JPH10125820A - セラミックス回路基板及びその製造方法 - Google Patents
セラミックス回路基板及びその製造方法Info
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- JPH10125820A JPH10125820A JP8297387A JP29738796A JPH10125820A JP H10125820 A JPH10125820 A JP H10125820A JP 8297387 A JP8297387 A JP 8297387A JP 29738796 A JP29738796 A JP 29738796A JP H10125820 A JPH10125820 A JP H10125820A
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- H05K3/4626—Manufacturing multilayer circuits by laminating two or more circuit boards characterised by the insulating layers or materials
- H05K3/4629—Manufacturing multilayer circuits by laminating two or more circuit boards characterised by the insulating layers or materials laminating inorganic sheets comprising printed circuits, e.g. green ceramic sheets
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- Structure Of Printed Boards (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 セラミックス回路基板製造の際、スクリーン
印刷法によると微細で高密度な表面導体層の形成が難し
い。一方、焼結体表面にスパッタリング法等で薄膜を形
成する方法では、高価な装置を必要とする等の問題があ
り、焼結体表面にフォトレジスト層を形成し、フォトリ
ソグラフィーを利用して厚膜導体層を形成する方法で
は、化学薬品を多量に使用するため、製造コストが高く
なる。 【解決手段】 グリーンシート１１ａ表面に導体ペース
トベタ層１３ａを形成した後積層し、凹凸部１４ａが形
成されたプレス用部材１４をグリーンシート積層体１５
表面に押圧し、導体ペーストベタ層１３ａを凸部上面１
１０ｂ及び凹部底面１１０ａの導体ペースト層１３ｂ、
１３ｃとに分断した後、焼成し、表面に凹凸部１７ａが
形成され、表面導体層１６ａ、１６ｂが凸部上面１７ｂ
と凹部底面１７ｃとにそれぞれ形成されたセラミックス
回路基板１８を製造する。
印刷法によると微細で高密度な表面導体層の形成が難し
い。一方、焼結体表面にスパッタリング法等で薄膜を形
成する方法では、高価な装置を必要とする等の問題があ
り、焼結体表面にフォトレジスト層を形成し、フォトリ
ソグラフィーを利用して厚膜導体層を形成する方法で
は、化学薬品を多量に使用するため、製造コストが高く
なる。 【解決手段】 グリーンシート１１ａ表面に導体ペース
トベタ層１３ａを形成した後積層し、凹凸部１４ａが形
成されたプレス用部材１４をグリーンシート積層体１５
表面に押圧し、導体ペーストベタ層１３ａを凸部上面１
１０ｂ及び凹部底面１１０ａの導体ペースト層１３ｂ、
１３ｃとに分断した後、焼成し、表面に凹凸部１７ａが
形成され、表面導体層１６ａ、１６ｂが凸部上面１７ｂ
と凹部底面１７ｃとにそれぞれ形成されたセラミックス
回路基板１８を製造する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はセラミックス回路基
板及びその製造方法に関し、より詳細には半導体素子等
を搭載するためのパッケージ基板等として用いられるセ
ラミックス回路基板及びその製造方法に関する。
板及びその製造方法に関し、より詳細には半導体素子等
を搭載するためのパッケージ基板等として用いられるセ
ラミックス回路基板及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来よりＬＳＩ等を搭載するためのパッ
ケージ基板等として、セラミックス回路基板が使用され
ている。
ケージ基板等として、セラミックス回路基板が使用され
ている。
【０００３】図４（ａ）〜（ｅ）は、従来のセラミック
ス回路基板の各製造工程を模式的に示した断面図であ
る。以下においては、ガラスセラミックスを基板材料と
した場合について説明する。
ス回路基板の各製造工程を模式的に示した断面図であ
る。以下においては、ガラスセラミックスを基板材料と
した場合について説明する。
【０００４】まず、例えばコーディエライト（ＭｇＯ−
Ａｌ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 ）系ガラスの粉末に骨材としてア
ルミナ粉末を添加した後、混合し、この混合粉末に樹
脂、可塑剤、溶剤等をそれぞれ適量添加し、混練してス
ラリを形成する。次に、このスラリを用いて、ドクター
ブレード法等によりグリーンシート３１ａ、３１ｂ、３
１ｃを作製し、これらのグリーンシート３１ａ、・・・
に、ビアホール３２の形成等、種々の加工処理を施す
（図４（ａ））。図４（ａ）、（ｂ）において、上段は
上部表層用のグリーンシート３１ａ、真ん中の段は内層
用のグリーンシート３１ｂ、下段は下部表層用のグリー
ンシート３１ｃをそれぞれ示している。
Ａｌ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 ）系ガラスの粉末に骨材としてア
ルミナ粉末を添加した後、混合し、この混合粉末に樹
脂、可塑剤、溶剤等をそれぞれ適量添加し、混練してス
ラリを形成する。次に、このスラリを用いて、ドクター
ブレード法等によりグリーンシート３１ａ、３１ｂ、３
１ｃを作製し、これらのグリーンシート３１ａ、・・・
に、ビアホール３２の形成等、種々の加工処理を施す
（図４（ａ））。図４（ａ）、（ｂ）において、上段は
上部表層用のグリーンシート３１ａ、真ん中の段は内層
用のグリーンシート３１ｂ、下段は下部表層用のグリー
ンシート３１ｃをそれぞれ示している。
【０００５】次に、上記工程により形成されたグリーン
シート３１ａ、・・・ のビアホール３２にＡｇやＡｇ−Ｐ
ｄ等の粉末を含有する導体ペースト３３を充填し、グリ
ーンシート３１ａ、・・・ 表面に導体ペースト３３をスク
リーン印刷法を用いて印刷する（図４（ｂ））。
シート３１ａ、・・・ のビアホール３２にＡｇやＡｇ−Ｐ
ｄ等の粉末を含有する導体ペースト３３を充填し、グリ
ーンシート３１ａ、・・・ 表面に導体ペースト３３をスク
リーン印刷法を用いて印刷する（図４（ｂ））。
【０００６】次に、上記処理が施されたグリーンシート
３１ａ、・・・ を積層し、熱圧着することによりグリーン
シート積層体３５を作製する（図４（ｃ））。
３１ａ、・・・ を積層し、熱圧着することによりグリーン
シート積層体３５を作製する（図４（ｃ））。
【０００７】このグリーンシート積層体３５を大気雰囲
気下、２００〜６００℃で３〜１０時間程度加熱して脱
脂処理を行った後、同様の大気雰囲気下、８００〜１０
００℃で３０分〜１０時間焼成することにより、焼結体
３７の表面及び内部に導体層３６ａ、３６ｂが形成され
たセラミックス回路基板３８の製造を完了する（図４
（ｄ））。
気下、２００〜６００℃で３〜１０時間程度加熱して脱
脂処理を行った後、同様の大気雰囲気下、８００〜１０
００℃で３０分〜１０時間焼成することにより、焼結体
３７の表面及び内部に導体層３６ａ、３６ｂが形成され
たセラミックス回路基板３８の製造を完了する（図４
（ｄ））。
【０００８】上記セラミックス回路基板３８の製造方法
においては、焼成により焼結体３７表面の導体層３６ａ
と焼結体３７内部の導体層３６ｂとを同時に形成する場
合を示したが、上記焼成により焼結体内部の導体層３６
ｂのみを形成し、その後焼結体の表面に導体層３６ａを
形成する方法もある。
においては、焼成により焼結体３７表面の導体層３６ａ
と焼結体３７内部の導体層３６ｂとを同時に形成する場
合を示したが、上記焼成により焼結体内部の導体層３６
ｂのみを形成し、その後焼結体の表面に導体層３６ａを
形成する方法もある。
【０００９】上記方法等により製造されるセラミックス
回路基板３８の電気的特性を良好に保つためには内部の
導体層３６ｂの長さがなるべく短い方がよく、セラミッ
クス回路基板３８の重量を減少させ、製造コストを低減
させるためにはグリーンシート積層体３５の積層数を少
なくして、焼結体３７の厚さを薄くすることが望まし
い。
回路基板３８の電気的特性を良好に保つためには内部の
導体層３６ｂの長さがなるべく短い方がよく、セラミッ
クス回路基板３８の重量を減少させ、製造コストを低減
させるためにはグリーンシート積層体３５の積層数を少
なくして、焼結体３７の厚さを薄くすることが望まし
い。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】しかし、近年、半導体
素子の高集積化に伴い、電子機器の高性能化や小型化が
急速に進展しており、前記半導体素子をパッケージに実
装する方法も、従来のワイヤボンディングによる実装方
法から、マルチチップ化や高密度実装に適したフリップ
チップボンディングによる実装方法等に変わってきてい
る。
素子の高集積化に伴い、電子機器の高性能化や小型化が
急速に進展しており、前記半導体素子をパッケージに実
装する方法も、従来のワイヤボンディングによる実装方
法から、マルチチップ化や高密度実装に適したフリップ
チップボンディングによる実装方法等に変わってきてい
る。
【００１１】このような実装方法においてはセラミック
ス回路基板３８の表面に多数の接続用端子を形成する必
要があるが、上記したセラミックス回路基板３８の製造
方法においては、スクリーン印刷法によりグリーンシー
ト３１ａ、・・・ 表面に導体層ペースト３３を印刷する。
そのため、メッシュ開口率が６０％前後でペースト吐出
性がよく、印刷性に優れたスクリーンを使用しても、焼
結体３７表面に形成される導体層３６ａのピッチは１２
０μｍ（線幅／線間隔＝６０μｍ／６０μｍ）程度が最
小値となり、余り微細な導体層３６ａを形成することが
できない。
ス回路基板３８の表面に多数の接続用端子を形成する必
要があるが、上記したセラミックス回路基板３８の製造
方法においては、スクリーン印刷法によりグリーンシー
ト３１ａ、・・・ 表面に導体層ペースト３３を印刷する。
そのため、メッシュ開口率が６０％前後でペースト吐出
性がよく、印刷性に優れたスクリーンを使用しても、焼
結体３７表面に形成される導体層３６ａのピッチは１２
０μｍ（線幅／線間隔＝６０μｍ／６０μｍ）程度が最
小値となり、余り微細な導体層３６ａを形成することが
できない。
【００１２】従って、多数の接続端子（導体層３６ａ）
を焼結体３７表面に形成するためには内部の導体層３６
ｂのパターンを複雑化せざるを得ず、それに伴い焼成用
のグリーンシート積層体３５の積層数が多くなり、内部
の導体層３６ｂの距離も長くなるという問題があった。
また、これら開口率の高いスクリーンはメッシュを構成
しているワイヤが細いため、寿命が短く、製造コストが
高くなるという問題もあった。
を焼結体３７表面に形成するためには内部の導体層３６
ｂのパターンを複雑化せざるを得ず、それに伴い焼成用
のグリーンシート積層体３５の積層数が多くなり、内部
の導体層３６ｂの距離も長くなるという問題があった。
また、これら開口率の高いスクリーンはメッシュを構成
しているワイヤが細いため、寿命が短く、製造コストが
高くなるという問題もあった。
【００１３】上記問題を解決するため、内部のみに導体
層を形成したセラミックス基板（焼結体）の表面にスパ
ッタリング法や蒸着法等の気相法により微細な薄膜を形
成する方法も提案されているが、上記気相法により薄膜
を形成するためには高価な装置を必要とし、消費電力も
大きいため、製造コストが高くなるという課題があっ
た。
層を形成したセラミックス基板（焼結体）の表面にスパ
ッタリング法や蒸着法等の気相法により微細な薄膜を形
成する方法も提案されているが、上記気相法により薄膜
を形成するためには高価な装置を必要とし、消費電力も
大きいため、製造コストが高くなるという課題があっ
た。
【００１４】また、セラミックス基板（焼結体）の表面
にフォトレジスト層を形成し、フォトリソグラフィーの
手法により前記フォトレジストに凹部を形成した後、前
記凹部に導体ペーストを充填し、その後フォトレジスト
層を除去することにより微細な導体層を形成する方法も
開示されている（特開平２−２４０９９６号公報等）
が、これらの方法では化学薬品を多量に使用するため、
やはり製造コストが高くなるという課題があった。
にフォトレジスト層を形成し、フォトリソグラフィーの
手法により前記フォトレジストに凹部を形成した後、前
記凹部に導体ペーストを充填し、その後フォトレジスト
層を除去することにより微細な導体層を形成する方法も
開示されている（特開平２−２４０９９６号公報等）
が、これらの方法では化学薬品を多量に使用するため、
やはり製造コストが高くなるという課題があった。
【００１５】本発明は上記課題に鑑みなされたものであ
り、表面に高密度の導体層が形成され、内部導体層の長
さが短く、電気的特性に優れ、軽量で安価なセラミック
ス回路基板及びその製造方法を提供することを目的とし
ている。
り、表面に高密度の導体層が形成され、内部導体層の長
さが短く、電気的特性に優れ、軽量で安価なセラミック
ス回路基板及びその製造方法を提供することを目的とし
ている。
【００１６】
【課題を解決するための手段及びその効果】上記目的を
達成するために本発明に係るセラミックス回路基板
（１）は、表面に凹凸部が形成され、導体層が前記凹凸
部の凸部上面と凹部底面とにそれぞれ形成されているこ
とを特徴としている。
達成するために本発明に係るセラミックス回路基板
（１）は、表面に凹凸部が形成され、導体層が前記凹凸
部の凸部上面と凹部底面とにそれぞれ形成されているこ
とを特徴としている。
【００１７】上記セラミックス回路基板（１）によれ
ば、隣接する表面の導体層は同一平面上に存在しないた
め、配線間隔をとる必要が全くなく、そのため表面に高
密度の導体層が形成されたセラミックス回路基板とする
ことができる。
ば、隣接する表面の導体層は同一平面上に存在しないた
め、配線間隔をとる必要が全くなく、そのため表面に高
密度の導体層が形成されたセラミックス回路基板とする
ことができる。
【００１８】また、本発明に係るセラミックス回路基板
（２）は、表面に凹凸部が形成され、導体層が前記凹凸
部の凸部上面に形成されていることを特徴としている。
（２）は、表面に凹凸部が形成され、導体層が前記凹凸
部の凸部上面に形成されていることを特徴としている。
【００１９】上記セラミックス回路基板（２）によれ
ば、凸部間の間隔を短くとることにより、表面に高密度
の導体層が形成されたセラミックス回路基板とすること
ができる。
ば、凸部間の間隔を短くとることにより、表面に高密度
の導体層が形成されたセラミックス回路基板とすること
ができる。
【００２０】また、本発明に係るセラミックス回路基板
（３）は、上記セラミックス回路基板（１）又は（２）
において、内部配線及びビアが形成されていることを特
徴としている。
（３）は、上記セラミックス回路基板（１）又は（２）
において、内部配線及びビアが形成されていることを特
徴としている。
【００２１】上記セラミックス回路基板（３）によれ
ば、表面に高密度の導体層が形成されているので、内部
導体層の長さを短くすることができ、電気的特性に優
れ、軽量で安価なセラミックス回路基板を提供すること
ができる。
ば、表面に高密度の導体層が形成されているので、内部
導体層の長さを短くすることができ、電気的特性に優
れ、軽量で安価なセラミックス回路基板を提供すること
ができる。
【００２２】また、本発明に係るセラミックス回路基板
の製造方法（１）は、上記セラミックス回路基板（１）
又は（３）の製造方法において、グリーンシート表面に
導体ペーストベタ層を形成した後、前記グリーンシート
接触面に凹凸部が形成されたプレス用部材をグリーンシ
ート表面に押圧し、該グリーンシート表面の導体ペース
トベタ層を凸部上面部分と凹部底面部分とに分断した
後、焼成する工程を含むことを特徴としている。
の製造方法（１）は、上記セラミックス回路基板（１）
又は（３）の製造方法において、グリーンシート表面に
導体ペーストベタ層を形成した後、前記グリーンシート
接触面に凹凸部が形成されたプレス用部材をグリーンシ
ート表面に押圧し、該グリーンシート表面の導体ペース
トベタ層を凸部上面部分と凹部底面部分とに分断した
後、焼成する工程を含むことを特徴としている。
【００２３】上記セラミックス回路基板の製造方法
（１）によれば、プレス用部材をグリーンシート表面に
押圧するという比較的簡単な方法により、導体層の配線
間隔が水平方向に関しては０の導体層を表面に形成し、
表面に高密度の導体層が形成されたセラミックス回路基
板を製造するこことができる。その結果、内部の導体層
の長さが短く、電気的特性に優れ、軽量で安価なセラミ
ックス回路基板を製造することができる。
（１）によれば、プレス用部材をグリーンシート表面に
押圧するという比較的簡単な方法により、導体層の配線
間隔が水平方向に関しては０の導体層を表面に形成し、
表面に高密度の導体層が形成されたセラミックス回路基
板を製造するこことができる。その結果、内部の導体層
の長さが短く、電気的特性に優れ、軽量で安価なセラミ
ックス回路基板を製造することができる。
【００２４】また、本発明に係るセラミックス回路基板
の製造方法（２）は、上記セラミックス回路基板（２）
又は（３）の製造方法において、グリーンシート接触面
に凹凸部が形成されたプレス用部材をグリーンシート表
面に押圧し、該グリーンシート表面に前記凹凸形状を転
写した後、転写された凹凸部の凸部上面のみに導体ペー
スト層を形成し、焼成する工程を含むことを特徴として
いる。
の製造方法（２）は、上記セラミックス回路基板（２）
又は（３）の製造方法において、グリーンシート接触面
に凹凸部が形成されたプレス用部材をグリーンシート表
面に押圧し、該グリーンシート表面に前記凹凸形状を転
写した後、転写された凹凸部の凸部上面のみに導体ペー
スト層を形成し、焼成する工程を含むことを特徴として
いる。
【００２５】上記セラミックス回路基板の製造方法
（２）によれば、転写された凹凸形状の凸部の間隔が短
い形状のプレス用部材を使用して凹凸を形成した後、凸
部上面にローラ等で導体ペーストを印刷するという比較
的簡単な方法で、表面に高密度の導体層が形成されたセ
ラミックス回路基板を製造するこことができる。その結
果、内部導体層の長さを短くすることができ、電気的特
性に優れ、軽量で安価なセラミックス回路基板を製造す
ることができる。
（２）によれば、転写された凹凸形状の凸部の間隔が短
い形状のプレス用部材を使用して凹凸を形成した後、凸
部上面にローラ等で導体ペーストを印刷するという比較
的簡単な方法で、表面に高密度の導体層が形成されたセ
ラミックス回路基板を製造するこことができる。その結
果、内部導体層の長さを短くすることができ、電気的特
性に優れ、軽量で安価なセラミックス回路基板を製造す
ることができる。
【００２６】また、本発明に係るセラミックス回路基板
の製造方法（３）は、上記セラミックス回路基板の製造
方法（１）又は（２）において、プレス用部材が金属製
又は樹脂製であることを特徴としている。
の製造方法（３）は、上記セラミックス回路基板の製造
方法（１）又は（２）において、プレス用部材が金属製
又は樹脂製であることを特徴としている。
【００２７】上記セラミックス回路基板の製造方法
（３）によれば、精密な凹凸形状を有するプレス用部材
を構成することができ、前記プレス用部材を用いれば、
間隔が極めて狭い凹凸形状をグリーンシート積層体の表
面に形成することができる。
（３）によれば、精密な凹凸形状を有するプレス用部材
を構成することができ、前記プレス用部材を用いれば、
間隔が極めて狭い凹凸形状をグリーンシート積層体の表
面に形成することができる。
【００２８】
【発明の実施の形態】以下、本発明に係るセラミックス
回路基板及びその製造方法の実施の形態を図面に基づい
て説明する。
回路基板及びその製造方法の実施の形態を図面に基づい
て説明する。
【００２９】図１（ａ）〜（ｅ）は実施の形態（１）に
係るセラミックス回路基板の各製造工程を模式的に示し
た断面図であり、（ｅ）は実施の形態（１）に係るセラ
ミックス回路基板を模式的に示した断面図である。
係るセラミックス回路基板の各製造工程を模式的に示し
た断面図であり、（ｅ）は実施の形態（１）に係るセラ
ミックス回路基板を模式的に示した断面図である。
【００３０】まず、実施の形態（１）に係るセラミック
ス回路基板について説明する。このセラミックス回路基
板１８においては、（ｅ）に示したように、焼結体１７
の上部表面に凹凸部１７ａが形成され、凸部上面１７ｂ
及び凹部底面１７ｃに表面導体層１６ａ、１６ｂがそれ
ぞれ形成されている。また、底部表面に表面導体層１６
ｃが形成され、内部に内部導体層１６ｄが形成されてい
る。
ス回路基板について説明する。このセラミックス回路基
板１８においては、（ｅ）に示したように、焼結体１７
の上部表面に凹凸部１７ａが形成され、凸部上面１７ｂ
及び凹部底面１７ｃに表面導体層１６ａ、１６ｂがそれ
ぞれ形成されている。また、底部表面に表面導体層１６
ｃが形成され、内部に内部導体層１６ｄが形成されてい
る。
【００３１】凸部上面１７ｂに形成された表面導体層１
６ａと凹部底面１７ｃに形成された表面導体層１６ｂと
は同一平面内に存在せず、ビアホール１２内の内部導体
層１６ｄにのみ接続されており、表面導体層１６ａ、１
６ｂの垂直方向に関する間隔は十分にあるため、お互い
にショートすることはない。表面導体層１６ａと表面導
体層１６ｂとの横方向の間隔は０μｍであり、表層導体
層の幅を５０μｍ程度まで小さくすることができるの
で、高密度の表面導体層１６ａ、１６ｂを形成すること
ができる。
６ａと凹部底面１７ｃに形成された表面導体層１６ｂと
は同一平面内に存在せず、ビアホール１２内の内部導体
層１６ｄにのみ接続されており、表面導体層１６ａ、１
６ｂの垂直方向に関する間隔は十分にあるため、お互い
にショートすることはない。表面導体層１６ａと表面導
体層１６ｂとの横方向の間隔は０μｍであり、表層導体
層の幅を５０μｍ程度まで小さくすることができるの
で、高密度の表面導体層１６ａ、１６ｂを形成すること
ができる。
【００３２】セラミックス回路基板１８の構成材料は、
特に限定されるものではなく、アルミナ、ムライト、Ａ
ｌＮ、ガラスセラミックス等が挙げられるが、熱膨張係
数がＳｉと近く、誘電率が低く、低温焼成が可能なガラ
スセラミックスが微細配線用の基板として好ましい。
特に限定されるものではなく、アルミナ、ムライト、Ａ
ｌＮ、ガラスセラミックス等が挙げられるが、熱膨張係
数がＳｉと近く、誘電率が低く、低温焼成が可能なガラ
スセラミックスが微細配線用の基板として好ましい。
【００３３】次に、このセラミックス回路基板１８の製
造方法を説明する。
造方法を説明する。
【００３４】まず、従来の場合と同様に、例えばコーデ
ィエライト（ＭｇＯ−Ａｌ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 ）系ガラス
の粉末を、骨材としてのアルミナ粉末に添加、混合した
後、この混合粉末に樹脂、可塑剤、溶剤等をそれぞれ適
量添加し、混練してスラリを形成する。次に、このスラ
リを用いて、ドクターブレード法等によりグリーンシー
ト１１ａ、１１ｂ、１１ｃを作製し、これらのグリーン
シート１１ａ、・・・ にビアホール１２の形成等、種々の
加工処理を施す（図１（ａ））。このとき形成するビア
ホール１２相互の間隔は、従来の場合よりも狭くとるこ
とができる。
ィエライト（ＭｇＯ−Ａｌ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 ）系ガラス
の粉末を、骨材としてのアルミナ粉末に添加、混合した
後、この混合粉末に樹脂、可塑剤、溶剤等をそれぞれ適
量添加し、混練してスラリを形成する。次に、このスラ
リを用いて、ドクターブレード法等によりグリーンシー
ト１１ａ、１１ｂ、１１ｃを作製し、これらのグリーン
シート１１ａ、・・・ にビアホール１２の形成等、種々の
加工処理を施す（図１（ａ））。このとき形成するビア
ホール１２相互の間隔は、従来の場合よりも狭くとるこ
とができる。
【００３５】次に、上記工程により形成されたグリーン
シート１１ａ、・・・ のビアホール１２にＡｇやＡｇ−Ｐ
ｄ等の粉末を含有する導体ペースト１３を充填し、グリ
ーンシート１１ａ、・・・ の表面にスクリーン印刷法によ
り導体ペースト１３を印刷する（図１（ｂ））。従来の
場合と異なり、上段のグリーンシート１１ａには、導体
ペーストベタ層１３ａを印刷、形成する。
シート１１ａ、・・・ のビアホール１２にＡｇやＡｇ−Ｐ
ｄ等の粉末を含有する導体ペースト１３を充填し、グリ
ーンシート１１ａ、・・・ の表面にスクリーン印刷法によ
り導体ペースト１３を印刷する（図１（ｂ））。従来の
場合と異なり、上段のグリーンシート１１ａには、導体
ペーストベタ層１３ａを印刷、形成する。
【００３６】次に、上記処理が施されたグリーンシート
１１ａ、・・・ を積層し、熱圧着することによりグリーン
シート積層体１５を作製する（図１（ｃ））。作製され
たグリーンシート積層体表面１１０には、導体ペースト
ベタ層１３ａが形成されている。
１１ａ、・・・ を積層し、熱圧着することによりグリーン
シート積層体１５を作製する（図１（ｃ））。作製され
たグリーンシート積層体表面１１０には、導体ペースト
ベタ層１３ａが形成されている。
【００３７】次に、グリーンシート積層体１５との接触
面に凹凸部１４ａが形成されたプレス用部材１４及び平
板状のプレス用補助部材１９を用い、両者の間にグリー
ンシート積層体１５を挟持した後、３０〜２００ｋｇｆ
／ｃｍ2 程度の圧力で押圧し、グリーンシート積層体表
面１１０に凹凸形状を転写する（図１（ｄ））。このと
き、プレス用部材１４の凹凸部１４ａを構成する凸部１
４ｂの中心線がビアホール１２の中心にくるように正確
に位置合わせを行う必要がある。上記処理により、導体
ペーストベタ層１３ａが、グリーンシート表面１１０の
凹部底面１１０ａに形成された導体ペースト層１３ｃ
と、凸部上面１１０ｂに形成された導体ペースト層１３
ｃとに分断される。
面に凹凸部１４ａが形成されたプレス用部材１４及び平
板状のプレス用補助部材１９を用い、両者の間にグリー
ンシート積層体１５を挟持した後、３０〜２００ｋｇｆ
／ｃｍ2 程度の圧力で押圧し、グリーンシート積層体表
面１１０に凹凸形状を転写する（図１（ｄ））。このと
き、プレス用部材１４の凹凸部１４ａを構成する凸部１
４ｂの中心線がビアホール１２の中心にくるように正確
に位置合わせを行う必要がある。上記処理により、導体
ペーストベタ層１３ａが、グリーンシート表面１１０の
凹部底面１１０ａに形成された導体ペースト層１３ｃ
と、凸部上面１１０ｂに形成された導体ペースト層１３
ｃとに分断される。
【００３８】このグリーンシート積層体１５を酸化性雰
囲気下、２００〜６００℃で３〜１０時間程度加熱して
脱脂処理を行った後、同様の酸化性雰囲気下、８００〜
１０００℃で３０分〜１０時間焼成することにより、上
記構成のセラミックス回路基板１８の製造を完了する
（図１（ｅ））。
囲気下、２００〜６００℃で３〜１０時間程度加熱して
脱脂処理を行った後、同様の酸化性雰囲気下、８００〜
１０００℃で３０分〜１０時間焼成することにより、上
記構成のセラミックス回路基板１８の製造を完了する
（図１（ｅ））。
【００３９】原料粉末にガラスセラミックス以外の材料
を選んだ場合には、脱脂温度や焼成温度等は上記の場合
と異なる。
を選んだ場合には、脱脂温度や焼成温度等は上記の場合
と異なる。
【００４０】次に、実施の形態（２）に係るセラミック
ス回路基板及びその製造方法について説明する。
ス回路基板及びその製造方法について説明する。
【００４１】図２（ａ）〜（ｃ）は、実施の形態（２）
に係るセラミックス回路基板の製造工程の一部を模式的
に表した断面図であり、（ｃ）は実施の形態（２）に係
るセラミックス回路基板を模式的に示した断面図であ
る。
に係るセラミックス回路基板の製造工程の一部を模式的
に表した断面図であり、（ｃ）は実施の形態（２）に係
るセラミックス回路基板を模式的に示した断面図であ
る。
【００４２】まず、実施の形態（２）に係るセラミック
ス回路基板について説明する。
ス回路基板について説明する。
【００４３】このセラミックス回路基板２８において
は、（ｃ）に示したように、焼結体２７の上部表面に凹
凸部２７ａが形成され、凸部上面２７ｂのみに表面導体
層２６ａが形成されている。また、焼結体２７の内部に
は内部導体層２６ｃが、下部表面には表面導体層２６ｂ
が形成されている。凹凸部２７ａの凸部上面２７ｂに形
成された表面導体層２６ａは、凹部２７ｃによりお互い
に隔てられており、ショートすることはない。このセラ
ミックス回路基板２８においては、凹部２７ｃの幅を小
さくする程、高密度の表面導体層２６ａを形成すること
ができるが、通常凹部２７ｃの幅は３０μｍ程度まで小
さくすることができ、凹部上面２７ｂの表面導体層２６
ａの幅を５０μｍ程度まで小さくすることができるた
め、８０μｍ程度のピッチの表面導体層２６ａを形成す
ることができる。
は、（ｃ）に示したように、焼結体２７の上部表面に凹
凸部２７ａが形成され、凸部上面２７ｂのみに表面導体
層２６ａが形成されている。また、焼結体２７の内部に
は内部導体層２６ｃが、下部表面には表面導体層２６ｂ
が形成されている。凹凸部２７ａの凸部上面２７ｂに形
成された表面導体層２６ａは、凹部２７ｃによりお互い
に隔てられており、ショートすることはない。このセラ
ミックス回路基板２８においては、凹部２７ｃの幅を小
さくする程、高密度の表面導体層２６ａを形成すること
ができるが、通常凹部２７ｃの幅は３０μｍ程度まで小
さくすることができ、凹部上面２７ｂの表面導体層２６
ａの幅を５０μｍ程度まで小さくすることができるた
め、８０μｍ程度のピッチの表面導体層２６ａを形成す
ることができる。
【００４４】次に、実施の形態（２）に係るセラミック
ス回路基板の製造方法について説明する。
ス回路基板の製造方法について説明する。
【００４５】図示はしていないが、まず、実施の形態
（１）（図１（ａ）〜（ｃ））の場合とほぼ同様にし
て、グリーンシートの作製、加工処理等を行い、ビアホ
ールへの導体ペーストの充填、グリーンシート表面への
導体ペーストの印刷を行う。このとき、表層用のグリー
ンシート表面に導体ペーストベタ層１３ａを印刷しな
い。次に、これらグリーンシートを用いてグリーンシー
ト積層体２１を作製する。作製されたグリーンシート積
層体２１の上部表面には導体ペースト層ベタ層１３ａが
存在しない。このグリーンシート積層体２１にプレス用
部材１４等を用いて凹凸を転写することにより、図２
（ａ）に示したグリーンシート積層体２１を得る。この
グリーンシート積層体２１の上部表面には凹凸部２２が
形成され、凸部２２ａには表面に至るビアホール２３が
形成され、内部に導体ペースト２４が充填されている。
（１）（図１（ａ）〜（ｃ））の場合とほぼ同様にし
て、グリーンシートの作製、加工処理等を行い、ビアホ
ールへの導体ペーストの充填、グリーンシート表面への
導体ペーストの印刷を行う。このとき、表層用のグリー
ンシート表面に導体ペーストベタ層１３ａを印刷しな
い。次に、これらグリーンシートを用いてグリーンシー
ト積層体２１を作製する。作製されたグリーンシート積
層体２１の上部表面には導体ペースト層ベタ層１３ａが
存在しない。このグリーンシート積層体２１にプレス用
部材１４等を用いて凹凸を転写することにより、図２
（ａ）に示したグリーンシート積層体２１を得る。この
グリーンシート積層体２１の上部表面には凹凸部２２が
形成され、凸部２２ａには表面に至るビアホール２３が
形成され、内部に導体ペースト２４が充填されている。
【００４６】次に、導体ペースト２４を表面に塗布した
ローラ２５をグリーンシート積層体２１の凹凸部２２
に、凹凸部２２の形状が壊れない程度の圧力で押しつけ
ながら矢印Ｆの方向に回転させ、導体ペースト２４を凸
部２２ａ上面に印刷して表面導体ペースト層２４ａを形
成する（図２（ｂ））。
ローラ２５をグリーンシート積層体２１の凹凸部２２
に、凹凸部２２の形状が壊れない程度の圧力で押しつけ
ながら矢印Ｆの方向に回転させ、導体ペースト２４を凸
部２２ａ上面に印刷して表面導体ペースト層２４ａを形
成する（図２（ｂ））。
【００４７】次に、実施の形態（１）に係るセラミック
ス回路基板１８の製造方法と同様に脱脂、焼成を行い、
図２（ｃ）に示したセラミックス回路基板２８の製造を
完了する。
ス回路基板１８の製造方法と同様に脱脂、焼成を行い、
図２（ｃ）に示したセラミックス回路基板２８の製造を
完了する。
【００４８】
【実施例及び比較例】以下、本発明に係るセラミックス
回路基板及びその製造方法の実施例を図面に基づいて説
明する。
回路基板及びその製造方法の実施例を図面に基づいて説
明する。
【００４９】［実施例１］ ＜セラミックス回路基板１８（図１）の製造＞ （１）グリーンシート積層体の作製 ガラスセラミックス原料粉末 ガラス材料：コーディエライト（ＭｇＯ−Ａｌ2 Ｏ3 −
ＳｉＯ2 ）系ガラス 骨材：Ａｌ2 Ｏ3 混合比 ガラス材料粉末：骨材粉末＝６０重量部：４０重量部 グリーンシート１１ａ、１１ｂ、１１ｃ作製方法：ドク
タブレード法 導体ペースト１３の充填、印刷 内層用の導体ペースト：Ａｇペースト 表面用の導体ペースト：Ａｇ−Ｐｄペースト 導体ペーストベタ層１３ａの厚さ：１０μｍ グリーンシート積層体１５の寸法 縦：５０ｍｍ、横：５０ｍｍ ビアホール１２の直径：８０μｍ （２）プレス用部材による凹凸形状の転写 プレス用部材１４として、図３（ａ）〜（ｃ）に示した
プレス用部材１４を使用した。なお、図３（ａ）は平面
図であり、（ｂ）は断面図であり、（ｃ）は（ｂ）にお
ける凹凸部１４ａの部分拡大断面図である。また、
（ｃ）において、Ａは凸部１４ｂ同士の間隔、Ｂは凸部
１４ｂの幅、Ｃは凸部の高さを示しており、Ｄ、Ｅは外
側の凸部１４ｂの縦及び横の長さを示している。グリー
ンシート積層体１５にプレス用部材１４の凹凸部１４ａ
が転写されると、凹凸が反対になる。
ＳｉＯ2 ）系ガラス 骨材：Ａｌ2 Ｏ3 混合比 ガラス材料粉末：骨材粉末＝６０重量部：４０重量部 グリーンシート１１ａ、１１ｂ、１１ｃ作製方法：ドク
タブレード法 導体ペースト１３の充填、印刷 内層用の導体ペースト：Ａｇペースト 表面用の導体ペースト：Ａｇ−Ｐｄペースト 導体ペーストベタ層１３ａの厚さ：１０μｍ グリーンシート積層体１５の寸法 縦：５０ｍｍ、横：５０ｍｍ ビアホール１２の直径：８０μｍ （２）プレス用部材による凹凸形状の転写 プレス用部材１４として、図３（ａ）〜（ｃ）に示した
プレス用部材１４を使用した。なお、図３（ａ）は平面
図であり、（ｂ）は断面図であり、（ｃ）は（ｂ）にお
ける凹凸部１４ａの部分拡大断面図である。また、
（ｃ）において、Ａは凸部１４ｂ同士の間隔、Ｂは凸部
１４ｂの幅、Ｃは凸部の高さを示しており、Ｄ、Ｅは外
側の凸部１４ｂの縦及び横の長さを示している。グリー
ンシート積層体１５にプレス用部材１４の凹凸部１４ａ
が転写されると、凹凸が反対になる。
【００５０】プレス部材：ステンレス製 プレス部材の凹凸部１４ａの寸法 Ａ：１２０μｍ、Ｂ：１００μｍ、Ｃ：１５０μｍ Ｄ：３０ｍｍ、Ｅ：３０ｍｍ （３）グリーンシート積層体の脱脂、焼成 脱脂条件 雰囲気：大気中、温度：５００℃、時間：１時間 焼成条件 雰囲気：大気中、温度：９００℃、時間：３０分 （４）セラミックス回路基板の評価 セラミックス回路基板１８に形成された凹凸部１７ａの
寸法 凸部上面１７ｂの幅：１００μｍ、凹部底面１７ｃの
幅：８３μｍ、 凹部の深さ：１２５μｍ、表面導体層１６ａ、１６ｂの
厚さ：８μｍ 凹部底面１７ｃに形成された表面導体層１６ｂの始点と
終点は内部導体層１６ｄを介して下部表面導体層１６ｃ
に接続されており、配線の導通、隣接する表面導体層１
６ａとのショートが測定できるようになっている。
寸法 凸部上面１７ｂの幅：１００μｍ、凹部底面１７ｃの
幅：８３μｍ、 凹部の深さ：１２５μｍ、表面導体層１６ａ、１６ｂの
厚さ：８μｍ 凹部底面１７ｃに形成された表面導体層１６ｂの始点と
終点は内部導体層１６ｄを介して下部表面導体層１６ｃ
に接続されており、配線の導通、隣接する表面導体層１
６ａとのショートが測定できるようになっている。
【００５１】形成された３本の表面導体層１６ｂにつ
き、導通テストを行ったところ、いずれの表面導体層１
６ｂも始点から終点まで断線がなく、隣接する表面導体
層１６ａとのショートもなかった。
き、導通テストを行ったところ、いずれの表面導体層１
６ｂも始点から終点まで断線がなく、隣接する表面導体
層１６ａとのショートもなかった。
【００５２】［実施例２］ ＜セラミックス回路基板１８（図１）の製造＞プレス用
部材１４として、ポリイミド製の樹脂シートを用いた他
は実施例１の場合と同様にセラミックス回路基板１８を
製造し、評価を行った。その結果、いずれの表面導体層
１６ｂも始点から終点まで断線がなく、隣接する表面導
体層１６ａとのショートもなかった。
部材１４として、ポリイミド製の樹脂シートを用いた他
は実施例１の場合と同様にセラミックス回路基板１８を
製造し、評価を行った。その結果、いずれの表面導体層
１６ｂも始点から終点まで断線がなく、隣接する表面導
体層１６ａとのショートもなかった。
【００５３】［実施例３］ ＜セラミックス回路基板２８（図２）の製造＞ （１）グリーンシート積層体２１の作製 原料粉末、その混合比、グリーンシートの作製、及び導
体ペーストの印刷、等については、実施例１の場合と同
様に行った。ただし、グリーンシート積層体２１の上部
表面には導体ペースト層を形成しなかった。
体ペーストの印刷、等については、実施例１の場合と同
様に行った。ただし、グリーンシート積層体２１の上部
表面には導体ペースト層を形成しなかった。
【００５４】（２）プレス用部材による凹凸形状の転写 プレス用部材１４として、図３（ａ）〜（ｃ）に示した
プレス用部材１４を使用した。
プレス用部材１４を使用した。
【００５５】プレス部材：ステンレス製 プレス部材の寸法 Ａ：１２０μｍ、Ｂ：４０μｍ、Ｃ：１５０μｍ Ｄ：３０ｍｍ、Ｅ：３０ｍｍ （３）ローラによるＡｇ−Ｐｄペーストの塗布 凸部上面１７ｄのＡｇ−Ｐｄ表面導体ペースト層２４ａ
の厚さ：２０μｍ （４）グリーンシート積層体２１の脱脂、焼成 実施例１の場合と同様に行った。
の厚さ：２０μｍ （４）グリーンシート積層体２１の脱脂、焼成 実施例１の場合と同様に行った。
【００５６】（５）セラミックス回路基板２８の評価 セラミックス回路基板２８に形成された凹凸部２７ａの
寸法 凸部上面２７ｂの幅：１００μｍ、凹部２７ｃの幅：３
３μｍ、 凹部２７ｃの深さ：１２５μｍ、表面導体層１６ａ、１
６ｂの厚さ：１６μｍ 評価は実施例１の場合と同様に行った。ただし、評価の
対象としたのは、凸部上面２７ｂに形成された表面導体
層２６ａである。その結果、いずれの表面導体層２６ａ
も始点から終点まで断線がなく、隣接する表面導体層２
６ａ同士のショートもなかった。
寸法 凸部上面２７ｂの幅：１００μｍ、凹部２７ｃの幅：３
３μｍ、 凹部２７ｃの深さ：１２５μｍ、表面導体層１６ａ、１
６ｂの厚さ：１６μｍ 評価は実施例１の場合と同様に行った。ただし、評価の
対象としたのは、凸部上面２７ｂに形成された表面導体
層２６ａである。その結果、いずれの表面導体層２６ａ
も始点から終点まで断線がなく、隣接する表面導体層２
６ａ同士のショートもなかった。
【００５７】なお、プレス部材Ａ、Ｂの寸法はビアホー
ル径により制約されるが、例えば単層の回路基板等のよ
うにビアホール径を無視できる場合には、より微細な配
線を形成することが可能となる。
ル径により制約されるが、例えば単層の回路基板等のよ
うにビアホール径を無視できる場合には、より微細な配
線を形成することが可能となる。
【図１】（ａ）〜（ｅ）は、本発明の実施の形態に係る
セラミックス回路基板の各製造工程を模式的に示した断
面図である。
セラミックス回路基板の各製造工程を模式的に示した断
面図である。
【図２】（ａ）〜（ｃ）は、別の実施の形態に係るセラ
ミックス回路基板の製造工程の一部を模式的に示した断
面図であり、（ａ）、（ｂ）は部分拡大断面図である。
ミックス回路基板の製造工程の一部を模式的に示した断
面図であり、（ａ）、（ｂ）は部分拡大断面図である。
【図３】（ａ）は実施例の場合に用いたプレス用部材を
模式的に示した平面図であり、（ｂ）はその断面図であ
り、（ｃ）は（ｂ）における部分拡大断面図である。
模式的に示した平面図であり、（ｂ）はその断面図であ
り、（ｃ）は（ｂ）における部分拡大断面図である。
【図４】（ａ）〜（ｄ）は、従来のセラミックス回路基
板の各製造工程を模式的に示した断面図である。
板の各製造工程を模式的に示した断面図である。
１３ａ 導体ペーストベタ層 １３ｂ、１３ｃ 導体ペースト層 １４ プレス用部材 １４ａ 凹凸部 １５ グリーンシート積層体 １１０ グリーンシート積層体表面 １１０ａ 凹部底面 １１０ｂ 凸部上面 １６ａ、１６ｂ 表面導体層 １７ａ 凹凸部 １７ｂ 凸部上面 １７ｃ 凹部底面 １８、２８ セラミックス回路基板 ２２ 凹凸部 ２２ａ 凸部 ２４ａ 表面導体ペースト層 ２６ａ 表面導体層 ２７ａ 凹凸部 ２７ｂ 凸部上面
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 塩屋 侯治 大阪府大阪市中央区北浜４丁目５番33号 住友金属工業株式会社内
Claims (6)
- 【請求項１】 表面に凹凸部が形成され、導体層が前記
凹凸部の凸部上面と凹部底面とにそれぞれ形成されてい
ることを特徴とするセラミックス回路基板。 - 【請求項２】 表面に凹凸部が形成され、導体層が前記
凹凸部の凸部上面に形成されていることを特徴とするセ
ラミックス回路基板。 - 【請求項３】 内部配線及びビアが形成されていること
を特徴とする請求項１又は請求項２記載のセラミックス
回路基板。 - 【請求項４】 グリーンシート表面に導体ペーストベタ
層を形成した後、前記グリーンシート接触面に凹凸部が
形成されたプレス用部材をグリーンシート表面に押圧
し、該グリーンシート表面の導体ペーストベタ層を凸部
上面部分と凹部底面部分とに分断した後、焼成する工程
を含むことを特徴とする請求項１又は請求項３記載のセ
ラミックス回路基板の製造方法。 - 【請求項５】 グリーンシート接触面に凹凸部が形成さ
れたプレス用部材をグリーンシート表面に押圧し、該グ
リーンシート表面に前記凹凸形状を転写した後、転写さ
れた凹凸部の凸部上面のみに導体ペースト層を形成し、
焼成する工程を含むことを特徴とする請求項２又は請求
項３記載のセラミックス回路基板の製造方法。 - 【請求項６】 プレス用部材が金属製又は樹脂製である
ことを特徴とする請求項４又は請求項５記載のセラミッ
クス回路基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8297387A JPH10125820A (ja) | 1996-10-18 | 1996-10-18 | セラミックス回路基板及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8297387A JPH10125820A (ja) | 1996-10-18 | 1996-10-18 | セラミックス回路基板及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10125820A true JPH10125820A (ja) | 1998-05-15 |
Family
ID=17845836
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8297387A Pending JPH10125820A (ja) | 1996-10-18 | 1996-10-18 | セラミックス回路基板及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10125820A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1069644A2 (en) * | 1999-07-16 | 2001-01-17 | Mitsubishi Materials Corporation | Antenna assembly |
| JP2013084870A (ja) * | 2011-09-29 | 2013-05-09 | Kyocera Corp | 配線基板の製造方法および配線基板 |
-
1996
- 1996-10-18 JP JP8297387A patent/JPH10125820A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1069644A2 (en) * | 1999-07-16 | 2001-01-17 | Mitsubishi Materials Corporation | Antenna assembly |
| EP1069644A3 (en) * | 1999-07-16 | 2002-05-02 | Mitsubishi Materials Corporation | Antenna assembly |
| US6531983B1 (en) | 1999-07-16 | 2003-03-11 | Mitsubishi Materials Corporation | Method for antenna assembly and an antenna assembly with a conductive film formed on convex portions |
| KR100702089B1 (ko) * | 1999-07-16 | 2007-04-02 | 미츠비시 마테리알 가부시키가이샤 | 안테나 구조체 |
| JP2013084870A (ja) * | 2011-09-29 | 2013-05-09 | Kyocera Corp | 配線基板の製造方法および配線基板 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
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