JPS6046049A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPS6046049A JPS6046049A JP15386783A JP15386783A JPS6046049A JP S6046049 A JPS6046049 A JP S6046049A JP 15386783 A JP15386783 A JP 15386783A JP 15386783 A JP15386783 A JP 15386783A JP S6046049 A JPS6046049 A JP S6046049A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- metal
- layer
- photoresist
- metal layer
- insulating film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体装置の製造方法に関し、特に半導体集積
回路の配線の形成方法に関する。
回路の配線の形成方法に関する。
近年、半導体集積回路の高集積化が進み、それにつれて
配線の高密度化も要求されている。
配線の高密度化も要求されている。
第１図（ａ）〜（Ｃ）は従来の半導体集積回路の配線の
形成方法を説明する為の工程断面図である。まず第１図
（ａ）のように半導体基板１０表面に絶縁膜２を設けそ
の上に金属層３を被着じ、更にその上にフォトレジスト
パターン４を設ける。次に第１図Φ）のように７オトレ
ジスト４をマスクにして、金属層３をエツチングし、フ
ォトレジスト４の下取外の金属を除去し金属配線を形成
する。そして、第１図（Ｃ）のようにフォトレジスト４
を除去し金属配線層の形成を完了する。
形成方法を説明する為の工程断面図である。まず第１図
（ａ）のように半導体基板１０表面に絶縁膜２を設けそ
の上に金属層３を被着じ、更にその上にフォトレジスト
パターン４を設ける。次に第１図Φ）のように７オトレ
ジスト４をマスクにして、金属層３をエツチングし、フ
ォトレジスト４の下取外の金属を除去し金属配線を形成
する。そして、第１図（Ｃ）のようにフォトレジスト４
を除去し金属配線層の形成を完了する。
このような半導体装置の製造方法によれば、金属配線の
集積度は、フォトレジスト間の距離（以下、スペースと
称す。）が狭ければ狭いほど向上することになる。とこ
ろが現実には光の反射等の理由によシ、ネガレジストで
約３μｍポジレジストで１〜２μｍ以下には、スペース
をとることができず配線の高密度化の限界となっていた
。
集積度は、フォトレジスト間の距離（以下、スペースと
称す。）が狭ければ狭いほど向上することになる。とこ
ろが現実には光の反射等の理由によシ、ネガレジストで
約３μｍポジレジストで１〜２μｍ以下には、スペース
をとることができず配線の高密度化の限界となっていた
。
本発明の目的は、上記の欠点を除去し、高集積度の配線
形成方法を提供することにある。
形成方法を提供することにある。
本発明の半導体装置の製造方法は、半導体基板の表面に
設けられた絶縁膜の上に金属層を被着する工程と７オト
レジストを用いて所望のノくターンを形成する工程と前
記フォトレジストノくターンをマスクに金属層を選択エ
ツチングする工程と、前記レジストを残したまま金属の
側面を陽極酸化する工程とを含み、しかる後再び金属層
を被着しその後にフォトレジストを除去する工程とを含
んで構成される。
設けられた絶縁膜の上に金属層を被着する工程と７オト
レジストを用いて所望のノくターンを形成する工程と前
記フォトレジストノくターンをマスクに金属層を選択エ
ツチングする工程と、前記レジストを残したまま金属の
側面を陽極酸化する工程とを含み、しかる後再び金属層
を被着しその後にフォトレジストを除去する工程とを含
んで構成される。
本発明の実施例について図面を用いて説明する。
第２図（ａ）〜（ｅ）は本発明の一実施例を説明する為
の工程断面図である。まず第２図（ａ）のように半導体
基板１１の表面に絶縁膜１２を設けその上に金属層１３
を例えば真空蒸着法によシ被着する。この上にフォトレ
ジスト１４によシ、所望のパターンを形成する。次に第
２図Φ）のように７オトレジスト１４をマスクに金属層
１３を選択エツチングする。さらに第２図（Ｃ）のよう
にフォトレジスト１４を残したまま金属配線層１３の側
面を陽極酸化し、金属酸化層１５を形成する。しかる後
第２図（ｄ）のように再び金属層１３を真空蒸着法等に
よシ被着する。その後に第２図（ｅ）のようにフォトレ
ジスト１４を除去する。
の工程断面図である。まず第２図（ａ）のように半導体
基板１１の表面に絶縁膜１２を設けその上に金属層１３
を例えば真空蒸着法によシ被着する。この上にフォトレ
ジスト１４によシ、所望のパターンを形成する。次に第
２図Φ）のように７オトレジスト１４をマスクに金属層
１３を選択エツチングする。さらに第２図（Ｃ）のよう
にフォトレジスト１４を残したまま金属配線層１３の側
面を陽極酸化し、金属酸化層１５を形成する。しかる後
第２図（ｄ）のように再び金属層１３を真空蒸着法等に
よシ被着する。その後に第２図（ｅ）のようにフォトレ
ジスト１４を除去する。
以上の方法によシ、高密度化された金属配線が形成され
た。フォトレジストパターン直下に形成された金属配線
側面には金属酸化物が形成されている為、配線間でのシ
ョートをおこすこともなく、高信頼性高集積された金属
配線を形成するには非常に有力な方法である。
た。フォトレジストパターン直下に形成された金属配線
側面には金属酸化物が形成されている為、配線間でのシ
ョートをおこすこともなく、高信頼性高集積された金属
配線を形成するには非常に有力な方法である。
第１図（ａ）乃至第１図（Ｃ）は各々従来の金属配線の
製造方法を説明する為の工程順断面図、第２図（ａ）乃
至第２図（ｅ）は各々本発明の一実施例を説明する為の
工程順断面図である。 なお図において、１．１１・・・・・・半導体基板、２
゜１２・・・・・・絶縁膜、３．１３・・・・・・金属
配線層、４゜１４・・・・・・フォトレジスト、１５・
・・・・・金属酸化物、である。 ｌ 第１図 （ｄ） （ｂ） （（１） 第２図 （α） （ｅ）
製造方法を説明する為の工程順断面図、第２図（ａ）乃
至第２図（ｅ）は各々本発明の一実施例を説明する為の
工程順断面図である。 なお図において、１．１１・・・・・・半導体基板、２
゜１２・・・・・・絶縁膜、３．１３・・・・・・金属
配線層、４゜１４・・・・・・フォトレジスト、１５・
・・・・・金属酸化物、である。 ｌ 第１図 （ｄ） （ｂ） （（１） 第２図 （α） （ｅ）
Claims (1)
- 半導体基板の表面に設けられた絶縁膜の上に金属層を被
着する工程と、フォトレジストを用いて所望のパターン
を形成する工程と、前記フォトレジストパターンをマス
クに金属層を選択エツチングする工程と、前記レジスト
を残したまま金属の側面を陽極酸化する工程とを含み、
しかる各工程の後に再び金属層を被着しその後に７オト
レジストを除去することを特徴とす・る半導体装置の製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15386783A JPS6046049A (ja) | 1983-08-23 | 1983-08-23 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15386783A JPS6046049A (ja) | 1983-08-23 | 1983-08-23 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6046049A true JPS6046049A (ja) | 1985-03-12 |
Family
ID=15571835
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15386783A Pending JPS6046049A (ja) | 1983-08-23 | 1983-08-23 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6046049A (ja) |
-
1983
- 1983-08-23 JP JP15386783A patent/JPS6046049A/ja active Pending
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