JPH10301141A - 液晶表示素子及びその製造方法 - Google Patents
液晶表示素子及びその製造方法Info
- Publication number
- JPH10301141A JPH10301141A JP10797997A JP10797997A JPH10301141A JP H10301141 A JPH10301141 A JP H10301141A JP 10797997 A JP10797997 A JP 10797997A JP 10797997 A JP10797997 A JP 10797997A JP H10301141 A JPH10301141 A JP H10301141A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode wiring
- liquid crystal
- common electrode
- pixel electrode
- wiring
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1343—Electrodes
- G02F1/134309—Electrodes characterised by their geometrical arrangement
- G02F1/134363—Electrodes characterised by their geometrical arrangement for applying an electric field parallel to the substrate, i.e. in-plane switching [IPS]
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Geometry (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 横電界駆動方式による表示画像について、視
野を広角化するとともに良好な多階調表示を得ることが
でき、その表示品質を向上することができる液晶表示素
子及びその製造方法を提供する。 【解決手段】 互いに咬合する画素電極配線１０４と第
１および第２の共通電極配線１０３，１０６とを、それ
らの上に付加的な絶縁層を形成することなく配向膜層と
直接接触させることによって、従来の横電界駆動方式に
よる構成によって発生していた液晶層への電界強度の低
下を抑える。
野を広角化するとともに良好な多階調表示を得ることが
でき、その表示品質を向上することができる液晶表示素
子及びその製造方法を提供する。 【解決手段】 互いに咬合する画素電極配線１０４と第
１および第２の共通電極配線１０３，１０６とを、それ
らの上に付加的な絶縁層を形成することなく配向膜層と
直接接触させることによって、従来の横電界駆動方式に
よる構成によって発生していた液晶層への電界強度の低
下を抑える。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＡＶ機器の映像表
示やＯＡ機器の情報表示などを行うためのディスプレイ
に使用される液晶表示素子及びその製造方法に関するも
のである。
示やＯＡ機器の情報表示などを行うためのディスプレイ
に使用される液晶表示素子及びその製造方法に関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術】現在、液晶を用いて画像を表示する液晶
表示素子は、ビデオカメラのビューファインダーやポケ
ットＴＶさらには高精細投写型ＴＶなどの音響映像（Ａ
Ｖ）機器の映像表示や、パソコン，ワープロなどのＯＡ
機器の情報表示などを行うためのディスプレイに広く使
用されてきており、その開発および商品化が活発に行わ
れている。
表示素子は、ビデオカメラのビューファインダーやポケ
ットＴＶさらには高精細投写型ＴＶなどの音響映像（Ａ
Ｖ）機器の映像表示や、パソコン，ワープロなどのＯＡ
機器の情報表示などを行うためのディスプレイに広く使
用されてきており、その開発および商品化が活発に行わ
れている。
【０００３】特に、スイッチング素子として薄膜トラン
ジスタ（ＴＦＴ）を用いたアクティブマトリックス型液
晶表示素子は、大容量の表示を行っても高いコントラス
トが保たれるという大きな特徴をもち、特に近年市場要
望の極めて高いラップトップパソコンやノートパソコン
用のフルカラーディスプレイ、さらにはエンジニアリン
グワークステーション用の大型，大容量フルカラーディ
スプレイにおける液晶表示素子の本命として、その開発
および商品化が盛んである。
ジスタ（ＴＦＴ）を用いたアクティブマトリックス型液
晶表示素子は、大容量の表示を行っても高いコントラス
トが保たれるという大きな特徴をもち、特に近年市場要
望の極めて高いラップトップパソコンやノートパソコン
用のフルカラーディスプレイ、さらにはエンジニアリン
グワークステーション用の大型，大容量フルカラーディ
スプレイにおける液晶表示素子の本命として、その開発
および商品化が盛んである。
【０００４】このようなアクティブマトリックス型液晶
表示素子において、広く用いられている液晶表示モード
として、ＴＮ（Twisted Nematic ）方式がある。このＴ
Ｎ方式では、電極を有する基板間に狭持された液晶層の
液晶分子が電極基板間で９０゜捻れた構造をもつ液晶パ
ネルを、２枚の偏光板により挟むようにしている。この
ＴＮ方式液晶表示素子は、２枚の偏光板が、互いの偏光
軸方向が直交するとともに、それらの一方の偏光板の偏
光軸が一方の基板に接している液晶分子の長軸方向と平
行か垂直になるように配置されている。
表示素子において、広く用いられている液晶表示モード
として、ＴＮ（Twisted Nematic ）方式がある。このＴ
Ｎ方式では、電極を有する基板間に狭持された液晶層の
液晶分子が電極基板間で９０゜捻れた構造をもつ液晶パ
ネルを、２枚の偏光板により挟むようにしている。この
ＴＮ方式液晶表示素子は、２枚の偏光板が、互いの偏光
軸方向が直交するとともに、それらの一方の偏光板の偏
光軸が一方の基板に接している液晶分子の長軸方向と平
行か垂直になるように配置されている。
【０００５】電圧無印加の場合は白表示であるが、２枚
の基板間すなわち液晶パネルに対して垂直方向に電圧を
印加していくと、徐々に光透過率が低下して黒表示とな
る。このような表示特性が得られるのは、液晶パネルに
電圧を印加すると、２枚の基板間の液晶分子が捻れ構造
をほどきながら電界の向きに配列しようとし、このため
に分子の配列状態が変化して偏光状態が変わり、光の透
過率が変調されるからである。
の基板間すなわち液晶パネルに対して垂直方向に電圧を
印加していくと、徐々に光透過率が低下して黒表示とな
る。このような表示特性が得られるのは、液晶パネルに
電圧を印加すると、２枚の基板間の液晶分子が捻れ構造
をほどきながら電界の向きに配列しようとし、このため
に分子の配列状態が変化して偏光状態が変わり、光の透
過率が変調されるからである。
【０００６】しかし、同じ分子配列状態でも、液晶パネ
ルに入射してくる光の入射方向によって透過光の偏光状
態が変化するので、入射方向に対応して光の透過率が異
なってくる。すなわち液晶パネルの表示特性は視角依存
性を持つことになる。この液晶パネルの視角依存特性
は、主視角方向（液晶層の中間層における液晶分子の長
軸方向）に対し視点を斜めに傾けると輝度の逆転現象を
引き起こし、液晶パネルの画質上、重要な問題点となっ
ている。
ルに入射してくる光の入射方向によって透過光の偏光状
態が変化するので、入射方向に対応して光の透過率が異
なってくる。すなわち液晶パネルの表示特性は視角依存
性を持つことになる。この液晶パネルの視角依存特性
は、主視角方向（液晶層の中間層における液晶分子の長
軸方向）に対し視点を斜めに傾けると輝度の逆転現象を
引き起こし、液晶パネルの画質上、重要な問題点となっ
ている。
【０００７】この問題点を解決するために、従来より各
種の方式が提案され開発されてきている。中でも近年特
に注目されている方式として、ＴＮ方式のようにガラス
基板に対して垂直方向の電界を印加するのではなく、液
晶に印加する電界の方向をガラス基板に対してほぼ平行
な方向とし、液晶分子の配列の方向をガラス基板に対し
て平行な平面上で制御するＩＰＳ（In-Plane Switchin
g）方式があり、例えば特公昭６３−２１９０７号公報
や特開平６−１６０８７８号公報により提案されてい
る。
種の方式が提案され開発されてきている。中でも近年特
に注目されている方式として、ＴＮ方式のようにガラス
基板に対して垂直方向の電界を印加するのではなく、液
晶に印加する電界の方向をガラス基板に対してほぼ平行
な方向とし、液晶分子の配列の方向をガラス基板に対し
て平行な平面上で制御するＩＰＳ（In-Plane Switchin
g）方式があり、例えば特公昭６３−２１９０７号公報
や特開平６−１６０８７８号公報により提案されてい
る。
【０００８】図６は一般的なＩＰＳ方式の液晶表示素子
の基本的な構成を示す斜視図である。図６において、１
は第１のガラス基板、２は走査電極、３は走査電極２の
形成と同時に走査電極２と同一層に形成された共通電
極、４は絶縁層でありＳｉＮｘまたはＳｉＮｘを含む積
層構造が一般的によく用いられている。５は信号電極、
６は信号電極５と同時に形成された画素電極、７はスイ
ッチング素子部であり、半導体層としてａ−Ｓｉが主に
用いられている。８は液晶層、９は対向する第２のガラ
ス基板を示している。
の基本的な構成を示す斜視図である。図６において、１
は第１のガラス基板、２は走査電極、３は走査電極２の
形成と同時に走査電極２と同一層に形成された共通電
極、４は絶縁層でありＳｉＮｘまたはＳｉＮｘを含む積
層構造が一般的によく用いられている。５は信号電極、
６は信号電極５と同時に形成された画素電極、７はスイ
ッチング素子部であり、半導体層としてａ−Ｓｉが主に
用いられている。８は液晶層、９は対向する第２のガラ
ス基板を示している。
【０００９】本ＩＰＳ方式では、液晶層８の液晶分子
は、共通電極３に印可される共通電極電圧と、スイッチ
ング素子部７を介して信号電極５から画素電極６に供給
された画素電圧との間で、第１のガラス基板１にほぼ平
行に発生する電界によって制御される。
は、共通電極３に印可される共通電極電圧と、スイッチ
ング素子部７を介して信号電極５から画素電極６に供給
された画素電圧との間で、第１のガラス基板１にほぼ平
行に発生する電界によって制御される。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記のよ
うなＩＰＳ方式による従来の液晶表示素子では、以下の
ような問題点がある。
うなＩＰＳ方式による従来の液晶表示素子では、以下の
ような問題点がある。
【００１１】第１は、共通電極３上に絶縁層４が存在す
ることにより液晶層８に対する電界強度の低下が発生
し、これにより液晶層８を充分に駆動するための駆動電
圧をアップする必要があるという問題点である。
ることにより液晶層８に対する電界強度の低下が発生
し、これにより液晶層８を充分に駆動するための駆動電
圧をアップする必要があるという問題点である。
【００１２】第２は、液晶層８に対する絶縁層４の画素
電極６側と共通電極３側とにおける構成の非対称性によ
って分極性に差が生じ、焼き付け現象が発生しやすいと
いう問題点である。この焼き付け現象とは、液晶パネル
に固定パターンを一定時間表示し続けると、表示パター
ンを変更した後も前の表示パターンが一定時間残るとい
う液晶パネル特有の現象である。
電極６側と共通電極３側とにおける構成の非対称性によ
って分極性に差が生じ、焼き付け現象が発生しやすいと
いう問題点である。この焼き付け現象とは、液晶パネル
に固定パターンを一定時間表示し続けると、表示パター
ンを変更した後も前の表示パターンが一定時間残るとい
う液晶パネル特有の現象である。
【００１３】本発明は、上記従来の問題点を解決するも
ので、横電界駆動方式による表示画像について、視野を
広角化するとともに良好な多階調表示を得ることがで
き、その表示品質を向上することができる液晶表示素子
及びその製造方法を提供する。
ので、横電界駆動方式による表示画像について、視野を
広角化するとともに良好な多階調表示を得ることがで
き、その表示品質を向上することができる液晶表示素子
及びその製造方法を提供する。
【００１４】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明の液晶表示素子及びその製造方法は、従来、
横電界表示方式を用いた際の表示画像における広視野角
特性を得るために必要であった駆動電圧のアップと、そ
のため発生し易くなっていた焼き付け現象とを抑えるこ
とを特徴とする。
に、本発明の液晶表示素子及びその製造方法は、従来、
横電界表示方式を用いた際の表示画像における広視野角
特性を得るために必要であった駆動電圧のアップと、そ
のため発生し易くなっていた焼き付け現象とを抑えるこ
とを特徴とする。
【００１５】以上により、横電界駆動方式による表示画
像について、視野を広角化するとともに良好な多階調表
示を得ることができ、その表示品質を向上することがで
きる。
像について、視野を広角化するとともに良好な多階調表
示を得ることができ、その表示品質を向上することがで
きる。
【００１６】
【発明の実施の形態】本発明の請求項１に記載の液晶表
示素子は、第１のガラス基板の主平面上に、マトリック
ス状に配置された複数の走査電極配線および信号電極配
線と、前記走査電極配線および信号電極配線の各交差点
に対応して配置された櫛型状の画素電極配線と、前記走
査電極配線および信号電極配線および画素電極配線の間
を電気的に接続するスイッチング素子と、前記画素電極
配線に咬合して配置された共通電極配線と、液晶分子の
配列方向を制御する配向膜層とを形成し、表面に配向膜
層が形成された第２のガラス基板と前記第１のガラス基
板とで液晶層を挟持し、前記走査電極配線および信号電
極配線への駆動信号により前記スイッチング素子を駆動
制御して、前記画素電極配線と共通電極配線との間に前
記第１のガラス基板の主平面とほぼ平行な電界を発生さ
せることによって、前記液晶層による光学特性を制御す
る液晶表示素子であって、前記画素電極配線と共通電極
配線とを、前記配向膜層に接触するように配設した構成
とする。
示素子は、第１のガラス基板の主平面上に、マトリック
ス状に配置された複数の走査電極配線および信号電極配
線と、前記走査電極配線および信号電極配線の各交差点
に対応して配置された櫛型状の画素電極配線と、前記走
査電極配線および信号電極配線および画素電極配線の間
を電気的に接続するスイッチング素子と、前記画素電極
配線に咬合して配置された共通電極配線と、液晶分子の
配列方向を制御する配向膜層とを形成し、表面に配向膜
層が形成された第２のガラス基板と前記第１のガラス基
板とで液晶層を挟持し、前記走査電極配線および信号電
極配線への駆動信号により前記スイッチング素子を駆動
制御して、前記画素電極配線と共通電極配線との間に前
記第１のガラス基板の主平面とほぼ平行な電界を発生さ
せることによって、前記液晶層による光学特性を制御す
る液晶表示素子であって、前記画素電極配線と共通電極
配線とを、前記配向膜層に接触するように配設した構成
とする。
【００１７】請求項２に記載の液晶表示素子は、第１の
ガラス基板の主平面上に、マトリックス状に配置された
複数の走査電極配線および信号電極配線と、前記走査電
極配線および信号電極配線の各交差点に対応して配置さ
れた櫛型状の画素電極配線と、前記走査電極配線および
信号電極配線および画素電極配線の間を電気的に接続す
るスイッチング素子と、前記画素電極配線に咬合して配
置された共通電極配線と、液晶分子の配列方向を制御す
る配向膜層とを形成し、表面に配向膜層が形成された第
２のガラス基板と前記第１のガラス基板とで液晶層を挟
持し、前記走査電極配線および信号電極配線への駆動信
号により前記スイッチング素子を駆動制御して、前記画
素電極配線と共通電極配線との間に前記第１のガラス基
板の主平面とほぼ平行な電界を発生させることによっ
て、前記液晶層による光学特性を制御する液晶表示素子
であって、前記画素電極配線と共通電極配線とを、同一
平面状に配置した構成とする。
ガラス基板の主平面上に、マトリックス状に配置された
複数の走査電極配線および信号電極配線と、前記走査電
極配線および信号電極配線の各交差点に対応して配置さ
れた櫛型状の画素電極配線と、前記走査電極配線および
信号電極配線および画素電極配線の間を電気的に接続す
るスイッチング素子と、前記画素電極配線に咬合して配
置された共通電極配線と、液晶分子の配列方向を制御す
る配向膜層とを形成し、表面に配向膜層が形成された第
２のガラス基板と前記第１のガラス基板とで液晶層を挟
持し、前記走査電極配線および信号電極配線への駆動信
号により前記スイッチング素子を駆動制御して、前記画
素電極配線と共通電極配線との間に前記第１のガラス基
板の主平面とほぼ平行な電界を発生させることによっ
て、前記液晶層による光学特性を制御する液晶表示素子
であって、前記画素電極配線と共通電極配線とを、同一
平面状に配置した構成とする。
【００１８】請求項３に記載の液晶表示素子は、請求項
２に記載の共通電極配線を、走査電極配線の形成の際に
同時に形成された第１の共通電極配線と、信号電極配線
および画素電極配線の形成の際に前記画素電極配線間に
櫛状に形成された第２の共通電極配線とからなり、前記
第１の共通電極配線と第２の共通電極配線とが電気的に
短絡した状態になるように構成とする。
２に記載の共通電極配線を、走査電極配線の形成の際に
同時に形成された第１の共通電極配線と、信号電極配線
および画素電極配線の形成の際に前記画素電極配線間に
櫛状に形成された第２の共通電極配線とからなり、前記
第１の共通電極配線と第２の共通電極配線とが電気的に
短絡した状態になるように構成とする。
【００１９】請求項４に記載の液晶表示素子の製造方法
は、請求項３に記載の液晶表示素子における共通電極配
線の形成を、走査電極配線の形成工程時に同時に第１の
共通電極配線を形成する工程と、信号電極配線および画
素電極配線の形成工程時に、前記画素電極配線間に第２
の共通電極配線を櫛状に形成する工程と、前記第１の共
通電極配線と第２の共通電極配線とを電気的に短絡する
ためのコンタクト穴を形成する工程とより行う方法とす
る。
は、請求項３に記載の液晶表示素子における共通電極配
線の形成を、走査電極配線の形成工程時に同時に第１の
共通電極配線を形成する工程と、信号電極配線および画
素電極配線の形成工程時に、前記画素電極配線間に第２
の共通電極配線を櫛状に形成する工程と、前記第１の共
通電極配線と第２の共通電極配線とを電気的に短絡する
ためのコンタクト穴を形成する工程とより行う方法とす
る。
【００２０】請求項５に記載の液晶表示素子は、請求項
２に記載の画素電極配線および共通電極配線を、第１の
ガラス基板の主平面上に形成された走査電極配線と信号
電極配線とスイッチング素子とを被覆するように形成さ
れた絶縁層上に形成した構成とする。
２に記載の画素電極配線および共通電極配線を、第１の
ガラス基板の主平面上に形成された走査電極配線と信号
電極配線とスイッチング素子とを被覆するように形成さ
れた絶縁層上に形成した構成とする。
【００２１】これらの構成または方法によると、従来、
横電界表示方式を用いた際の表示画像における広視野角
特性を得るために必要であった駆動電圧のアップと、そ
のため発生し易くなっていた焼き付け現象とを抑える。
横電界表示方式を用いた際の表示画像における広視野角
特性を得るために必要であった駆動電圧のアップと、そ
のため発生し易くなっていた焼き付け現象とを抑える。
【００２２】以下、本発明の実施の形態を示す液晶表示
素子及びその製造方法について、図面を参照しながら具
体的に説明する。 （実施の形態１）図１および図２は本実施の形態１の液
晶表示素子における薄膜トランジスタアレイ基板の構成
を示す概略平面図およびその概略断面図である。図１お
よび図２において、１０１，１０３はそれぞれ走査電極
配線，第１の共通電極配線を示しており、本実施の形態
では、走査電極配線１０１および第１の共通電極配線１
０３は、それぞれ同一平面状に、アルミニウムを主成分
とする金属薄膜を成膜し、図に示す形状をフォトリソグ
ラフィー法によって形成した。これら走査電極配線１０
１および第１の共通電極配線１０３として使用する金属
材料は、特にアルミニウム系金属に限定する必要はな
く、また単層膜および多層膜のどちらを用いても良い。
素子及びその製造方法について、図面を参照しながら具
体的に説明する。 （実施の形態１）図１および図２は本実施の形態１の液
晶表示素子における薄膜トランジスタアレイ基板の構成
を示す概略平面図およびその概略断面図である。図１お
よび図２において、１０１，１０３はそれぞれ走査電極
配線，第１の共通電極配線を示しており、本実施の形態
では、走査電極配線１０１および第１の共通電極配線１
０３は、それぞれ同一平面状に、アルミニウムを主成分
とする金属薄膜を成膜し、図に示す形状をフォトリソグ
ラフィー法によって形成した。これら走査電極配線１０
１および第１の共通電極配線１０３として使用する金属
材料は、特にアルミニウム系金属に限定する必要はな
く、また単層膜および多層膜のどちらを用いても良い。
【００２３】次に、絶縁膜として上記のアルミニウム膜
の陽極酸化層および窒化シリコン（ＳｉＮｘ）と、半導
体層としてのアモルファスシリコンとを積層したのち、
第１の共通電極配線１０３上の陽極酸化層と窒化シリコ
ンの層の一部分を取り除き、その後、スパッタリング法
によってアルミニウム／チタン（Ａｌ／Ｔｉ）の２層を
堆積した後、ドライエッチングによって信号電極配線１
０２および画素電極配線１０４をパターン形成した。こ
のとき同時に、第１の共通電極配線１０３と電気的に短
絡するように、第２の共通電極配線１０６を画素電極配
線１０４と咬合するように形成した。１０５はスイッチ
ング素子である薄膜トランジスタ素子を示している。
の陽極酸化層および窒化シリコン（ＳｉＮｘ）と、半導
体層としてのアモルファスシリコンとを積層したのち、
第１の共通電極配線１０３上の陽極酸化層と窒化シリコ
ンの層の一部分を取り除き、その後、スパッタリング法
によってアルミニウム／チタン（Ａｌ／Ｔｉ）の２層を
堆積した後、ドライエッチングによって信号電極配線１
０２および画素電極配線１０４をパターン形成した。こ
のとき同時に、第１の共通電極配線１０３と電気的に短
絡するように、第２の共通電極配線１０６を画素電極配
線１０４と咬合するように形成した。１０５はスイッチ
ング素子である薄膜トランジスタ素子を示している。
【００２４】本実施の形態では、画素電極配線１０４お
よび第２の共通電極配線１０６の線幅は５μｍとした。
また、画素電極配線１０４には、走査電極配線１０１と
の間で付加容量部１０７を形成した。付加容量部１０７
は、それに対応する走査電極配線１０１の１ライン前と
の間で形成したが、１ライン後の走査電極配線１０１、
あるいは第１の共通電極配線１０３との間で形成しても
よく、特に限定をするものではない。
よび第２の共通電極配線１０６の線幅は５μｍとした。
また、画素電極配線１０４には、走査電極配線１０１と
の間で付加容量部１０７を形成した。付加容量部１０７
は、それに対応する走査電極配線１０１の１ライン前と
の間で形成したが、１ライン後の走査電極配線１０１、
あるいは第１の共通電極配線１０３との間で形成しても
よく、特に限定をするものではない。
【００２５】次に、図１および図２に示した薄膜トラン
ジスタアレイ基板と、赤，緑，青のカラーフィルタを形
成してなる対向基板との間に、画素電極配線１０４及び
第２の共通電極配線１０６の長手方向に対して、５°か
ら１５°の間で配向させた液晶層を挟持してなる液晶表
示素子の動作およびその特性について詳細に説明する。
ジスタアレイ基板と、赤，緑，青のカラーフィルタを形
成してなる対向基板との間に、画素電極配線１０４及び
第２の共通電極配線１０６の長手方向に対して、５°か
ら１５°の間で配向させた液晶層を挟持してなる液晶表
示素子の動作およびその特性について詳細に説明する。
【００２６】図１および図２に示すように、薄膜トラン
ジスタ素子１０５がオンの間に、信号電極配線１０２か
ら信号電位が画素電極配線１０４に供給される。その
後、薄膜トランジスタ素子１０５が非選択（オフ）にな
った状態で、画素電極配線１０４の電位は、１ライン前
の走査電極配線１０１との間に形成された付加容量部１
０７によって保持され、第２の共通電極配線１０６との
間で横方向の電界が発生する。この電界強度の大きさに
応じて、液晶分子の配列方向が主平面内で変形し、結果
として入射する光の偏光状態が変化する。
ジスタ素子１０５がオンの間に、信号電極配線１０２か
ら信号電位が画素電極配線１０４に供給される。その
後、薄膜トランジスタ素子１０５が非選択（オフ）にな
った状態で、画素電極配線１０４の電位は、１ライン前
の走査電極配線１０１との間に形成された付加容量部１
０７によって保持され、第２の共通電極配線１０６との
間で横方向の電界が発生する。この電界強度の大きさに
応じて、液晶分子の配列方向が主平面内で変形し、結果
として入射する光の偏光状態が変化する。
【００２７】本実施の形態の構成では、互いに咬合する
画素電極配線１０４及び第２の共通電極配線１０６が同
一層に、かつ配向膜を含む液晶層と接する面に配置され
ているので、従来の一般的な構成であり共通電極配線を
絶縁層の下層に配置した構成に比べて、同一電位を印加
したときに液晶層に供給される電界強度が大きくなり、
低電圧で動作させることが可能となる。図３は従来構成
（破線で示す）と本実施の形態（実線で示す）の各液晶
表示素子の電圧−透過率特性の測定結果である。本実施
の形態の液晶表示素子では、従来構成に比べて、最大透
過率部で約０．５（Ｖ）の低電圧化ができていることが
わかる。
画素電極配線１０４及び第２の共通電極配線１０６が同
一層に、かつ配向膜を含む液晶層と接する面に配置され
ているので、従来の一般的な構成であり共通電極配線を
絶縁層の下層に配置した構成に比べて、同一電位を印加
したときに液晶層に供給される電界強度が大きくなり、
低電圧で動作させることが可能となる。図３は従来構成
（破線で示す）と本実施の形態（実線で示す）の各液晶
表示素子の電圧−透過率特性の測定結果である。本実施
の形態の液晶表示素子では、従来構成に比べて、最大透
過率部で約０．５（Ｖ）の低電圧化ができていることが
わかる。
【００２８】また、本実施の形態の構成を有する液晶表
示素子の特性上の大きな効果として、焼付け現象に対す
る耐性が大幅に向上できることがわかった。液晶表示素
子における焼付け現象とは、前述したように、液晶パネ
ルにウィンドウのような固定パターンを一定時間表示し
続けると、表示パターンを変更した後も前の表示パター
ンが一定時間残るという一種の残像で、液晶パネル特有
の現象である。
示素子の特性上の大きな効果として、焼付け現象に対す
る耐性が大幅に向上できることがわかった。液晶表示素
子における焼付け現象とは、前述したように、液晶パネ
ルにウィンドウのような固定パターンを一定時間表示し
続けると、表示パターンを変更した後も前の表示パター
ンが一定時間残るという一種の残像で、液晶パネル特有
の現象である。
【００２９】また、従来の構成と本実施の形態の構成の
液晶表示素子に対し、白背景の中に黒のウインドウパタ
ーンを一定時間表示した後、全面を中間調表示したとき
の焼付け現象発生までの時間を評価した結果、従来構成
での発生時間約３０分に比較し、本構成では５時間以上
にわたって発生が見られないことを確認した。上記の焼
付け現象は、液晶材料や配向膜といった材料系によって
も発生度合いに差が見られたが、いずれの材料系に対し
ても、焼付け発生時間は、従来構成の約５倍から１０倍
改善できることが確認できた。
液晶表示素子に対し、白背景の中に黒のウインドウパタ
ーンを一定時間表示した後、全面を中間調表示したとき
の焼付け現象発生までの時間を評価した結果、従来構成
での発生時間約３０分に比較し、本構成では５時間以上
にわたって発生が見られないことを確認した。上記の焼
付け現象は、液晶材料や配向膜といった材料系によって
も発生度合いに差が見られたが、いずれの材料系に対し
ても、焼付け発生時間は、従来構成の約５倍から１０倍
改善できることが確認できた。
【００３０】また、従来の構成では、画素電極と共通電
極の少なくともいずれか一方に、絶縁層を有することか
ら、絶縁層と配向膜界面などに分極が生じ易くなること
によって、焼付け現象が発生し易くなる。一方、本発明
の構成では、電極上に絶縁層がないので分極が生じにく
く、結果として焼き付け現象が大幅に改善できる。 （実施の形態２）次に、本実施の形態２の液晶表示素子
について詳細に説明する。
極の少なくともいずれか一方に、絶縁層を有することか
ら、絶縁層と配向膜界面などに分極が生じ易くなること
によって、焼付け現象が発生し易くなる。一方、本発明
の構成では、電極上に絶縁層がないので分極が生じにく
く、結果として焼き付け現象が大幅に改善できる。 （実施の形態２）次に、本実施の形態２の液晶表示素子
について詳細に説明する。
【００３１】図４および図５は本実施の形態２の液晶表
示素子における薄膜トランジスタアレイ基板の構成を示
す概略平面図およびその概略断面図である。図４および
図５において、１０１はそれぞれ走査電極配線を示して
おり、本実施の形態では、アルミニウムを主成分とする
金属薄膜を成膜し、図に示すような形状をフォトリソグ
ラフィー法によって形成した。走査電極配線１０１とし
て使用する金属材料は特にアルミニウム系金属に限定す
る必要はなく、また単層膜および多層膜のどちらを用い
ても良い。
示素子における薄膜トランジスタアレイ基板の構成を示
す概略平面図およびその概略断面図である。図４および
図５において、１０１はそれぞれ走査電極配線を示して
おり、本実施の形態では、アルミニウムを主成分とする
金属薄膜を成膜し、図に示すような形状をフォトリソグ
ラフィー法によって形成した。走査電極配線１０１とし
て使用する金属材料は特にアルミニウム系金属に限定す
る必要はなく、また単層膜および多層膜のどちらを用い
ても良い。
【００３２】次に、絶縁膜として上記のアルミニウム膜
の陽極酸化層および窒化シリコン（ＳｉＮｘ）と、半導
体層としてのアモルファスシリコンとを積層し、スパッ
タリング法によって堆積させたアルミニウム／チタン
（Ａｌ／Ｔｉ）の２層を堆積した後、ドライエッチング
によって信号電極配線１０２および第１の画素電極配線
４０４をパターン形成した。このとき同時に、付加容量
となる付加容量電極４０７を、走査電極配線１０１との
間に配置した。１０５はスイッチング素子である薄膜ト
ランジスタ素子を示している。その後、平坦化層４０８
を全面に形成し、第１の画素電極配線４０４と付加容量
電極４０７上の一部の平坦化層４０８を除去し、最後
に、金属薄膜を成膜，パターンニングすることによっ
て、第２の画素電極配線４０９と共通電極配線４０３
を、互いに咬合して配置するように形成した。この時、
第２の画素電極配線４０９は、付加容量電極４０７と第
１の画素電極配線４０４と電気的に短絡するようにし
た。第２の画素電極配線４０９および共通電極配線４０
３の線幅は５μｍとした。
の陽極酸化層および窒化シリコン（ＳｉＮｘ）と、半導
体層としてのアモルファスシリコンとを積層し、スパッ
タリング法によって堆積させたアルミニウム／チタン
（Ａｌ／Ｔｉ）の２層を堆積した後、ドライエッチング
によって信号電極配線１０２および第１の画素電極配線
４０４をパターン形成した。このとき同時に、付加容量
となる付加容量電極４０７を、走査電極配線１０１との
間に配置した。１０５はスイッチング素子である薄膜ト
ランジスタ素子を示している。その後、平坦化層４０８
を全面に形成し、第１の画素電極配線４０４と付加容量
電極４０７上の一部の平坦化層４０８を除去し、最後
に、金属薄膜を成膜，パターンニングすることによっ
て、第２の画素電極配線４０９と共通電極配線４０３
を、互いに咬合して配置するように形成した。この時、
第２の画素電極配線４０９は、付加容量電極４０７と第
１の画素電極配線４０４と電気的に短絡するようにし
た。第２の画素電極配線４０９および共通電極配線４０
３の線幅は５μｍとした。
【００３３】本実施の形態の構成では、共通電極配線４
０３が、走査電極配線１０１上に形成できることから、
画素領域内の光を透過する領域いわゆる画素部の開口率
を大きくすることができる。
０３が、走査電極配線１０１上に形成できることから、
画素領域内の光を透過する領域いわゆる画素部の開口率
を大きくすることができる。
【００３４】また、本実施の形態の構成においても、実
施の形態１に示した構成と同様に、互いに咬合する電極
上に絶縁層を介していないので、低電圧化、および焼付
け現象の改善については、実施の形態１と同様の結果を
確認することができた。
施の形態１に示した構成と同様に、互いに咬合する電極
上に絶縁層を介していないので、低電圧化、および焼付
け現象の改善については、実施の形態１と同様の結果を
確認することができた。
【００３５】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、従来、横
電界表示方式を用いた際の表示画像における広視野角特
性を得るために必要であった駆動電圧のアップと、その
ため発生し易くなっていた焼き付け現象とを抑えること
ができる。
電界表示方式を用いた際の表示画像における広視野角特
性を得るために必要であった駆動電圧のアップと、その
ため発生し易くなっていた焼き付け現象とを抑えること
ができる。
【００３６】そのため、横電界駆動方式を用いた際の表
示画像について、視野を広角化するとともに良好な多階
調表示を得ることができ、その表示品質を向上すること
ができる。
示画像について、視野を広角化するとともに良好な多階
調表示を得ることができ、その表示品質を向上すること
ができる。
【図１】本発明の実施の形態１の液晶表示素子の構成を
示す平面図
示す平面図
【図２】同実施の形態１の液晶表示素子の構成を示す断
面図
面図
【図３】同実施の形態１の液晶表示素子の電圧−透過率
特性の説明図
特性の説明図
【図４】本発明の実施の形態２の液晶表示素子の構成を
示す平面図
示す平面図
【図５】同実施の形態２の液晶表示素子の構成を示す断
面図
面図
【図６】従来の横電界駆動方式の液晶表示素子の構成を
示す断面図
示す断面図
１０１ 走査電極配線 １０２ 信号電極配線 １０３ 第１の共通電極配線 １０４ 画素電極配線 １０５ 薄膜トランジスタ素子 １０６ 第２の共通電極配線 １０７ 付加容量部 ４０３ 共通電極配線 ４０４ 第１の画素電極配線 ４０７ 付加容量電極 ４０８ 平坦化層 ４０９ 第２の画素電極配線
Claims (5)
- 【請求項１】 第１のガラス基板の主平面上に、マトリ
ックス状に配置された複数の走査電極配線および信号電
極配線と、前記走査電極配線および信号電極配線の各交
差点に対応して配置された櫛型状の画素電極配線と、前
記走査電極配線および信号電極配線および画素電極配線
の間を電気的に接続するスイッチング素子と、前記画素
電極配線に咬合して配置された共通電極配線と、液晶分
子の配列方向を制御する配向膜層とを形成し、表面に配
向膜層が形成された第２のガラス基板と前記第１のガラ
ス基板とで液晶層を挟持し、前記走査電極配線および信
号電極配線への駆動信号により前記スイッチング素子を
駆動制御して、前記画素電極配線と共通電極配線との間
に前記第１のガラス基板の主平面とほぼ平行な電界を発
生させることによって、前記液晶層による光学特性を制
御する液晶表示素子であって、前記画素電極配線と共通
電極配線とを、前記配向膜層に接触するように配設して
構成したことを特徴とする液晶表示素子。 - 【請求項２】 第１のガラス基板の主平面上に、マトリ
ックス状に配置された複数の走査電極配線および信号電
極配線と、前記走査電極配線および信号電極配線の各交
差点に対応して配置された櫛型状の画素電極配線と、前
記走査電極配線および信号電極配線および画素電極配線
の間を電気的に接続するスイッチング素子と、前記画素
電極配線に咬合して配置された共通電極配線と、液晶分
子の配列方向を制御する配向膜層とを形成し、表面に配
向膜層が形成された第２のガラス基板と前記第１のガラ
ス基板とで液晶層を挟持し、前記走査電極配線および信
号電極配線への駆動信号により前記スイッチング素子を
駆動制御して、前記画素電極配線と共通電極配線との間
に前記第１のガラス基板の主平面とほぼ平行な電界を発
生させることによって、前記液晶層による光学特性を制
御する液晶表示素子であって、前記画素電極配線と共通
電極配線とを、同一平面状に配置して構成したことを特
徴とする液晶表示素子。 - 【請求項３】 共通電極配線を、走査電極配線の形成の
際に同時に形成された第１の共通電極配線と、信号電極
配線および画素電極配線の形成の際に前記画素電極配線
間に櫛状に形成された第２の共通電極配線とからなり、
前記第１の共通電極配線と第２の共通電極配線とが電気
的に短絡した状態になるように構成したことを特徴とす
る請求項２に記載の液晶表示素子。 - 【請求項４】 請求項３に記載の液晶表示素子における
共通電極配線の形成を、走査電極配線の形成工程時に同
時に第１の共通電極配線を形成する工程と、信号電極配
線および画素電極配線の形成工程時に、前記画素電極配
線間に第２の共通電極配線を櫛状に形成する工程と、前
記第１の共通電極配線と第２の共通電極配線とを電気的
に短絡するためのコンタクト穴を形成する工程とより行
うことを特徴とする液晶表示素子の製造方法。 - 【請求項５】 画素電極配線および共通電極配線を、第
１のガラス基板の主平面上に形成された走査電極配線と
信号電極配線とスイッチング素子とを被覆するように形
成された絶縁層上に形成したことを特徴とする請求項２
に記載の液晶表示素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10797997A JP3481074B2 (ja) | 1997-04-25 | 1997-04-25 | 液晶表示素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10797997A JP3481074B2 (ja) | 1997-04-25 | 1997-04-25 | 液晶表示素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10301141A true JPH10301141A (ja) | 1998-11-13 |
| JP3481074B2 JP3481074B2 (ja) | 2003-12-22 |
Family
ID=14472917
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10797997A Expired - Fee Related JP3481074B2 (ja) | 1997-04-25 | 1997-04-25 | 液晶表示素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3481074B2 (ja) |
Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000029073A (ja) * | 1999-06-22 | 2000-01-28 | Mitsubishi Electric Corp | 液晶表示装置 |
| KR100311212B1 (ko) * | 1999-06-29 | 2001-11-02 | 박종섭 | 고개구율 및 고투과율 액정 표시 장치 |
| KR100322969B1 (ko) * | 1999-12-22 | 2002-02-01 | 주식회사 현대 디스플레이 테크놀로지 | 인-플레인 스위칭 모드 액정표시장치 및 그의 제조방법 |
| WO2002019021A1 (fr) * | 2000-08-30 | 2002-03-07 | Matsushita Electric Industrial Co.,Ltd. | Ecran a cristaux liquides |
| JP2002169179A (ja) * | 2000-12-01 | 2002-06-14 | Hitachi Ltd | 液晶表示装置 |
| US6704084B2 (en) | 2000-03-16 | 2004-03-09 | International Business Machines Corporation | Liquid-crystal display wherein a common potential is supplied to an alignment film |
| KR100444538B1 (ko) * | 2001-11-07 | 2004-08-16 | 가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼 | 액티브 매트릭스형 액정 표시 장치 |
| KR100460472B1 (ko) * | 2001-02-28 | 2004-12-08 | 가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼 | 액정 표시 장치 |
| US6856370B2 (en) | 2000-08-22 | 2005-02-15 | Nec Lcd Technologies, Ltd. | Active matrix liquid crystal display unit having liquid crystal molecules less arranged like spray pattern and along bent line |
| KR100492210B1 (ko) * | 2001-06-28 | 2005-05-30 | 가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼 | 액정 표시 장치 |
| KR100487424B1 (ko) * | 1998-07-09 | 2005-08-29 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 복합전계방식액정표시소자및그제조방법 |
| CN1312521C (zh) * | 2003-04-01 | 2007-04-25 | 精工爱普生株式会社 | 电光装置及其制造方法和具备该电光装置的电子设备 |
| US7304708B2 (en) | 2002-01-17 | 2007-12-04 | Hitachi, Ltd. | Liquid crystal display device and image display device |
| WO2011001716A1 (ja) | 2009-06-30 | 2011-01-06 | シャープ株式会社 | 液晶表示装置 |
| CN102902119A (zh) * | 2012-07-13 | 2013-01-30 | 友达光电股份有限公司 | 液晶显示面板 |
-
1997
- 1997-04-25 JP JP10797997A patent/JP3481074B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100487424B1 (ko) * | 1998-07-09 | 2005-08-29 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 복합전계방식액정표시소자및그제조방법 |
| JP2000029073A (ja) * | 1999-06-22 | 2000-01-28 | Mitsubishi Electric Corp | 液晶表示装置 |
| KR100311212B1 (ko) * | 1999-06-29 | 2001-11-02 | 박종섭 | 고개구율 및 고투과율 액정 표시 장치 |
| KR100322969B1 (ko) * | 1999-12-22 | 2002-02-01 | 주식회사 현대 디스플레이 테크놀로지 | 인-플레인 스위칭 모드 액정표시장치 및 그의 제조방법 |
| US6704084B2 (en) | 2000-03-16 | 2004-03-09 | International Business Machines Corporation | Liquid-crystal display wherein a common potential is supplied to an alignment film |
| US6856370B2 (en) | 2000-08-22 | 2005-02-15 | Nec Lcd Technologies, Ltd. | Active matrix liquid crystal display unit having liquid crystal molecules less arranged like spray pattern and along bent line |
| US6906769B2 (en) | 2000-08-30 | 2005-06-14 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Liquid crystal screen display |
| WO2002019021A1 (fr) * | 2000-08-30 | 2002-03-07 | Matsushita Electric Industrial Co.,Ltd. | Ecran a cristaux liquides |
| US6896940B2 (en) | 2000-08-30 | 2005-05-24 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Liquid crystal screen display |
| JP2002169179A (ja) * | 2000-12-01 | 2002-06-14 | Hitachi Ltd | 液晶表示装置 |
| KR100460472B1 (ko) * | 2001-02-28 | 2004-12-08 | 가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼 | 액정 표시 장치 |
| KR100492210B1 (ko) * | 2001-06-28 | 2005-05-30 | 가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼 | 액정 표시 장치 |
| KR100444538B1 (ko) * | 2001-11-07 | 2004-08-16 | 가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼 | 액티브 매트릭스형 액정 표시 장치 |
| US7304708B2 (en) | 2002-01-17 | 2007-12-04 | Hitachi, Ltd. | Liquid crystal display device and image display device |
| CN1312521C (zh) * | 2003-04-01 | 2007-04-25 | 精工爱普生株式会社 | 电光装置及其制造方法和具备该电光装置的电子设备 |
| WO2011001716A1 (ja) | 2009-06-30 | 2011-01-06 | シャープ株式会社 | 液晶表示装置 |
| US8593584B2 (en) | 2009-06-30 | 2013-11-26 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid-crystal display device including floating electrode |
| CN102902119A (zh) * | 2012-07-13 | 2013-01-30 | 友达光电股份有限公司 | 液晶显示面板 |
| TWI465819B (zh) * | 2012-07-13 | 2014-12-21 | Au Optronics Corp | 液晶顯示面板 |
| US9064470B2 (en) | 2012-07-13 | 2015-06-23 | Au Optronics Corp. | Liquid crystal display panel |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3481074B2 (ja) | 2003-12-22 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100246980B1 (ko) | 액티브 매트릭스형 액정표시소자 | |
| JP3066255B2 (ja) | 液晶表示装置 | |
| JP2001174824A (ja) | 配向分割型液晶表示装置、その製造方法及びその画像表示方法 | |
| JP3481074B2 (ja) | 液晶表示素子 | |
| JP3204912B2 (ja) | アクティブマトリックス型液晶表示装置 | |
| JP3795235B2 (ja) | アクティブマトリックス型液晶表示装置 | |
| JP2002311448A (ja) | 液晶表示装置及びその製造方法 | |
| JP3194873B2 (ja) | アクティブマトリックス型液晶表示装置およびその駆動方法 | |
| JP4213356B2 (ja) | 液晶表示装置 | |
| JPH0954341A (ja) | アクティブマトリックス型液晶表示素子 | |
| JPH0973064A (ja) | 液晶表示装置 | |
| JP3164987B2 (ja) | アクティブマトリックス型液晶表示素子 | |
| JP2007511787A (ja) | ２重選択ダイオードを用いる液晶ディスプレイ | |
| JP3592704B2 (ja) | アクティブマトリックス型液晶表示装置 | |
| JP3429411B2 (ja) | アクティブマトリックス型液晶表示素子 | |
| JP3759426B2 (ja) | 液晶表示素子 | |
| JP3213540B2 (ja) | アクティブマトリクス型液晶表示装置 | |
| JP2000056336A (ja) | アクティブマトリックス型液晶表示装置 | |
| JP2000111953A (ja) | アクティブマトリックス型液晶表示装置 | |
| JP2000047256A (ja) | 液晶表示素子 | |
| JP3934669B2 (ja) | 液晶表示装置 | |
| JP3901715B2 (ja) | 液晶表示素子 | |
| JP2000147462A (ja) | アクティブマトリックス型液晶表示素子 | |
| JP3480722B2 (ja) | アクティブマトリックス型液晶表示装置およびその駆動方法 | |
| JP2001356747A (ja) | アクティブマトリックス型液晶表示装置およびその駆動方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071010 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081010 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091010 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091010 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101010 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111010 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121010 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131010 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131010 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20141010 Year of fee payment: 11 |
|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |