JPH03177819A - 液晶素子 - Google Patents
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- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は強誘電性液晶を用いた液晶素子に関するしので
ある。
ある。
強誘電性液晶を用いた液晶素子（以下、強誘電性液晶素
子という）は、対向配置された一対の透明基板の対向面
にそれぞれ透明電極と液晶分子を層方線方向に一軸配向
するための配向用誘電体層を形威し、この一対の透明基
板間に強誘電性液晶を封入したもので、この強誘電性液
晶素子は、その液晶層厚が約２．５μ−以下において双
安定性をもち、ある強さの電界に対してしきい値特性を
示す。この強誘電性液晶素子は、パルス幅の大きいパル
ス電界もしくは直流電界に対するしきい値が高いほど双
安定性がよく、メモリ性が強いとされている。
子という）は、対向配置された一対の透明基板の対向面
にそれぞれ透明電極と液晶分子を層方線方向に一軸配向
するための配向用誘電体層を形威し、この一対の透明基
板間に強誘電性液晶を封入したもので、この強誘電性液
晶素子は、その液晶層厚が約２．５μ−以下において双
安定性をもち、ある強さの電界に対してしきい値特性を
示す。この強誘電性液晶素子は、パルス幅の大きいパル
ス電界もしくは直流電界に対するしきい値が高いほど双
安定性がよく、メモリ性が強いとされている。
この強誘電性液晶素子の双安定性、つまりメモリ性を決
定する要囚としては、液晶と基板昇曲との相互作用が重
要な役割をもっていると考えられている。
定する要囚としては、液晶と基板昇曲との相互作用が重
要な役割をもっていると考えられている。
しかしながら、従来の強誘電性液晶素子は、均一な配向
を得るために配向規制力の強い配向用誘電体層を一対の
基板にそれぞれ形成して液晶分子を層方線方向に一軸配
向させた場合、この配向用誘電体層の配向規制力が強す
ぎて、印加された電界に対する液晶の動作特性が悪くな
ってしまうという問題がある。
を得るために配向規制力の強い配向用誘電体層を一対の
基板にそれぞれ形成して液晶分子を層方線方向に一軸配
向させた場合、この配向用誘電体層の配向規制力が強す
ぎて、印加された電界に対する液晶の動作特性が悪くな
ってしまうという問題がある。
このため従来は、上記配向用誘電体層として、液晶の動
作特性を低下させない程度の配向規制力をもつ酸化シリ
コン（３１０）等の斜方蒸着層を用いているが、これで
は均一な配向を得ることができず、また十分高いしきい
値電界を得ることができないため、双安定性をよくして
十分なメモリ性をもたせた液晶素子が得られなかった。
作特性を低下させない程度の配向規制力をもつ酸化シリ
コン（３１０）等の斜方蒸着層を用いているが、これで
は均一な配向を得ることができず、また十分高いしきい
値電界を得ることができないため、双安定性をよくして
十分なメモリ性をもたせた液晶素子が得られなかった。
また、上記強誘電性液晶素子はその液晶層厚が約２．５
μ厘以下と極めて薄く、従来の強誘電性液晶素子では、
基板面に形成されている透明電極と液晶層との間に介在
しているのは配向用誘電体層だけであるため、液晶層中
に微細な導電性の異物が混入していると、一対の基板の
電極間にショートが発〈Ｌするという問題もあった。
μ厘以下と極めて薄く、従来の強誘電性液晶素子では、
基板面に形成されている透明電極と液晶層との間に介在
しているのは配向用誘電体層だけであるため、液晶層中
に微細な導電性の異物が混入していると、一対の基板の
電極間にショートが発〈Ｌするという問題もあった。
本発明は上記のような実情にかんがみてなされたもので
あって、その目的とするところは、強誘電性液晶を用い
た液晶素子として、電界に対する液晶の動作特性を低下
させることなく、しきい値電界を高くして十分なメモリ
性をもたせることができるとともに、液晶層中に導電性
異物が混入している場合でも一対の基板の電極間のショ
ートの発生を確実に防止することができるものを提供す
ることにある。
あって、その目的とするところは、強誘電性液晶を用い
た液晶素子として、電界に対する液晶の動作特性を低下
させることなく、しきい値電界を高くして十分なメモリ
性をもたせることができるとともに、液晶層中に導電性
異物が混入している場合でも一対の基板の電極間のショ
ートの発生を確実に防止することができるものを提供す
ることにある。
本発明の液晶素子は、対向配置された一対の透明基板の
対向面にそれぞれ透明電極と液晶分子を層方線方向に−
◆自配向するための配向用誘電体層を形成し、この一対
の透明基板間に強誘電性液晶を封入した液晶素子におい
て、少なくとも一方の基板の前記配向用誘電体層の下に
、表面エネルギーの極性力成分が２０ｄｙｎ／ｅｍ以上
の下地誘電体層を形成したことを特徴とするものである
。
対向面にそれぞれ透明電極と液晶分子を層方線方向に−
◆自配向するための配向用誘電体層を形成し、この一対
の透明基板間に強誘電性液晶を封入した液晶素子におい
て、少なくとも一方の基板の前記配向用誘電体層の下に
、表面エネルギーの極性力成分が２０ｄｙｎ／ｅｍ以上
の下地誘電体層を形成したことを特徴とするものである
。
なお、前記配向用誘電体層は、酸化シリコン等の無機物
質の斜方蒸着層とするのが望ましい。
質の斜方蒸着層とするのが望ましい。
すなわち、本発明の液晶素子は、少なくとも一方の基板
の配向用誘電体層の下に、表面エネルギーの極性力成分
が２０ｄｙｎ／ｃｍ以上と高い下地誘電体層を形成する
ことにより、この下地誘電体層で前記配向用誘電体層の
配向規制力を補ってやるようにしたものであり、このよ
うにすれば、しきい値電Ｗを高くして、双安定性つまり
メモリ性を向上させることができる。また、上記下地誘
電体層は配向用誘電体層の下にあるため、液晶が直接接
するのは配向用誘電体層であるから、液晶分子の配向規
制力が強すぎて電界に対する液晶の動作特性が悪くなっ
てしまうことはない。したがって本発明の液晶素子によ
れば、電界に対する液晶の動作特性を低下させることな
く、しきい値電界を高くして十分なメモリ性をもたせる
ことができる。しかも、本発明の液晶素子では、少なく
とも一方の基板の透明電極と液晶層との間に上記下地誘
電体層と配向用誘電体層との二層の誘電体層が介在して
いるから、液晶層中に導電性異物が混入している場合で
も一対の基板の電極間のショートの発生を確実に防止す
ることができる。
の配向用誘電体層の下に、表面エネルギーの極性力成分
が２０ｄｙｎ／ｃｍ以上と高い下地誘電体層を形成する
ことにより、この下地誘電体層で前記配向用誘電体層の
配向規制力を補ってやるようにしたものであり、このよ
うにすれば、しきい値電Ｗを高くして、双安定性つまり
メモリ性を向上させることができる。また、上記下地誘
電体層は配向用誘電体層の下にあるため、液晶が直接接
するのは配向用誘電体層であるから、液晶分子の配向規
制力が強すぎて電界に対する液晶の動作特性が悪くなっ
てしまうことはない。したがって本発明の液晶素子によ
れば、電界に対する液晶の動作特性を低下させることな
く、しきい値電界を高くして十分なメモリ性をもたせる
ことができる。しかも、本発明の液晶素子では、少なく
とも一方の基板の透明電極と液晶層との間に上記下地誘
電体層と配向用誘電体層との二層の誘電体層が介在して
いるから、液晶層中に導電性異物が混入している場合で
も一対の基板の電極間のショートの発生を確実に防止す
ることができる。
以下、本発明の一実施例を図面を参照して説明する。
第１図は本実施例の液晶素子の一部分の断面を示したも
ので、図中１ａ、ｌｂは互いに対向配置された一対の透
明基板（例えばガラス基板）であり、この両基板１ａ、
ｌｂの対向面にはそれぞれＩＴＯ等からなる透明電極２
ａ、２ｂが形成されている。そして、上記両基板１ａ、
ｌｂの電極形成面上にはそれぞれ、表面エネルギーの極
性力成分が２０ｄｙｎ／ｃｍ以上の下地誘電体層３ａ、
３ｂが基板はぼ全面にわたって形成されており、液晶分
子を層方線方向に一軸配向するための配向用誘電体層４
ａ、４ｂは前記下地誘電体層３ａ、３ｂの上にその全面
にわたって形成されている。
ので、図中１ａ、ｌｂは互いに対向配置された一対の透
明基板（例えばガラス基板）であり、この両基板１ａ、
ｌｂの対向面にはそれぞれＩＴＯ等からなる透明電極２
ａ、２ｂが形成されている。そして、上記両基板１ａ、
ｌｂの電極形成面上にはそれぞれ、表面エネルギーの極
性力成分が２０ｄｙｎ／ｃｍ以上の下地誘電体層３ａ、
３ｂが基板はぼ全面にわたって形成されており、液晶分
子を層方線方向に一軸配向するための配向用誘電体層４
ａ、４ｂは前記下地誘電体層３ａ、３ｂの上にその全面
にわたって形成されている。
前記下地誘電体層３ａ、３ｂは、酸化ジルコニウム系、
酸化チタン（Ｔ１０２）系等の金ＩＩ４酸化物の一部分
もしくは複数成分からなる誘電体や、ＳｉＯ２（酸化シ
リコン）またはＳｌ ０２と金属酸化物との混合物から
なる誘電体で形成されている。この下地誘電体層３ａ、
３ｂの層厚は約５００Åである。
酸化チタン（Ｔ１０２）系等の金ＩＩ４酸化物の一部分
もしくは複数成分からなる誘電体や、ＳｉＯ２（酸化シ
リコン）またはＳｌ ０２と金属酸化物との混合物から
なる誘電体で形成されている。この下地誘電体層３ａ、
３ｂの層厚は約５００Åである。
また、前記配向用誘電体層４ａ、４ｂは、無機物質、例
えば酸化シリコン（ＳＩＯ）の斜方蒸着層とされており
、この配向用誘電体層４ａ、４ｂの層厚は５００λ〜２
０００Å（好ましくは１０００入）である。なお、この
配向用誘電体層４ａ、４ｂの蒸着角はいずれも基板１ａ
、ｌｂ面の法線に対して約８５″であり、両配向用誘電
体層４ａ、４ｂの蒸着方向は互いに平行である。
えば酸化シリコン（ＳＩＯ）の斜方蒸着層とされており
、この配向用誘電体層４ａ、４ｂの層厚は５００λ〜２
０００Å（好ましくは１０００入）である。なお、この
配向用誘電体層４ａ、４ｂの蒸着角はいずれも基板１ａ
、ｌｂ面の法線に対して約８５″であり、両配向用誘電
体層４ａ、４ｂの蒸着方向は互いに平行である。
そして、上記一対の基板１ａ、ｌｂは、その電極形成血
を互いに対向させて図示しない枠状のシール材を介して
重合接着されており、この両基板ｌａ、ｌｂ間には、例
えばカイラルスメクチック＊ Ｃ相の強誘電性液晶（ＳＭ Ｃ＊）５が封入されており
、この強誘電性液晶５の分子は、上紀両配向用誘電体層
４ａ、４ｂの配向規制力によって層方線方向に一軸配向
されている。なお、この液晶層の層厚（両基板１ａ、ｌ
ｂ面の配向用誘電体層４ａ、４ｂ間の間隔）は、２．２
μｍ 〜２．５μｍである。
を互いに対向させて図示しない枠状のシール材を介して
重合接着されており、この両基板ｌａ、ｌｂ間には、例
えばカイラルスメクチック＊ Ｃ相の強誘電性液晶（ＳＭ Ｃ＊）５が封入されており
、この強誘電性液晶５の分子は、上紀両配向用誘電体層
４ａ、４ｂの配向規制力によって層方線方向に一軸配向
されている。なお、この液晶層の層厚（両基板１ａ、ｌ
ｂ面の配向用誘電体層４ａ、４ｂ間の間隔）は、２．２
μｍ 〜２．５μｍである。
この液晶素子は、その基板１ａ、ｌｂの配向用誘電体層
４ａ、４ｂの下に、表面エネルギーの極性力成分が２０
ｄｙｎ／ｃｍ以上と高い下地Ｘ電体層３ａ。
４ａ、４ｂの下に、表面エネルギーの極性力成分が２０
ｄｙｎ／ｃｍ以上と高い下地Ｘ電体層３ａ。
３ｂを形成することにより、この下地誘電体層３ａ、３
ｂで前記配向用誘電体層４ａ、４ｂの配向規制力を補っ
てやるようにしたものであり、この液晶素子のしきい値
電界特性は、配向用誘電体層４ａ、４ｂとその下の下地
誘電体層３ａ、３ｂの表面エネルギーの極性力成分によ
って決定される。
ｂで前記配向用誘電体層４ａ、４ｂの配向規制力を補っ
てやるようにしたものであり、この液晶素子のしきい値
電界特性は、配向用誘電体層４ａ、４ｂとその下の下地
誘電体層３ａ、３ｂの表面エネルギーの極性力成分によ
って決定される。
次に、上記液晶素子のしきい値電界特性を、下記の［表
１］に示した誘電体で下地誘電体層３ａ。
１］に示した誘電体で下地誘電体層３ａ。
３ｂを形成し、液晶として下記の［表２］の特性をもつ
強誘電性液晶を封入した、実施例１〜実施例４の各素子
について調べた結果について説明する。
強誘電性液晶を封入した、実施例１〜実施例４の各素子
について調べた結果について説明する。
［
表
］
［
表
］
上記火施例１〜火施例４の各素子・のしきい値電界を、
ｆｆ１２図に示したテスト用の双極性パルス電界の印加
によって測定した。なお第２図において、Ｅ、はりセッ
トパルス？１１ｉＷ、Ｅはセットパルス電界であり、Ｔ
はリセットパルス電界Ｅ。とセットパルス電界Ｅとの印
加周期である。τはパルス幅である。
ｆｆ１２図に示したテスト用の双極性パルス電界の印加
によって測定した。なお第２図において、Ｅ、はりセッ
トパルス？１１ｉＷ、Ｅはセットパルス電界であり、Ｔ
はリセットパルス電界Ｅ。とセットパルス電界Ｅとの印
加周期である。τはパルス幅である。
第３図は、上記実施例１〜実施例４の各素子の印加パル
スのパルス幅τ ［μｓｅｃ］に対するしきい値電界Ｅ
Ｌｈ［Ｖ／μＩＩ］を、第２図のテスト用双極性パルス
電界の印加によって相定した結果を示しており、ここで
は、リセットパルス電界Ｅ０［Ｖ／μｌ］によってリセ
ットされたメモリ状態での光の透過率を５０％変化させ
るのに必要な電界をしきい値電界Ｅｔｈ［Ｖ／μｍ］と
して定義している。
スのパルス幅τ ［μｓｅｃ］に対するしきい値電界Ｅ
Ｌｈ［Ｖ／μＩＩ］を、第２図のテスト用双極性パルス
電界の印加によって相定した結果を示しており、ここで
は、リセットパルス電界Ｅ０［Ｖ／μｌ］によってリセ
ットされたメモリ状態での光の透過率を５０％変化させ
るのに必要な電界をしきい値電界Ｅｔｈ［Ｖ／μｍ］と
して定義している。
この第３図のように、上記実施例１〜実施例４の各素子
は、いずれも、パルス電界に対するしきい値が高く、十
分な双安定性をもっている。
は、いずれも、パルス電界に対するしきい値が高く、十
分な双安定性をもっている。
このしきい値電界特性は、次式で表される関係を満たし
ている。
ている。
Ｅ ｔｈ−Ｅ ｔｈ ＋ ｂ ／τ
（ここで、Ｅｔｈ、ｂは定数）
また第４図は、上記実施例の液晶素子のしきい超電界を
、パルス幅τ ［μ５ｃｃｌが十分大きな印加パルス（
τ−ｏｏ）について求め、このしきい超電界ＥＬｈ″’
［Ｖ／μｍ］を下地誘電体層３ａ、３ｂの表面エネルギ
ーの極性力成分子ｐ ［ｄｙｎ／ｃｍ］に対してプロッ
トした図であり、この図のように、上記しきい超電界Ｅ
Ｌｈ″′ ［Ｖ／μ■］は、下地誘電体層３ａ、３ｂの
表面エネルギーの極性力成分子Ｐ［ｄｙｎ／ｃ＋ａｌを
大きくするほど高くなる。このしきい超電界Ｅ ｔｈ”
［Ｖ ／μ■］が高いことは液晶５の双極性が高く、
メモリ性が強いことを示しており、上記下地誘電体層３
ａ、３ｂの表面エネルギーの極性力成分が２０ｄｙｎ／
Ｃｍ以上であれば、十分なメモリ性をもつ。なお、上記
下地誘電体層３ａ、３ｂの表面エネルギーの極性力成分
は高いほどよく、２５ｄｙｎ／ｃｍ以上、あるいは３０
ｄｙｎ／ｃ＋ｍ以上とすれば、より効果的である。
、パルス幅τ ［μ５ｃｃｌが十分大きな印加パルス（
τ−ｏｏ）について求め、このしきい超電界ＥＬｈ″’
［Ｖ／μｍ］を下地誘電体層３ａ、３ｂの表面エネルギ
ーの極性力成分子ｐ ［ｄｙｎ／ｃｍ］に対してプロッ
トした図であり、この図のように、上記しきい超電界Ｅ
Ｌｈ″′ ［Ｖ／μ■］は、下地誘電体層３ａ、３ｂの
表面エネルギーの極性力成分子Ｐ［ｄｙｎ／ｃ＋ａｌを
大きくするほど高くなる。このしきい超電界Ｅ ｔｈ”
［Ｖ ／μ■］が高いことは液晶５の双極性が高く、
メモリ性が強いことを示しており、上記下地誘電体層３
ａ、３ｂの表面エネルギーの極性力成分が２０ｄｙｎ／
Ｃｍ以上であれば、十分なメモリ性をもつ。なお、上記
下地誘電体層３ａ、３ｂの表面エネルギーの極性力成分
は高いほどよく、２５ｄｙｎ／ｃｍ以上、あるいは３０
ｄｙｎ／ｃ＋ｍ以上とすれば、より効果的である。
すなわち、上記実施例の液、ＩＩＩ！Ｉ素子は、その基
板ｌａ、ｌｂの配向用誘電体層４ａ、・４ｂの下に、表
面エネルギーの極性力成分が２０ｄｙｎ／ｃｌＩ以上と
高い下地誘電体層３ａ、３ｂを形成することにより、こ
の下地誘電体層３ａ、３ｂで前記配向用誘電体層４ａ、
４ｂの配向規制力を補ってやるようにしたものであり、
このようにすれば、上述したようにしきい超電界を高く
して、双安定性つまりメモリ性を向上させることができ
る。
板ｌａ、ｌｂの配向用誘電体層４ａ、・４ｂの下に、表
面エネルギーの極性力成分が２０ｄｙｎ／ｃｌＩ以上と
高い下地誘電体層３ａ、３ｂを形成することにより、こ
の下地誘電体層３ａ、３ｂで前記配向用誘電体層４ａ、
４ｂの配向規制力を補ってやるようにしたものであり、
このようにすれば、上述したようにしきい超電界を高く
して、双安定性つまりメモリ性を向上させることができ
る。
また、上記下地誘電体層３ａ、３ｂは配向用誘電体層４
ａ、４ｂの下にあるため、液晶５が直接接するのは配向
用誘電体層３ａ、３ｂであるから、液晶分子の配向規制
力が強すぎて電界に対する液晶５の動作特性が悪くなっ
てしまうことはない。
ａ、４ｂの下にあるため、液晶５が直接接するのは配向
用誘電体層３ａ、３ｂであるから、液晶分子の配向規制
力が強すぎて電界に対する液晶５の動作特性が悪くなっ
てしまうことはない。
したがってこの液晶素子によれば、電界に対する液晶５
の動作特性を低下させることなく、しきい１ｉｌ！電昇
を高くして十分なメモリ性をもたせることができる。
の動作特性を低下させることなく、しきい１ｉｌ！電昇
を高くして十分なメモリ性をもたせることができる。
しかも、上記実施例の液晶素子では、基板１ａ。
１ｂの透明電極２ａ、２ｂと液晶層との間に上記下地誘
電体層３ａ、３ｂと配向用誘電体層４ａ。
電体層３ａ、３ｂと配向用誘電体層４ａ。
４ｂとの二層の誘電体層が介在しているから、液晶層中
に導電性異物が混入している場合でも両基板１ａ、ｌｂ
の電極’；ｌａ、２ｂ間のショートの発生を確実に防止
することができる。
に導電性異物が混入している場合でも両基板１ａ、ｌｂ
の電極’；ｌａ、２ｂ間のショートの発生を確実に防止
することができる。
なお、上記実施例では、一対の基板１ａ、ｌｂの配向用
誘電体層４ａ、４ｂの下にそれぞれ下地誘電体層３ａ、
３ｂを形成しているが、上記下地誘電体層は、一対の基
板１ａ、ｌｂのうち、いずれか一方の基板の配向用誘電
体層の下にだけ形成してもよく、このようにしても、上
記実施例と同様な効果を得ることができる。
誘電体層４ａ、４ｂの下にそれぞれ下地誘電体層３ａ、
３ｂを形成しているが、上記下地誘電体層は、一対の基
板１ａ、ｌｂのうち、いずれか一方の基板の配向用誘電
体層の下にだけ形成してもよく、このようにしても、上
記実施例と同様な効果を得ることができる。
また、配向用誘電体層４ａ、４ｂは、上記実施例のよう
に酸化シリコン（Ｓｔ Ｏ）の斜方蒸着層とするのが望
ましいが、この配向用誘電体層４ ａ ｒ４ｂは、酸化
シリコン以外の無機物質の斜方蒸着層としても、また有
機物質の膜をラビング処理して一軸配向性をもたせたも
のとしてもよい。
に酸化シリコン（Ｓｔ Ｏ）の斜方蒸着層とするのが望
ましいが、この配向用誘電体層４ ａ ｒ４ｂは、酸化
シリコン以外の無機物質の斜方蒸着層としても、また有
機物質の膜をラビング処理して一軸配向性をもたせたも
のとしてもよい。
本発明の液晶素子は、少なくとも一方の基板の前記配向
用誘電体層の下に、表面エネルギーの極性力成分が２０
ｄｙｎ／ａｍ以上の下地誘電体層を形成したものである
から、電光に対する液晶の動作特性を低下させることな
く、しきい超電界を高くして十分なメモリ性をもたせる
ことができるとともに、液晶層中に導電性異物が混入し
ている場合でも一対の基板の電極間のショートの発生を
確実に肋１１することができる。
用誘電体層の下に、表面エネルギーの極性力成分が２０
ｄｙｎ／ａｍ以上の下地誘電体層を形成したものである
から、電光に対する液晶の動作特性を低下させることな
く、しきい超電界を高くして十分なメモリ性をもたせる
ことができるとともに、液晶層中に導電性異物が混入し
ている場合でも一対の基板の電極間のショートの発生を
確実に肋１１することができる。
第１図〜第４図は本発明の一実施例を示したもので、第
１図は液晶素子の一部分の断１Ｉｉｌｉ図、第２図はテ
スト用双極性パルス電界の波形図、第３図は印加パルス
のパルス幅に対するしきい超電界特性図、第４図は下地
誘電体層の表面エネルギーの極性力成分に対するしきい
超電界特性図である。 １ａ、１ｂ−・一基板、２ａ、２ｂ−・・電極、３ａ。 ３ｂ・・・下地誘電体層、４ａ、４ｂ・・・配向用誘電
体層、５・・・強誘電性液晶。
１図は液晶素子の一部分の断１Ｉｉｌｉ図、第２図はテ
スト用双極性パルス電界の波形図、第３図は印加パルス
のパルス幅に対するしきい超電界特性図、第４図は下地
誘電体層の表面エネルギーの極性力成分に対するしきい
超電界特性図である。 １ａ、１ｂ−・一基板、２ａ、２ｂ−・・電極、３ａ。 ３ｂ・・・下地誘電体層、４ａ、４ｂ・・・配向用誘電
体層、５・・・強誘電性液晶。
Claims (2)
- （１）対向配置された一対の透明基板の対向面にそれぞ
れ透明電極と液晶分子を層方線方向に一軸配向するため
の配向用誘電体層を形成し、この一対の透明基板間に強
誘電性液晶を封入した液晶素子において、少なくとも一
方の基板の前記配向用誘電体層の下に、表面エネルギー
の極性力成分が２０ｄｙｎ／ｃｍ以上の下地誘電体層を
形成したことを特徴とする液晶素子。 - （２）前記配向用誘電体層は、酸化シリコン等の無機物
質の斜方蒸着層であることを特徴とする請求項１に記載
の液晶素子。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1316364A JPH03177819A (ja) | 1989-12-07 | 1989-12-07 | 液晶素子 |
| US07/621,356 US5153755A (en) | 1989-12-07 | 1990-12-03 | Ferroelectric liquid crystal optical device having dielectric layers with large surface energy and high polar power component |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1316364A JPH03177819A (ja) | 1989-12-07 | 1989-12-07 | 液晶素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03177819A true JPH03177819A (ja) | 1991-08-01 |
Family
ID=18076277
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1316364A Pending JPH03177819A (ja) | 1989-12-07 | 1989-12-07 | 液晶素子 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5153755A (ja) |
| JP (1) | JPH03177819A (ja) |
Families Citing this family (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5400159A (en) * | 1991-08-06 | 1995-03-21 | Canon Kabushiki Kaisha | Liquid crystal device having alignment film with particular surface energy difference before and after rubbing |
| US5576864A (en) * | 1984-07-11 | 1996-11-19 | Canon Kabushiki Kaisha | Chiral smectic liquid crystal device having fluorine-containing polymeric alignment film with predetermined refractive index anisotropy after rubbing |
| JP2784700B2 (ja) * | 1990-08-13 | 1998-08-06 | キヤノン株式会社 | 強誘電性液晶素子 |
| US5327272A (en) * | 1991-03-27 | 1994-07-05 | Canon Kabushiki Kaisha | Optical modulation element |
| JP2655946B2 (ja) * | 1991-04-04 | 1997-09-24 | シャープ株式会社 | 液晶表示素子の製造方法 |
| US5650797A (en) * | 1991-11-11 | 1997-07-22 | Canon Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display |
| US5592190A (en) * | 1993-04-28 | 1997-01-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display apparatus and drive method |
| JP3471851B2 (ja) * | 1993-05-06 | 2003-12-02 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 液晶表示装置 |
| EP0683417A1 (en) * | 1994-05-17 | 1995-11-22 | Canon Kabushiki Kaisha | Liquid crystal device and liquid crystal apparatus |
| DE69526291D1 (de) * | 1994-08-04 | 2002-05-16 | Canon Kk | Flüssigkristallvorrichtung |
| JPH10511192A (ja) * | 1995-10-16 | 1998-10-27 | フィリップス エレクトロニクス ネムローゼ フェンノートシャップ | 光変調デバイス及び光変調デバイスを具えるディスプレイ |
| US12019345B2 (en) | 2020-09-21 | 2024-06-25 | The Hong Kong University Of Science And Technology | High-contrast ferroelectric liquid crystal cell |
Family Cites Families (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4813767A (en) * | 1980-01-08 | 1989-03-21 | Clark Noel A | Surface stabilized ferroelectric liquid crystal devices |
| US4840463A (en) * | 1987-08-19 | 1989-06-20 | Clark Noel A | Surface stabilized ferroelectric liquid crystal devices |
| US4367924A (en) * | 1980-01-08 | 1983-01-11 | Clark Noel A | Chiral smectic C or H liquid crystal electro-optical device |
| US4563059A (en) * | 1983-01-10 | 1986-01-07 | Clark Noel A | Surface stabilized ferroelectric liquid crystal devices |
| JPS58173718A (ja) * | 1982-04-07 | 1983-10-12 | Hitachi Ltd | 液晶光変調素子およびその製造方法 |
| JPS61183624A (ja) * | 1985-02-08 | 1986-08-16 | Sharp Corp | 液晶表示装置 |
| JPS61186930A (ja) * | 1985-02-14 | 1986-08-20 | Sharp Corp | 液晶表示素子 |
| JPS6232424A (ja) * | 1985-08-05 | 1987-02-12 | Canon Inc | 液晶装置 |
| DE3630012A1 (de) * | 1985-09-04 | 1987-04-23 | Canon Kk | Ferroelektrische fluessigkristallvorrichtung |
| US4796979A (en) * | 1986-04-07 | 1989-01-10 | Canon Kabushiki Kaisha | Ferroelectric liquid crystal device having dual laminated alignment films |
| JPS63158526A (ja) * | 1986-12-23 | 1988-07-01 | Asahi Glass Co Ltd | 液晶表示素子 |
| US4939003A (en) * | 1987-01-23 | 1990-07-03 | Toray Industries, Inc. | Liquid crystal element |
| JPS63278030A (ja) * | 1987-02-14 | 1988-11-15 | Canon Inc | 強誘電性液晶素子 |
| JPS63225224A (ja) * | 1987-03-16 | 1988-09-20 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置 |
| JPS63228125A (ja) * | 1987-03-17 | 1988-09-22 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置 |
| FR2613846B1 (fr) * | 1987-04-10 | 1990-10-26 | Commissariat Energie Atomique | Dispositif d'affichage a cristal liquide smectique ferroelectrique bistable |
| JP2770944B2 (ja) * | 1987-08-19 | 1998-07-02 | キヤノン株式会社 | 液晶素子 |
| JPH01177016A (ja) * | 1987-12-28 | 1989-07-13 | Sharp Corp | 強誘電性液晶シャッタ |
-
1989
- 1989-12-07 JP JP1316364A patent/JPH03177819A/ja active Pending
-
1990
- 1990-12-03 US US07/621,356 patent/US5153755A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5153755A (en) | 1992-10-06 |
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