JP3030773B2 - 液晶表示装置の製造方法 - Google Patents
液晶表示装置の製造方法Info
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- JP3030773B2 JP3030773B2 JP10246033A JP24603398A JP3030773B2 JP 3030773 B2 JP3030773 B2 JP 3030773B2 JP 10246033 A JP10246033 A JP 10246033A JP 24603398 A JP24603398 A JP 24603398A JP 3030773 B2 JP3030773 B2 JP 3030773B2
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Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は液晶表示装置、詳し
くは液晶セルにおける透明電極と配向膜の構造に関す
る。 【０００２】 【従来の技術】従来、液晶表示装置を製造するにあた
り、透明電極は、真空蒸着法、スパッタリング法、ロー
ルコーティング法もしくは化学気相法により、透過率や
抵抗値に注目して膜厚のみの制御がされていた。又、無
機層もパシベーション効果、反射率等から膜厚に注目し
設計されていた。配向層に関しても基板の反射率等に注
目されて膜厚設計がなされていた。 【０００３】以上のように、透明電極・無機層・配向層
全てにおいて、膜厚による管理のみがされていた。 【０００４】 【発明が解決しようとする課題】しかし、前述の従来技
術では、配向層の下にくる電極もしくは無機層の結晶粒
の制限がない為、ネマティック液晶を用い、コレステリ
ック液晶よりなるカイラル剤の添加量を調整して９０°
以上ねじった場合、配向膜が薄く、結晶粒径が大きいと
下層の表面状態の影響を受け、液晶分子のティルト角が
不均一となり、配向不良が発生するという問題が生じ
た。又、液晶表示装置の大型化に伴い透明電極の抵抗を
下げる事が必要となり電極部を厚くする必要があるが、
電極を厚くすると、電極エッヂでの配向不良や、液晶注
入時のクロマト効果によるカイラルの不均一化による配
向不良が発生していた。 【０００５】そこで本発明はこの様な問題点を解決する
もので、その目的とする所は、なめらかで、平坦な配向
表面を形成し、配向を安定させる事にある。 【０００６】 【課題を解決するための手段】本発明の液晶表示装置の
駆動方法は、一対の基板間に液晶を挟持してなる液晶表
示装置の製造方法において、０．１μｍ以下の結晶粒径
を有する電極を前記基板上に形成する工程、前記電極が
形成された前記基板上に３００オングストローム〜１０
００オングストロームの膜厚を有する配向膜を形成する
工程、とを有することを特徴とする。 【０００７】 【０００８】 【０００９】配向層の膜厚に関しては１００〜１０００
オングストロームが望ましく、さらに好ましくは３００
〜１０００オングストロームである。３００オングスト
ローム未満では下層の透明電極の表面状態の影響を受け
やすくなり液晶分子のティルト角が不均一となってしま
う。又、１０００オングストロームを超えると上下透明
電極間の抵抗や配向特性の問題が発生する。 【００１０】透明電極及び無機膜の結晶粒径としては
０．１μｍ以下が望ましく、０．１μｍを超えると表面
の凹凸が激しくなり、液晶分子のティルト角に影響を及
ぼしやすいものである。 【００１１】 【発明の実施の形態】 〔実施例１〕図１は本発明の一実施例を示す図である。
洗浄したガラス基板１上に、スパッタリング法により酸
化インジウム−酸化スズ（以下、ＩＴＯと呼ぶ）ターゲ
ットを用いて透明電極２を１０００オングストローム形
成した。この際、導入ガスとしてＡｒを１．５×１０-3
（ｔｏｒｒ）になるように導入しＯ2 ガスを４×１０-3
〜５×１０-3（ｔｏｒｒ）になるように導入した。この
ようにして、結晶粒径０．１μｍ以下で平均０．０５μ
ｍの透明電極２が形成できた。この透明電極２をフォト
法により任意のパターンに形成した後、配向層３として
ポリイミド膜を３００オングストローム〜１０００オン
グストローム形成し、ラビング後ギャップ材５、シール
材６を形成して液晶表示セルを作製した。 【００１２】次に比較例として、従来の例を示す。 【００１３】図２は、従来の液晶表示装置の構造を示す
図である。上記と同様にガラス基板上に透明電極２′
（ＩＴＯ膜）を形成するが、導入ガスとしてＡｒを１×
１０-3（ｔｏｒｒ）の条件で導入した。このようにして
形成されたＩＴＯをフォト法でパターン形成し、同じく
ポリイミド膜でなる配向層３′を２５０オングストロー
ム形成後、ラビング処理し上記と同様に液晶表示セルを
作製した。このようにしてできた液晶表示セルの透明電
極２′の結晶粒径を測定したところ０．５〜２μｍであ
った。従って、凹凸の激しい表面状態となっている。そ
して、上記液晶表示セルと前述した液晶表示セルに、ネ
マチック液晶にカイラルを混合した液晶を注入し、両者
を比較したところ液晶のねじれ具合４，４′は本実施例
による液晶表示セルの方が優れており、均一なねじれ状
態で安定した配向を得ることができた。 【００１４】〔実施例２〕同じく本実施例を図１により
説明する。 【００１５】エレクトロンビーム（ＥＢ）蒸着機によ
り、ＩＴＯタブレットを用いて透明電極２を１０００オ
ングストローム形成する。この時の条件は、導入Ｏ2 圧
５×１０-5〜８×１０-5（ｔｏｒｒ）になるようにして
蒸着後、ポリイミドでなる配向層３を２５０オングスト
ローム〜１０００オングストロームの範囲で数種に分け
て形成後、実施例１と同様にして液晶表示セルを作製し
た。この時の透明電極２の結晶粒径は０．０５μｍ以下
であった。 【００１６】次に比較例について説明する。 【００１７】上配と同じようにＥＢ蒸着機で、導入Ｏ2
圧１×１０-5〜５×１０-5（ｔｏｒｒ）になるようにし
てＩＴＯを蒸着後、フォト法で任意の形状にパターニン
グし透明電極２′形成し、この透明電極２′上にポリイ
ミドでなる配向層を１００オングストローム〜２５０オ
ングストローム形成して液晶表示セルを作製した。この
時の透明電極２′の結晶粒径を測定したところ１〜２μ
ｍであった。 【００１８】この両者を比較すると、実施例１と同様に
透明電極の結晶粒径が小さい本実施例の方が良好であっ
た。特に、本実施例では結晶粒径が０．０５μｍ以下で
あるので、配向層の厚みを２５０オングストロームとほ
ぽ従来と同様にしても良好な結果を得られ、さらに結晶
粒径を小さくすれば、配向層を薄くすることも可能と思
われる。 【００１９】〔実旅例３〕実施例１又は実施例２に示し
た本発明の実施例と同様の方法でＩＴＯを結晶粒径０．
１μｍ以下になるように形成後、スパッタリング法でこ
の上に、ＴｉＯ2一ＺｒＯ2 の無機膜を５００オングス
トローム〜１０００オングストロームを形成して、さら
にこの上にポリイミドでなる配向層３を４００オングス
トローム〜１０００オングストローム形成する。この
際、前配無機膜の結晶粒径の大きさは０．１μｍ以下と
した。以上のように構成された液晶表示セルの配向状態
は、非常に安定しており良好であった。 【００２０】以上述べた実施例１〜３では透明電極及び
無機膜を真空法で形成したが、他の方法、例えばロール
コーティング法、スプレー法などの液組成による塗布や
化学気相法でも結晶粒径を０．１μｍ以下となるよう
に、条件設定して行なう方法でも良い。又、配向層とし
てはポリイミドの他、ポリイミドアミド、ポリビニルア
ルコール、ポリアミド等でも同様の効果を有している。
実施例３では、ＴｉＯ2ーＺｒＯ2 の無機膜を使用した
が、これに限定されるものではなく例えばＳｉＯ2 ，Ｔ
ｉＯ2 ，Ａｌ2 Ｏ3 ，ＣｅＯ2 ，Ｓｉ3 Ｎ4 等がある。 【００２１】 【発明の効果】上述したように、本発明の液晶表示装置
の製造方法によれば、結晶粒径が０．１μｍ以下となる
ように電極を形成し、かつ膜厚が３００オングストロー
ム以上となるように配向膜を形成するので、配向膜表面
は下層の電極表面状態の影響が除かれて、凹凸が小さく
なる。よって、液晶分子のティルト角が不均一となるこ
とを防止できる。また、配向膜上に配置されるギャップ
材によって規定される液晶層の厚みも均一化することが
できる。そして、膜厚が３００オングストローム以上で
あるとともに、１０００オングストローム以下となるよ
うに配向膜を形成するので、電極間の抵抗や配向特性が
劣化することも防止できる。すなわち、基板上に、電極
の結晶粒径を０．１μｍとなるように形成し、かつ、３
００オングストローム〜１０００オングストロームの膜
厚となるように配向膜を形成することで、基板間に挟持
される液晶分子の配向特性が均一となるように液晶表示
装置を製造できる。
くは液晶セルにおける透明電極と配向膜の構造に関す
る。 【０００２】 【従来の技術】従来、液晶表示装置を製造するにあた
り、透明電極は、真空蒸着法、スパッタリング法、ロー
ルコーティング法もしくは化学気相法により、透過率や
抵抗値に注目して膜厚のみの制御がされていた。又、無
機層もパシベーション効果、反射率等から膜厚に注目し
設計されていた。配向層に関しても基板の反射率等に注
目されて膜厚設計がなされていた。 【０００３】以上のように、透明電極・無機層・配向層
全てにおいて、膜厚による管理のみがされていた。 【０００４】 【発明が解決しようとする課題】しかし、前述の従来技
術では、配向層の下にくる電極もしくは無機層の結晶粒
の制限がない為、ネマティック液晶を用い、コレステリ
ック液晶よりなるカイラル剤の添加量を調整して９０°
以上ねじった場合、配向膜が薄く、結晶粒径が大きいと
下層の表面状態の影響を受け、液晶分子のティルト角が
不均一となり、配向不良が発生するという問題が生じ
た。又、液晶表示装置の大型化に伴い透明電極の抵抗を
下げる事が必要となり電極部を厚くする必要があるが、
電極を厚くすると、電極エッヂでの配向不良や、液晶注
入時のクロマト効果によるカイラルの不均一化による配
向不良が発生していた。 【０００５】そこで本発明はこの様な問題点を解決する
もので、その目的とする所は、なめらかで、平坦な配向
表面を形成し、配向を安定させる事にある。 【０００６】 【課題を解決するための手段】本発明の液晶表示装置の
駆動方法は、一対の基板間に液晶を挟持してなる液晶表
示装置の製造方法において、０．１μｍ以下の結晶粒径
を有する電極を前記基板上に形成する工程、前記電極が
形成された前記基板上に３００オングストローム〜１０
００オングストロームの膜厚を有する配向膜を形成する
工程、とを有することを特徴とする。 【０００７】 【０００８】 【０００９】配向層の膜厚に関しては１００〜１０００
オングストロームが望ましく、さらに好ましくは３００
〜１０００オングストロームである。３００オングスト
ローム未満では下層の透明電極の表面状態の影響を受け
やすくなり液晶分子のティルト角が不均一となってしま
う。又、１０００オングストロームを超えると上下透明
電極間の抵抗や配向特性の問題が発生する。 【００１０】透明電極及び無機膜の結晶粒径としては
０．１μｍ以下が望ましく、０．１μｍを超えると表面
の凹凸が激しくなり、液晶分子のティルト角に影響を及
ぼしやすいものである。 【００１１】 【発明の実施の形態】 〔実施例１〕図１は本発明の一実施例を示す図である。
洗浄したガラス基板１上に、スパッタリング法により酸
化インジウム−酸化スズ（以下、ＩＴＯと呼ぶ）ターゲ
ットを用いて透明電極２を１０００オングストローム形
成した。この際、導入ガスとしてＡｒを１．５×１０-3
（ｔｏｒｒ）になるように導入しＯ2 ガスを４×１０-3
〜５×１０-3（ｔｏｒｒ）になるように導入した。この
ようにして、結晶粒径０．１μｍ以下で平均０．０５μ
ｍの透明電極２が形成できた。この透明電極２をフォト
法により任意のパターンに形成した後、配向層３として
ポリイミド膜を３００オングストローム〜１０００オン
グストローム形成し、ラビング後ギャップ材５、シール
材６を形成して液晶表示セルを作製した。 【００１２】次に比較例として、従来の例を示す。 【００１３】図２は、従来の液晶表示装置の構造を示す
図である。上記と同様にガラス基板上に透明電極２′
（ＩＴＯ膜）を形成するが、導入ガスとしてＡｒを１×
１０-3（ｔｏｒｒ）の条件で導入した。このようにして
形成されたＩＴＯをフォト法でパターン形成し、同じく
ポリイミド膜でなる配向層３′を２５０オングストロー
ム形成後、ラビング処理し上記と同様に液晶表示セルを
作製した。このようにしてできた液晶表示セルの透明電
極２′の結晶粒径を測定したところ０．５〜２μｍであ
った。従って、凹凸の激しい表面状態となっている。そ
して、上記液晶表示セルと前述した液晶表示セルに、ネ
マチック液晶にカイラルを混合した液晶を注入し、両者
を比較したところ液晶のねじれ具合４，４′は本実施例
による液晶表示セルの方が優れており、均一なねじれ状
態で安定した配向を得ることができた。 【００１４】〔実施例２〕同じく本実施例を図１により
説明する。 【００１５】エレクトロンビーム（ＥＢ）蒸着機によ
り、ＩＴＯタブレットを用いて透明電極２を１０００オ
ングストローム形成する。この時の条件は、導入Ｏ2 圧
５×１０-5〜８×１０-5（ｔｏｒｒ）になるようにして
蒸着後、ポリイミドでなる配向層３を２５０オングスト
ローム〜１０００オングストロームの範囲で数種に分け
て形成後、実施例１と同様にして液晶表示セルを作製し
た。この時の透明電極２の結晶粒径は０．０５μｍ以下
であった。 【００１６】次に比較例について説明する。 【００１７】上配と同じようにＥＢ蒸着機で、導入Ｏ2
圧１×１０-5〜５×１０-5（ｔｏｒｒ）になるようにし
てＩＴＯを蒸着後、フォト法で任意の形状にパターニン
グし透明電極２′形成し、この透明電極２′上にポリイ
ミドでなる配向層を１００オングストローム〜２５０オ
ングストローム形成して液晶表示セルを作製した。この
時の透明電極２′の結晶粒径を測定したところ１〜２μ
ｍであった。 【００１８】この両者を比較すると、実施例１と同様に
透明電極の結晶粒径が小さい本実施例の方が良好であっ
た。特に、本実施例では結晶粒径が０．０５μｍ以下で
あるので、配向層の厚みを２５０オングストロームとほ
ぽ従来と同様にしても良好な結果を得られ、さらに結晶
粒径を小さくすれば、配向層を薄くすることも可能と思
われる。 【００１９】〔実旅例３〕実施例１又は実施例２に示し
た本発明の実施例と同様の方法でＩＴＯを結晶粒径０．
１μｍ以下になるように形成後、スパッタリング法でこ
の上に、ＴｉＯ2一ＺｒＯ2 の無機膜を５００オングス
トローム〜１０００オングストロームを形成して、さら
にこの上にポリイミドでなる配向層３を４００オングス
トローム〜１０００オングストローム形成する。この
際、前配無機膜の結晶粒径の大きさは０．１μｍ以下と
した。以上のように構成された液晶表示セルの配向状態
は、非常に安定しており良好であった。 【００２０】以上述べた実施例１〜３では透明電極及び
無機膜を真空法で形成したが、他の方法、例えばロール
コーティング法、スプレー法などの液組成による塗布や
化学気相法でも結晶粒径を０．１μｍ以下となるよう
に、条件設定して行なう方法でも良い。又、配向層とし
てはポリイミドの他、ポリイミドアミド、ポリビニルア
ルコール、ポリアミド等でも同様の効果を有している。
実施例３では、ＴｉＯ2ーＺｒＯ2 の無機膜を使用した
が、これに限定されるものではなく例えばＳｉＯ2 ，Ｔ
ｉＯ2 ，Ａｌ2 Ｏ3 ，ＣｅＯ2 ，Ｓｉ3 Ｎ4 等がある。 【００２１】 【発明の効果】上述したように、本発明の液晶表示装置
の製造方法によれば、結晶粒径が０．１μｍ以下となる
ように電極を形成し、かつ膜厚が３００オングストロー
ム以上となるように配向膜を形成するので、配向膜表面
は下層の電極表面状態の影響が除かれて、凹凸が小さく
なる。よって、液晶分子のティルト角が不均一となるこ
とを防止できる。また、配向膜上に配置されるギャップ
材によって規定される液晶層の厚みも均一化することが
できる。そして、膜厚が３００オングストローム以上で
あるとともに、１０００オングストローム以下となるよ
うに配向膜を形成するので、電極間の抵抗や配向特性が
劣化することも防止できる。すなわち、基板上に、電極
の結晶粒径を０．１μｍとなるように形成し、かつ、３
００オングストローム〜１０００オングストロームの膜
厚となるように配向膜を形成することで、基板間に挟持
される液晶分子の配向特性が均一となるように液晶表示
装置を製造できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の液晶表示装置の構造を示す図。
【図２】 従来の液晶表示装置の構造を示す図。
【符号の説明】
１・・・・・基板
２，２′・・透明電極
３，３′・・配向層、
４，４′・・液晶のねじれ具合
５・・・・・ギャップ材
６・・・・・シール材
７・・・・・液晶層
Claims (1)
- (57)【特許請求の範囲】 １．一対の基板間に液晶を挟持してなる液晶表示装置の
製造方法であって、 ０．１μｍ以下の結晶粒径を有する電極を前記基板上に
形成する工程と、 前記電極が形成された前記基板上に３００オングストロ
ーム〜１０００オングストロームの膜厚を有する配向膜
を形成する工程と、 前記配向膜上にギャップ材を配置する工程と、 を有することを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10246033A JP3030773B2 (ja) | 1998-08-31 | 1998-08-31 | 液晶表示装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10246033A JP3030773B2 (ja) | 1998-08-31 | 1998-08-31 | 液晶表示装置の製造方法 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8130430A Division JP2879660B2 (ja) | 1996-05-24 | 1996-05-24 | 液晶表示装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11133451A JPH11133451A (ja) | 1999-05-21 |
| JP3030773B2 true JP3030773B2 (ja) | 2000-04-10 |
Family
ID=17142460
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10246033A Expired - Lifetime JP3030773B2 (ja) | 1998-08-31 | 1998-08-31 | 液晶表示装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3030773B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002116455A (ja) * | 2000-08-01 | 2002-04-19 | Kyodo Printing Co Ltd | 液晶表示装置、液晶表示装置の電極基材及び液晶表示装置の製造方法 |
-
1998
- 1998-08-31 JP JP10246033A patent/JP3030773B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH11133451A (ja) | 1999-05-21 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19990713 |