JPH04306616A - 液晶表示素子の製造方法 - Google Patents
液晶表示素子の製造方法Info
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- JPH04306616A JPH04306616A JP3071476A JP7147691A JPH04306616A JP H04306616 A JPH04306616 A JP H04306616A JP 3071476 A JP3071476 A JP 3071476A JP 7147691 A JP7147691 A JP 7147691A JP H04306616 A JPH04306616 A JP H04306616A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
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- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
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- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は液晶表示素子の製造方
法に関し、より詳しくは、電極を電気的および機械的に
保護する上側保護膜（トップコート）の形成方法に関す
る。
法に関し、より詳しくは、電極を電気的および機械的に
保護する上側保護膜（トップコート）の形成方法に関す
る。
【０００２】液晶表示素子の多くは、図４に示すように
、２枚のガラス基板１１，１１の内面にそれぞれ下側保
護膜（ＳｉＯ２膜）１２と、ＩＴＯ（錫添加酸化インジ
ウム）電極１３と、上側保護膜１４と、配向膜（ポリイ
ミド膜）１５を設け、その隙間（セルギャップ）に液晶
１７を満たして作製されている。なお、１０は偏光板、
１６はシール材を示している。上記下側保護膜１２は、
ガラス基板１１中の不純物（Ｎａなど）が液晶１７側へ
移動するのを防止する。一方、上側保護膜１４は、液晶
層１７内に上記セルギャップ相当寸法の導電性異物が混
入したときに、ＩＴＯ電極１３を電気的および機械的に
保護して、リーク不良を防止する。
、２枚のガラス基板１１，１１の内面にそれぞれ下側保
護膜（ＳｉＯ２膜）１２と、ＩＴＯ（錫添加酸化インジ
ウム）電極１３と、上側保護膜１４と、配向膜（ポリイ
ミド膜）１５を設け、その隙間（セルギャップ）に液晶
１７を満たして作製されている。なお、１０は偏光板、
１６はシール材を示している。上記下側保護膜１２は、
ガラス基板１１中の不純物（Ｎａなど）が液晶１７側へ
移動するのを防止する。一方、上側保護膜１４は、液晶
層１７内に上記セルギャップ相当寸法の導電性異物が混
入したときに、ＩＴＯ電極１３を電気的および機械的に
保護して、リーク不良を防止する。
【０００３】従来、上記上側保護膜１４を形成する場合
、Ｓｉ（もしくはＳｉおよびＴｉ）に水酸基−ＯＨもし
くはアルコキシ基−ＯＲを付けてなるプレポリマー（ま
たはモノマー）をノルマルメチルピロリドンまたはジメ
チルアセトアミドなどの高沸点溶剤に固形分３〜１０ｗ
ｔ％の割合で溶かし込んだもの（以下「シリカコーティ
ングインク」または単に「インク」という。市販品では
、例えば東京応化工業（株）製；ＭＯＦ，Ｓｉフィルム
またはＴｉ−Ｓｉフィルムがある。）を材料とする。そ
して、このシリカコーティングインクを凸版印刷技術に
よってＩＴＯ電極１３上に印刷した後、温度２５０〜３
５０℃で焼成を行って形成している。すなわち、上記シ
リカコーティングインクを脱水縮合させて−Ｓｉ−Ｏ−
Ｓｉ−または−Ｔｉ−Ｏ−Ｔｉ−を生成（例えばシラノ
ールからシロキサンへの反応）し、上記インクを酸化物
にしている。これにより、上側絶縁膜１４に絶縁性およ
び硬さを与えて、いわゆるトップコートとしての機能を
持たせている。
、Ｓｉ（もしくはＳｉおよびＴｉ）に水酸基−ＯＨもし
くはアルコキシ基−ＯＲを付けてなるプレポリマー（ま
たはモノマー）をノルマルメチルピロリドンまたはジメ
チルアセトアミドなどの高沸点溶剤に固形分３〜１０ｗ
ｔ％の割合で溶かし込んだもの（以下「シリカコーティ
ングインク」または単に「インク」という。市販品では
、例えば東京応化工業（株）製；ＭＯＦ，Ｓｉフィルム
またはＴｉ−Ｓｉフィルムがある。）を材料とする。そ
して、このシリカコーティングインクを凸版印刷技術に
よってＩＴＯ電極１３上に印刷した後、温度２５０〜３
５０℃で焼成を行って形成している。すなわち、上記シ
リカコーティングインクを脱水縮合させて−Ｓｉ−Ｏ−
Ｓｉ−または−Ｔｉ−Ｏ−Ｔｉ−を生成（例えばシラノ
ールからシロキサンへの反応）し、上記インクを酸化物
にしている。これにより、上側絶縁膜１４に絶縁性およ
び硬さを与えて、いわゆるトップコートとしての機能を
持たせている。
【０００４】なお、上記脱水縮合反応を完全に行わせる
には５００℃の温度が必要とされるが、液晶表示素子の
上側保護膜１４としては焼成温度２５０℃で十分である
。
には５００℃の温度が必要とされるが、液晶表示素子の
上側保護膜１４としては焼成温度２５０℃で十分である
。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところで、液晶表示素
子を軽量薄型化し、耐衝撃性を高めるためには、上記ガ
ラス基板１１に代えて、プラスチックフィルム基板（例
えばポリエーテルスルフォン（ＰＥＳ）、テレフタル酸
ポリエチレン（ＰＥＴ）、アリル・ディグリコール・カ
ーボネル（ＡＤＣ）またはアクリル系樹脂など）を用い
るのが望ましい。この場合、プラスチックフィルム基板
の耐熱性が２００℃以下であるため、これに合わせて上
記焼成温度を２００℃以下に制限しなければならない。 しかしながら、単に焼成温度を２００℃以下に設定する
と、上に述べた脱水縮合反応があまり進行せず、水酸基
−ＯＨ、アルコキシ基−ＯＲおよび溶剤が上側保護膜１
４中に残存する。この結果、ＩＴＯ電極１３を保護する
ための絶縁性と硬さを確保することができないという問
題がある。
子を軽量薄型化し、耐衝撃性を高めるためには、上記ガ
ラス基板１１に代えて、プラスチックフィルム基板（例
えばポリエーテルスルフォン（ＰＥＳ）、テレフタル酸
ポリエチレン（ＰＥＴ）、アリル・ディグリコール・カ
ーボネル（ＡＤＣ）またはアクリル系樹脂など）を用い
るのが望ましい。この場合、プラスチックフィルム基板
の耐熱性が２００℃以下であるため、これに合わせて上
記焼成温度を２００℃以下に制限しなければならない。 しかしながら、単に焼成温度を２００℃以下に設定する
と、上に述べた脱水縮合反応があまり進行せず、水酸基
−ＯＨ、アルコキシ基−ＯＲおよび溶剤が上側保護膜１
４中に残存する。この結果、ＩＴＯ電極１３を保護する
ための絶縁性と硬さを確保することができないという問
題がある。
【０００６】そこで、この発明の目的は、プラスチック
フィルム基板を熱変質させないように２００℃以下の焼
成温度でもって、ＩＴＯ電極を保護するのに十分な絶縁
性と硬さとを有する上側絶縁膜を形成できる液晶表示素
子の製造方法を提供することにある。
フィルム基板を熱変質させないように２００℃以下の焼
成温度でもって、ＩＴＯ電極を保護するのに十分な絶縁
性と硬さとを有する上側絶縁膜を形成できる液晶表示素
子の製造方法を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、この発明の液晶表示素子の製造方法は、液晶を挟持
する一対の基板の内面に、それぞれ錫添加酸化インジウ
ムからなる電極およびこの電極を保護する上側保護膜を
有する液晶表示素子の製造方法であって、上記基板に上
記電極を形成した後、上記電極面に上記上側保護膜の材
料としてシリカコーティングインクを塗布する工程と、
上記シリカコーティングインクに紫外光を照射する工程
と、上記紫外光照射後のシリカコーティングインクを２
００℃以下の焼成温度で焼成する工程を有することを特
徴としている。
に、この発明の液晶表示素子の製造方法は、液晶を挟持
する一対の基板の内面に、それぞれ錫添加酸化インジウ
ムからなる電極およびこの電極を保護する上側保護膜を
有する液晶表示素子の製造方法であって、上記基板に上
記電極を形成した後、上記電極面に上記上側保護膜の材
料としてシリカコーティングインクを塗布する工程と、
上記シリカコーティングインクに紫外光を照射する工程
と、上記紫外光照射後のシリカコーティングインクを２
００℃以下の焼成温度で焼成する工程を有することを特
徴としている。
【０００８】また、上記電極面に上記シリカコーティン
グインクを塗布した後、上記紫外光照射前に、上記シリ
カコーティングインクを上記焼成温度以下の温度で焼成
するのが望ましい。
グインクを塗布した後、上記紫外光照射前に、上記シリ
カコーティングインクを上記焼成温度以下の温度で焼成
するのが望ましい。
【０００９】ここで、上記シリカコーティングインクと
は、Ｓｉ（もしくはＳｉおよびＴｉ）に水酸基−ＯＨも
しくはアルコキシ基−ＯＲを付けてなるプレポリマー（
またはモノマー）をノルマルメチルピロリドンまたはジ
メチルアセトアミドなどの高沸点溶剤に固形分３〜１０
ｗｔ％の割合で溶かし込んだものを意味している。
は、Ｓｉ（もしくはＳｉおよびＴｉ）に水酸基−ＯＨも
しくはアルコキシ基−ＯＲを付けてなるプレポリマー（
またはモノマー）をノルマルメチルピロリドンまたはジ
メチルアセトアミドなどの高沸点溶剤に固形分３〜１０
ｗｔ％の割合で溶かし込んだものを意味している。
【００１０】
【作用】シリカコーティングインクに紫外光を照射する
工程では、上記紫外光のエネルギによってインク中の高
沸点溶剤が除去される。この結果、残された固形分の分
子間会合が容易になる。（ある程度、脱水縮合反応が進
行する。）したがって、焼成温度が２００℃以下、例え
ば１７０℃であっても、上記インクの脱水縮合が十分に
行われる。これにより、上記上側保護膜は、ＩＴＯ電極
を電気的および機械的に保護するのに十分な絶縁性と硬
さを得る。
工程では、上記紫外光のエネルギによってインク中の高
沸点溶剤が除去される。この結果、残された固形分の分
子間会合が容易になる。（ある程度、脱水縮合反応が進
行する。）したがって、焼成温度が２００℃以下、例え
ば１７０℃であっても、上記インクの脱水縮合が十分に
行われる。これにより、上記上側保護膜は、ＩＴＯ電極
を電気的および機械的に保護するのに十分な絶縁性と硬
さを得る。
【００１１】また、上記電極面に上記シリカコーティン
グインクを塗布した後、上記紫外光照射前に、上記シリ
カコーティングインクを上記焼成温度以下の温度で焼成
する場合、上記高沸点溶剤がある程度蒸発して、上記イ
ンクの粘度が増した状態となる。したがって、上記紫外
光を照射する工程で、上記インクが流れたりしなくなり
、上記基板の取り扱いが容易になる。
グインクを塗布した後、上記紫外光照射前に、上記シリ
カコーティングインクを上記焼成温度以下の温度で焼成
する場合、上記高沸点溶剤がある程度蒸発して、上記イ
ンクの粘度が増した状態となる。したがって、上記紫外
光を照射する工程で、上記インクが流れたりしなくなり
、上記基板の取り扱いが容易になる。
【００１２】
【実施例】以下、この発明の液晶表示素子の製造方法を
実施例により詳細に説明する。なお、図１に示すように
、一対のプラスチックフィルム基板３，３を用いた液晶
表示素子を作製する場合について述べるものとする。
実施例により詳細に説明する。なお、図１に示すように
、一対のプラスチックフィルム基板３，３を用いた液晶
表示素子を作製する場合について述べるものとする。
【００１３】まず、両面にアクリル系またはシリコーン
系樹脂からなるハードコート（耐摩耗性コーティング）
２，４を有するプラスチック基板３を用意する。このプ
ラスチック基板３の片面（ハードコート４側）に錫添加
酸化インジウムからなるＩＴＯ電極５を形成する。次に
、このＩＴＯ電極５の面に上側保護膜６の材料として市
販のシリカコーティングインク（東京応化製；Ｔｉ−Ｓ
ｉフィルム）をオフセット印刷機を用いて５００〜１５
００Åの厚さで塗布する。続いて、上記シリカコーティ
ングインクを塗布した状態の基板３を温度７０℃で数分
間だけ仮焼成する。これにより、上記インク中の高沸点
溶剤をある程度蒸発させて粘度を増した状態にし、上記
基板３上で上記インクが流れるのを防止する。次に、上
記仮焼成したシリカコーティングインクに、低圧水銀ラ
ンプ（例えば東芝ライテック製；型名ＫＡＨ−０５３０
３ ５００Ｗ ３灯）を用いて紫外光を５分間照射
する。なお、２倍以上の時間を要するが、高圧水銀灯（
例えば石崎電気製メタルハライド高圧水銀ランプ）を用
いても良い。次に、この状態の基板３を焼成温度１７０
℃で１時間焼成する。このとき、紫外光を照射すること
によって、既に上記インク中の高沸点溶剤を除去し、残
った固形分の分子間の会合を容易にしているので、焼成
温度が１７０℃（２００℃以下）であっても上記インク
を十分に脱水縮合させることができる。これにより、プ
ラスチックフィルム基板３を熱変質させることなく、Ｉ
ＴＯ電極５を保護するのに十分な絶縁性と硬さとを有す
る上側保護膜（トップコート）６を形成できる。この後
、この上側保護膜６の表面に配向膜７を設ける。そして
、一対の基板３，３を対向させ、シール材８を用いて液
晶９を封入すると共に、偏光板１を設けて作製を完了す
る。
系樹脂からなるハードコート（耐摩耗性コーティング）
２，４を有するプラスチック基板３を用意する。このプ
ラスチック基板３の片面（ハードコート４側）に錫添加
酸化インジウムからなるＩＴＯ電極５を形成する。次に
、このＩＴＯ電極５の面に上側保護膜６の材料として市
販のシリカコーティングインク（東京応化製；Ｔｉ−Ｓ
ｉフィルム）をオフセット印刷機を用いて５００〜１５
００Åの厚さで塗布する。続いて、上記シリカコーティ
ングインクを塗布した状態の基板３を温度７０℃で数分
間だけ仮焼成する。これにより、上記インク中の高沸点
溶剤をある程度蒸発させて粘度を増した状態にし、上記
基板３上で上記インクが流れるのを防止する。次に、上
記仮焼成したシリカコーティングインクに、低圧水銀ラ
ンプ（例えば東芝ライテック製；型名ＫＡＨ−０５３０
３ ５００Ｗ ３灯）を用いて紫外光を５分間照射
する。なお、２倍以上の時間を要するが、高圧水銀灯（
例えば石崎電気製メタルハライド高圧水銀ランプ）を用
いても良い。次に、この状態の基板３を焼成温度１７０
℃で１時間焼成する。このとき、紫外光を照射すること
によって、既に上記インク中の高沸点溶剤を除去し、残
った固形分の分子間の会合を容易にしているので、焼成
温度が１７０℃（２００℃以下）であっても上記インク
を十分に脱水縮合させることができる。これにより、プ
ラスチックフィルム基板３を熱変質させることなく、Ｉ
ＴＯ電極５を保護するのに十分な絶縁性と硬さとを有す
る上側保護膜（トップコート）６を形成できる。この後
、この上側保護膜６の表面に配向膜７を設ける。そして
、一対の基板３，３を対向させ、シール材８を用いて液
晶９を封入すると共に、偏光板１を設けて作製を完了す
る。
【００１４】上記上側保護膜６の絶縁性を評価するため
に、作製条件（紫外光照射の有無および焼成温度）を変
えたサンプルを作製した。そして、ＩＴＯ電極５のパタ
ーン間の隙間５０μｍの沿面抵抗を測定したところ、図
２に示すような結果が得られた。図２中、○印は上に述
べた工程に従って紫外光を照射したサンプルのデータを
示し、●印は比較のために紫外光を照射しなかったサン
プルのデータを示している。この図２からわかるように
、紫外光を照射しなかったサンプルは、焼成温度が２５
０℃のときは沿面抵抗が無限大∞であるが、焼成温度が
２００℃，１７０℃と低下するにつれて沿面抵抗が有限
な低い値となっている。一方、紫外光を照射したサンプ
ルは、焼成温度が１７０℃であっても沿面抵抗が無限大
∞であり、良好な結果を示した。
に、作製条件（紫外光照射の有無および焼成温度）を変
えたサンプルを作製した。そして、ＩＴＯ電極５のパタ
ーン間の隙間５０μｍの沿面抵抗を測定したところ、図
２に示すような結果が得られた。図２中、○印は上に述
べた工程に従って紫外光を照射したサンプルのデータを
示し、●印は比較のために紫外光を照射しなかったサン
プルのデータを示している。この図２からわかるように
、紫外光を照射しなかったサンプルは、焼成温度が２５
０℃のときは沿面抵抗が無限大∞であるが、焼成温度が
２００℃，１７０℃と低下するにつれて沿面抵抗が有限
な低い値となっている。一方、紫外光を照射したサンプ
ルは、焼成温度が１７０℃であっても沿面抵抗が無限大
∞であり、良好な結果を示した。
【００１５】次に、上記上側保護膜６の硬さを評価する
ために、図３に示すように、ガラス基板２０上にＩＴＯ
電極２１と上側保護膜（上に述べたのと同様に作製条件
を変えたもの）２３を形成したサンプルを作製した。そ
して、オートグラフ荷重装置３２を用いて、針状の荷重
伝達部３１によって上側絶縁膜２３に荷重を加えつつ、
デジタル電圧計３３によって上記荷重伝達部３１とＩＴ
Ｏ電極２１との間の電気抵抗Ｒを測定した。ここでは、
ＸＹレコーダ３４のＸ軸が荷重、Ｙ軸が電気抵抗を表わ
すように設定している。荷重を増加させていったときに
、上側保護膜２３が突き破られて電気抵抗Ｒが変化した
点Ｌ（リークポイント）を検出する。この測定の結果、
この発明による上側保護膜６は、従来条件（紫外光照射
無し、焼成温度２５０℃）のものと同等の硬さを示した
。
ために、図３に示すように、ガラス基板２０上にＩＴＯ
電極２１と上側保護膜（上に述べたのと同様に作製条件
を変えたもの）２３を形成したサンプルを作製した。そ
して、オートグラフ荷重装置３２を用いて、針状の荷重
伝達部３１によって上側絶縁膜２３に荷重を加えつつ、
デジタル電圧計３３によって上記荷重伝達部３１とＩＴ
Ｏ電極２１との間の電気抵抗Ｒを測定した。ここでは、
ＸＹレコーダ３４のＸ軸が荷重、Ｙ軸が電気抵抗を表わ
すように設定している。荷重を増加させていったときに
、上側保護膜２３が突き破られて電気抵抗Ｒが変化した
点Ｌ（リークポイント）を検出する。この測定の結果、
この発明による上側保護膜６は、従来条件（紫外光照射
無し、焼成温度２５０℃）のものと同等の硬さを示した
。
【００１６】
【発明の効果】以上より明らかなように、この発明の液
晶表示素子の製造方法は、基板の内面にＩＴＯ電極を形
成した後、この電極面にシリカコーティングインクを塗
布する工程と、このシリカコーティングインクに紫外光
を照射する工程を有しているので、２００℃以下の焼成
温度でもって、上記ＩＴＯ電極を保護するのに十分な絶
縁性と硬さを有する上側保護膜を形成できる。したがっ
て、上記透明基板としてプラスチックフィルム基板を用
いる場合に、このプラスチックフィルム基板を熱変質さ
せることなく液晶表示素子を作製することができる。
晶表示素子の製造方法は、基板の内面にＩＴＯ電極を形
成した後、この電極面にシリカコーティングインクを塗
布する工程と、このシリカコーティングインクに紫外光
を照射する工程を有しているので、２００℃以下の焼成
温度でもって、上記ＩＴＯ電極を保護するのに十分な絶
縁性と硬さを有する上側保護膜を形成できる。したがっ
て、上記透明基板としてプラスチックフィルム基板を用
いる場合に、このプラスチックフィルム基板を熱変質さ
せることなく液晶表示素子を作製することができる。
【００１７】また、上記電極面に上記シリカコーティン
グインクを塗布した後、上記紫外光照射前に、上記シリ
カコーティングインクを上記焼成温度以下の温度で焼成
する場合、上記シリカコーティングインクと紫外光を照
射する工程で、インクが流れたりするのを防止でき、上
記基板の取り扱いが容易なる。
グインクを塗布した後、上記紫外光照射前に、上記シリ
カコーティングインクを上記焼成温度以下の温度で焼成
する場合、上記シリカコーティングインクと紫外光を照
射する工程で、インクが流れたりするのを防止でき、上
記基板の取り扱いが容易なる。
【図１】 この発明を適用して作製したプラスチック
フィルム液晶表示素子を示す断面図である。
フィルム液晶表示素子を示す断面図である。
【図２】 上側保護膜の絶縁性を表わすデータを示す
図である。
図である。
【図３】 上側保護膜の硬さを評価するための測定系
を示す図である。
を示す図である。
【図４】 ガラス基板を用いた従来の液晶表示素子を
示す断面図である。
示す断面図である。
１，１０ 偏光板２
ハードコート３ プラ
スチックフィルム基板４
ハードコート５，１３，２１ ＩＴＯ電極６，１
４，２３ 上側保護膜（トップコート）７，１５
配向膜８，１６
シール９，１７ 液晶１１，２０
ガラス基板１２ 下
側保護膜３１ 荷重伝達部３２
オートグラフ荷重装置３３
デジタル電圧計３４
ＸＹレコーダ
ハードコート３ プラ
スチックフィルム基板４
ハードコート５，１３，２１ ＩＴＯ電極６，１
４，２３ 上側保護膜（トップコート）７，１５
配向膜８，１６
シール９，１７ 液晶１１，２０
ガラス基板１２ 下
側保護膜３１ 荷重伝達部３２
オートグラフ荷重装置３３
デジタル電圧計３４
ＸＹレコーダ
Claims (2)
- 【請求項１】 液晶を挟持する一対の基板の内面に、
それぞれ錫添加酸化インジウムからなる電極およびこの
電極を保護する上側保護膜を有する液晶表示素子の製造
方法であって、上記基板に上記電極を形成した後、上記
電極面に上記上側保護膜の材料としてシリカコーティン
グインクを塗布する工程と、上記シリカコーティングイ
ンクに紫外光を照射する工程と、上記紫外光照射後のシ
リカコーティングインクを２００℃以下の焼成温度で焼
成する工程を有することを特徴とする液晶表示素子の製
造方法。 - 【請求項２】 上記電極面に上記シリカコーティング
インクを塗布した後、上記紫外光照射前に、上記シリカ
コーティングインクを上記焼成温度以下の温度で焼成す
ることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示素子の製
造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3071476A JP2655946B2 (ja) | 1991-04-04 | 1991-04-04 | 液晶表示素子の製造方法 |
| US07/863,171 US5245457A (en) | 1991-04-04 | 1992-04-03 | Forming a topcoat for liquid crystal display devices having plastic substrates using UV light and temperatures less than 200° C. |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3071476A JP2655946B2 (ja) | 1991-04-04 | 1991-04-04 | 液晶表示素子の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04306616A true JPH04306616A (ja) | 1992-10-29 |
| JP2655946B2 JP2655946B2 (ja) | 1997-09-24 |
Family
ID=13461720
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3071476A Expired - Lifetime JP2655946B2 (ja) | 1991-04-04 | 1991-04-04 | 液晶表示素子の製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5245457A (ja) |
| JP (1) | JP2655946B2 (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| AU5674096A (en) * | 1995-05-05 | 1996-11-21 | Specialty Coating Systems, Inc. | Flat panel display with parylene barrier and protective film s |
| US6288764B1 (en) | 1996-06-25 | 2001-09-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device or electronic device having liquid crystal display panel |
| TW463525B (en) | 2000-06-01 | 2001-11-11 | Ind Tech Res Inst | Organic electroluminescent device and the manufacturing method of the same |
| JP2002361773A (ja) * | 2001-06-06 | 2002-12-18 | Minolta Co Ltd | 絶縁膜付き基板及び該基板を備えた表示素子の製造方法 |
| TWI274949B (en) * | 2005-07-08 | 2007-03-01 | Ind Tech Res Inst | Display module |
| US12059703B2 (en) * | 2020-03-10 | 2024-08-13 | Matrix Sensors, Inc. | Method for producing a crystalline film |
| US11643751B2 (en) * | 2020-03-10 | 2023-05-09 | Matrix Sensors, Inc. | Apparatus and method for producing a crystalline film on a substrate surface |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54134452A (en) * | 1978-04-10 | 1979-10-18 | Hitachi Ltd | Quest-host type liquid crystal display device |
| JPS55164812A (en) * | 1979-06-08 | 1980-12-22 | Alps Electric Co Ltd | Insulating film of liquid crystal cell |
| JPS5758122A (en) * | 1980-09-26 | 1982-04-07 | Alps Electric Co Ltd | Transparent insulation film and paste for forming transparent insulation film |
| JPS60211432A (ja) * | 1984-04-05 | 1985-10-23 | Hitachi Maxell Ltd | エレクトロクロミツク表示素子 |
| JPS63237031A (ja) * | 1987-03-26 | 1988-10-03 | Fuji Photo Film Co Ltd | 液晶表示素子 |
| JP2770944B2 (ja) * | 1987-08-19 | 1998-07-02 | キヤノン株式会社 | 液晶素子 |
| JPH0213A (ja) * | 1987-10-13 | 1990-01-05 | Hitachi Chem Co Ltd | 液晶表示素子の透明電極保護被膜形成用組成物 |
| JPH01161215A (ja) * | 1987-12-17 | 1989-06-23 | Sanyo Electric Co Ltd | 液晶表示器 |
| JPH01169426A (ja) * | 1987-12-25 | 1989-07-04 | Alps Electric Co Ltd | 液晶表示素子の製造方法 |
| JPH03177819A (ja) * | 1989-12-07 | 1991-08-01 | Casio Comput Co Ltd | 液晶素子 |
-
1991
- 1991-04-04 JP JP3071476A patent/JP2655946B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1992
- 1992-04-03 US US07/863,171 patent/US5245457A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5245457A (en) | 1993-09-14 |
| JP2655946B2 (ja) | 1997-09-24 |
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Legal Events
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