JPH10148826A

JPH10148826A - アクティブマトリックス型液晶表示装置

Info

Publication number: JPH10148826A
Application number: JP8312336A
Authority: JP
Inventors: Satoshi Asada; 智浅田; Yoneji Takubo; 米治田窪; Mitsuhiro Uno; 光宏宇野
Original assignee: Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Holdings Corp
Priority date: 1995-11-30
Filing date: 1996-11-22
Publication date: 1998-06-02
Anticipated expiration: 2016-11-22
Also published as: JP3204912B2

Abstract

(57)【要約】【目的】広い視角を有し、良好な多階調表示を実現で
きる横電界駆動方式の液晶表示素子において、色付きの
発生を防止し、画像品質を向上させる。【構成】櫛形電極である共通電極２及び画素電極４を
互いに平行で、かつ、略「く」の字に形成し、共通電極
２及び画素電極４とで形成される画素領域において、画
素電極４と共通電極２間に、アレイ基板及び対向基板に
対して略平行な電界を発生させたとき、液晶分子６の配
列の変化する方向が異なる領域２０，２１を形成し、そ
れらの領域をほぼ等面積とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ＡＶ機器やＯＡ機
器等の平面ディスプレイとして用いられる液晶表示素
子、特にアクティブマトリックス型液晶表示素子に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】液晶を用いた表示素子は、ビデオカメラ
のビューファインダーやポケットＴＶ、高精細投写型Ｔ
Ｖ、パソコン、ワープロ等の情報表示端末等の種々の分
野で応用されいる。特に、スイッチング素子として薄膜
トランジスタ（ＴＦＴ）を用いたアクティブマトリック
ス型方式のＴＮ（Twisted Nematic）液晶表示装置は、
大容量の表示を行っても高いコントラストが保たれると
いう大きな特徴を有するため、近年市場要望の極めて高
いラップトップパソコン、ノートパソコン、エンジニア
リングワークステーション用の大型・大容量フルカラー
ディスプレイとして期待されている。

【０００３】アクティブマトリックス方式の液晶表示素
子において、液晶表示モードとして、ＴＮ（Twisted N
ematic）方式のＮＷ（Normally White）モードが広く
用いられている。ＴＮ方式とは、２つの透明電極間に狭
持された液晶層の液晶分子が９０゜捻れた構造を有し、
その液晶層及び透明電極を含むパネルを２枚の偏光板で
挟んだものである。ＮＷモードにおいては、２枚の偏光
板の偏光軸方向が互いに直交し、一方の偏光板の偏光軸
は一方の基板に接している液晶分子の長軸方向と平行か
又は垂直になるように配置されている。この場合、電圧
無印加又は所定のしきい値電圧以下の電圧を印加した場
合に白表示となり、所定のしきい値よりも高い電圧を印
加していくと徐々に光透過率が低下し、黒表示となる。
このような表示特性が得られるのは、パネル上の透明電
極間に電圧を印加すると、液晶分子が捻れ構造をほどき
ながら電界の向きに配列しようとし、この分子の配列状
態により、パネルを透過してくる光の偏光状態が変わ
り、光の透過率が変調されるからである。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかし、同じ分子配列
状態でも、液晶パネルに入射する光の入射方向によって
透過光の偏光状態が変化するので、入射方向に対応して
光の透過率が異なる。すなわち、液晶パネルの特性は視
角依存性を持つ。この視角特性は、主視角方向（液晶層
の中間層における液晶分子の長軸方向）に対し視点を斜
めに傾けると、輝度の逆転現象を引き起こす。この表示
モードの場合、ある電圧を印加した時の表示輝度が、そ
れより低い電圧を印加した時の輝度よりも明るくなる現
象をいう。特に、黒表示のために高電圧を印加した時の
輝度逆転現象は、液晶パネルの画質上、重要な課題とな
っている。

【０００５】この課題を解決するために、ＴＮ型液晶表
示方式のように基板垂直方向に電界を印加するのではな
く、例えば、特公昭６３−２１９０７号公報や特開平６
−１６０８７８号公報に示されているように、液晶に印
加する方向を基板に対してほぼ平行な方向とする方式
（横電界方式）が提案されている。従来の横電界方式の
液晶表示素子の薄膜トランジスタ基板の構成を図６に示
す。図６に示すように、複数の走査配線１及び信号配線
３が直交するように形成されている。１つの画素を形成
する隣接する２つの信号配線３の間には、複数、例えば
２つの画素電極４が形成されている。信号配線３と画素
電極４の間及び隣接する画素電極４の間には、複数、例
えば３つの共通電極２が形成されている。蓄積容量部５
は画素電極４の間で、かつ走査電極１の上部に形成され
ている。画素電極４及び共通電極２は信号配線３に平行
である。そのため、画素電極４と共通電極２の間に形成
され、共通電極２の中央の配線部２ａの両側に配置され
た画素領域２０及び２１における液晶分子６の配向方向
は同じである。

【０００６】上記の横電界方式は輝度逆転現象の視野角
特性は優れているものの、図７に示す様に櫛形電極２又
は４に対して斜め方向、４５゜、１３５゜の方向に傾け
て画面を見ると、各々青色、黄色に色付く欠点があり、
画像品質上の課題となっている。

【０００７】本発明は上記従来例の課題を解決するため
になされたものであり、広い視角で良好な多階調表示を
実現しうるとともに、簡易な構成かつ従来と同じ作製工
程により、色付きの発生を防止することができ、高品質
の画像を表示することができる横電界駆動方式のアクテ
ィブマトリックス型液晶表示素子を提供することを目的
としている。

【０００８】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明のアクティブマトリックス型液晶表示素子
は、マトリックス状に配置された複数の信号配線及び走
査配線、前記信号配線と走査配線の各交差点に対応して
設けられた少なくとも一つ以上のスイッチング素子、前
記スイッチング素子に接続された櫛形状の画素電極、前
記画素電極と咬合するように形成された櫛形状の共通電
極を有するアレイ基板と、前記アレイ基板に対向して配
置された対向基板と、前記アレイ基板と前記対向基板に
挟持された液晶層と、前記アレイ基板及び前記対向基板
の外部に配置された二枚の偏光板とを具備し、前記画素
電極と前記共通電極とで形成される画素領域において、
前記画素電極と前記共通電極間に、前記アレイ基板及び
前記対向基板に対して略平行な電界を発生させたとき、
液晶分子の配列の変化する方向が異なる複数の領域を有
する。

【０００９】上記構成において、前記液晶分子の配列の
変化する方向が異なる複数の領域の面積がそれぞれほぼ
等しいことが好ましい。さらに、前記画素電極及び前記
共通電極は互いに略平行で、かつ前記信号配線及び走査
配線のいずれにも平行でない部分を有することが好まし
い。

【００１０】さらに、前記画素電極及び前記共通電極は
略「く」の字状に形成されていることが好ましい。

【００１１】または、上記構成において、前記信号配線
及び前記走査配線のいずれか一方が前記画素電極及び前
記共通電極と略平行で、かつ略平行でない他方に対して
傾斜した部分を有することが好ましい。

【００１２】さらに、前記信号配線及び前記走査配線の
いずれか一方、前記画素電極及び前記共通電極は、それ
ぞれ略「く」の字状に形成されていることが好ましい。

【００１３】また、上記構成において、前記液晶分子の
誘電率異方性が正であり、前記液晶分子の配向方向が前
記画素電極と前記共通電極の長手方向に対して成す角度
θが、０゜＜θ≦３０゜を満たすことが好ましい。

【００１４】または、前記液晶分子の誘電率異方性が負
であり、前記液晶分子の配向方向が前記画素電極と前記
共通電極の長手方向に対して成す角度θが、６０゜≦θ
＜９０゜を満たすことが好ましい。

【００１５】

【発明の実施の形態】上記のように、本発明のアクティ
ブマトリックス型液晶表示装置は、薄膜トランジスタア
レイ基板（以下、アレイ基板と略称する）と、アレイ基
板に対向する対向基板と、アレイ基板と対向基板の間に
設けられた液晶層と、アレイ基板と対向基板の外側に設
けられた２つの偏光板を具備する。アレイ基板上には、
複数の平行な信号配線と、複数の平行な走査配線が画素
マトリックスを形成するように配列されている。１つの
画素に関して、少なくとも１つのスイッチング素子が信
号配線と走査配線の交差点部分に形成されている。１つ
の画素を規定する隣接する２つの信号配線又は隣接する
２つの走査配線の間には、スイッチング素子に接続され
た複数の画素電極と複数の共通電極が、相互に平行に形
成されている。

【００１６】２つの隣接する信号配線及び２つの隣接す
る走査配線により規定される１つの画素は、複数の表示
領域に分割される。１つの表示領域は隣接する共通電極
と画素電極により規定される。アレイ基板及び対向基板
にほぼ平行な電界を印加すると、液晶分子の配向は電界
の方向に揃うように移動する。本発明の場合、１組の
（第１の）表示領域における液晶分子の配向が、他の１
組の（第２の）表示領域における液晶分子の配向方向と
異なる。

【００１７】各表示領域は、視野角に依存して画像が色
づくという表示特性を有する。しかしながら、１つの画
素は表示特性の異なった複数の表示領域を有する。例え
ば、図５に示すように、黄色に色づく方向と青色に色づ
く方向とが相互に重なりあうと、黄色の色づきは青色の
色づきにより補償される。その結果、視野角に依存した
色づきの無い画像が得られる。特に、第１の表示領域と
第２の表示領域の面積を等しくすることにより、画像の
色づきをほぼ完全に補償することができる。

【００１８】電界を発生させるための電圧は共通電極と
画素電極との間に印加される。液晶分子の配向方向は、
印加された電界の方向に揃うように動く。画素電極及び
共通電極を、信号配線及び走査配線とは平行でない傾斜
した部分を有するように形成することにより、傾斜した
部分に発生する電界の方向は、その傾斜部分の傾斜に従
う。画素電極と共通電極の形状を適宜選択することによ
り、画素電極と共通電極の間に形成される表示領域にお
ける液晶分子の配向方向を任意に制御することができ
る。より好ましくは、画素電極と共通電極を略「く」の
字状又はヘリングボーン（Herringbone：魚の背骨の意
味）形状に形成する。このような構成により、各電極の
傾斜は略「く」の字状又はヘリングボーン形状の屈曲点
に対して略対象となる。上記第１の表示領域を屈曲点の
一方の側に配置されたものと規定し、第２の表示領域を
他方の側に配置されたものと規定すると、視野角に依存
する画像の色づきをほぼ完全に補償することができる。

【００１９】または、信号配線及び走査配線のいずれか
一方を、画素電極及び共通電極とほぼ平行に形成し、こ
れらの配線及び電極を、画素電極及び共通電極と平行で
ない他方の配線に対して傾斜した部分を有するように構
成してもよい。このような構成によっても上記の場合と
同様の効果を得ることができる。さらに、隣接する信号
配線又は走査配線と共通電極との間の非表示領域の面積
を小さくすることができる。さらに、上記信号配線及び
走査配線のいずれか一方、共通電極及び画素電極を略
「く」の字状又はヘリングボーン形状に形成することが
好ましい。

【００２０】使用する液晶分子の誘電率異方性が正の場
合、液晶分子の配向方向が画素電極及び共通電極の長手
方向に対して成す角度をθとして、０゜＜θ≦３０゜の
条件を満たすことにより、液晶分子の配向方向と偏光板
の偏光軸のずれを小さくすることができる。その結果、
変調効率を８０％以上にすることができる。または、液
晶分子の誘電率異方性が負の場合、液晶分子の配向方向
が画素電極及び共通電極の長手方向に対して成す角度θ
が、６０゜≦θ＜９０゜を満たすことによっても同様の
効果が得られる。

【００２１】（第１の実施形態）以下、本発明のアクテ
ィブマトリックス型液晶表示素子の好適な第１の実施形
態について、図面を参照しつつ説明する。図１は本発明
の液晶表示素子の各実施形態に共通する構成を示す斜視
図であり、図２は本発明の第１の実施形態の液晶表示素
子における薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）アレイ基板のＴ
ＦＴ画素部の平面構成を概略的に示したものである。ま
た、図５は液晶表示素子の視角依存の色付きの防止する
原理を示す図である。

【００２２】図１に示すように、本発明のアクティブマ
トリックス型液晶表示素子は、アレイ基板１０と、アレ
イ基板１０に対向して配置された対向基板１１と、アレ
イ基板１０と対向基板１１に挟持された液晶層１２と、
アレイ基板１０及び対向基板１１の外部に配置された二
枚の偏光板１３及び１４とを具備する。偏光板１３及び
１４は、それぞれの偏光軸Ｘ及びＹが互いに直交するよ
うに配置されている。

【００２３】図２に示すアレイ基板１０は、マトリック
ス状に配置された複数の平行名信号配線３及び複数の平
行名走査配線１と、１つの画素について信号配線３と走
査配線１の各交差点に対応して設けられた少なくとも一
つのスイッチング素子７と、スイッチング素子に接続さ
れた櫛形状の画素電極４と、画素電極４と咬合するよう
に形成された櫛形状の共通電極２とを有する。

【００２４】図２に示すように、複数の走査配線１は、
例えばクロムを用いて、フォトリソグラフィ法によって
アレイ基板１０上に、それぞれ所定の間隔を隔てて、略
平行にパターン形成されている。隣接する２つの走査配
線１の間には、略平行で、かつ、略「く」の字状又はヘ
リングボーン形状を有する共通電極２がパターン形成さ
れている。共通電極２の幅は４μｍであり、材料はクロ
ムのほか、アルミニウム、アルミニウムを主成分とする
金属等の導電性単層膜又は多層膜を用いても良い。

【００２５】走査配線１及び共通電極２の上には、スイ
ッチング素子７として機能するＴＦＴのゲート絶縁膜と
して働く、例えば窒化シリコン（ＳｉＮｘ）等の第１絶
縁体層が積層されている（図示せず）。さらに、第１絶
縁体層上にはＴＦＴのスイッチ機能を司る、例えばアモ
ルファスシリコン（α−Ｓｉ）等の半導体層がプラズマ
ＣＶＤ法によりを積層されている（図示せず）。半導体
上には、複数の信号配線３が走査配線１に対して略直交
するように、かつ、それぞれ略平行にパターン形成され
ている。信号配線３は、半導体層の上にスパッタリング
法によりチタン／アルミニウム（Ｔｉ／Ａｌ）の二層を
堆積させ、その後ドライエッチングによりパターン形成
される。

【００２６】相互に隣接する２つの共通電極２の間に
は、共通電極２と略平行となるように、複数の画素電極
４が略「く」の字状又はヘリングボーン形状に形成され
ている。画素電極４の幅は４μｍであり、材料はチタン
／アルミニウム（Ｔｉ／Ａｌ）のほか、導電性金属の単
層膜又は多層膜を用いても良い。第１絶縁膜層と半導体
層を挟んで走査配線１上には、２つの画素電極４を接続
するように、蓄積容量部５がオーバーラップして形成さ
れている。蓄積容量部５は、画素に供給された電圧を保
持するために設けられている。なお、共通電極２と画素
電極４との間隔を１２μｍとした。

【００２７】以上のように構成された薄膜トランジスタ
アレイ基板１０及び対向基板１１には配向膜が塗布さ
れ、図２において矢印Ａで示す方向にラビング処理が行
われている。薄膜トランジスタアレイ基板と対向基板と
は３μｍのギャップ隔てて貼り合わされており、その間
には、誘電率異方性が正の液晶が注入され、液晶層１２
を形成している。さらに、薄膜トランジスタアレイ基板
１０及び対向基板１１の外側には２枚の偏光板１３及び
１４が、それぞれの偏光軸Ｘ及びＹが直交するように配
置されている。

【００２８】図２に示すように、共通電極２及び画素電
極４は、それぞれ中央部（屈曲点）で信号配線３に平行
な方向に対して約５゜略「く」の字状に曲がるように形
成されている。そのため、共通電極２と画素電極４間に
電圧を印加すると、共通電極２及び画素電極４の長手方
向に対して略直交する方向に電界が発生する。共通電極
２の中央配線部２ａの両側にそれぞれ位置する第１及び
第２の表示領域２０及び２１における液晶分子６ａ及び
６ｂは、それらの配向方向がそれぞれ電界の方向に揃う
ように動く。第１の表示領域２０における液晶分子６ａ
の配向方向と、第２の表示領域２１における液晶分子６
ｂの配向方向とは互いに逆である。さらに、第１の表示
領域２０の面積と第２の表示領域２１の面積はほぼ等し
い。そのため、図５に示すように、黄色の変色方向と青
色の変色方向が重なり、視角に対する色変化を互いに補
償し合い、色変わりの無い画像を得ることができる。

【００２９】次に、共通電極２及び画素電極４の略
「く」の字の曲がり角度、すなわち両電極に対する液晶
分子６の配向角度（θ）を変化させた場合を説明する。
この角度を大きくすると、しきい値が小さくなる反面、
偏光板の偏光軸と液晶分子６の方向に角度のズレが生
じ、変調効率が低下する。θ＝３０゜を越えると急激に
変調効率が低下する。θ＝３０゜以内であれば変調効率
８０％以上で実用レベルである。しかしθ＝０゜の場合
電圧が印加された時の液晶分子６の回転方向が定まらな
いので、配向角度（θ）は、０゜＜θ≦３０゜が好まし
い。また誘電異方性が負の液晶を使用したところ、６０
゜≦θ＜９０゜の範囲で同様の結果が得られた。この液
晶表示素子の点灯画像検査を行ったところ、広い視角特
性を有し、かつ、色付きが無く、優れた画像の液晶表示
素子が得られることが確認された。

【００３０】（第２の実施形態）次に、本発明のアクテ
ィブマトリックス型液晶表示素子の好適な第２の実施形
態について、図３を参照しつつ説明する。図３は、本発
明の第２の実施形態の液晶表示素子における薄膜トラン
ジスタ（ＴＦＴ）アレイ基板のＴＦＴ画素部の平面構成
を概略的に示したものである。なお、上記第１の実施形
態の場合と共通する部分についてはその説明を省略し、
異なる部分について述べる。

【００３１】第２の実施形態では、信号配線３が共通電
極２及び画素電極４と平行で、かつ、略「く」の字状又
はヘリングボーン形状に形成されている。この構成によ
り、第１の実施形態の場合と比較して、信号配線３と共
通電極２の間の非表示領域２２を大幅に減少させること
ができ、開口率（１画素に占める表示領域の面積比）を
向上させることができる。この液晶表示素子の点灯画像
検査を行ったところ、広い視角特性を有し、かつ、色付
きが無く、明るく優れた画像の液晶表示素子が得られる
ことが確認された。

【００３２】（第３の実施形態）次に、本発明のアクテ
ィブマトリックス型液晶表示素子の好適な第３の実施形
態について、図４を参照しつつ説明する。図４は、本発
明の第２の実施形態の液晶表示素子における薄膜トラン
ジスタ（ＴＦＴ）アレイ基板のＴＦＴ画素部の平面構成
を概略的に示したものである。なお、上記第１又は第２
の実施形態の場合と共通する部分についてはその説明を
省略し、異なる部分について述べる。

【００３３】第３の実施形態では、液晶分子の配列の変
化する方向が異なる領域が、複数設けられている。すな
わち、図４に示すように、共通電極２と画素電極４とを
２回略「く」の字状に形成することにより、第１の実施
形態の場合と比較して、信号配線３と共通電極２の間の
非表示領域２２を大幅に減少させることができ、開口率
（１画素に占める表示領域の面積比）を向上させること
ができる。この液晶表示素子の点灯画像検査を行ったと
ころ、広い視角特性を有し、かつ、色付きが無く、明る
く優れた画像の液晶表示素子が得られることが確認され
た。

【００３４】

【発明の効果】以上説明したように、本発明のアクティ
ブマトリックス型液晶表示素子によれば、マトリックス
状に配置された複数の信号配線及び走査配線、信号配線
と走査配線の各交差点に対応して設けられた少なくとも
一つ以上のスイッチング素子、スイッチング素子に接続
された櫛形状の画素電極、画素電極と咬合するように形
成された櫛形状の共通電極を有するアレイ基板と、アレ
イ基板に対向して配置された対向基板と、アレイ基板と
対向基板に挟持された液晶層と、アレイ基板及び対向基
板の外部に配置された二枚の偏光板とを具備し、画素電
極と共通電極間に、アレイ基板及び対向基板に対して略
平行な電界を発生させたとき、液晶分子の配列の変化す
る方向が異なる複数の領域を有するので、図５に示すよ
うに黄色の変色方向と青色の変色方向が重なり、視角に
対する色変化を互いに補償し合い、色変わりの少ない画
像を得ることができる。視角に対する色変化を互いに補
償し合い、色変わりの少ない画像を得ることができる。

【００３５】特に、液晶分子の配列の変化する方向が異
なる領域の面積をほぼ等しくすることにより、視角に対
する色変化を互いに完全に補償し合い、色変わりの無い
画像を得ることができる。さらに、画素電極及び共通電
極を互いに略平行で、かつ信号配線及び走査配線のいず
れにも平行でない部分を有するように構成することによ
り、画素電極と共通電極の間に電圧を印加したとき、信
号配線及び走査配線のいずれにも平行でない部分で、液
晶分子が回転する。それにより、上記視角に対する色変
化を補償することができる。さらに、画素電極及び共通
電極は略「く」の字状に形成することにより、略「く」
の字の変曲点を境としてその上下で傾斜方向が反対にな
るため、視角に対する色変化をほぼ完全に補償すること
ができる。

【００３６】または、信号配線及び走査配線のいずれか
一方を画素電極及び共通電極と略平行とし、略平行でな
い他方に対して傾斜した部分を有するように構成して
も、同様の視角に対する色変化を補償することができ
る。この場合も、信号配線及び走査配線のいずれか一
方、画素電極及び共通電極を、それぞれ略「く」の字状
に形成することが好ましい。

【００３７】また、液晶分子の誘電率異方性が正であ
り、液晶分子の配向方向が画素電極と共通電極の長手方
向に対して成す角度θが、０゜＜θ≦３０゜を満たすこ
とにより、偏光板の偏光軸と液晶分子の方向の角度ずれ
を小さくすることができ、変調効率８０％以上を達成す
ることができる。または、液晶分子の誘電率異方性が負
であり、液晶分子の配向方向が画素電極と共通電極の長
手方向に対して成す角度θが、６０゜≦θ＜９０゜を満
たすことによっても、同様の効果を得ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の液晶表示素子の各実施形態に共通する
構成を示す斜視図

【図２】本発明の第１の実施形態の液晶表示素子におけ
る薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）アレイ基板のＴＦＴ画素
部の平面構成を概略的に示す平面図

【図３】本発明の第２の実施形態の液晶表示素子におけ
る薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）アレイ基板のＴＦＴ画素
部の平面構成を概略的に示す平面図

【図４】本発明の第３の実施形態の液晶表示素子におけ
る薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）アレイ基板のＴＦＴ画素
部の平面構成を概略的に示す平面図

【図５】液晶表示素子の視角依存の色付きの防止する原
理を示す図

【図６】従来の液晶表示素子における薄膜トランジスタ
（ＴＦＴ）アレイ基板のＴＦＴ画素部の平面構成を概略
的に示す平面図

【図７】従来の液晶表示素子の色付き方向を示す液晶表
示素子の平面図

【符号の説明】

１：走査配線２：共通電極３：信号配線４：画素電極５：蓄積容量部６：液晶分子７：スイッチング素子１０：アレイ基板１１：対向基板１２：液晶層１３：偏光板１４：偏光板２０：液晶分子の配列の変化する方向が異なる領域２１：液晶分子の配列の変化する方向が異なる領域２２：非表示領域

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】マトリックス状に配置された複数の信号
配線及び走査配線、前記信号配線と走査配線の各交差点
に対応して設けられた少なくとも一つ以上のスイッチン
グ素子、前記スイッチング素子に接続された櫛形状の画
素電極、前記画素電極と咬合するように形成された櫛形
状の共通電極を有するアレイ基板と、前記アレイ基板に
対向して配置された対向基板と、前記アレイ基板と前記
対向基板に挟持された液晶層と、前記アレイ基板及び前
記対向基板の外部に配置された二枚の偏光板とを具備
し、前記画素電極と前記共通電極とで形成される画素領域に
おいて、前記画素電極と前記共通電極間に、前記アレイ
基板及び前記対向基板に対して略平行な電界を発生させ
たとき、液晶分子の配列の変化する方向が異なる複数の
領域を有するアクティブマトリックス型液晶表示素子。
【請求項２】前記液晶分子の配列の変化する方向が異
なる複数の領域の面積がそれぞれほぼ等しいことを特徴
とする請求項１記載のアクティブマトリックス型液晶表
示素子。
【請求項３】前記画素電極及び前記共通電極は互いに
略平行で、かつ前記信号配線及び走査配線のいずれにも
平行でない部分を有することを特徴とする請求項１又は
２記載のアクティブマトリックス型液晶表示素子。
【請求項４】前記画素電極及び前記共通電極は略
「く」の字状に形成されていることを特徴とする請求項
３のアクティブマトリックス型液晶表示素子。
【請求項５】前記信号配線及び前記走査配線のいずれ
か一方が前記画素電極及び前記共通電極と略平行で、か
つ略平行でない他方に対して傾斜した部分を有すること
を特徴とする請求項１又は２記載のアクティブマトリッ
クス型液晶表示素子。
【請求項６】前記信号配線及び前記走査配線のいずれ
か一方、前記画素電極及び前記共通電極は、それぞれ略
「く」の字状に形成されていることを特徴とする請求項
５のアクティブマトリックス型液晶表示素子。
【請求項７】前記液晶分子の誘電率異方性が正であ
り、前記液晶分子の配向方向が前記画素電極と前記共通
電極の長手方向に対して成す角度θが、【数１】０゜＜θ≦３０゜を満たすことを特徴とする請求項１から６のいずれかに
記載のアクティブマトリックス型液晶表示素子。
【請求項８】前記液晶分子の誘電率異方性が負であ
り、前記液晶分子の配向方向が前記画素電極と前記共通
電極の長手方向に対して成す角度θが、【数２】６０゜≦θ＜９０゜を満たすことを特徴とする請求項１から６のいずれかに
記載のアクティブマトリックス型液晶表示素子。