JPH01120536A - 強誘電性液晶素子 - Google Patents
強誘電性液晶素子Info
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- JPH01120536A JPH01120536A JP27982787A JP27982787A JPH01120536A JP H01120536 A JPH01120536 A JP H01120536A JP 27982787 A JP27982787 A JP 27982787A JP 27982787 A JP27982787 A JP 27982787A JP H01120536 A JPH01120536 A JP H01120536A
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- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は強誘電性液晶素子に関し、特に強誘電性液晶分
子の配向をコントロールすることによって、明、ｍ部を
形成する液晶表示素子に関するものである。
子の配向をコントロールすることによって、明、ｍ部を
形成する液晶表示素子に関するものである。
［従来の技術］
従来１強誘電性液晶素子における強誘電性液晶の配向方
法としては、セル内において温度勾配を形成して相転移
に伴い順次的な配向形成をさせる方法（温度勾配法）や
、上下基板を一定方向に摺動させて配向させる方法（シ
アリング法）等が行なわれていたが、これらの方法は量
産性、安定性に乏しく、工業的には不適当な方法である
。
法としては、セル内において温度勾配を形成して相転移
に伴い順次的な配向形成をさせる方法（温度勾配法）や
、上下基板を一定方向に摺動させて配向させる方法（シ
アリング法）等が行なわれていたが、これらの方法は量
産性、安定性に乏しく、工業的には不適当な方法である
。
他方、工業的に有利な方法としては、従来、ＴＮ（ライ
ステ・ンド ネマチック： Ｔｗｉｓｔｅｄ Ｎｅｍａ
ｔｉｃ）方式の液晶セルに使用されている方法であるラ
ビング法および斜方蒸着法が有用である。
ステ・ンド ネマチック： Ｔｗｉｓｔｅｄ Ｎｅｍａ
ｔｉｃ）方式の液晶セルに使用されている方法であるラ
ビング法および斜方蒸着法が有用である。
ラビング法は、一般にはＩＴＯ（インジウム チン オ
キサイド）等の透明電極上にｐｔ（ボリイミ。
キサイド）等の透明電極上にｐｔ（ボリイミ。
ト） 、 ＰＶＡ （ポリビニルアルコール）等の有
機薄膜（４００〜２０００人）を形成し、その上をナイ
ロン、アセテート、コツトン等の植毛布（毛足の長さが
０．１１１〜２．０ｍｍ ）で均一にこする（ラビング
： Ｒｕｂｂｉｎｇ ）ことによってネマチック液晶の
分子長軸をラビング方向に平均的にそろえようとする方
法であり、ＴＮ、 ＳＢＥ等の液晶素子では実績がある
。
機薄膜（４００〜２０００人）を形成し、その上をナイ
ロン、アセテート、コツトン等の植毛布（毛足の長さが
０．１１１〜２．０ｍｍ ）で均一にこする（ラビング
： Ｒｕｂｂｉｎｇ ）ことによってネマチック液晶の
分子長軸をラビング方向に平均的にそろえようとする方
法であり、ＴＮ、 ＳＢＥ等の液晶素子では実績がある
。
ところが、この方法をそのまま強誘電性液晶の配向に適
用しようとすると、上下の基板間で分子（ダイレクタ）
の方向をねじる必要がないので、ＴＮ素子の配向の場合
と異なり、上下同方向もしくは相反する方向にラビング
処理を行なう。
用しようとすると、上下の基板間で分子（ダイレクタ）
の方向をねじる必要がないので、ＴＮ素子の配向の場合
と異なり、上下同方向もしくは相反する方向にラビング
処理を行なう。
このような配向処理方法で強誘電性液晶分子を配向させ
た場合には、Ｓａｃ”相でスプレィ（ＳＰＬＡＹ）配向
を取り易い。このスプレィ配向では、セル厚方向におい
て分子の方向がねじれているために、見かけのチルト角
θａが小さく、透過光量が少なくなり、ＴＮ素子では３
０％を越えるのに対して５％程度になってしまい、コン
トラストが低下し、さらに層の傾斜方向の異なるジグザ
グ欠陥等の欠陥が多く発生し、その制御が困難であるな
ど、デイスプレィとしては望ましくない配向状態となる
。
た場合には、Ｓａｃ”相でスプレィ（ＳＰＬＡＹ）配向
を取り易い。このスプレィ配向では、セル厚方向におい
て分子の方向がねじれているために、見かけのチルト角
θａが小さく、透過光量が少なくなり、ＴＮ素子では３
０％を越えるのに対して５％程度になってしまい、コン
トラストが低下し、さらに層の傾斜方向の異なるジグザ
グ欠陥等の欠陥が多く発生し、その制御が困難であるな
ど、デイスプレィとしては望ましくない配向状態となる
。
また、ＳｉＯの斜方蒸着膜を配向膜として用いる場合は
、−船釣にスイッチングの閾値を上げたり、その他にも
安定状態か多数存在することや、平均的に層方向に消光
位をもつ配向状態が優勢になり、マトリックス駆動し難
いなどの問題があった。
、−船釣にスイッチングの閾値を上げたり、その他にも
安定状態か多数存在することや、平均的に層方向に消光
位をもつ配向状態が優勢になり、マトリックス駆動し難
いなどの問題があった。
［発明が解決しようとする問題点］
以上述べてた様に、対向して設け−られた２極の電極基
板の両面に設けた有機膜のラビング処理もしくは両面に
設けたＳｉＯの斜方蒸着などの方法を用いて配向処理を
施した場合には、■見かけのチルト角Ｏａが小さく、透
過光量が少ない、■消光位でのもれ光が大きく、コント
ラストが低い、■その他層の傾斜方向の異なるジグザグ
欠陥等の欠陥が多く生じ、表示品質が悪い等の欠点があ
った。
板の両面に設けた有機膜のラビング処理もしくは両面に
設けたＳｉＯの斜方蒸着などの方法を用いて配向処理を
施した場合には、■見かけのチルト角Ｏａが小さく、透
過光量が少ない、■消光位でのもれ光が大きく、コント
ラストが低い、■その他層の傾斜方向の異なるジグザグ
欠陥等の欠陥が多く生じ、表示品質が悪い等の欠点があ
った。
本発明は、この様な従来技術の欠点を改善するためにな
されたものであり、見かけのチルト角Ｏａが大きく、透
過光量が多く、消光位での光学品質を向上した強誘電性
液晶素子を提供することを目的とするものである。
されたものであり、見かけのチルト角Ｏａが大きく、透
過光量が多く、消光位での光学品質を向上した強誘電性
液晶素子を提供することを目的とするものである。
［１７１題点な解決するための手段］
即ち、本発明は、対向して設けられた２極の電極基板間
に強誘電性液晶を挟持してなる液晶素子において、一方
の電極基板上に、ラビング処理もしくはイオンビームエ
ツチング処理を施した有機Ｐｊ脱膜上斜方蒸着膜を形成
した配向膜を設けてなることを特徴とする強誘電性液晶
素子である。
に強誘電性液晶を挟持してなる液晶素子において、一方
の電極基板上に、ラビング処理もしくはイオンビームエ
ツチング処理を施した有機Ｐｊ脱膜上斜方蒸着膜を形成
した配向膜を設けてなることを特徴とする強誘電性液晶
素子である。
以下、本発明の詳細な説明する。
本発明の強誘電性液晶素子は、対向して設けられた２極
の電極基板の一方の電極基板上に、ラビング処理もしく
はイオンビームエツチング処理を施した有機薄膜上にＳ
ｉＯまたはＷＯ３の斜方蒸着膜を形成した配向膜を設け
、前記２極の電極基板間に強誘電性液晶を挟持してなる
ものである。
の電極基板の一方の電極基板上に、ラビング処理もしく
はイオンビームエツチング処理を施した有機薄膜上にＳ
ｉＯまたはＷＯ３の斜方蒸着膜を形成した配向膜を設け
、前記２極の電極基板間に強誘電性液晶を挟持してなる
ものである。
前記２極の電極基板上には配向膜が設けられているか、
その一方には上記の様にラビング処理もしくはイオンビ
ームエツチング処理を施した有機薄膜上にＳｉＯまたは
ＷＯユの斜方蒸着膜を形成してなるものであるが、他方
の配向膜は特に限定はないか、好ましくは下記に示す様
に。
その一方には上記の様にラビング処理もしくはイオンビ
ームエツチング処理を施した有機薄膜上にＳｉＯまたは
ＷＯユの斜方蒸着膜を形成してなるものであるが、他方
の配向膜は特に限定はないか、好ましくは下記に示す様
に。
■ラビング処理またはイオンビームエツチング処理等の
一軸性処理を施した有機薄膜上にＳｉＯまたはＷＯ３の
斜方蒸着膜を形成してなるもの■有機薄膜上にＳｉＯま
たはＷＯ，の斜方蒸着膜を形成してなるもの ■無機膜上にＳｉＯまたはＷＯ３の斜方蒸着膜を形成し
てなるもの ■無機膜からなるもの ■ＳｉＯまたはＷＯ３の斜方蒸着膜の上に有機薄膜を形
成してなるもの ■無方向性の有機薄膜からなるもの ■有機薄膜上をラビング処理もしくはイオンビームエツ
チング処理等を施したもの ■ＩＴＯまたはＮＥＳ＾ （酸化インジウム）の透明導
電体からなるもの ■ＳｉＯまたはＷＯ３の斜方蒸着膜上に有機薄膜を形成
し、該有機薄膜にラビング処理もしくはイオンビームエ
ツチング処理等を施したもの等が挙げられる。
一軸性処理を施した有機薄膜上にＳｉＯまたはＷＯ３の
斜方蒸着膜を形成してなるもの■有機薄膜上にＳｉＯま
たはＷＯ，の斜方蒸着膜を形成してなるもの ■無機膜上にＳｉＯまたはＷＯ３の斜方蒸着膜を形成し
てなるもの ■無機膜からなるもの ■ＳｉＯまたはＷＯ３の斜方蒸着膜の上に有機薄膜を形
成してなるもの ■無方向性の有機薄膜からなるもの ■有機薄膜上をラビング処理もしくはイオンビームエツ
チング処理等を施したもの ■ＩＴＯまたはＮＥＳ＾ （酸化インジウム）の透明導
電体からなるもの ■ＳｉＯまたはＷＯ３の斜方蒸着膜上に有機薄膜を形成
し、該有機薄膜にラビング処理もしくはイオンビームエ
ツチング処理等を施したもの等が挙げられる。
本発明において、配向膜のラビング処理もしくはイオン
ビームエツチング処理を施した有機薄膜上に形成したＳ
ｉＯまたはＷＯ３の斜方蒸着膜の膜厚は、通常１００〜
６０００人、好ましく １０００〜２０００人か望まし
い。
ビームエツチング処理を施した有機薄膜上に形成したＳ
ｉＯまたはＷＯ３の斜方蒸着膜の膜厚は、通常１００〜
６０００人、好ましく １０００〜２０００人か望まし
い。
本発明における有機薄膜には、ポリイミド、ポリビニル
アルコール、ポリアクリロニトリル等が用いられ、その
膜厚は通常２０〜２０００人、好ましく２０〜５００人
が望ましい、また、有機薄膜に施すラビング処理もしく
はイオンビームエツチング処理は、特に限定することは
なく通常の方法で行なうことができる。なお、イオンビ
ームエツチング処理としては、例えば、ミラトロン社（
ＩＩＩＩＬＬＡＴＯＲＮ社）製のイオンビーム発生装置
を用い、３ ｘ４０−’ｔｏｒｒの真空度にした後に、
Ａ「ガスを導入して、２、Ｉ Ｘ １０−’ｔｏｒｒに
安定させ、イオン密度に関係するイオンソース電流を２
００ｍＡ 、イオン速度と関係するアウト プツト（Ｏ
ＵＴ ＰＵＴ ）電圧を１ｋＶに設定して、イオンビー
ムを２０■ｓｅｅだけ照射することにより形成すること
ができる。イオンビームの基板法線に対する入射角は８
０．０°とする。
アルコール、ポリアクリロニトリル等が用いられ、その
膜厚は通常２０〜２０００人、好ましく２０〜５００人
が望ましい、また、有機薄膜に施すラビング処理もしく
はイオンビームエツチング処理は、特に限定することは
なく通常の方法で行なうことができる。なお、イオンビ
ームエツチング処理としては、例えば、ミラトロン社（
ＩＩＩＩＬＬＡＴＯＲＮ社）製のイオンビーム発生装置
を用い、３ ｘ４０−’ｔｏｒｒの真空度にした後に、
Ａ「ガスを導入して、２、Ｉ Ｘ １０−’ｔｏｒｒに
安定させ、イオン密度に関係するイオンソース電流を２
００ｍＡ 、イオン速度と関係するアウト プツト（Ｏ
ＵＴ ＰＵＴ ）電圧を１ｋＶに設定して、イオンビー
ムを２０■ｓｅｅだけ照射することにより形成すること
ができる。イオンビームの基板法線に対する入射角は８
０．０°とする。
また、無機膜にはＳｉＯｔ、 Ｔｊ０２＋ Ｔａ＝０％
、 ’１１０ｘまたはＡ＃２０ユが用いられ、その膜厚
は通常４００〜２０００人、好ましく５００〜１０００
人が望ましい。
、 ’１１０ｘまたはＡ＃２０ユが用いられ、その膜厚
は通常４００〜２０００人、好ましく５００〜１０００
人が望ましい。
本発明において、２極の電極基板の一方の電極基板上に
設ける配向膜は、電極基板上に、有ａＳ膜を塗布して形
成した後、ラビング処理もしくはイオンビームエツチン
グ処理を行゛ない、次いでＳｉＯまたはＷＯ２を斜°方
蒸着することにより容易に形成することができる。
設ける配向膜は、電極基板上に、有ａＳ膜を塗布して形
成した後、ラビング処理もしくはイオンビームエツチン
グ処理を行゛ない、次いでＳｉＯまたはＷＯ２を斜°方
蒸着することにより容易に形成することができる。
［作用］
本発明の強誘電性液晶素子は、対向して設けられた２極
の電極基板間に強誘電性液晶を挟持してなる液晶素子に
おいて、一方の電極基板上に、ラビング処理もしくはイ
オンビームエツチング処理を施した有機薄膜上にＳｉＯ
またはＷＯ２の斜方蒸着膜を形成した配向膜を設けてな
るので、その詳細は不明であるが、物理的な形状を特徴
とする斜方蒸着膜の下の層の特性により、見かけのチル
ト角Ｏａが大きく、透過光量が多く、澗光位でのもれ光
を少なく、コントラストを高くし、光学品質を向上する
ことができる。
の電極基板間に強誘電性液晶を挟持してなる液晶素子に
おいて、一方の電極基板上に、ラビング処理もしくはイ
オンビームエツチング処理を施した有機薄膜上にＳｉＯ
またはＷＯ２の斜方蒸着膜を形成した配向膜を設けてな
るので、その詳細は不明であるが、物理的な形状を特徴
とする斜方蒸着膜の下の層の特性により、見かけのチル
ト角Ｏａが大きく、透過光量が多く、澗光位でのもれ光
を少なく、コントラストを高くし、光学品質を向上する
ことができる。
［実施例］
以下、実施例を示し本発明をさらに具体的に説明する。
実施例１
第１図は本発明の強誘電性液晶素子の一実施例を示す断
面図である。同図に示す素子を下記の方法により作成し
た。
面図である。同図に示す素子を下記の方法により作成し
た。
先ず、液晶を支持するガラス基板１の上に、ＥＢ蒸着法
により膜厚約１０００人のＩＴＯ電極２をパターン形成
した０次いで、該ＩＴＯ電極２上にスパッタ法によって
膜厚約１０００人のＳｉＯ□膜３を形成した。
により膜厚約１０００人のＩＴＯ電極２をパターン形成
した０次いで、該ＩＴＯ電極２上にスパッタ法によって
膜厚約１０００人のＳｉＯ□膜３を形成した。
次１．ｍ、前記５ｉＯｚｌ！３上ニ、ポリイミド（５Ｐ
−７１０＝東し社製）を２％ＤＭＡ（：溶液としてスピ
ンナー塗布した袴、３００℃にて焼成し、膜厚約５００
人の有機薄ｆｉ４を形成した。該有機薄ＩＩ４の上に、
毛先０．２ ａｍのアセテート布を使用し、１０００
ｒｐ園のドラム回転によりラビング処理を施した。
−７１０＝東し社製）を２％ＤＭＡ（：溶液としてスピ
ンナー塗布した袴、３００℃にて焼成し、膜厚約５００
人の有機薄ｆｉ４を形成した。該有機薄ＩＩ４の上に、
毛先０．２ ａｍのアセテート布を使用し、１０００
ｒｐ園のドラム回転によりラビング処理を施した。
次いで、前記有機薄膜４の上に、ＳｉＯの斜方蒸着膜５
を、４ ｘ ｌＧ′″５ｔｏｒｒの圧力で、入射角度８
２゜（基板法線に対して）で、垂直方向の厚み１２００
人に蒸着して形成した。
を、４ ｘ ｌＧ′″５ｔｏｒｒの圧力で、入射角度８
２゜（基板法線に対して）で、垂直方向の厚み１２００
人に蒸着して形成した。
この様にして得られた２枚の基板を基板への入射方向が
反対方向となる様に対向せしめて、シーリング部材６と
して、チッソ社製ＬＩＸＯＮ ｔ１０ＮＤ１００２ＡＢ
を使用し、セルギャップをコントロールする目的で、直
径約１μ麿のＳｉｎ、の粒子をセル内に均一に散布し、
上下基板間隔を約１．Ｉ ＪＬＩＩになる様に貼り合せ
た０強誘電性液晶７として、チッソ社製Ｃ５−１０１４
をセルに注入した。
反対方向となる様に対向せしめて、シーリング部材６と
して、チッソ社製ＬＩＸＯＮ ｔ１０ＮＤ１００２ＡＢ
を使用し、セルギャップをコントロールする目的で、直
径約１μ麿のＳｉｎ、の粒子をセル内に均一に散布し、
上下基板間隔を約１．Ｉ ＪＬＩＩになる様に貼り合せ
た０強誘電性液晶７として、チッソ社製Ｃ５−１０１４
をセルに注入した。
このようにして作成したセルを等吉相まで昇温した後、
Ｃｈ相→Ｓ■Ａ相→Ｓａｃ”相への相転移時に適度な（
〜１０”Ｃ／ｈｒ）徐冷を行なうことによって。
Ｃｈ相→Ｓ■Ａ相→Ｓａｃ”相への相転移時に適度な（
〜１０”Ｃ／ｈｒ）徐冷を行なうことによって。
均一な配向がセル全体において得られた。
この様にして得られた強誘電性液晶素子の配向状態を偏
光顕微鏡（オリンパスＢ）ｌ−２）で観察した結果１通
常のラビングセルで生じるようなジグザグ欠陥は生じな
かった。また、ＳｉＯの斜め蒸着により見られるような
消光位方向のばらつきも認められなかった。見かけのチ
ルト角は１２°であった。
光顕微鏡（オリンパスＢ）ｌ−２）で観察した結果１通
常のラビングセルで生じるようなジグザグ欠陥は生じな
かった。また、ＳｉＯの斜め蒸着により見られるような
消光位方向のばらつきも認められなかった。見かけのチ
ルト角は１２°であった。
なお、有ａ６１ＦＡ４ｔｌ）ポリイミド（ＳＰ−７１０
： 東Ｌ／社製）をラビング処理してからＳｉＯの斜方
蒸着を行なった際に見られる。５〜３０終１位のピッチ
の細い欠陥は、多くの場合存在するが、このようなごく
細いピッチで形成される欠陥は、表示素子として用いる
場合には問題とはならない。
： 東Ｌ／社製）をラビング処理してからＳｉＯの斜方
蒸着を行なった際に見られる。５〜３０終１位のピッチ
の細い欠陥は、多くの場合存在するが、このようなごく
細いピッチで形成される欠陥は、表示素子として用いる
場合には問題とはならない。
尚、ＳｉＯの斜方蒸着膜として、膜厚６００〜１２００
人、入射角度は７５°〜８８°で形成したものを用いて
も、上記とほぼ同様の結果が得られた。
人、入射角度は７５°〜８８°で形成したものを用いて
も、上記とほぼ同様の結果が得られた。
実施例２
実施例１における他方の配向膜の構成において、有機薄
膜のラビング等の処理による表面形状の処理を行なわず
に、ＳｉＯの斜方蒸着を行うことによって、より双安定
な動作を行なわせることがてきた。
膜のラビング等の処理による表面形状の処理を行なわず
に、ＳｉＯの斜方蒸着を行うことによって、より双安定
な動作を行なわせることがてきた。
これも、ラビングセルにおける欠陥、斜方蒸着セルにお
けるばらつきに関しては実施例１と同様に改善されてい
た。また、見かけのチルト角は１５°であった。
けるばらつきに関しては実施例１と同様に改善されてい
た。また、見かけのチルト角は１５°であった。
実施例３
実施例１において、他方の配向膜の構成を有機膜に替え
て、無ａ膜Ｓｉｎ、上にＳｉＯの斜方蒸着を行ったもの
は、均一性は劣るが見かけのチルト角が１５°と大きく
なり、透過光量が増加した。
て、無ａ膜Ｓｉｎ、上にＳｉＯの斜方蒸着を行ったもの
は、均一性は劣るが見かけのチルト角が１５°と大きく
なり、透過光量が増加した。
実施例４
実施例１において、他方の配向膜を次のように形成した
。
。
ＩＴＯ電極上にＳｉｎ、膜を形成し、その上にＳｉＯの
斜方蒸着膜を法線角度＝７５°で蒸着を行い、カラム長
約２０００人に形成し、その上層にポリイミド（ＳＰ−
７１０）の０．５％溶液ＤＭＡＣをスピンナーで３００
゜ｒｐｍで塗布した。
斜方蒸着膜を法線角度＝７５°で蒸着を行い、カラム長
約２０００人に形成し、その上層にポリイミド（ＳＰ−
７１０）の０．５％溶液ＤＭＡＣをスピンナーで３００
゜ｒｐｍで塗布した。
不規則な欠陥のない配向が得られた。
実施例５
実施例１において他方の配向膜を次のように形成した。
ＩＴＯ電極上にＳｉＯ□の１０００人のスバ・ンタ膜を
形成し、その上にポリイミド（ＳＰ−７１０）の１００
０人の薄膜を形成した。
形成し、その上にポリイミド（ＳＰ−７１０）の１００
０人の薄膜を形成した。
欠陥は存在するが、双安定性の良い配向が得られた。
実施例６
実施例１において、基板の他方の配向膜を次のように形
成した。
成した。
ＩＴＯ電極上にＳｉｎ、の１０００人のスパッタ膜を形
成し、その上に、ＳｉＯの斜方蒸着膜を形成し、その上
にポリイミド（５Ｐ−７１０）の１０００人の薄膜を形
成し、その上をアセテート布でラビング処理した。
成し、その上に、ＳｉＯの斜方蒸着膜を形成し、その上
にポリイミド（５Ｐ−７１０）の１０００人の薄膜を形
成し、その上をアセテート布でラビング処理した。
その結果、均一配向が得られた。又、 ＩＴＯ電極上に
ＳｉＯ□のスパッタ膜、その上にＷＯｉの斜方蒸着膜、
その上にポリイミドの膜（該膜をラビング処理）とした
ものでも同様の均一配向が得られた。
ＳｉＯ□のスパッタ膜、その上にＷＯｉの斜方蒸着膜、
その上にポリイミドの膜（該膜をラビング処理）とした
ものでも同様の均一配向が得られた。
実施例７
実施例５において、ポリイミド（ＳＰ−７１０）上をラ
ビング処理（アセテート布）を行ったものを使用した。
ビング処理（アセテート布）を行ったものを使用した。
双安定性がやや劣るが、均一配向性が増大した。
実施例８
実施例１において、他方の配向膜を、配向処理を行わず
に、 ＩＴＯ，ＮＥＳ八等の透明電極基板で構成する場
合や、Ｓｉｎ、、 ＴｉＯ□等の無機膜で構成した場合
では欠陥は多いが、双安定性を有する配向状態であった
。
に、 ＩＴＯ，ＮＥＳ八等の透明電極基板で構成する場
合や、Ｓｉｎ、、 ＴｉＯ□等の無機膜で構成した場合
では欠陥は多いが、双安定性を有する配向状態であった
。
上記の各実施例に示す様に、一方の電極基板上に形成し
たラビング処理もしくはイオンビームエツチング処理を
施した有機薄膜上にＳｉＯまたはＷＯ：ｌの斜方蒸着膜
に対して、他方の配向膜に用いる物質及びその処理の仕
方によって、得られるいずれのメリ・ントが強調される
かが異なりていることが認められる。
たラビング処理もしくはイオンビームエツチング処理を
施した有機薄膜上にＳｉＯまたはＷＯ：ｌの斜方蒸着膜
に対して、他方の配向膜に用いる物質及びその処理の仕
方によって、得られるいずれのメリ・ントが強調される
かが異なりていることが認められる。
［発明の効果］
本発明によれば、強誘電性液晶配向膜として、一方の配
向膜にラビング処理もしくはイオンビームエツチング処
理を施した有機薄膜上にＳｉＯまたはＷｏｌ等の斜方蒸
着膜を形成したものを用いて、他方に有機、無機膜もし
くはそのラビング膜等を用いることにより、見かけのチ
ルト角θａが大きく、透過光量が多く、消光位での光学
品質を向上した強誘電性液晶素子を得ることができる。
向膜にラビング処理もしくはイオンビームエツチング処
理を施した有機薄膜上にＳｉＯまたはＷｏｌ等の斜方蒸
着膜を形成したものを用いて、他方に有機、無機膜もし
くはそのラビング膜等を用いることにより、見かけのチ
ルト角θａが大きく、透過光量が多く、消光位での光学
品質を向上した強誘電性液晶素子を得ることができる。
第１図は本発明の強誘電性液晶素子の一実施例を示す断
面図である。 ｌ・・・ガラス基板 ２・−ＩＴＯ電極３・・−
５ｉ０２膜 ４・・・＝＃機薄膜５・・・Ｓ
ｉＯの斜方蒸着膜 ６・・・シーリング部材７・・・強
誘電性液晶
面図である。 ｌ・・・ガラス基板 ２・−ＩＴＯ電極３・・−
５ｉ０２膜 ４・・・＝＃機薄膜５・・・Ｓ
ｉＯの斜方蒸着膜 ６・・・シーリング部材７・・・強
誘電性液晶
Claims (15)
- （１）対向して設けられた２極の電極基板間に強誘電性
液晶を挟持してなる液晶素子において、一方の電極基板
上に、ラビング処理もしくはイオンビームエッチング処
理を施した有機薄膜上に斜方蒸着膜を形成した配向膜を
設けてなることを特徴とする強誘電性液晶素子。 - （２）対向して設けられた電極基板上の配向膜が、一方
はラビング処理もしくはイオンビームエッチング処理を
施した有機薄膜上に斜方蒸着膜を形成してなるものであ
り、他方もラビング処理またはイオンビームエッチング
処理の一軸性処理を施したラビング処理もしくはイオン
ビームエッチング処理を施した有機薄膜上に斜方蒸着膜
を形成してなるものである特許請求の範囲第１項記載の
強誘電性液晶素子。 - （３）対向して設けられた電極基板上の配向膜が、一方
はラビング処理もしくはイオンビームエッチング処理を
施した有機薄膜上に斜方蒸着膜を形成してなるものであ
り、他方は有機薄膜上に斜方蒸着膜を形成してなるもの
である特許請求の範囲第１項記載の強誘電性液晶素子。 - （４）対向して設けられた電極基板上の配向膜が、一方
はラビング処理もしくはイオンビームエッチング処理を
施した有機薄膜上に斜方蒸着膜を形成してなるものであ
り、他方は無機膜上に斜方蒸着膜を形成してなるもので
ある特許請求の範囲第１項記載の強誘電性液晶素子。 - （５）対向して設けられた電極基板上の配向膜が、一方
はラビング処理もしくはイオンビームエッチング処理を
施した有機薄膜上に斜方蒸着膜を形成してなるものであ
り、他方は無機膜である特許請求の範囲第１項記載の強
誘電性液晶素子。 - （６）対向して設けられた電極基板上の配向膜が、一方
はラビング処理もしくはイオンビームエッチング処理を
施した有機薄膜上に斜方蒸着膜を形成してなるものであ
り、他方は斜方蒸着膜の上に有機薄膜を形成してなるも
のである特許請求の範囲第１項記載の強誘電性液晶素子
。 - （７）対向して設けられた電極基板上の配向膜が、一方
はラビング処理もしくはイオンビームエッチング処理を
施した有機薄膜上に斜方蒸着膜を形成してなるものであ
り、他方は無方向性の有機薄膜である特許請求の範囲第
１項記載の強誘電性液晶素子。 - （８）対向して設けられた電極基板上の配向膜が、一方
はラビング処理もしくはイオンビームエッチング処理を
施した有機薄膜上に斜方蒸着膜を形成してなるものであ
り、他方は有機薄膜上をラビング処理もしくはイオンビ
ームエッチング処理を施したものである特許請求の範囲
第１項記載の強誘電性液晶素子。 - （９）対向して設けられた電極基板上の配向膜が、一方
はラビング処理もしくはイオンビームエッチング処理を
施した有機薄膜上に斜方蒸着膜を形成してなるものであ
り、他方は透明導電体である特許請求の範囲第１項記載
の強誘電性液晶素子。 - （１０）対向して設けられた電極基板上の配向膜が、一
方はラビング処理もしくはイオンビームエッチング処理
を施した有機薄膜上に斜方蒸着膜を形成してなるもので
あり、他方は斜方蒸着膜上に有機薄膜を形成し、該有機
薄膜にラビング処理もしくはイオンビームエッチング処
理を施したものである特許請求の範囲第１項記載の強誘
電性液晶素子。 - （１１）有機薄膜が、ポリイミド、ポリビニルアルコー
ル、ポリアクリロニトリルである特許請求の範囲第１項
乃至第１０項のいずれかの項記載の強誘電性液晶素子。 - （１２）無機膜がＳｉＯ＿２、ＴｉＯ＿２、Ｔａ＿２Ｏ
＿５、ＷＯ＿３またはＡｌ＿２Ｏ＿３である特許請求の
範囲第４項または第５項記載の強誘電性液晶素子。 - （１３）前記一方の斜方蒸着膜がＳｉＯまたはＷＯ＿３
の斜方蒸着膜である特許請求の範囲第１項乃至第１０項
のいずれかの項記載の強誘電性液晶素子。 - （１４）前記他方の斜方蒸着膜がＳｉＯまたはＷＯ＿３
の斜方蒸着膜である特許請求の範囲第２項、第３項、第
４項、第６項又は第１０項記載の強誘電性液晶素子。 - （１５）前記透明導電体がＩＴＯまたはＮＥＳＡである
特許請求の範囲第９項記載の強誘電性液晶素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27982787A JP2544945B2 (ja) | 1987-11-05 | 1987-11-05 | 強誘電性液晶素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27982787A JP2544945B2 (ja) | 1987-11-05 | 1987-11-05 | 強誘電性液晶素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01120536A true JPH01120536A (ja) | 1989-05-12 |
| JP2544945B2 JP2544945B2 (ja) | 1996-10-16 |
Family
ID=17616471
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27982787A Expired - Fee Related JP2544945B2 (ja) | 1987-11-05 | 1987-11-05 | 強誘電性液晶素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2544945B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100308156B1 (ko) * | 1998-10-16 | 2002-07-18 | 구본준, 론 위라하디락사 | 액정표시장치의제조방법 |
| KR100328685B1 (ko) * | 1994-07-27 | 2002-11-13 | 삼성에스디아이 주식회사 | 액정표시소자의제조방법및이로부터제조된액정표시소자 |
| KR100450538B1 (ko) * | 2001-11-22 | 2004-10-01 | 하야시 텔렘프 가부시끼가이샤 | 배향 처리용 러빙천 |
| KR100329662B1 (ko) * | 1994-05-27 | 2008-11-13 | 삼성전자 주식회사 | 고분자분산형액정복합체및그제조방법과그를함유한액정표시소자 |
-
1987
- 1987-11-05 JP JP27982787A patent/JP2544945B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100329662B1 (ko) * | 1994-05-27 | 2008-11-13 | 삼성전자 주식회사 | 고분자분산형액정복합체및그제조방법과그를함유한액정표시소자 |
| KR100328685B1 (ko) * | 1994-07-27 | 2002-11-13 | 삼성에스디아이 주식회사 | 액정표시소자의제조방법및이로부터제조된액정표시소자 |
| KR100308156B1 (ko) * | 1998-10-16 | 2002-07-18 | 구본준, 론 위라하디락사 | 액정표시장치의제조방법 |
| US6947116B1 (en) | 1998-10-16 | 2005-09-20 | Lg.Philips Lcd Co., Ltd. | Method of manufacturing a liquid crystal device to prevent non-uniform illuminance |
| KR100450538B1 (ko) * | 2001-11-22 | 2004-10-01 | 하야시 텔렘프 가부시끼가이샤 | 배향 처리용 러빙천 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2544945B2 (ja) | 1996-10-16 |
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|---|---|---|---|
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