JPH04363092A

JPH04363092A - 基板に導電層を形成する方法

Info

Publication number: JPH04363092A
Application number: JP1611591A
Authority: JP
Inventors: Hideo Sawai; 澤井　秀夫; Ichiro Koiwa; 一郎小岩; Ryoichi Masuda; 増田　良一; Nobumasa Higemoto; 信雅髭本
Original assignee: Oki Electric Industry Co Ltd
Current assignee: Oki Electric Industry Co Ltd
Priority date: 1991-02-07
Filing date: 1991-02-07
Publication date: 1992-12-15

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明は、基板に配線層や電極
層等の導電層を基板面に対して平坦となるように形成す
る方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】基板に配線層や電極層を形成した後、こ
れら導電層形成済みの基板上に種々の回路構成部分や、
構造部分を作り込んでいくことによって電子デバイスや
デバイス部品等を製造している。

【０００３】これらの電子デバイスや電子デバイス部品
の例としてプラズマディスプレイパネルとか、多層回路
基板とか等がある。

【０００４】この発明の理解を容易にするために、先ず
、これら従来の多層回路基板とプラズマディスプレイパ
ネルの典型例につき簡単に説明する。

【０００５】図４（Ａ）は、従来の多層回路基板の部分
的断面図であり、図４（Ｂ）は、図４（Ａ）の構造の製
造上の問題点の説明に供する部分的断面図である。図４
において、１０はガラス或いはアルミナセラミックスの
基板、１２は下層配線層、１４は絶縁層および１６は上
層配線層をそれぞれ示している。通常は、下層および上
層配線１２および１４は主成分を銀、金、ニッケル、銅
等の良導電性金属から選ばれた一種または二種以上とし
た導電層として形成してある。また、絶縁層１６は、通
常は、ガラスを主成分とし多層として形成してある。

【０００６】一方、図５は、従来のプラズマディスプレ
イパネルの典型的な陰極配線基板の一部分を示す斜視図
である（例えば、文献：「沖電気研究開発」ｖｏｌ．５
３，Ｎｏ．３ｐｐ３−８（昭和６１年）参照）。図４に
おいて、２０は基板としてのソーダライムガラス、２２
は陰極電極としての導電層および２４は、対向配設され
る図示していない陽極配線基板との間に放電空間を形成
しかつ表示セルの誤放電を防止するために主として設け
たバリアリブと称する隔壁である。尚、陰極電極層２２
は、通常、厚膜ニッケル層で形成し、また、隔壁２４は
厚膜ガラスで形成している。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】上述した従来の多層回
路基板では、基板１０の上面に下層配線層１２を凸状に
形成しているため、下層配線層１２の形成後に設けられ
る絶縁層１４の平坦性が悪い。従って、図４（Ｂ）にも
示すように、絶縁層１４上に上層配線層１６を形成する
と、下地の凹凸による高低差により上層配線層１６に断
切れ（図中、矢印１８で示す部分）が生じる。また、絶
縁層１４もその膜厚を均一に形成することが困難である
ため、ピンホール等の不所望な欠陥が生じる。

【０００８】一方、プラズマディスプレイパネルの陰極
配線基板の場合には、基板２０の上面に凸状に陰極電極
層２２を設け、これら電極層２２に交差する方向に隔壁
２４を設けているので、図５からも理解できるように、
交差部分において隔壁２４が突出し、隔壁２４の上面全
体が凹凸を有する構造となってしまう。このため、陰極
配線基板と陽極配線基板とを貼り合わせてパネルを形成
すると、機械的強度が弱くなると共に、誤放電が発生し
やすくなってしまい、隔壁の本来の機能を充分に発揮し
得ないという不所望の欠陥が生ずる。

【０００９】このように、従来の、基板に導電層を設け
た後に所望の構成要素（部分）を形成して電子デバイス
や電子部品を作成する場合には、電子部品および電子デ
バイスとして不所望の欠陥が発生しないようにするため
、基板に設ける導電層を、基板面と平坦となるように、
形成することが望ましい。

【００１０】従って、この発明の目的は、基板に形成す
る電極層や配線層が、基板面から突出しないで基板面と
平坦となるように、これら導電層を基板に形成する方法
を提供することにある。

【００１１】

【課題を解決するための手段】この目的の達成を図るた
め、この発明の方法によれば、ホトリソグラフィー技術
を用いて基板の上面にホトレジストパターンを形成する
工程と、該ホトレジストパターン間に露出している基板
の領域にサンドブラスト法を用いて溝を形成する工程と
、該溝内に、前記基板の上面のレベルまで導電層を埋め
込み形成する工程とを含むことを特徴とする。

【００１２】この発明の実施に当り、好ましくは、基板
をガラスとかセラミックスとかの絶縁性基板とし、この
基板に設けた溝内に、直接、導電層を埋め込み形成する
のが良い。

【００１３】また、この発明の実施に当り、好ましくは
、基板を金属とか半導体とかの導電性を有する基板とし
、その場合には、形成した溝内に絶縁膜を形成し、この
絶縁膜を介在させてこの溝内に導電層を埋め込み形成す
るのが良い。

【００１４】

【作用】上述したこの発明の構成によれば、基板上面に
ホトレジストパターンを設け、このパターンを利用して
サンドブラスト法によって基板に溝を掘り、この溝に導
電層を埋め込む。

【００１５】従って、基板上面と、埋め込まれた導電層
の上面とを実質的に同一レベルとすることができるので
、導電層が作り込まれた基板面は平坦面となる。その結
果、導電層形成済み基板に、所要の構成部分を作り込ん
でも、従来のような、導電性が突出形成されていること
に起因した層の断切れ、ピンホールの発生、その他の欠
陥の発生を回避できる。

【００１６】また、レジストパターンとサンドブラスト
法とを組み合わせて基板に溝を掘るので、従来のエッチ
ング技術を使用する場合に比較して、溝寸法や溝の断面
形状等を高精度に形成できる。

【００１７】

【実施例】以下、図面を参照して、この発明の実施例に
つき説明する。尚、以下、説明する実施例は単なる好適
例にすぎず、この発明は、これらの実施例にのみ限定さ
れない。

【００１８】また、以下、参照する図は、この発明が理
解できる程度に、その構成要素の形状、寸法および配置
関係を概略的に示してあるに過ぎない。＜第１実施例＞この実施例では、この発明を多層配線基
板に適用した例につき説明する。

【００１９】図１の（Ａ）〜（Ｄ）は、多層配線基板の
製造工程図であって、各図は主要工程段階で得られた構
造体の断面切り口を示す図である。

【００２０】先ず、基板１００としてガラス基板（ソー
ダガラスで厚さを１〜３ｍｍとする）を用いる。そして
、ホトリソグラフィー技術を用いて基板の上面にホトレ
ジストパターン１０２を形成する。そのため、この基板
１００の上面にホト（感光性）レジストを１〜５μｍ程
度の膜厚で均一に塗布した後乾燥させる。その後、通常
の如く、ホトマスクを用いて露光を行い、現像、水洗、
乾燥を行ってホトレジストパターン１０２を形成して図
１の（Ａ）に示すような構造体を得る。尚、図１におい
て、ホトレジストパターン１０２の開口部（除去された
部分）を１０４で示してある。

【００２１】次に、ホトレジストパターン１０２の開口
部１０４に露出している基板１００の上面部分の領域に
、サンドブラスト法を用いて、溝１０６を掘り、図１の
（Ｂ）に示す構造体を得る。そのため、アルミナまたは
ガラスの微粉末を図示していないノズルから、主として
開口部１０４に露出している基板１００の露出面に吹き
つける。この微粉末の吹きつけ領域は開口部１０４によ
って制限されるため、この開口部の開口寸法と実質的に
同一の精度で溝幅寸法が決まる。この微粉末の吹きつけ
により基板１００の領域を削り取って深さ５〜２０μｍ
程度の溝１０６を形成する。

【００２２】このサンドブラスト法による溝加工が終了
した後、ホトレジストパターンを通常の任意好適な方法
で除去する。この除去には、例えば、アセトン等の有機
溶剤を用いれば良い。続いて、形成した溝１０６内に導
電層１０８として下層配線層１０８を埋め込み形成して
図１の（Ｃ）に示すような、導電層形成済み基板１１０
の構造体を得る。そのため、先ず、溝１０６の部分に厚
膜ペースト（例えば、ＥＳＬ社製の商品番号＃２５５４
のペースト）を刷り込む。この刷り込みは、いわゆる従
来普通のスクリーン印刷またはナイフコータなどにより
行えば良い。この場合、溝１０６中にのみペーストが埋
め込まれるようにする。その後、このペーストに対し、
例えば５５０〜５８０℃程度の温度で大気中で、焼成を
行って下層配線層としての導電層１０８を得る。このよ
うにして得られた導電層１０８の上面は、基板１００の
上面と実質的に同一レベルにあるので、導電層形成済み
基板１１０の表面は全体として平坦面を形成する。

【００２３】このようにして、導電層１０８が形成され
た基板１１０の上面に所要の構成部分（要素）を、従来
と同様に、作り込む。

【００２４】この実施例では、絶縁層１１２として、ガ
ラスペースト（例えばデュポン（ＤｕＰｏｎｔ）社製の
商品番号＃９７４１のペースト）を通常のスクリーン印
刷法で形成した後、これを５５０〜５８０℃程度の温度
で大気中で焼成する。

【００２５】次に、下層配線層１０８に用いたものと同
じ厚膜ペーストを用いてスクリーン印刷法により形成し
、このペーストの焼成を行って図１の（Ｄ）に示すよう
な構造体の多層回路基板を完成する。＜第２実施例＞この第２実施例では、この発明をプラズ
マディスプレイパネル（ＰＤＰ）の陰極配線基板に適用
した例につき説明する。この第２実施例では、第１実施
例の下層配線層を陰極配線層とする点以外は、図１の（
Ａ）〜（Ｃ）までの工程と本質的に同様な工程を経て、
陰極電極層としての導電層を形成した基板を得る。ここで、図２にこの第２実施例の導電層を１２０で示し
、導電層形成済みの基板を１２２として示す。

【００２６】この導電層形成済み基板１２２の上面に、
従来と同様に、隔壁（バリアリブ）１２４を形成し、図
２に示すような構造体の陰極配線基板を得る。この場合
、例えば、隔壁１２４をガラスペースト（例えば、デュ
ポン（ＤｕＰｏｎｔ）社製の商品番号＃９７４１のペー
スト）をスクリーン印刷法で形成する。また、隔壁の高
さを、通常１５０〜２００μｍとする必要があるので、
印刷を数回繰り返すことにより、この高さまで印刷すれ
ば良い。その後に、焼成を行って陰極配線基板が完成す
る。

【００２７】上述した第１および第２実施例からも明ら
かなように、この発明によれば、導電層を基板に形成し
た時、導電層が形成された基板の表面が平坦面となって
いる。従って、この導電層形成済み基板の表面が平坦面
であるので、この平坦面上に絶縁層等の所要の構成要素
の形成が容易となり、また、形成された絶縁層等に断切
れとかピンホールとかの不所望の欠陥の発生するのを回
避できる。また、導電層形成済みの基板の平坦面に、例
えば、プラズマディスプレイ用の隔壁を形成しても、こ
の隔壁を均一の膜厚で、いいかえれば、凹凸がない隔壁
として形成し得るので、誤放電の発生を防止し得ると共
に、パネルの機械的強度の劣化を抑制できる。

【００２８】この発明は上述した実施例にのみ限定され
るものではなく、多くの変形または変更を行い得ること
は明らかである。

【００２９】例えば、基板として絶縁性基板につき説明
したが導電性を有する基板、例えば、金属製基板とか半
導体基板とかを用いてもよい。

【００３０】図３（Ａ）〜（Ｃ）は、導電性基板を用い
た場合の形成方法を説明するための工程図である。図３
の（Ａ）は、第１実施例でも説明した図１の（Ａ）およ
び（Ｂ）の工程と同様の工程を経て、基板１３０に図１
の溝１０６に対応する溝１３２を形成した後、不要とな
ったホトレジストパターンを除去した状態を示す断面図
である。

【００３１】次に、この溝１３２の内壁面上に、ＣＶＤ
或いはその他の設計に応じた適当な従来技術を用いて、
酸化膜とか窒化膜或いはその他の絶縁膜１３４を形成し
、図３の（Ｂ）に示すような構造体を得る。

【００３２】続いて、第１実施例で説明したと同様な方
法で導電層１３６を形成し、上面全体が平坦面となって
いる。導電層形成済み基板１３８を得る。この状態を図
３の（Ｃ）に示す。その後の所要の各構成要素の形成は
、第１および第２実施例で既に説明したと同様に行えば
良い。

【００３３】

【発明の効果】上述した説明からも明らかなように、こ
の発明の基板に導電層を形成する方法によれば、基板に
ホトレジストパターンを設けて、そのパターン間に露出
した基板領域サンドブラスト法により溝を形成するので
、電極とか配線の設計がし易く、溝形成が簡単となり、
しかも、高精度で溝形成できる。

【００３４】また、この溝内を埋め込むように、直接ま
たは絶縁膜を介在させて、導電層を形成して、導電層形
成済み基板の上面の全体を平坦面となるようにしている
ので、従来、導電層が基板面から突出形成されているこ
とに起因して発生していた不所望な欠陥、例えば、この
発明により形成された基板の平坦面上にその後に形成さ
れる所要の構成要素に断切れやピンホールの発生、或い
は、凹凸面の発生等を回避できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】（Ａ）〜（Ｄ）は、この発明の基板に導電層を
形成する方法を多層回路基板に適用した第１実施例の説
明に供する工程図である。

【図２】この発明の基板に導電層を形成する方法をプラ
ズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）の陰極配線基板に適
用した第２実施例の説明に供する図である。

【図３】（Ａ）〜（Ｃ）は、この発明の変形例の説明に
供する工程図である。

【図４】（Ａ）および（Ｂ）は、従来の多層回路基板の
形成方法の説明に供する説明図である。

【図５】従来のプラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）
の陰極配線基板の形成方法の説明に供する説明図である
。

【符号の説明】

１００：ガラス１０２：ホトレジストパターン１０４：開口部１０６、１３２：溝１０８：下層配線層（導電層）１１０、１２２：導電層形成済み基板１１２：絶縁層１１４：上層配線層１２０：陰極電極層（導電層）１２４：隔壁１３０：導電性基板１３４：絶縁膜１３６：導電層

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】　　ホトリソグラフィー技術を用いて基板
の上面にホトレジストパターンを形成する工程と、該ホ
トレジストパターン間に露出している基板の領域にサン
ドブラスト法を用いて溝を形成する工程と、該溝内に、
前記基板の上面のレベルまで導電層を埋め込み形成する
工程とを含むことを特徴とする基板に導電層を形成する
方法。
【請求項２】　　基板を絶縁性基板とし、該絶縁性基板
に形成した前記溝内に前記導電層を、直接、埋め込み形
成することを特徴とする請求項１の方法。
【請求項３】　　基板を導電性基板とし、該導電性基板
に形成した前記溝内に絶縁膜を設け、該絶縁膜を介在さ
せて前記導電層を前記溝内に埋め込み形成することを特
徴とする請求項１の方法。