JP2749624B2 - アクティブマトリクス液晶表示素子の液晶分子配向処理方法 - Google Patents
アクティブマトリクス液晶表示素子の液晶分子配向処理方法Info
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- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 液晶表示素子は低消費電力のフラットパネルディスプ
レイとして広く応用されている。中でも、３端子型（TF
T）や２端子型（薄膜ダイオード他）等のスイッチング
素子を各画素に作り込んで駆動するアクティブマトリク
ス方式は大容量高品質の表示素子としてテレビ、情報端
末等に用いられつつある。液晶表示素子の製造工程に於
て液晶分子の配列方向（配向）を制御する配向処理が極
めて重要である。しかし、アクティブマトリクス方式で
はスイッチング素子が基板上に形成され凸凹があるため
に安定な配向処理が難しい。本発明はこのような凸凹の
あるアクティブマトリクス方式の液晶表示素子でも安定
に液晶分子を配向させる事のできる配向処理方法に関す
る。
レイとして広く応用されている。中でも、３端子型（TF
T）や２端子型（薄膜ダイオード他）等のスイッチング
素子を各画素に作り込んで駆動するアクティブマトリク
ス方式は大容量高品質の表示素子としてテレビ、情報端
末等に用いられつつある。液晶表示素子の製造工程に於
て液晶分子の配列方向（配向）を制御する配向処理が極
めて重要である。しかし、アクティブマトリクス方式で
はスイッチング素子が基板上に形成され凸凹があるため
に安定な配向処理が難しい。本発明はこのような凸凹の
あるアクティブマトリクス方式の液晶表示素子でも安定
に液晶分子を配向させる事のできる配向処理方法に関す
る。
第２図にTFT型アクティブマトリクス方式の液晶表示
素子の一般的な構造を示す。第２図（Ａ）は断面図、第
２図（Ｂ）は平面図である。スイッチング素子の形成さ
れた基板（以下アクティブ基板という）１とスイッチン
グ素子の形成されていない基板（以下対向基板という）
２の２枚の基板の間に液晶層３が挟持され、アクティブ
基板１上には液晶分子６を駆動するためのTFT型スイッ
チング素子10とデータ線11、走査線12及び表示電極13
が、対向基板２上には対向電極14が形成され、更に両基
板上には液晶分子６の初期配向を制御するための配向膜
７、８が形成されている。
素子の一般的な構造を示す。第２図（Ａ）は断面図、第
２図（Ｂ）は平面図である。スイッチング素子の形成さ
れた基板（以下アクティブ基板という）１とスイッチン
グ素子の形成されていない基板（以下対向基板という）
２の２枚の基板の間に液晶層３が挟持され、アクティブ
基板１上には液晶分子６を駆動するためのTFT型スイッ
チング素子10とデータ線11、走査線12及び表示電極13
が、対向基板２上には対向電極14が形成され、更に両基
板上には液晶分子６の初期配向を制御するための配向膜
７、８が形成されている。
第３図に２端子型アクティブマトリクス方式の代表例
としてダイオードリング（DR）方式の液晶表示素子の一
般的な構造を示す。第３図（Ａ）は断面図、第３図
（Ｂ）は平面図である。アクティブ基板１と対向基板２
の２枚の基板の間に液晶層３が挟持され、アクティブ基
板１上には液晶分子６を駆動するためのDR型スイッチン
グ素子15と走査線（又はデータ線）16、及び表示電極13
が、対向基板２上にはデータ線（又は走査線）17が形成
され、更に両基板上には液晶分子６の初期配向を制御す
るための配向膜７、８が形成されている。
としてダイオードリング（DR）方式の液晶表示素子の一
般的な構造を示す。第３図（Ａ）は断面図、第３図
（Ｂ）は平面図である。アクティブ基板１と対向基板２
の２枚の基板の間に液晶層３が挟持され、アクティブ基
板１上には液晶分子６を駆動するためのDR型スイッチン
グ素子15と走査線（又はデータ線）16、及び表示電極13
が、対向基板２上にはデータ線（又は走査線）17が形成
され、更に両基板上には液晶分子６の初期配向を制御す
るための配向膜７、８が形成されている。
以上のようなアクティブマトリクス液晶表示素子の配
向膜に施される配向処理方法としては一般にはラビング
処理が用いられる。配向処理による液晶分子の配列方向
は表示の優先視角によって決定される。例えば、TN（ツ
イステッドネマティック）モードで手前に優先視野が来
るように設計する場合、パラレル偏光板配置ならば第
３、第４図（Ａ）クロス偏光板配置ならば第４図（Ｂ）
となる。第４図（Ａ）では31が上基板、32が下基板のラ
ビング方向、第４図（Ｂ）では33が上基板34が下基板の
ラビング方向となる。対向基板とアクティブ基板のいず
れを上基板にしても（或は下基板にしても）駆動上は問
題ない。
向膜に施される配向処理方法としては一般にはラビング
処理が用いられる。配向処理による液晶分子の配列方向
は表示の優先視角によって決定される。例えば、TN（ツ
イステッドネマティック）モードで手前に優先視野が来
るように設計する場合、パラレル偏光板配置ならば第
３、第４図（Ａ）クロス偏光板配置ならば第４図（Ｂ）
となる。第４図（Ａ）では31が上基板、32が下基板のラ
ビング方向、第４図（Ｂ）では33が上基板34が下基板の
ラビング方向となる。対向基板とアクティブ基板のいず
れを上基板にしても（或は下基板にしても）駆動上は問
題ない。
アクティブマトリクス方式の配向処理の難しさはアク
ティブ基板の凹凸が激しい事に起因する。第２、第３図
の断面図からも明らかなようにスイッチング素子と電極
がかなり厚く、一般的には0.8〜2.5ミクロンに達する。
ラビング処理を行っても、素子や電極の影はラビングさ
れず液晶分子の初期配向を十分に制御する事が出来な
い。これは配向処理方法を変えても改善されず、例え
ば、ラビングの代わりに斜め蒸着法を用いても影部の配
向不良が発生しやすい。
ティブ基板の凹凸が激しい事に起因する。第２、第３図
の断面図からも明らかなようにスイッチング素子と電極
がかなり厚く、一般的には0.8〜2.5ミクロンに達する。
ラビング処理を行っても、素子や電極の影はラビングさ
れず液晶分子の初期配向を十分に制御する事が出来な
い。これは配向処理方法を変えても改善されず、例え
ば、ラビングの代わりに斜め蒸着法を用いても影部の配
向不良が発生しやすい。
実用上特に問題となるのは影部が表示電極上に来た場
合である。表示電極以外の領域に配向不良が発生しても
ブラックマトリクス等で隠せばごまかす事が出来るが、
表示電極に掛かった場合は表示性能上の問題を生ずる。
合である。表示電極以外の領域に配向不良が発生しても
ブラックマトリクス等で隠せばごまかす事が出来るが、
表示電極に掛かった場合は表示性能上の問題を生ずる。
この点から言うと、配向方向がマトリクスの配列方向
と一致した方が有利である。第５図（Ａ）のように配向
方向37が走査線（又はデータ線）16に平行な配向処理を
する場合は影部35は配線上或は、配線に沿って生じ、ブ
ラックマトリクスで隠す事は何とか可能である。
と一致した方が有利である。第５図（Ａ）のように配向
方向37が走査線（又はデータ線）16に平行な配向処理を
する場合は影部35は配線上或は、配線に沿って生じ、ブ
ラックマトリクスで隠す事は何とか可能である。
一方、第５図（Ｂ）のように配向方向36が走査線（又
はデータ線）16に対して傾いている場合は影部35が表示
電極13上に掛かってしまい表示性能に係わる配向不良と
なり易い。ところが視野角特性を考慮すると第５図
（Ｂ）のような配置がもっとも好ましい。優先視角を手
前に持ってきた場合第４図（Ａ）、（Ｂ）のどちらかと
なり、マトリクスの配列方向とは一致しない。
はデータ線）16に対して傾いている場合は影部35が表示
電極13上に掛かってしまい表示性能に係わる配向不良と
なり易い。ところが視野角特性を考慮すると第５図
（Ｂ）のような配置がもっとも好ましい。優先視角を手
前に持ってきた場合第４図（Ａ）、（Ｂ）のどちらかと
なり、マトリクスの配列方向とは一致しない。
このような非常に配向不良の起こり易い条件で液晶表
示素子を製造する場合、従来はラビング回数やラビング
圧、速度等の条件を強めにする方向で最適化して対応し
ていた。しかし、あまり条件を強くすると、スイッチン
グ素子や配向膜自体へのダメージ、静電気による破壊等
の弊害も生じる。そのため実用的な条件範囲が非常に狭
く、かつわずかな条件の振れで歩留が低下した。また、
凹凸が２ミクロンを越える様な構造に対しては殆ど、画
素内に配向不良が生じ、歩留が極めて低かった。
示素子を製造する場合、従来はラビング回数やラビング
圧、速度等の条件を強めにする方向で最適化して対応し
ていた。しかし、あまり条件を強くすると、スイッチン
グ素子や配向膜自体へのダメージ、静電気による破壊等
の弊害も生じる。そのため実用的な条件範囲が非常に狭
く、かつわずかな条件の振れで歩留が低下した。また、
凹凸が２ミクロンを越える様な構造に対しては殆ど、画
素内に配向不良が生じ、歩留が極めて低かった。
本発明は配向不良を抑制する効果的な方法を提供する
事を目的とする。特に、液晶分子の配列方向がマトリク
ス方向と一致していない場合に対しても極めて安定した
配向処理が可能で、高品質、高信頼性のアクティブマト
リクスを高歩留で実現できる。
事を目的とする。特に、液晶分子の配列方向がマトリク
ス方向と一致していない場合に対しても極めて安定した
配向処理が可能で、高品質、高信頼性のアクティブマト
リクスを高歩留で実現できる。
本発明の特徴はアクティブ基板には少なくとも２方向
のラビング処理を施す事にある。表示性能は第２のラビ
ング処理で決定され、この第２のラビング処理の影によ
る配向不良を避けるために第１のラビング処理を行って
いる。
のラビング処理を施す事にある。表示性能は第２のラビ
ング処理で決定され、この第２のラビング処理の影によ
る配向不良を避けるために第１のラビング処理を行って
いる。
本発明を実施例に基づき説明する。第１図は本発明に
よる液晶表示素子の配向処理方法の実施例の平面図であ
る。本実施例ではスイッチング素子としてダイオードリ
ングを用いてた場合を示した。優先視野設計は第５図の
従来例と同じく、アクティブ基板が上で優先視野を手前
にしてある。第５図の従来例では配向方向36の方向にラ
ビングをおこなったが影の領域35の領域が影になり画素
部に配向不良を生じてしまった。
よる液晶表示素子の配向処理方法の実施例の平面図であ
る。本実施例ではスイッチング素子としてダイオードリ
ングを用いてた場合を示した。優先視野設計は第５図の
従来例と同じく、アクティブ基板が上で優先視野を手前
にしてある。第５図の従来例では配向方向36の方向にラ
ビングをおこなったが影の領域35の領域が影になり画素
部に配向不良を生じてしまった。
本発明では第１の配向処理による配向方向22の方向に
まずラビングし、続いて優先視野を決める第２の配向処
理による配向方向23の方向にラビングする。本実施例で
は第１の配向処理による配向方向22は走査線（又はデー
タ線）16にほぼ垂直に設定してある。スイッチング素子
の形成していない基板の配向処理は従来例と同様であり
具体的には第４図（Ａ）、（Ｂ）に示した方向にラビン
グ処理を行っている。
まずラビングし、続いて優先視野を決める第２の配向処
理による配向方向23の方向にラビングする。本実施例で
は第１の配向処理による配向方向22は走査線（又はデー
タ線）16にほぼ垂直に設定してある。スイッチング素子
の形成していない基板の配向処理は従来例と同様であり
具体的には第４図（Ａ）、（Ｂ）に示した方向にラビン
グ処理を行っている。
第６図に第１図の実施例の第１の補助的な配向処理の
後の状態を示す。第５図（Ｂ）に示した影部のうち最も
問題なのは必ず影となる領域39の領域である。この領域
は第１の配向処理による配向方向22によって配向が規制
され、従来と比べてドメインが生じ難くなっている。ま
た、スイッチング素子の側面部38は誘起ドメインと呼ば
れる配向不良の核になり易いが第１の補助的な配向処理
を行うことによって、配向規制され配向不良が起こり難
くなった。
後の状態を示す。第５図（Ｂ）に示した影部のうち最も
問題なのは必ず影となる領域39の領域である。この領域
は第１の配向処理による配向方向22によって配向が規制
され、従来と比べてドメインが生じ難くなっている。ま
た、スイッチング素子の側面部38は誘起ドメインと呼ば
れる配向不良の核になり易いが第１の補助的な配向処理
を行うことによって、配向規制され配向不良が起こり難
くなった。
第７図は他の実施例である。本実施例では、アクティ
ブ基板上の配線がデータ線（又は走査線）16であり優先
視野方向と平行に配置されている。本実施例では第１の
配向処理による配向方向22はデータ線（又は走査線）16
にほぼ平行である。第１図の実施例の効果に加え、本実
施例では、第１の補助的な配向処理によってデータ線
（又は走査線）16の側壁がすべて配向規制され、更に配
向不良が起こり難くなっている。
ブ基板上の配線がデータ線（又は走査線）16であり優先
視野方向と平行に配置されている。本実施例では第１の
配向処理による配向方向22はデータ線（又は走査線）16
にほぼ平行である。第１図の実施例の効果に加え、本実
施例では、第１の補助的な配向処理によってデータ線
（又は走査線）16の側壁がすべて配向規制され、更に配
向不良が起こり難くなっている。
第８図は更に他の実施例である。本実施例では第１図
の実施例の第１の配向処理による配向方向22の前に第３
の補助的な配向処理として第１の配向処理による配向方
向22とほぼ逆の方向第３の配向処理による配向方向40に
ラビングを行っている。第１図の実施例では第１及び第
２の配向処理によっても配向規制されない領域が存在し
たが、本実施例の第３の補助的な配向処理を加えること
によってすべての領域が配向規制され配向不良に対して
最も強くなる。
の実施例の第１の配向処理による配向方向22の前に第３
の補助的な配向処理として第１の配向処理による配向方
向22とほぼ逆の方向第３の配向処理による配向方向40に
ラビングを行っている。第１図の実施例では第１及び第
２の配向処理によっても配向規制されない領域が存在し
たが、本実施例の第３の補助的な配向処理を加えること
によってすべての領域が配向規制され配向不良に対して
最も強くなる。
以上の実施例に代表される条件を整理すると以下のよ
うになる。
うになる。
第１の補助的な配向処理による液晶分子の配列処理方
向は以上のような表示電極上の影部を除くためには、マ
トリクスの配線（データ線又は走査線）とほぼ平行（０
度プラスマイナス15度以内）或はほぼ直角（90度プラス
マイナス15度以内）の角度が最適である。このような条
件を選ぶ事により配線やスイッチング素子の側面迄含め
た影部に起因する配向不良を低減できる。
向は以上のような表示電極上の影部を除くためには、マ
トリクスの配線（データ線又は走査線）とほぼ平行（０
度プラスマイナス15度以内）或はほぼ直角（90度プラス
マイナス15度以内）の角度が最適である。このような条
件を選ぶ事により配線やスイッチング素子の側面迄含め
た影部に起因する配向不良を低減できる。
第１の補助的な配向処理による液晶分子の配列規制方
向はさらに次のように最適化される。
向はさらに次のように最適化される。
配向不良の中で最も問題となるのはリバースティルト
ドメインと呼ばれる配向不良である。第９図はリバース
ティルトドメインの断面図である。正常ティルト領域43
では液晶層３の中央部45の液晶分子の傾き（ティルト）
は配向膜７、８によって決定された正常な方向46をと
る。ところがリバースティルト領域44では液晶層３の中
央部45の液晶分子のティルトは正常な方向46とは反対の
方向47を取ってしまう。このようなリバースティルトド
メインは、駆動電圧の印加、無印加にかかわらずみられ
る固定ドメインと、駆動電圧印加状態で生ずる誘起ドメ
インとの２種に分かれる。いずれの場合も、リバーステ
ィルトドメインが生ずるとその領域は優先視野が逆方向
となり、致命的な欠陥となる。第９図にも示した如く基
板の凹凸はリバースティルトドメインを誘発する。また
従来の配向処理の影部の液晶分子の配列方向は、未規制
であるからこのようなリバースティルトドメインを生じ
やすい。
ドメインと呼ばれる配向不良である。第９図はリバース
ティルトドメインの断面図である。正常ティルト領域43
では液晶層３の中央部45の液晶分子の傾き（ティルト）
は配向膜７、８によって決定された正常な方向46をと
る。ところがリバースティルト領域44では液晶層３の中
央部45の液晶分子のティルトは正常な方向46とは反対の
方向47を取ってしまう。このようなリバースティルトド
メインは、駆動電圧の印加、無印加にかかわらずみられ
る固定ドメインと、駆動電圧印加状態で生ずる誘起ドメ
インとの２種に分かれる。いずれの場合も、リバーステ
ィルトドメインが生ずるとその領域は優先視野が逆方向
となり、致命的な欠陥となる。第９図にも示した如く基
板の凹凸はリバースティルトドメインを誘発する。また
従来の配向処理の影部の液晶分子の配列方向は、未規制
であるからこのようなリバースティルトドメインを生じ
やすい。
実施例で示した如く、本発明では第１の補助的な配向
処理による液晶分子の配列規制方向を液晶層の中央部の
液晶分子の配列方向とほぼ一致させている。こうする事
により、表示性能を決める第２の配向処理によって影部
が生じてもその領域の液晶分子は正常なティルトの方向
に配列しリバースティルトの最も出来にくい条件とな
る。
処理による液晶分子の配列規制方向を液晶層の中央部の
液晶分子の配列方向とほぼ一致させている。こうする事
により、表示性能を決める第２の配向処理によって影部
が生じてもその領域の液晶分子は正常なティルトの方向
に配列しリバースティルトの最も出来にくい条件とな
る。
以上の実施例では配向処理としてラビング処理を用い
ており、非常に顕著な効果が得られる。一方、SiOの斜
め蒸着による配向処理においても影部の配向不良は問題
となり本発明は有効である。
ており、非常に顕著な効果が得られる。一方、SiOの斜
め蒸着による配向処理においても影部の配向不良は問題
となり本発明は有効である。
第10図は配向不良を原因とする製造歩留の従来の配向
処理と本発明の配向処理の差異を示すグラフである。ロ
ットNo.126以前が従来の配向処理を、ロットNo.127以降
が本発明の配向処理を採用している。従来方法では殆ど
良品が少なく歩留の悪かったものが本発明によって画期
的に歩留が向上していることが判る。
処理と本発明の配向処理の差異を示すグラフである。ロ
ットNo.126以前が従来の配向処理を、ロットNo.127以降
が本発明の配向処理を採用している。従来方法では殆ど
良品が少なく歩留の悪かったものが本発明によって画期
的に歩留が向上していることが判る。
以上のように本発明は基板の凹凸に起因する配向不良
を低減する事が可能である。別の観点から言うと、基板
上の配線やスイッチング素子の厚さに対する余裕度を確
保できる。
を低減する事が可能である。別の観点から言うと、基板
上の配線やスイッチング素子の厚さに対する余裕度を確
保できる。
液晶表示装置の応用分野は、壁掛けテレビやコンピュ
ーターの端末等の大型表示に拡大されつつある。大型液
晶表示装置で最も問題となるのはマトリクス配線の配線
抵抗であり、低抵抗の金属膜を厚く付けるのが唯一かつ
最適な手段である。その場合従来法では配向不良に対す
る余裕度が不足し問題となるが、本発明を用いる事によ
り解決できる。
ーターの端末等の大型表示に拡大されつつある。大型液
晶表示装置で最も問題となるのはマトリクス配線の配線
抵抗であり、低抵抗の金属膜を厚く付けるのが唯一かつ
最適な手段である。その場合従来法では配向不良に対す
る余裕度が不足し問題となるが、本発明を用いる事によ
り解決できる。
また、アクティブマトリクス液晶表示素子の欠陥に於
いては、スイッチング素子の段差部のステップカバレイ
ジの不足による断線が主要要因の一つである。これを低
減するための解決法は配線の厚さを増す事である。しか
し従来法では配向不良により限界があった。本発明を用
いれば、配線を厚くする事が可能であり、製造歩留を向
上させる事が可能となる。
いては、スイッチング素子の段差部のステップカバレイ
ジの不足による断線が主要要因の一つである。これを低
減するための解決法は配線の厚さを増す事である。しか
し従来法では配向不良により限界があった。本発明を用
いれば、配線を厚くする事が可能であり、製造歩留を向
上させる事が可能となる。
以上の如く本発明によれば、配向不良のない高品質の
アクティブマトリクス液晶表示素子を高歩留で製造可能
となる。更に、液晶表示素子の大型化に際しての配線抵
抗の問題をも解決し得る。
アクティブマトリクス液晶表示素子を高歩留で製造可能
となる。更に、液晶表示素子の大型化に際しての配線抵
抗の問題をも解決し得る。
第１図は本発明の実施例のアクティブマトリクス液晶表
示素子の液晶分子配向処理方法の平面図、第２図はTFT
型アクティブマトリクス方式の液晶表示素子の画素部を
示し、第２図（Ａ）は断面図、第２図（Ｂ）は平面図、
第３図は２端子型アクティブマトリクス方式の代表例と
してダイオードリング方式の画素部を示し、第３図
（Ａ）は断面図、第３図（Ｂ）は平面図、第４図
（Ａ）、（Ｂ）は優先視角を手前に持ってきた場合の配
向処理方向を示す説明図、第５図（Ａ）、（Ｂ）は従来
のアクティブマトリクス液晶表示素子の液晶分子配向処
理方法に於ける配向処理方向とその影部による配向不良
との関係を示す平面図、第６図は第１図の実施例の第１
の配向処理の後の状態の平面図、第７図、第８図は本発
明の他の実施例の平面図、第９図はリバースティルトド
メインの断面図、第10図は従来法と本発明での配向歩留
を示すグラフである。 １……アクティブ基板、 ２……対向基板、 ３……液晶層、 ７、８……配向膜、 11……データ線、 12……走査線、 13……表示電極、 15……スイッチング素子、 22……第１の配向処理による配向方向、 23……第２の配向処理による配向方向。
示素子の液晶分子配向処理方法の平面図、第２図はTFT
型アクティブマトリクス方式の液晶表示素子の画素部を
示し、第２図（Ａ）は断面図、第２図（Ｂ）は平面図、
第３図は２端子型アクティブマトリクス方式の代表例と
してダイオードリング方式の画素部を示し、第３図
（Ａ）は断面図、第３図（Ｂ）は平面図、第４図
（Ａ）、（Ｂ）は優先視角を手前に持ってきた場合の配
向処理方向を示す説明図、第５図（Ａ）、（Ｂ）は従来
のアクティブマトリクス液晶表示素子の液晶分子配向処
理方法に於ける配向処理方向とその影部による配向不良
との関係を示す平面図、第６図は第１図の実施例の第１
の配向処理の後の状態の平面図、第７図、第８図は本発
明の他の実施例の平面図、第９図はリバースティルトド
メインの断面図、第10図は従来法と本発明での配向歩留
を示すグラフである。 １……アクティブ基板、 ２……対向基板、 ３……液晶層、 ７、８……配向膜、 11……データ線、 12……走査線、 13……表示電極、 15……スイッチング素子、 22……第１の配向処理による配向方向、 23……第２の配向処理による配向方向。
Claims (3)
- 【請求項１】２枚の基板間に挟持されたネマチック液晶
分子よりなる液晶層と、基板上に形成されたデータ線及
び走査線と、データ線及び走査線の交点に対応して設け
られた画素と、画素を駆動するためのスイッチング素子
とを有するアクティブマトリクス液晶表示素子の液晶分
子配向処理方法に於いて、 アクティブ基板には少なくとも互いにプラスマイナス
（15度〜165度）の範囲で方向の異なる第１の配向処理
及び第２の配向処理の２方向の配向処理が施され、対向
基板には少なくとも１方向の配向処理が施される事を特
徴とするアクティブマトリクス液晶表示素子の液晶分子
配向処理方法。 - 【請求項２】アクティブ基板に施される第２の配向処理
及び対向基板に施される配向処理は表示の優先視角設計
によって決められる方向に行われ、アクティブ基板に施
される第１の配向処理の配向方向はアクティブ基板上に
設けられたデータ線或いは走査線に対する角度が０度プ
ラスマイナス15度、或いは90度プラスマイナス15度の何
れかの角度に行われる事を特徴とする請求項１記載のア
クティブマトリクス液晶表示素子の液晶分子配向処理方
法。 - 【請求項３】アクティブ基板に施される第２の配向処理
及び対向基板に施される配向処理は表示の優先視角設計
によって決められる方向に行われ、アクティブ基板に施
される第１の配向処理の配向方向はアクティブ基板に施
される第２の配向処理及び対向基板に施される配向処理
によって決定される液晶層の中央部付近の液晶分子の配
列方向とほぼ一致する方向に行われる事を特徴とする請
求項１記載のアクティブマトリクス液晶表示素子の液晶
分子配向処理方法。
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