KR100741057B1 - 평판표시소자의 격벽제조방법 및 이를 이용한 격벽과평판표시소자 - Google Patents

Abstract

평판표시소자의 격벽제조방법 및 이를 이용한 격벽과 평판표시소자에 관한 것으로서, 기판의 상면에 도포된 전극재료막에 기판의 상면이 노출되는 노출부를 형성시켜 전극재료막을 전극패턴으로 형성하는 제1단계와, 전극패턴이 형성된 기판의 상면에 전극패턴이 매립되도록 식각버퍼막을 형성하는 제2단계와, 식각버퍼막상에 제1절연막을 형성하는 제3단계와, 전극재료막의 노출부에 대응하는 제1절연막의 노출대응부에 격벽부를 형성시켜 제1절연막을 격벽패턴으로 형성하는 제4단계와, 제1절연막의 격벽부의 저면에만 식각버퍼막이 남아 있도록 식각버퍼막을 식각하는 제5단계와, 전극패턴과 격벽패턴이 형성된 기판의 상면에 전극패턴만이 매립되도록 제2절연막을 형성하는 제6단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 평판표시소자의 격벽제조방법 및 이를 이용한 격벽과 평판표시소자.

Description

평판표시소자의 격벽제조방법 및 이를 이용한 격벽과 평판표시소자 {Manufaturing method of partition wall of flat panel display and partition wall, flat panel display using the same method}

도 1은 통상적인 평판표시소자의 격벽제조방법을 나타낸 개략도,

도 2a 내지 도 2h는 다른 통상적인 평판표시소자의 격벽제조방법을 나타낸 단면도,

도 3은 상기 도 2a 내지 도 2h의 제조방법에 의해 형성된 격벽의 고온에서의 두께변화를 나타낸 그래프,

도 4a 내지 도 4k는 본 발명의 일 실시예에 따른 평판표시소자의 격벽제조방법을 나타낸 단면도,

도 5는 도 4a 내지 도 4k의 제조방법에 의해 형성된 평판표시소자의 격벽을 나타낸 단면도,

도 6은 도 5의 격벽을 포함한 평판표시소자의 단면도.

< 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>

22...유리기판 23...전극재료막

24...제1포토리지스트막 25...제1포토마스크

26...식각버퍼막 27...제1절연막

28...제2포토리지스트막 29...제2포토마스크

30...제2절연막 33...격벽패턴막

55...상부기판

본 발명은 평판표시소자의 격벽제조방법 및 이를 이용한 격벽과 평판표시소자에 관한 것으로서, 더 상세하게는 열처리시 변형이 없는 평판표시소자의 격벽제조방법 및 이를 이용한 격벽과 평판표시소자에 관한 것이다.

일반적으로 평판표시소자는 큰 부피와 고 전력이 요구되는 음극선과는 달리, 박형으로 대형화가 가능하고 저 전력으로 동작되는 표시소자이며, 이 가운데 격벽이 요구되는 평판표시소자는 전계방출 표시소자와 플라즈마 표시소자 및 액정표시소자가 대표적이다. 상기 격벽은 방전거리를 일정하게 유지시키며, 인접한 픽셀 사이의 전기적, 광학적인 상호 혼선을 방지하는 역활을 한다.

평판표시소자의 격벽을 제조하는 방법에는 일반적으로 스크린 프린트 방법과 샌드 블라스트 방법 등이 사용되고 있다.

스크린 프린트 방법은 패턴화된 스크린 메쉬를 기판위에 장착하고, 격벽 형성에 필요한 페이스트를 압착하여 원하는 형상으로 기판에 인쇄하는 방법으로, 기판을 고정시킨 상태에서 페이스트를 기판 위에 인쇄하고 건조하는 과정을 반복하여 기판위에 격벽을 형성한다.

반면에, 샌드 블러스트(sand blast)방법은 기판위에 격벽 물질을 도포하고, 도포된 격벽 물질위에 포토리지스트 필름을 부착한 다음, 노광용 마스크를 이용하여 노광하고, 현상작업을 거쳐 포토리지스트 필름을 패턴화한다. 그리고 연마제를 압축공기등으로 분사하여 그 표면에 포토리지스트 필름이 형성되지 않은 격벽재료의 일부분을 물리적으로 제거하고, 남아있는 포토리지스트 필름을 박리하는 과정으로 이루어진다.

통상적인 다른 평판표시소자의 격벽제조방법이 한국공개특허 제2001-036056호에 개시되어 있다. 이 평판표시소자의 격벽제조방법은 기판의 일면에 격벽 페이스트를 도포하는 단계와, 도포된 격벽 페이스트를 건조하여 격벽 재료막을 형성하는 단계와, 다수개의 격벽패턴용 홈이 형성된 러빙부재를 기판에 대고, 기판의 일측단에서 반대편 일측단까지 러빙하여 격벽 재료막을 패턴화하는 단계와, 패턴화된 상기 격벽재료막을 소성하여 상기 격벽재료막 내부의 유기물질을 제거하는 단계를 포함한다. 도 1을 참조하면, 상기 러빙부재(8)는 격벽 형상과 대응하는 다수개의 격벽 패턴용 홈(8a)과, 상기 격벽패턴용 홈사이의 돌기부(8b)가 그 표면에 형성된 로울러(8)로 이루어지며, 이 로울러(8)를 이용하여 러빙하면, 로울러의 돌기부(8b)에 압착된 격벽 재료막(6)의 일부가 돌기부(8b)와 인접한 격벽 패턴용 홈(8a)의 내부로 유입되면서 돌기부(8b)에 압착된 부분을 제거하여 격벽 재료막(6)을 패턴화한다. 이로써 한번의 러빙공정으로 격벽 재료막(6)을 패턴화할 수 있으며, 로울러(8)의 표면 형상에 따라 여러가지 패턴의 격벽을 형성할 수 있다.

반면에, 종래의 또 다른 평판표시소자의 격벽제조방법이 도 2a 내지 도 2h에 도시된다. 도 2a 내지 도2h를 참조하면, 하부기판(12)상에 ITO막(Induim Tin Oxide film)(13)을 도포하고 그 위에 제1포토리지스트막(14)을 도포한다(도 2a). 상기 ITO막(13)을 전극패턴으로 형성하기 위해 전극패턴이 형성된 제1마스크(15)를 이용한다. 상기 제1마스크(15)를 이용하여 전극패턴을 형성하려는 부분(15a)외의 부분(15b)에 대응하는 상기 제1포토리지스트막(14)상의 부분(14b)만 노광 및 현상을 한다(도 2b). 그리고, 나머지 제1포토리지스트막(14a)을 버퍼막으로 하여 상기 ITO막(13)의 전극패턴부분(13a)외의 부분(13b)만 식각을 한다(도 2c). 그리고 상기 ITO막의 전극패턴부분(13a)의 상면에 도포된 나머지 제1포토리지스트막(14a)를 제거하여 상기 ITO막의 전극패턴부분(13a)만이 남는다(도 2d). 상기 전극패턴부분(13a)이 형성된 ITO막(13)상과 전극패턴이 형성되지 않은 부분(13b) 모두에 제2포토리지스트막(17)를 도포한다(도 2e). 그리고 격벽패턴이 형성된 제2마스크(18)를 이용하여 격벽패턴을 제2포토리지스트막(17)에 노광 및 현상한다. 따라서, 상기 제2마스크(18)의 격벽패턴에 대응하는 제2포토리지스트막의 부분(17a)을 제외하고 나머지의 제2포토리지스트막이 현상된다(도 2f). 따라서, 상기 제2포토리지스트막(17)에 격벽패턴(17a)이 형성된다. 그리고, 상기 제2포토리지스트막의 상면을 포함한 모든 영역에 절연막(19)이 도포되어 격벽(17a)이 완성된다(도 2g).

또한, 상기 절연막(19)의 상면에 상부기판(20)을 결합함으로써 평판표시소자(30)가 형성된다(도 2h). 따라서, 상기 격벽(17a)은 방전거리를 일정하게 유지하고 인접한 셀 사이의 전기적, 광학적인 상호 혼선을 방지하는 역활을 한다.

이러한 평판표시소자의 격벽제조방법은 패턴화된 격벽을 230℃ 이상의 고온으로 1시간 이상 열처리시 상기 격벽은 포토리지스트로 된 것이므로 열에 의한 격벽의 변형이 발생할 수 있다는 문제점을 가지고 있다.

또한, 패턴화된 격벽을 고온에서 장시간 방치시 격벽의 변형으로 인해 전체막의 두께의 저하를 가져올 수 있다는 문제점을 가지고 있다.

도 3에는 220℃, 230℃, 240℃의 각 고온에서의 포토리지스트로 형성된 격벽의 변형을 그래프로 나타내었다. 그래프에서 실선으로 연결된 점들은 고온으로 열처리 진행전의 격벽의 두께를 나타내며, 점선으로 연결된 점들은 고온으로 열처리 진행후의 격벽의 두께를 나타낸다. 또한, 막대그래프는 각 온도에서의 열처리 진행전후의 격벽의 두께의 차이를 나타낸다. 예컨대, 220℃에서 열처리 진행전에는 격벽의 두께가 2.35㎛이었으나, 열처리 진행후에는 1.72㎛로 격벽의 두께가 저하되었다. 즉, 고온이 되기전의 격벽의 두께에 비해 고온이 되고 난 후의 격벽의 두께가 얇아진 것을 알 수 있다. 또한, 220℃, 230℃, 240℃ 로 점차로 온도가 높아질 수록 격벽의 두께의 차이는 각각 0.63㎛, 0.67㎛, 0.72㎛로 더 심하게 변하는 것을 알 수 있다.

본 발명은 상기한 바와 같은 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 230℃ 이상의 고온으로 1시간 이상 열처리시 변형이 발생하지 않고, 전체막의 두께의 변형이 없는 평판표시소자의 격벽제조방법을 제공하는데 목적이 있다.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 평판표시소자의 격벽제조방법은, 기판의 상면에 도포된 전극재료막에 상기 기판의 상면이 노출되는 노출부를 형성시켜 상기 전극재료막을 전극패턴으로 형성하는 제1단계와; 상기 전극패턴이 형성된 기판의 상면에 상기 전극패턴이 매립되도록 식각버퍼막을 형성하는 제2단계와; 상기 식각버퍼막상에 제1절연막을 형성하는 제3단계와; 상기 전극재료막의 노출부에 대응하는 상기 제1절연막의 노출대응부에 격벽부를 형성시켜 상기 제1절연막을 격벽패턴으로 형성하는 제4단계와; 상기 제1절연막의 격벽부의 저면에만 상기 식각버퍼막이 남아 있도록 상기 식각버퍼막을 식각하는 제5단계와; 상기 전극패턴과 격벽패턴이 형성된 기판의 상면에 상기 전극패턴만이 매립되도록 제2절연막을 형성하는 제6단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.

또한, 상기 제1단계는 상기 전극재료막상에 제1포토리지스트막을 도포하는 단계와, 상기 제1포토리지스트막을 노광 및 현상하여 제1패턴을 형성하는 단계와, 상기 제1패턴에 대응되는 전극패턴이 상기 전극재료막에 형성되도록 상기 전극재료막을 식각하여 상기 기판의 상면이 노출되는 노출부를 형성하는 단계와, 상기 전극패턴상의 제1포토리지스트를 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.

또한, 상기 제2단계는 AP-CVD 방식 또는 LP-CVD 방식으로 식각버퍼막을 증착하는 것을 특징으로 한다.

또한, 상기 식각버퍼막은 질화물 또는 무기질인 것을 특징으로 한다.

또한, 상기 제4단계는 상기 제1절연막상에 제2포토리지스트막을 도포하는 단계와, 상기 제2포토리지스트막을 노광 및 현상하여 상기 전극재료막의 노출부에 대 응하는 상기 제2포토리지스트막의 대응부에 제2패턴을 형성하는 단계와, 상기 제2패턴에 대응되는 격벽부가 상기 제1절연막의 노출대응부에 형성되도록 상기 제1절연막을 식각하여 격벽패턴으로 형성하는 단계와, 상기 격벽패턴상의 제2포토리지스트막을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.

또한, 상기 제2패턴에 대응되는 격벽패턴이 상기 제1절연막에 형성되도록 상기 제1절연막을 식각하는 단계는 다중카본프로린 가스 및 활성화 가스를 사용하여 식각하는 것을 특징으로 한다.

또한, 상기 제5단계는 CHF3, CF4 및 활성화 가스를 사용하여 식각하는 것을 특징으로 한다.

또한, 상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 평판표시소자의 격벽은 기판의 상면에 형성되며 상기 기판의 상면이 노출되는 노출부를 가지도록 전극재료막을 패턴화하는 전극패턴막과; 상기 전극재료막의 노출부에 형성되며 아래로부터 차례대로 식각버퍼막 및 제1절연막이 적층된 격벽패턴막과; 상기 전극패턴막과 격벽패턴막이 형성된 기판의 상면에 상기 전극패턴막만이 매립되도록 형성된 제2절연막;을 포함하는 것을 특징으로 한다.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 평판표시소자는 서로 대향되게 위치하는 상, 하부기판과; 상기 상부기판의 저면에 형성된 상부전극패턴막과; 상기 하부기판의 상면에 형성되며 상기 하부기판의 상면이 노출되는 노출부를 가지도록 하부전극재료막을 패턴화한 하부전극패턴막과; 상기 하부전극재료막의 노출부에 형성되며 아래로부터 차례대로 식각버퍼막 및 제1절연막이 적층된 격벽패턴막과; 상기 하 부전극패턴막과 격벽패턴막이 형성된 기판의 상면에 상기 하부전극패턴막만이 매립되도록 형성된 제2절연막과; 상기 제1, 2절연막의 상면에 형성된 하부배향막과 상기 상부전극패턴막의 저면에 형성된 상부배향막과; 상기 상 하부배향막의 사이에 액정이 충전되어 형성된 액정층;을 포함하는 것을 특징으로 한다.

이하, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 평판표시소자의 격벽제조방법을 상세히 설명한다.

도 4를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 평판표시소자의 격벽제조방법은 기판(22)의 상면에 도포된 전극재료막(23)을 전극패턴(23a)으로 형성하는 제1단계(도 4a 내지 도 4d)와, 상기 전극패턴(23a)이 형성된 기판의 상면에 식각버퍼막(26)을 형성하는 제2단계(도 4e)와, 상기 식각버퍼막(26)상에 제1절연막(27)을 형성하는 제3단계(도 4f)와, 상기 제1절연막(27)을 격벽패턴(27a)으로 형성하는 제4단계(도 4g 내지 도 4i)와, 상기 제1절연막의 격벽패턴(27a)의 저면에만 상기 식각버퍼막(26)이 남아있도록 상기 식각버퍼막(26)을 식각하는 제5단계(도 4j)와, 상기 전극패턴(23a)의 상면에 제2절연막(30)을 형성하는 제6단계(도 4k)를 포함한다.

상기 제1단계는 유리로 된 기판(22)을 준비한다. 상기 유리기판(22)의 상면에 전극을 형성하기 위한 전극재료막(23)을 도포한다. 상기 전극재료막(23)은 ITO막인 것이 바람직하다. 상기 전극재료막(23)을 전극패턴(23a, 도 4d에 도시됨)으로 형성하기 위해 상기 전극재료막(23)상에 제1포토리지스트막(24)을 도포한다(도 4a). 상기 전극패턴(23a)에 대응하는 제1대응패턴(25a)이 형성된 제1포토마스크(25)를 사용하여 상기 제1포토리지스트(24)상에 제1패턴(24a)을 형성한다. 즉, 상기 제1포토마스크(25)의 제1대응패턴(25a)만 빛이 통과하지 못하도록 차단되고, 제1포토마스크(25)가 차단하지 못한 부분(25b)만 빛이 통과하도록 하여 상기 제1포토리지스트막(24)의 제1패턴외의 부분(24b)만 노광 및 현상된다. 따라서, 상기 제1포토리지스트막(24)에 전극패턴의 대응부인 상기 제1패턴(24a)이 형성된다(도 4b). 상기 제1패턴(24a)이 형성된 상기 제1포토리지스트막(24)을 식각정지막으로 하여, 노출된 전극재료막부분(23b)을 식각하여 상기 기판의 상면이 노출되는 노출부(23b)를 형성한다(도 4c). 그리고 식각정지막의 역활을 한 상기 제1패턴(24a)이 형성된 상기 제1포토리지스트막(24)을 제거한다. 따라서, 유리기판(22)의 상면에 전극패턴(23a)이 형성된다(도 4d).

상기 제2단계는 상기 전극패턴(23a)이 형성된 기판(22)의 상면에 식각버퍼막(26)을 형성하되, 상기 전극패턴(23a)이 매립되도록 식각버퍼막(26)을 형성한다(도4e). 상기 식각버퍼막(26)은 AP-CVD(Atmosphere pressure chemical vapor deposition) 또는 LP-CVD(Low pressure chemical vapor deposition) 방식으로 증착된다. 상기 AP-CVD는 대기압상에서, LP-CVD는 낮은 압력하에서 기판상에 소정의 막을 형성하는 CVD(chemical vapor deposition) 성막공정이다. 이는 기밀된 처리실에 기판을 충진하고 처리실내에 설치되어 있는 한 쌍의 전극사이에 성막가스를 공급하면서 고주파 전력을 인가하여 플라즈마를 발생시키고 성막가스중의 가스분자를 분해하여 화학반응을 일으키며 기판표면상에서 박막을 형성하는 것이다.

상기 식각버퍼막(26)은 그 상면에 형성될 제1절연막(27)을 격벽패턴으로 형 성하기 위한 식각정지막으로서 작용한다. 상기 식각버퍼막(26)으로는 질화물 또는 무기질이 가능하다. 상기 식각버퍼막은 약 300 내지 500Å의 두께로 증착된다.

상기 제3단계는 상기 질화물 또는 무기질로 형성된 상기 식각버퍼막(26)상에 제1절연막(27)을 도포한다. 상기 제1절연막(27)으로는 일반적으로 SiO₄등을 사용한다(도 4f).

상기 제4단계는 상기 제1절연막(27)을 격벽패턴(27a, 도 4i에 도시됨)으로 형성하기 위해 상기 제1절연막(27)의 상면에 제2포토리지스트막(28)을 도포한다. 상기 격벽패턴(27a)은 상기 전극재료막의 노출부(23b)에 대응하는 상기 제1절연막의 노출대응부에 격벽부(27a)를 형성함으로써 상기 전극패턴(23a)과 겹쳐지지 않게 형성된다. 상기 격벽패턴(27a)에 대응되는 제2대응패턴(29a)이 형성된 제2포토마스크(29)를 사용하여 제2포토리지스트막(28)의 대응부에 제2패턴(28a)을 형성한다. 즉, 상기 제2포토마스크(29)의 제2대응패턴(29a)만 빛이 통과하지 못하도록 차단되고, 제2포토마스크(29)가 차단하지 못한 부분(29b)만 빛이 통과하도록 하여 제2포토리지스트막의 제2패턴외의 부분(28b)만 노광 및 현상된다(도 4g). 따라서, 상기 제2포토리지스트막(28)에 격벽패턴의 대응부인 상기 제2패턴(28a)이 형성된다(도 4h). 상기 제2패턴(28a)이 형성된 상기 제2포토리지스트막(28)을 식각정지막으로 하여, 상기 제2패턴(28a)에 대응되는 격벽부(27a)가 상기 제1절연막(27)의 노출대응부에 형성되도록 상기 제1절연막(27)을 식각하여 격벽패턴(27a)으로 형성한다. 상기 제1절연막(27)을 식각하는 경우, 상기 제1절연막(27)의 하부에 형성된 질화물 또는 무기질에서 식각이 멈추도록 하기 위해 다중카본플로린 가스 및 활성화 가스 를 사용한다. 이는 건식각 공정으로 진행된다. 따라서, 상기 제1절연막(27)이 격벽패턴(27a)으로 형성된다(도 4i).

그리고, 상기 제1절연막(27)의 격벽패턴(27a)상의 상기 제2포토리지스트막(28a)을 제거한다.

상기 제5단계는 상기 제1절연막(27)의 격벽패턴(27a)외의 부분에 노출된 식각버퍼막(26)을 식각한다. 즉, 상기 제1절연막(27)의 격벽패턴(27a)의 저면의 식각버퍼막(26b)만이 남아 있도록 상기 식각버퍼막(26)을 식각한다. 이 경우에 식각시 식각버퍼막(26)의 하부에 형성된 상기 ITO막(23a)이 식각되지 않도록 CHF3, CF4, 활성화 가스를 사용한다(도 4j).

상기 제6단계는 상기 제5단계에서 식각버퍼막(26)의 제거에 의해 노출된 상기 패턴화된 전극재료막(23a)의 상면과 하부기판(22)의 상면상에 제2절연막(30)을 도포하여 이들을 보호한다(도 4k).

상술한 바와 같은 본 발명에 따른 평판표시소자의 격벽제조방법에 의해 형성된 격벽(40)이 도 5에 도시된다.

여기서, 앞서 도시된 도면에서와 동일한 참조부호는 동일한 기능을 하는 동일한 부재를 가리키는 것으로, 앞서 설명된 바와 실질적으로 동일하므로 자세한 설명을 생략한다.

평판표시소자의 격벽(40)은 유리기판(22)의 상면에 형성되며 상기 유리기판(22)의 상면이 노출되는 노출부(23b)를 가지도록 전극재료막(23)을 패턴화한 전극패턴막(23a)이 형성된다. 상기 전극재료막(23)은 일반적으로 ITO로 형성된 다. 상기 전극재료막(23)의 노출부(23b)에는 상기 전극패턴막(23a)과 소정간격을 두어 아래로부터 차례대로 식각버퍼막(26b)과 제1절연막(27a)이 적층되어 격벽패턴막(33)이 형성된다. 상기 식각버퍼막(26b)은 질화물 또는 무기질인 것이 바람직하다. 상기 유리기판(22)의 상면이 노출되는 상기 전극재료막의 노출부(23b)와 상기 전극패턴막(23a)의 상면에는 상기 유리기판(22)과 전극패턴막(23a)을 보호하고 단락을 방지하기 위해 제2절연막(30)이 도포된다.

상술한 바와 같은 본 발명에 따른 격벽을 포함하는 평판표시소자(50)가 도 6에 도시된다. 도 6은 평판표시소자가 액정표시장치인 경우를 도시한다.

평판표시소자(50)는 서로 대향되게 위치하는 상, 하부기판(55, 22)의 내측에는 각각 상, 하부전극패턴막(54, 23a)이 형성된다. 상기 상, 하부전극패턴막(54, 23a)은 일반적으로 ITO로 형성된다. 상기 하부전극재료막(23)의 노출부(23b)에는 상기 하부전극패턴막(23a)과 소정간격을 두어 아래로부터 차례대로 식각버퍼막(26b)과 제1절연막(27a)이 적층되어 격벽패턴막(33)이 형성된다. 상기 식각버퍼막(26b)은 질화물 또는 무기질인 것이 바람직하다. 상기 유리기판(22)의 상면이 노출되는 상기 하부전극재료막(23a)의 노출부(23b)와 상기 하부전극패턴막(23a)의 상면에는 상기 유리기판(22)과 하부전극패턴막(23a)을 보호하고 단락을 방지하기 위해 제2절연막(30)이 도포된다. 상기 제1, 2절연막(27a, 30)의 상면에는 하부배향막(51)이 형성되며, 상기 제2절연막(30)의 상면에 형성된 하부배향막(51)에는 소정방향으로 러빙처리가 된다. 상기 상부전극패턴막(54)의 저면에도 러빙처리된 상부배향막(53)이 형성된다. 상기 격벽패턴막(33)의 상면은 상 기 상부배향막(53)에 접촉된다. 따라서, 상기 상부배향막(53)과 러빙처리된 하부배향막(51)은 소정의 간격이 유지된다. 상기 소정의 간격에는 액정이 충전되어 액정층(52)이 형성된다.

상술한 바와 같이 구성된 본 발명에 따른 평판표시소자의 작용을 설명하면 다음과 같다.

상기 격벽패턴막(33)은 질화물(26b)과 절연막(27a)이 적층되어 형성된다. 따라서, 고온인 경우에도 격벽패턴막(33)의 형상이 변하지 않는다. 이는 포토리지스트로 된 격벽패턴막과는 달리 절연막으로 된 격벽패턴막(33)은 온도의 영향을 크게 받지 않기 때문이다.

상기한 바와 같이, 본 발명에 따른 평판표시소자의 격벽제조방법은 무기절연막을 이용하여 패턴화된 격벽을 형성함으로써, 230。C 이상의 고온으로 1시간 이상 열처리시에도 격벽의 변형이 발생하지 않고 전체막의 두께의 변형이 없다는 이점이 있다.

본 발명은 첨부된 도면에 도시된 일 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 수 있을 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 보호 범위는 첨부된 청구 범위에 의해서만 정해져야 할 것이다.

Claims (11)

1. 기판의 상면에 도포된 전극재료막에 상기 기판의 상면이 노출되는 노출부를 형성시켜 상기 전극재료막을 전극패턴으로 형성하는 제1단계와;

   상기 전극패턴이 형성된 기판의 상면에 상기 전극패턴이 매립되도록 식각버퍼막을 형성하는 제2단계와;

   상기 식각버퍼막상에 제1절연막을 형성하는 제3단계와;

   상기 전극재료막의 노출부에 대응하는 상기 제1절연막의 노출대응부에 격벽부를 형성시켜 상기 제1절연막을 격벽패턴으로 형성하는 제4단계와;

   상기 제1절연막의 격벽부의 저면에만 상기 식각버퍼막이 남아 있도록 상기 식각버퍼막을 식각하는 제5단계와;

   상기 전극패턴과 격벽패턴이 형성된 기판의 상면에 상기 전극패턴만이 매립되도록 제2절연막을 형성하는 제6단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 평판표시소자의 격벽제조방법.
2. 제1항에 있어서,

   상기 제1단계는 상기 전극재료막상에 제1포토리지스트막을 도포하는 단계와, 상기 제1포토리지스트막을 노광 및 현상하여 제1패턴을 형성하는 단계와, 상기 제1패턴에 대응되는 전극패턴이 상기 전극재료막에 형성되도록 상기 전극재료막을 식각하여 상기 기판의 상면이 노출되는 노출부를 형성하는 단계와, 상기 전극패턴상의 제1포토리지스트를 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 평판표시소자의 격벽제조방법.
3. 제1항에 있어서,

   상기 제2단계는 AP-CVD 방식 또는 LP-CVD 방식으로 식각버퍼막을 증착하는 것을 특징으로 하는 평판표시소자의 격벽제조방법.
4. 제1항 또는 제3항에 있어서,

   상기 식각버퍼막은 질화물 또는 무기질인 것을 특징으로 하는 평판표시소자의 격벽제조방법.
5. 제1항에 있어서,

   상기 제4단계는 상기 제1절연막상에 제2포토리지스트막을 도포하는 단계와, 상기 제2포토리지스트막을 노광 및 현상하여 상기 전극재료막의 노출부에 대응하는 상기 제2포토리지스트막의 대응부에 제2패턴을 형성하는 단계와, 상기 제2패턴에 대응되는 격벽부가 상기 제1절연막의 노출대응부에 형성되도록 상기 제1절연막을 식각하여 격벽패턴으로 형성하는 단계와, 상기 격벽패턴상의 제2포토리지스트막을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 평판표시소자의 격벽제조방법.
6. 제5항에 있어서,

   상기 제2패턴에 대응되는 격벽패턴이 상기 제1절연막에 형성되도록 상기 제1절연막을 식각하는 단계는 다중카본프로린 가스 및 활성화 가스를 사용하여 식각하 는 것을 특징으로 하는 평판표시소자의 격벽제조방법.
7. 제1항에 있어서,

   상기 제5단계는 CHF3, CF4 및 활성화 가스를 사용하여 식각하는 것을 특징으로 하는 평판표시소자의 격벽제조방법.
8. 기판의 상면에 형성되며 상기 기판의 상면이 노출되는 노출부를 가지도록 전극재료막을 패턴화하는 전극패턴막과;

   상기 전극재료막의 노출부에 형성되며 아래로부터 차례대로 식각버퍼막 및 제1절연막이 적층된 격벽패턴막과;

   상기 전극패턴막과 격벽패턴막이 형성된 기판의 상면에 상기 전극패턴막만이 매립되도록 형성된 제2절연막;을 포함하는 것을 특징으로 하는 평판표시소자의 격벽.
9. 제8항에 있어서,

   상기 식각버퍼막은 질화물 또는 무기질인 것을 특징으로 하는 평판표시소자의 격벽.
10. 서로 대향되게 위치하는 상, 하부기판과;

    상기 상부기판의 저면에 형성된 상부전극패턴막과;

    상기 하부기판의 상면에 형성되며 상기 하부기판의 상면이 노출되는 노출부를 가지도록 하부전극재료막을 패턴화한 하부전극패턴막과;

    상기 하부전극재료막의 노출부에 형성되며 아래로부터 차례대로 식각버퍼막 및 제1절연막이 적층된 격벽패턴막과;

    상기 하부전극패턴막과 격벽패턴막이 형성된 기판의 상면에 상기 하부전극패턴막만이 매립되도록 형성된 제2절연막과;

    상기 제1, 2절연막의 상면에 형성된 하부배향막과 상기 상부전극패턴막의 저면에 형성된 상부배향막과;

    상기 상 하부배향막의 사이에 액정이 충전되어 형성된 액정층;을 포함하는 것을 특징으로 하는 평판표시소자.
11. 제10항에 있어서,

    상기 식각버퍼막은 질화물 또는 무기질인 것을 특징으로 하는 평판표시소자의 격벽.

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