JPH02266328A - アクティブマトリクス液晶表示素子の液晶分子配向処理方法 - Google Patents
アクティブマトリクス液晶表示素子の液晶分子配向処理方法Info
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- JPH02266328A JPH02266328A JP1088920A JP8892089A JPH02266328A JP H02266328 A JPH02266328 A JP H02266328A JP 1088920 A JP1088920 A JP 1088920A JP 8892089 A JP8892089 A JP 8892089A JP H02266328 A JPH02266328 A JP H02266328A
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
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- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
液晶表示素子は低消費電力のフラットパネルデイスプレ
ィとして広く応用されている。中でも、３端子型（ＴＰ
Ｔ）や２端子型（薄膜ダイオード他）等のスイッチング
素子を各画素に作り込んで駆動するアクティブマ） Ｉ
Ｊクス方式は大容量高品質の表示素子としてテレビ、情
報端末等釦用いられつつある。液晶表示素子の製造工程
に於て液晶分子の配列方向（配向）を制御する配向処理
が極めて重要である。しかし、アクティブマトリクス方
式ではスイッチング素子が基板上に形成され凸凹がある
ために安定な配向処理が難しい。本発明はこのような凸
凹のあるアクティブマトリクス方式の液晶表示素子でも
安定に液晶分子を配向させる事のできる配向処理方法に
関する。
ィとして広く応用されている。中でも、３端子型（ＴＰ
Ｔ）や２端子型（薄膜ダイオード他）等のスイッチング
素子を各画素に作り込んで駆動するアクティブマ） Ｉ
Ｊクス方式は大容量高品質の表示素子としてテレビ、情
報端末等釦用いられつつある。液晶表示素子の製造工程
に於て液晶分子の配列方向（配向）を制御する配向処理
が極めて重要である。しかし、アクティブマトリクス方
式ではスイッチング素子が基板上に形成され凸凹がある
ために安定な配向処理が難しい。本発明はこのような凸
凹のあるアクティブマトリクス方式の液晶表示素子でも
安定に液晶分子を配向させる事のできる配向処理方法に
関する。
第２図にＴＦＴ型アクティブマトリクス方式の液晶表示
素子の一般的な構造を示す。第２図（Ａ）は断面図、第
２図（５）は平面図である。スイッチング素子の形成さ
れた基板（以下アクティブ基板という）１とスイッチン
グ素子の形成されていない基板（以下対向基板という）
２０２枚の基板の間に液晶層６が挟持され、アクティブ
基板１上には液晶分子６を駆動するためのＴＦＴ型スイ
スイツチング素子１０−タ線１１、走査線１２及び表示
電極１６が、対向基板２上には対向電極１４が形成され
、更に両差板上には液晶分子６の初期配向を制御するた
めの配向膜７．８が形成されている。
素子の一般的な構造を示す。第２図（Ａ）は断面図、第
２図（５）は平面図である。スイッチング素子の形成さ
れた基板（以下アクティブ基板という）１とスイッチン
グ素子の形成されていない基板（以下対向基板という）
２０２枚の基板の間に液晶層６が挟持され、アクティブ
基板１上には液晶分子６を駆動するためのＴＦＴ型スイ
スイツチング素子１０−タ線１１、走査線１２及び表示
電極１６が、対向基板２上には対向電極１４が形成され
、更に両差板上には液晶分子６の初期配向を制御するた
めの配向膜７．８が形成されている。
第３図に２端子型アクティブマトリクス方式の代表例と
してダイオードリング（ＤＲ）方式の液晶表示素子の一
般的な構造を示す。第３図（Ｎは断面図、第３図（Ｂｌ
は平面図である。アクティブ基板１と対向基板２０２枚
の基板の間に液晶層３が挟持され、アクティブ基板１上
には液晶分子６を駆動するためのＤＲ型のスイッチ輩グ
素子１５と走査線（又はデータ線）１６、及び表示電極
１６が、対向基板２上にはデータ線（又は走査線）１７
が形成され、更に両差板上には液晶分子６の初期配向を
制御するための配向膜７．８が形成されて℃・る。
してダイオードリング（ＤＲ）方式の液晶表示素子の一
般的な構造を示す。第３図（Ｎは断面図、第３図（Ｂｌ
は平面図である。アクティブ基板１と対向基板２０２枚
の基板の間に液晶層３が挟持され、アクティブ基板１上
には液晶分子６を駆動するためのＤＲ型のスイッチ輩グ
素子１５と走査線（又はデータ線）１６、及び表示電極
１６が、対向基板２上にはデータ線（又は走査線）１７
が形成され、更に両差板上には液晶分子６の初期配向を
制御するための配向膜７．８が形成されて℃・る。
以上のようなアクティブマトリクス液晶表示素子の配向
膜に施される配向処理方法としては一般にはラビング処
理が用いられる。配向処理による液晶分子の配列方向は
表示の優先視角によって決定される。例えば、ＴＮ（ツ
ィステッドネマティック）モードで手前に優先視野が来
るように設計する場合、パラレル偏光板配置ならば第３
、第４図（Ａ）クロス偏光板配置ならば第４図ＣＢ）と
なる。第４図囚では６１が上基板、６２が下基板のラビ
ング方向、第４図０３１では６６が上基板６４が下基板
のラビング方向となる。対向基板とアクティブ基板のい
ずれを上基板にしても（或は下基板にしても）駆動上は
問題ない。
膜に施される配向処理方法としては一般にはラビング処
理が用いられる。配向処理による液晶分子の配列方向は
表示の優先視角によって決定される。例えば、ＴＮ（ツ
ィステッドネマティック）モードで手前に優先視野が来
るように設計する場合、パラレル偏光板配置ならば第３
、第４図（Ａ）クロス偏光板配置ならば第４図ＣＢ）と
なる。第４図囚では６１が上基板、６２が下基板のラビ
ング方向、第４図０３１では６６が上基板６４が下基板
のラビング方向となる。対向基板とアクティブ基板のい
ずれを上基板にしても（或は下基板にしても）駆動上は
問題ない。
アクティブマトリクス方式の配向処理の難しさはアクテ
ィブ基板の凹凸が激しい事に起因する。
ィブ基板の凹凸が激しい事に起因する。
第２、第３図の断面図からも明らかなようにスイッチン
グ素子と電極がかなり厚く、−船釣には０．８〜２．５
ミクロンに達する。ラビング処理を行っても、素子や電
極の影はラビングされず液晶分子の初期配向を十分に制
御する事が出来ない。これは配向処理方法を変えても改
善されず、例えば、ラビングの代わりに斜め蒸着法を用
いても形部の配向不良が発生しやすい。
グ素子と電極がかなり厚く、−船釣には０．８〜２．５
ミクロンに達する。ラビング処理を行っても、素子や電
極の影はラビングされず液晶分子の初期配向を十分に制
御する事が出来ない。これは配向処理方法を変えても改
善されず、例えば、ラビングの代わりに斜め蒸着法を用
いても形部の配向不良が発生しやすい。
実用上特に問題となるのは形部が表示電極上に来た場合
である。表示電極以外の領域に配向不良が発生してもブ
ラックマトリクス等で隠せばごまかす事が出来るが、表
示電極に掛かった場合は表示性能上の問題を生ずる。
である。表示電極以外の領域に配向不良が発生してもブ
ラックマトリクス等で隠せばごまかす事が出来るが、表
示電極に掛かった場合は表示性能上の問題を生ずる。
この点から言うと、配向方向がマド１，１クスの配列方
向と一致した方が有利である。第５図囚のように配向方
向６７が走査線（又はデータ線）１６に平行な配向処理
をする場合は形部６５は配線上或は、配線に沿って生じ
、ブラックマトリクスで隠す事は何とか可能である。
向と一致した方が有利である。第５図囚のように配向方
向６７が走査線（又はデータ線）１６に平行な配向処理
をする場合は形部６５は配線上或は、配線に沿って生じ
、ブラックマトリクスで隠す事は何とか可能である。
一方、第５図（Ｅのように配向方向６６が走査線（又は
データ線）１６に対して傾いている場合は形部６５が表
示電極１６上に掛かつてしまい表示性能に係わる配向不
良となり易い。ところが視野角特性を考慮すると第５図
（独のような配置がもつとも好ましい。優先視角を手前
に持ってきた場合第４図（Ａ）、ＣＢ）のどちらかとな
り、マトリクスの配列方向とは一致しない。
データ線）１６に対して傾いている場合は形部６５が表
示電極１６上に掛かつてしまい表示性能に係わる配向不
良となり易い。ところが視野角特性を考慮すると第５図
（独のような配置がもつとも好ましい。優先視角を手前
に持ってきた場合第４図（Ａ）、ＣＢ）のどちらかとな
り、マトリクスの配列方向とは一致しない。
このような非常に配向不良の起こり易い条件で液晶表示
素子を製造する場合、従来はラビング回数やラビング圧
、速度等の条件を強めにする方向で最適化して対応して
いた。しかし、あまり条件を強くすると、スイッチング
素子や配向膜自体へのダメージ、静電気による破壊等の
弊害も生じる。
素子を製造する場合、従来はラビング回数やラビング圧
、速度等の条件を強めにする方向で最適化して対応して
いた。しかし、あまり条件を強くすると、スイッチング
素子や配向膜自体へのダメージ、静電気による破壊等の
弊害も生じる。
そのため実用的な条件範囲が非常に狭く、かつわずかな
条件の振れで歩留が低下した。また、凹凸が２ミクロン
を越える様な構造に対しては殆ど、画素内に配向不良が
生じ、歩留が極めて低かった。
条件の振れで歩留が低下した。また、凹凸が２ミクロン
を越える様な構造に対しては殆ど、画素内に配向不良が
生じ、歩留が極めて低かった。
本発明は配向不良を抑制する効果的な方法を提供する事
を特徴とする特に、液晶分子の配列方向がマトリクス方
向と一致していない場合に対しても極めて安定した配向
処理が可能で、高品質、高信頼性のアクティブマトリク
スを高歩留で実現できる。
を特徴とする特に、液晶分子の配列方向がマトリクス方
向と一致していない場合に対しても極めて安定した配向
処理が可能で、高品質、高信頼性のアクティブマトリク
スを高歩留で実現できる。
本発明の特徴はアクティブ基板には少なくとも２方向の
ラビング処理を施す事にある。表示性能は第２のラビン
グ処理で決定され、この第２のラビング処理の影による
配向不良を避けるために第１の２ピング処理を行ってい
る。
ラビング処理を施す事にある。表示性能は第２のラビン
グ処理で決定され、この第２のラビング処理の影による
配向不良を避けるために第１の２ピング処理を行ってい
る。
本発明を実施例に基づき説明する。第１図は本発明によ
る液晶表示素子の配向処理方法の実施例の平面図である
。本実施例ではスイッチング素子としてダイオードリン
グを用いてた場合を示した。
る液晶表示素子の配向処理方法の実施例の平面図である
。本実施例ではスイッチング素子としてダイオードリン
グを用いてた場合を示した。
優先視野設計は第５図の従来例と同じく、アクティブ基
板が上で優先視野を手前にしである。第５図の従来例で
は配向方向６６の方向にラビングをおこなったが影の領
域６５の領域が影になり画素部に配向不良を生じてしま
った。
板が上で優先視野を手前にしである。第５図の従来例で
は配向方向６６の方向にラビングをおこなったが影の領
域６５の領域が影になり画素部に配向不良を生じてしま
った。
本発明では第１の配向処理による配向方向２２の方向に
まずラビングし、続いて優先視野を決める第２の配向処
理による配向方向２６の方向にラビングする。本実施例
では第１の配向処理による配向方向２２は走査線（又は
データ線）１６にほぼ垂直に設定しである。スイッチン
グ素子の形成していない基板の配向処理は従来例と同様
であり具体的には第４図（４）、ノ）に示した方向にラ
ビング処理を行っている。
まずラビングし、続いて優先視野を決める第２の配向処
理による配向方向２６の方向にラビングする。本実施例
では第１の配向処理による配向方向２２は走査線（又は
データ線）１６にほぼ垂直に設定しである。スイッチン
グ素子の形成していない基板の配向処理は従来例と同様
であり具体的には第４図（４）、ノ）に示した方向にラ
ビング処理を行っている。
第６図に第１図の実施例の第１の補助的な配向処理の後
の状態を示す。第５図（Ｂ） Ｋ示した形部のうち最も
問題なのは必ず影となる領域３９の領域である。この領
域は第１の配向処理による配向方向２２によって配向が
規制され、従来と比べてドメインが生じ難くなっている
。また、スイッチング素子の側面部６８は誘起ドメイン
と呼ばれる配向不良の核になり易いが第１の補助的な配
向処理を行うことＫよって、配向規制され配向不良が起
こり難くなった。
の状態を示す。第５図（Ｂ） Ｋ示した形部のうち最も
問題なのは必ず影となる領域３９の領域である。この領
域は第１の配向処理による配向方向２２によって配向が
規制され、従来と比べてドメインが生じ難くなっている
。また、スイッチング素子の側面部６８は誘起ドメイン
と呼ばれる配向不良の核になり易いが第１の補助的な配
向処理を行うことＫよって、配向規制され配向不良が起
こり難くなった。
第７図は他の実施例である。本実施例では、アクティブ
基板上の配線がデータ線（又は走査ｍ）１６であり優先
視野方向と平行に配置されている。
基板上の配線がデータ線（又は走査ｍ）１６であり優先
視野方向と平行に配置されている。
本実施例では第１の配向処理による配向方向２２はデー
タ線（又は走査線）１６にほぼ平行である。
タ線（又は走査線）１６にほぼ平行である。
第１図の実施例の効果に加え、本実施例では、第１の補
助的な配向処理によってデータ線（又は走査線）１６の
側壁がすべて配向規制され、更に配向不良が起こり難く
なっている。
助的な配向処理によってデータ線（又は走査線）１６の
側壁がすべて配向規制され、更に配向不良が起こり難く
なっている。
第８図は更に他の実施例である。本実施例では第１図の
実施例の第１の配向処理による配向方向２２の前に第３
の補助的な配向処理として第１の配向処理による配向方
向２２とほぼ逆の方向第３の配向処理による配向方向４
０にラビングを行っている。第１図の実施例では第１及
び第２の配向処理によっても配向規制されない領域が存
在したが、本実施例の第３の補助的な配向処理を加える
ことによりてすべての領域が配向規制され配向不良に対
して最も強くなる。
実施例の第１の配向処理による配向方向２２の前に第３
の補助的な配向処理として第１の配向処理による配向方
向２２とほぼ逆の方向第３の配向処理による配向方向４
０にラビングを行っている。第１図の実施例では第１及
び第２の配向処理によっても配向規制されない領域が存
在したが、本実施例の第３の補助的な配向処理を加える
ことによりてすべての領域が配向規制され配向不良に対
して最も強くなる。
以上の実施例に代表される条件を整理すると以下のよう
Ｋなる。
Ｋなる。
第１の補助的な配向処理による液晶分子の配列処理方向
は以上のような表示電極上の形部を除くためには、マト
リクスの配線（データ線又は走査線）とはぼ平行（０度
プラスマイナス１５度以内）或はほぼ直角（９０度プラ
スマイナス１５度以内）の角度が最適である。このよう
な条件を選ぶ事により配線やスイッチング素子の側面迄
含めた形部に起因する配向不良を低減できる。
は以上のような表示電極上の形部を除くためには、マト
リクスの配線（データ線又は走査線）とはぼ平行（０度
プラスマイナス１５度以内）或はほぼ直角（９０度プラ
スマイナス１５度以内）の角度が最適である。このよう
な条件を選ぶ事により配線やスイッチング素子の側面迄
含めた形部に起因する配向不良を低減できる。
第１の補助的な配向処理による液晶分子の配列規制方向
はさらに次のように最適化される。
はさらに次のように最適化される。
配向不良の中で最も問題となるのはリバースティルトド
メインと呼ばれる配向不良である。第９図はリバーステ
ィルトドメインの断面図である。
メインと呼ばれる配向不良である。第９図はリバーステ
ィルトドメインの断面図である。
正常ティルト領域４６では液晶層乙の中央部４５の液晶
分子の傾き（ティルト）は配向膜７．８によって決定さ
れた正常な方向４６をとる。ところが＋７ ハースティ
ルト領域４４では液晶層３の中央部４５の液晶分子のテ
ィルトは正常な方向４６とは反対の方向４７を取ってし
まう。このようなリバースティルトドメインは、駆動電
圧の印加、無印加圧かかわらすみられる固定ドメインと
、駆動電圧印加状態で生ずる誘起ドメインとの２種に分
かれる。いずれの場合も、リバースティルトドメインが
生ずるとその領域は優先視野が逆方向となり、致命的な
欠陥となる。第９図にも示した如く基板の凹凸はリバー
スティルトドメインを誘発する。また従来の配向処理の
形部の液晶分子の配列方向は、未規制であるからこのよ
うなリバースティルトドメインを生じやすい。
分子の傾き（ティルト）は配向膜７．８によって決定さ
れた正常な方向４６をとる。ところが＋７ ハースティ
ルト領域４４では液晶層３の中央部４５の液晶分子のテ
ィルトは正常な方向４６とは反対の方向４７を取ってし
まう。このようなリバースティルトドメインは、駆動電
圧の印加、無印加圧かかわらすみられる固定ドメインと
、駆動電圧印加状態で生ずる誘起ドメインとの２種に分
かれる。いずれの場合も、リバースティルトドメインが
生ずるとその領域は優先視野が逆方向となり、致命的な
欠陥となる。第９図にも示した如く基板の凹凸はリバー
スティルトドメインを誘発する。また従来の配向処理の
形部の液晶分子の配列方向は、未規制であるからこのよ
うなリバースティルトドメインを生じやすい。
実施例で示した如く、本発明では第１の補助的な配向処
理による液晶分子の配列規制方向を液晶層の中央部の液
晶分子の配列方向とほぼ一致させている。こうする事九
より、表示性能を決める第２の配向処理によって形部が
生じてもその領域の液晶分子は正常なティルトの方向に
配列しリバースティルトの最も出来にくい条件となる。
理による液晶分子の配列規制方向を液晶層の中央部の液
晶分子の配列方向とほぼ一致させている。こうする事九
より、表示性能を決める第２の配向処理によって形部が
生じてもその領域の液晶分子は正常なティルトの方向に
配列しリバースティルトの最も出来にくい条件となる。
以上の実施例では配向処理としてラビング処理を用いて
おり、非常に顕著な効果が得られる。
おり、非常に顕著な効果が得られる。
方、ＳｉＯの斜め蒸着による配向処理においても形部の
配向不良は問題となり本発明は有効である。
配向不良は問題となり本発明は有効である。
第１Ｏ図は配向不良を原因とする製造歩留の従来の配向
処理と本発明の配向処理の差異を示すグラフである。ロ
フト省１２６以前が従来の配向処理を、ロットｒｋｌ
２７以降が本発明の配向処理を採用している。従来法で
は殆ど良品が少な（歩留の悪かったものが本発明によっ
て画期的に歩留が向上していることが判る。
処理と本発明の配向処理の差異を示すグラフである。ロ
フト省１２６以前が従来の配向処理を、ロットｒｋｌ
２７以降が本発明の配向処理を採用している。従来法で
は殆ど良品が少な（歩留の悪かったものが本発明によっ
て画期的に歩留が向上していることが判る。
以上のように本発明は基板の凹凸に起因する配向不良を
低減する事が可能である。別の観点から言うと、基板上
の配線やスイッチング素子の厚さに対する余裕度を確保
できる。
低減する事が可能である。別の観点から言うと、基板上
の配線やスイッチング素子の厚さに対する余裕度を確保
できる。
液晶表示装置の応用分野は、壁掛はテレビやコンピュー
ターの端末等の大型表示に拡大されつつある。大型液晶
表示装置で最も問題となるのはマトリクス配線の配線抵
抗であり、低抵抗の金属膜を厚く付けるのが唯一かつ最
適な手段である。その場合従来法では配向不良に対する
余裕度が不足し問題となるが、本発明を用いる事により
解決できる。
ターの端末等の大型表示に拡大されつつある。大型液晶
表示装置で最も問題となるのはマトリクス配線の配線抵
抗であり、低抵抗の金属膜を厚く付けるのが唯一かつ最
適な手段である。その場合従来法では配向不良に対する
余裕度が不足し問題となるが、本発明を用いる事により
解決できる。
また、アクティブマトリクス液晶表示素子の欠陥に於い
ては、スイッチング素子の段差部のステップカバレイジ
の不足による断線が主要要因の一つである。これを低減
するための解決法は配線の厚さを増す事である。しかし
従来法では配向不良により限界があった。本発明を用い
れば、配線を厚くする事が可能であり、製造歩留を向上
させる事が可能となる。
ては、スイッチング素子の段差部のステップカバレイジ
の不足による断線が主要要因の一つである。これを低減
するための解決法は配線の厚さを増す事である。しかし
従来法では配向不良により限界があった。本発明を用い
れば、配線を厚くする事が可能であり、製造歩留を向上
させる事が可能となる。
以上の如く本発明によれば、配向不良のない高品質のア
クティブマトリクス液晶表示素子を高歩留で製造可能と
なる。更に、液晶表示素子の大型化に際しての配線抵抗
の問題をも解決し得る。
クティブマトリクス液晶表示素子を高歩留で製造可能と
なる。更に、液晶表示素子の大型化に際しての配線抵抗
の問題をも解決し得る。
第１図は本発明の実施例のアクティブマトリクス液晶表
示素子の液晶分子配向処理方法の平面図、第２図（ｆｌ
は↓′面図、第３図は２端子型アクテ４ブ［Ｆ］）は↓
′面図、第４図囚、（Ｂ）は優先視角を手前に持ってき
た場合の配向処理方向を示す説明図、第５図囚、（Ｂ）
は従来のアクティブマトリクス液晶表示素子の液晶分子
配向処理方法に於ける配向処理方向とその形部による配
向不良との関係を示す平面図、第６図は第１図の実施例
の第１の配向処理の後の状態の平面図、第７図、第８図
は本発明の他の実施例の平面図、第９図はリバースティ
ルトドメインの断面図、第１０図は従来法と本発明での
配向歩留を示すグラフである。 １・・・・・・アクティブ基板、 ２・・・・・・対向基板、 ６・・・・・・液晶層、 ７．８・・・・・・配向膜、 １１・・・・・・データ線、 １２・・・・・・走査線、 １６・・・・・・表示電極、 １５・・・・・・スイッチング素子、 ２２・・・・・・第１の配向処理による配向方向、２６
・・・・・・第２の配向処理による配向方向。 第３ＦｊＡ （Ａ） 第３図 （Ｂ） 第４図 （Ａ） ９荊 ＣＢ） １荊 第５図 （Ｂ） 第６図 第８図 （−１−−ノ 詰 一１コ 第１０図 口、・ノド Ｎｏ。
示素子の液晶分子配向処理方法の平面図、第２図（ｆｌ
は↓′面図、第３図は２端子型アクテ４ブ［Ｆ］）は↓
′面図、第４図囚、（Ｂ）は優先視角を手前に持ってき
た場合の配向処理方向を示す説明図、第５図囚、（Ｂ）
は従来のアクティブマトリクス液晶表示素子の液晶分子
配向処理方法に於ける配向処理方向とその形部による配
向不良との関係を示す平面図、第６図は第１図の実施例
の第１の配向処理の後の状態の平面図、第７図、第８図
は本発明の他の実施例の平面図、第９図はリバースティ
ルトドメインの断面図、第１０図は従来法と本発明での
配向歩留を示すグラフである。 １・・・・・・アクティブ基板、 ２・・・・・・対向基板、 ６・・・・・・液晶層、 ７．８・・・・・・配向膜、 １１・・・・・・データ線、 １２・・・・・・走査線、 １６・・・・・・表示電極、 １５・・・・・・スイッチング素子、 ２２・・・・・・第１の配向処理による配向方向、２６
・・・・・・第２の配向処理による配向方向。 第３ＦｊＡ （Ａ） 第３図 （Ｂ） 第４図 （Ａ） ９荊 ＣＢ） １荊 第５図 （Ｂ） 第６図 第８図 （−１−−ノ 詰 一１コ 第１０図 口、・ノド Ｎｏ。
Claims (3)
- （１）２枚の基板間に挟持された液晶分子よりなる液晶
層と、該基板上に形成されたデータ線及び走査線と、該
データ線及び走査線の交点に対応して設けられた画素と
、該画素を駆動するためのスイッチング素子とを有する
アクティブマトリクス液晶表示素子の液晶分子配向処理
方法に於て、アクティブ基板には少なくとも互いに方向
の異なる第１の配向処理及び第２の配向処理の２方向の
配向処理が施され、対向基板には少なくとも１方向の配
向処理が施される事を特徴とするアクティブマトリクス
液晶表示素子の液晶分子配向処理方法。 - （２）アクティブ基板に施される第２の配向処理及び対
向基板に施される配向処理は表示の優先視角設計によっ
て決められる方向に行われ、アクティブ基板に施される
第１の配向処理の配向方向はアクティブ基板上に設けら
れたデータ線或は走査線に対する角度が０度プラスマイ
ナス１５度、或は９０度プラスマイナス１５度の何れか
の角度に行われる事を特徴とする請求項１記載のアクテ
ィブマトリクス液晶表示素子の液晶分子配向処理方法。 - （３）アクティブ基板に施される第２の配向処理及び対
向基板に施される配向処理は表示の優先視角設計によっ
て決められる方向に行われ、アクティブ基板に施される
第１の配向処理の配向方向は前記アクティブ基板に施さ
れる第２の配向処理及び対向基板に施される配向処理に
よって決定される液晶層の中央部付近の液晶分子の配列
方向とほぼ一致する方向に行われる事を特徴とする請求
項１記載のアクティブマトリクス液晶表示素子の液晶分
子配向処理方法。
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|---|---|---|---|
| JP8892089A JP2749624B2 (ja) | 1989-04-07 | 1989-04-07 | アクティブマトリクス液晶表示素子の液晶分子配向処理方法 |
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1996
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