶显示器配线铝合金薄膜，其各组成按原子百分含量包括：2.0at％的镍、钴和铁，1.5at％的碳，1.0at％的钼，余量为铝。
在本申请中因为无法进行所有的列举，仅能以上述的实施例为代表进行说明，但不是说在本申请中仅有以下实施例。
尽管已经示出和描述了本发明的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本发明的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本发明的范围由所附权利要求限定。
Claims (2)
1.一种用于液晶显示器配线铝合金薄膜，其特征在于：其各组成按原子百分含量包括：0.5-5.0at％的镍、钴和铁，0.3-2.0at％的碳，0.3-2.0at％的钼，余量为铝。
2.根据权利要求1所述的一种用于液晶显示器配线铝合金薄膜，其特征在于：所述镍、钴和铁的质量比为2∶1∶1。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN2012104337424A CN102912195A (zh) | 2012-10-29 | 2012-10-29 | 一种用于液晶显示器配线铝合金薄膜 |
Applications Claiming Priority (1)
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| CN2012104337424A CN102912195A (zh) | 2012-10-29 | 2012-10-29 | 一种用于液晶显示器配线铝合金薄膜 |
Publications (1)
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| CN102912195A true CN102912195A (zh) | 2013-02-06 |
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| CN2012104337424A Pending CN102912195A (zh) | 2012-10-29 | 2012-10-29 | 一种用于液晶显示器配线铝合金薄膜 |
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105296813A (zh) * | 2015-11-03 | 2016-02-03 | 任静儿 | 一种用于液晶显示器配线铝合金 |
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| CN1479802A (zh) * | 2001-09-18 | 2004-03-03 | 三井金属k业株式会社 | 铝合金薄膜和具有该薄膜的配线电路以及形成此薄膜的靶材 |
| CN1612243A (zh) * | 2003-10-30 | 2005-05-04 | 株式会社神户制钢所 | 光信息记录用铝合金反射膜及其形成用靶材、记录介质 |
| JP2006210890A (ja) * | 2004-12-27 | 2006-08-10 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置の作製方法 |
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2012
- 2012-10-29 CN CN2012104337424A patent/CN102912195A/zh active Pending
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