JPS61262721A - 液晶セル構造 - Google Patents
液晶セル構造Info
- Publication number
- JPS61262721A JPS61262721A JP10527685A JP10527685A JPS61262721A JP S61262721 A JPS61262721 A JP S61262721A JP 10527685 A JP10527685 A JP 10527685A JP 10527685 A JP10527685 A JP 10527685A JP S61262721 A JPS61262721 A JP S61262721A
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- JP
- Japan
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- liquid crystal
- crystal cell
- transparent
- glass substrate
- electrode
- Prior art date
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- Pending
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- Liquid Crystal (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、液晶セルの構造に関し、特に液晶テレビ、高
速シャッターアレー等に代表されるような大型表示、高
速応答表示を得るた゛めの均一な薄ギャップを有する液
晶セルに関するものである。
速シャッターアレー等に代表されるような大型表示、高
速応答表示を得るた゛めの均一な薄ギャップを有する液
晶セルに関するものである。
液晶セルのギャップの形成法は、従来対向する一対のガ
ラス基板又はプラスチック基板等の透明基板゛を微細で
比較的外形寸法の均一な材料、すなわち、プラスチック
ビーズ、グラスファイバー、アルミナ粉末、金属フィル
ム、マイラーフィルム等をスペーサとして、封止剤中あ
るいは、液晶充填部に配し、はさみ込んで、強制的に上
記一対の透明基板を加圧することによって行われており
、以下従来の液晶セル構造を説明する。
ラス基板又はプラスチック基板等の透明基板゛を微細で
比較的外形寸法の均一な材料、すなわち、プラスチック
ビーズ、グラスファイバー、アルミナ粉末、金属フィル
ム、マイラーフィルム等をスペーサとして、封止剤中あ
るいは、液晶充填部に配し、はさみ込んで、強制的に上
記一対の透明基板を加圧することによって行われており
、以下従来の液晶セル構造を説明する。
第２図は、液晶表示セルの代表例として、単純マトリッ
クス駆動によって表示される、ＴＮ（ツイストネマティ
ク）型液晶を用いたドツト表示セルの平面図である。第
２図において上ガラス基板１ヘスドライブ状に配された
透明導電膜よりなる透明電極３、下ガラス基板２へ同じ
くストライプ状に配された透明電極４、各々のガラス基
板を重ね合せ、液晶物質７を封入させるための封止剤６
、封入口封止剤８によりて液晶セルが形成され、該液晶
セルの上ガラス基板１と下ガラス基板２に於ける封止剤
６の外側に設けられたリード電極を構成する透明電極６
．４へ適当な波形の駆動電圧を印加させ液晶セル表示部
の画素９を駆動電圧のＯＮ、ＯＦＦ操作にて光の透過率
の差により画素表示させる。
クス駆動によって表示される、ＴＮ（ツイストネマティ
ク）型液晶を用いたドツト表示セルの平面図である。第
２図において上ガラス基板１ヘスドライブ状に配された
透明導電膜よりなる透明電極３、下ガラス基板２へ同じ
くストライプ状に配された透明電極４、各々のガラス基
板を重ね合せ、液晶物質７を封入させるための封止剤６
、封入口封止剤８によりて液晶セルが形成され、該液晶
セルの上ガラス基板１と下ガラス基板２に於ける封止剤
６の外側に設けられたリード電極を構成する透明電極６
．４へ適当な波形の駆動電圧を印加させ液晶セル表示部
の画素９を駆動電圧のＯＮ、ＯＦＦ操作にて光の透過率
の差により画素表示させる。
このような液晶セルを作成する場合、特に大画面、高画
素密度の液晶セルにおいては、液晶層厚の均一性が要求
される。すなわち、液晶層の厚さの不均一は、液晶物質
固有の屈折率と層厚との関係から色ずきが見え表示画素
間でコントラストムラが生ずる。同様に、電圧印加時の
表示速度は液晶層厚に依存し、やはり表示画素間で表示
ムラが発生する等みはえ上の品質が低下することが重要
な問題であった。
素密度の液晶セルにおいては、液晶層厚の均一性が要求
される。すなわち、液晶層の厚さの不均一は、液晶物質
固有の屈折率と層厚との関係から色ずきが見え表示画素
間でコントラストムラが生ずる。同様に、電圧印加時の
表示速度は液晶層厚に依存し、やはり表示画素間で表示
ムラが発生する等みはえ上の品質が低下することが重要
な問題であった。
第３図は、上記の液晶セルを従来法によって作成した場
合の断面図である。上ガラス基板１、下ガラス基板２の
各々に設けられた透明電極６．４を対向させ封止剤６中
に、スペーサー材１０として、ガラスファイバー、ある
いは、粒子状アルミナ等を配置し液晶物質７を封入して
作られる。
合の断面図である。上ガラス基板１、下ガラス基板２の
各々に設けられた透明電極６．４を対向させ封止剤６中
に、スペーサー材１０として、ガラスファイバー、ある
いは、粒子状アルミナ等を配置し液晶物質７を封入して
作られる。
従来の方法によって作られた液晶セルの液晶層厚はスペ
ーサー材１０の粒子径に依存する。しかしながら、これ
らスペーサー材の粒子径管理は素材形成過程でかなり難
しいため、高価でありしかも粒子径は不均一なものが混
入し、しばしば液晶セル品質のみばえに問題があり、製
造歩留りを低下させていた。
ーサー材１０の粒子径に依存する。しかしながら、これ
らスペーサー材の粒子径管理は素材形成過程でかなり難
しいため、高価でありしかも粒子径は不均一なものが混
入し、しばしば液晶セル品質のみばえに問題があり、製
造歩留りを低下させていた。
このことは第３図で上ガラス基板１、下ガラス基板２の
透明電極６．４間において３ａ、４間と３ｂ、４間での
ギャップ差がスペーサー１０のバラツキによって生じた
場合、第２図における表示画素９ａ、９ｂ間で点灯時差
、および濃淡が生ずることによる。
透明電極６．４間において３ａ、４間と３ｂ、４間での
ギャップ差がスペーサー１０のバラツキによって生じた
場合、第２図における表示画素９ａ、９ｂ間で点灯時差
、および濃淡が生ずることによる。
本発明の目的は、上記問題点を解決し液晶セルのスペー
サー材を量産的かつ高精度に形成することにある。
サー材を量産的かつ高精度に形成することにある。
上記目的を達成するための本発明に於ける液晶セルの構
成は下記のとうりである。
成は下記のとうりである。
透明導電膜を有する一対の透明基板の間隙に液晶物質を
充填して形成される液晶セルにおいて、前記透明導電膜
上の一部に無電解メッキ法によって金属層を形成し、該
金属層をスペーサーとして、前記透明基板の間隙をコン
トロールしたことを特徴とする。
充填して形成される液晶セルにおいて、前記透明導電膜
上の一部に無電解メッキ法によって金属層を形成し、該
金属層をスペーサーとして、前記透明基板の間隙をコン
トロールしたことを特徴とする。
以下図面に従って本発明の詳細な説明する。
第１図は本発明によって作られた液晶セルの断面図であ
り、前記上ガラス基板１、下ガラス基板２の各々に配さ
れた透明電極３．４の中の一部の透明電極３Ｃ１３ｄ、
３ｅ、４ｃ、４ｄ、４ｅ上に無電解ニッケルメッキ法に
よって形成された金属層５を有し、そのニッケル層厚を
セルギャップとし液晶物質７０層厚をコントロールした
液晶セルである。尚前記金属層５を形成する透明電極３
ｃ、３ｄ、６ｅ及び４Ｃ１４ｄ、４ｅは表示には関与し
ないものであり、表示部を構成する透明電極３．４とは
絶縁されている。
り、前記上ガラス基板１、下ガラス基板２の各々に配さ
れた透明電極３．４の中の一部の透明電極３Ｃ１３ｄ、
３ｅ、４ｃ、４ｄ、４ｅ上に無電解ニッケルメッキ法に
よって形成された金属層５を有し、そのニッケル層厚を
セルギャップとし液晶物質７０層厚をコントロールした
液晶セルである。尚前記金属層５を形成する透明電極３
ｃ、３ｄ、６ｅ及び４Ｃ１４ｄ、４ｅは表示には関与し
ないものであり、表示部を構成する透明電極３．４とは
絶縁されている。
次に本発明の特徴である無電解メッキ法による金属層の
形成について説明する。
形成について説明する。
一般に液晶セルの透明電極上に無電解ニッケルメッキを
行うという技術は従来から種々の目的で使用されており
、例えば透明電極の抵抗値を小さくする場合や、パター
ン認識マークの認識レベル向上させる場合に利用されて
いるが、いずれもメッキ膜厚３，０００〜５，０ＯＯＡ
の範囲の低膜厚レベルでのものの応用にとどまっていた
。その理由としては、メッキ膜厚が、５，０ＯＯＡを越
えるとメッキ内部応力のため、透明電極界面との間でメ
ッキハガレが生ずるため厚付けすることができず、メッ
キ作業中あるいはその後の水洗作業中等でノ・ガレるな
どのメッキ技術特有な問題からくるものであった。本発
明に用いた無電解メッキは無電解メッキの特質（均一析
出性、膜厚コントロールがしやす（精度もよい）を生か
し、液晶セルのセルギャップ用スペーサーとして用いる
ことを可能としている。
行うという技術は従来から種々の目的で使用されており
、例えば透明電極の抵抗値を小さくする場合や、パター
ン認識マークの認識レベル向上させる場合に利用されて
いるが、いずれもメッキ膜厚３，０００〜５，０ＯＯＡ
の範囲の低膜厚レベルでのものの応用にとどまっていた
。その理由としては、メッキ膜厚が、５，０ＯＯＡを越
えるとメッキ内部応力のため、透明電極界面との間でメ
ッキハガレが生ずるため厚付けすることができず、メッ
キ作業中あるいはその後の水洗作業中等でノ・ガレるな
どのメッキ技術特有な問題からくるものであった。本発
明に用いた無電解メッキは無電解メッキの特質（均一析
出性、膜厚コントロールがしやす（精度もよい）を生か
し、液晶セルのセルギャップ用スペーサーとして用いる
ことを可能としている。
第４図は、本発明の液晶セルのガラス基板上にスペーサ
ーとして用いるニッケルメッキ層を形成する工程を示し
た液晶セルの要部断面図である。
ーとして用いるニッケルメッキ層を形成する工程を示し
た液晶セルの要部断面図である。
第４図の工程（ａｌにおいて、透明電極３（Ｉｎ−８ｎ
系）をガラス基板１上に形成し、工程（ｂｌは透明電極
３にフォトレジスト１１をスピンナーないし、ローラー
を用いて塗布する。工程（Ｃ１は、さらに露光現像し、
レジストパターン１１を形成したのち、工程（ｄｌは、
エツチング液として、濃度６Ｍの塩酸にてエツチングし
透明電極乙に電極パターンを形成する。工程（ｅ）は工
程（ｂｌ、（ｃ）と同様な方法で、透明電極３上へレジ
スト１２を形成させ、メッキ必要箇所３Ｃ１３ｄ、３ｅ
以外をマスキングする。
系）をガラス基板１上に形成し、工程（ｂｌは透明電極
３にフォトレジスト１１をスピンナーないし、ローラー
を用いて塗布する。工程（Ｃ１は、さらに露光現像し、
レジストパターン１１を形成したのち、工程（ｄｌは、
エツチング液として、濃度６Ｍの塩酸にてエツチングし
透明電極乙に電極パターンを形成する。工程（ｅ）は工
程（ｂｌ、（ｃ）と同様な方法で、透明電極３上へレジ
スト１２を形成させ、メッキ必要箇所３Ｃ１３ｄ、３ｅ
以外をマスキングする。
工程（ｆｌは、アルカリ脱脂洗浄後希塩酸で中和した後
、活性化剤アクセレーターへ浸漬後、さらにアクセレー
ター処理を行なう。この際、表面粗度の大きい、透明電
極３ｃ１３ｄ、３ｅは、ガラス基板１の表面部と比べ、
アクセレーター中のパラジウム粒子吸着量が極めて多（
、後のアクセレーター処理、水洗工程を経ると、選択吸
着された形態になるため、透明電極３ｃ、３ｄ、３ｅ上
のパラジウムに無電解ニッケルメッキが析出し結果的に
透明電極３ｃ、３ｄ、３ｅとガラス基板１の表面との間
に選択メッキが行なわれる。この場合、無電解ニッケル
メッキ条件は、例えば日本カニゼン社、Ｓ−７５３を用
いた場合、８０℃〜８７℃が最も適当で、メッキ速度２
，０００〜３，０ＯＯＸ／分で行なうのが好ましい。以
上、約５．ｏｏｏＡの膜厚を確保した後、１３０〜１４
０℃の真空熱処理炉で約２０〜４０分間加熱し、ニッケ
ルー透明電極間の水分を除去し、密着性を上げた。０．
５〜ＩＭの塩酸でニッケルと表面を活性化した後、再度
上記無電解ニッケルメッキ液中に浸漬し、所望する膜厚
ヘコントロールしスペーサーとしての金属層５を形成す
る。以後画像部のレジスト１２を除去する。以後従来通
りの方法によって、第１図の如（金属層５をスペーサー
として極めて均一なギャップを有する液晶セルを得るこ
とが可能となった。
、活性化剤アクセレーターへ浸漬後、さらにアクセレー
ター処理を行なう。この際、表面粗度の大きい、透明電
極３ｃ１３ｄ、３ｅは、ガラス基板１の表面部と比べ、
アクセレーター中のパラジウム粒子吸着量が極めて多（
、後のアクセレーター処理、水洗工程を経ると、選択吸
着された形態になるため、透明電極３ｃ、３ｄ、３ｅ上
のパラジウムに無電解ニッケルメッキが析出し結果的に
透明電極３ｃ、３ｄ、３ｅとガラス基板１の表面との間
に選択メッキが行なわれる。この場合、無電解ニッケル
メッキ条件は、例えば日本カニゼン社、Ｓ−７５３を用
いた場合、８０℃〜８７℃が最も適当で、メッキ速度２
，０００〜３，０ＯＯＸ／分で行なうのが好ましい。以
上、約５．ｏｏｏＡの膜厚を確保した後、１３０〜１４
０℃の真空熱処理炉で約２０〜４０分間加熱し、ニッケ
ルー透明電極間の水分を除去し、密着性を上げた。０．
５〜ＩＭの塩酸でニッケルと表面を活性化した後、再度
上記無電解ニッケルメッキ液中に浸漬し、所望する膜厚
ヘコントロールしスペーサーとしての金属層５を形成す
る。以後画像部のレジスト１２を除去する。以後従来通
りの方法によって、第１図の如（金属層５をスペーサー
として極めて均一なギャップを有する液晶セルを得るこ
とが可能となった。
以上のごとく本発明によれば、大画面高密度液晶セルに
要求される、均一で、かつ小さなギャップを備えた液晶
セルを、高価なスペーサー材を用いずに実現出来しかも
、任意のギャップ厚を形成することができる。代表的な
例として液晶テレビ用セルのギャップ６〜１０μは元よ
り、特に高速応答性を求められるプリンタヘッド等への
応用としての強誘電性液晶セルの低キャップ（１〜８μ
）形成用に有効であり利用範囲は広い。
要求される、均一で、かつ小さなギャップを備えた液晶
セルを、高価なスペーサー材を用いずに実現出来しかも
、任意のギャップ厚を形成することができる。代表的な
例として液晶テレビ用セルのギャップ６〜１０μは元よ
り、特に高速応答性を求められるプリンタヘッド等への
応用としての強誘電性液晶セルの低キャップ（１〜８μ
）形成用に有効であり利用範囲は広い。
第１図は本発明の液晶セルの断面図、第２図は本発明の
液晶セルの平面図であり、従来の説明にも用いる。第３
図は従来の液晶セルの断面図、第４図は本発明の°メッ
キ工程を示す液晶セルの要部断面図である。 １・・・・・・上ガラス基板、２・・・・・・下ガラス
基板、５・・・・・・金属層。 第１図 第３図 ２ 下りラスート着と
液晶セルの平面図であり、従来の説明にも用いる。第３
図は従来の液晶セルの断面図、第４図は本発明の°メッ
キ工程を示す液晶セルの要部断面図である。 １・・・・・・上ガラス基板、２・・・・・・下ガラス
基板、５・・・・・・金属層。 第１図 第３図 ２ 下りラスート着と
Claims (1)
- 透明導電膜を有する一対の透明基板の間隙に液晶物質を
充填して形成される液晶セルにおいて、前記透明導電膜
上の一部に無電解メッキ法によって金属層を形成し、該
金属層をスペーサとして、前記透明基板の間隙をコント
ロールしたことを特徴とする液晶セル構造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10527685A JPS61262721A (ja) | 1985-05-17 | 1985-05-17 | 液晶セル構造 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10527685A JPS61262721A (ja) | 1985-05-17 | 1985-05-17 | 液晶セル構造 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61262721A true JPS61262721A (ja) | 1986-11-20 |
Family
ID=14403144
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10527685A Pending JPS61262721A (ja) | 1985-05-17 | 1985-05-17 | 液晶セル構造 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61262721A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100741057B1 (ko) * | 2001-11-16 | 2007-07-20 | 삼성에스디아이 주식회사 | 평판표시소자의 격벽제조방법 및 이를 이용한 격벽과평판표시소자 |
-
1985
- 1985-05-17 JP JP10527685A patent/JPS61262721A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100741057B1 (ko) * | 2001-11-16 | 2007-07-20 | 삼성에스디아이 주식회사 | 평판표시소자의 격벽제조방법 및 이를 이용한 격벽과평판표시소자 |
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