JP4483065B2 - 液晶表示装置 - Google Patents

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Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、アクティブマトリクス型液晶表示装置、特に、横電界方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
近年、パーソナルコンピュータの発達に伴い液晶表示装置装置、とりわけカラー液晶表示装置の需要が増加する傾向にある。
【0003】
その液晶表示装置の表示素子には、各種の動作方式のものが用いられるが、とりわけアクティブマトリクス型液晶表示素子が、フルカラーの高精細な表示装置として注目され、精力的に研究開発されてきた。そのなかでもとくに広視野角表示が実現できる液晶表示装置として横電界方式(IPS型:In−Plane Switching)の液晶表示装置が、注目されて研究されている(特許第2952744号公報)。
【0004】
しかしながら、このIPS型の液晶表示装置においても、他モード型の表示装置と同じく液晶分子の配向の境界(ディスクリネーション)が画素内に生じる。このディスクリネーションの対策として、表示領域の電極部分をディスクリネーションの形状に合わせて変形させる試みなどがなされている(特開平10−26767号公報)。
【0005】
また、図2には、特開平10−148826号公報で示される、従来技術の1例として1画素分の電極構成を示している。
【0006】
図2(a)に示す様に画素の表示領域内には、画素電極202と対向電極201が配置されている。図2に示す様なIPS型の液晶表示装置の構成においては、TFTを構成する透明基板207上に、画素電極202と対向電極203が、櫛歯屈曲形状で表示画素内に配置されている。これら画素電極、対向電極の屈曲形状は、液晶表示装置の視野角による色変化を低減させる為になされている。
【0007】
また、図3には、数画素分の配置図を説明図として示している。図3が示す様に、対向電極バスライン303とゲート配線302の2つの電極が、一定の間隔を保って互いに略平行にストライプの形状をして配置されている。また、対向電極305は、対向電極バスライン303の画素領域内から分岐し、画素電極306と対向されるように構成されている。画素電極は、TFT部304と繋がっており、TFT部304は、ゲート配線とソース配線の交差する位置に配置される。この2本のゲート配線と2本のソース配線で囲まれた領域を画素領域とする。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら電極が屈曲されると屈曲点において液晶のドメイン境界が発生し、光を透過しないディスクリネーションラインが形成されるという問題が生じていた。
【0009】
図4は、画素内部の電極の拡大図である。この図が示す様に、画素電極、対向電極が屈曲しているパネルにおいて、ラビング方向407は電極の延伸方向に対して平行になされる。従って、液晶配向角度に、電極の屈曲点を結ぶ線408を境として、対向電極線403の延伸方向に対して時計回り方向の角度を持つもの401と反時計回り方向の角度を持つもの402の2種類の領域が存在する。従って、電圧を印加した時、液晶分子409の配向方向が屈曲点を境にして逆方向になり、液晶の配向ドメインが形成される。408に示す様に、液晶の配向ドメインの境界線はライン状になり、光非透過部が数μm幅で形成される。この光非透過部幅を含めた境界線を以下ディスクリネーションラインと呼ぶ。
【0010】
実際の画素においては、図2に示す様に画素、対向電極が其々屈曲している。この場合、209に示した様に電極の屈曲点を結ぶ直線上にディスクリネーションのラインが走る。このディスクリネーションライン209が発生すると画素内に信号電圧で制御されない部分が数μmの幅で出来る為、画質の低下、さらには実質の開口率が低下していた。開口率の低下は画像の明るさが低下をもたらす。
【0011】
しかしながら、従来の電極構成においては、視野角特性向上の為になされる電極の屈曲によって発生するディスクリネーションラインなどは考慮されていない。
【0012】
本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであり、横電界型液晶表示装置において、対向電極を結線する配線を、ディスクリネーションラインの下のみに構成することにより、画質の低下を防ぐとともに光透過の効率を高め、高輝度のディスプレイを提供する事を目的とする。
【0013】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決する為、本発明は、下記のような手段を採用する。
【0014】
一対の基板間に液晶が挟持され、一対の基板のうち少なくとも一方が透明基板であり、片側の基板上には、複数のゲート配線と、複数のゲート配線に交差する複数のソース線と、各ゲート配線及びソース配線に接続された薄膜トランジスタと、各薄膜トランジスタに接続された画素電極と、対向電極とが形成されている横電界方式液晶表示装置において、対向電極を結線する配線が、画素内で生じるディスクリネーションラインと重なる様に配置した構成であることを特徴とする。
【0015】
またこれらにおいて、対向電極、画素電極が画素内で少なくとも1つの屈曲部を有し、屈曲部を通りゲート配線と略平行にディスクリネーションが形成される液晶表示装置において、対向電極を結線する配線が、ディスクリネーションに対して、平行に形成されることを特徴とする。
【0016】
またこれらにおいて、対向電極、画素電極が画素内で少なくとも1つの屈曲部を有し、屈曲部を通りソース配線と略平行にディスクリネーションが形成される液晶表示装置において、対向電極を結線する配線が、ディスクリネーションに対して、平行に形成されることを特徴とする。
【0017】
またこれらにおいて、対向電極を結線する配線本数が、ディスクリネーションラインの数と等しい数であることを特徴とする。
【0018】
またこれらにおいて、対向電極を結線する配線が、画素に配線される本数に応じて線幅を分配されて分割形成されていることを特徴とする。
【0019】
またこれらにおいて、対向電極を結線する配線が、画素内で等巾の線幅で分割形成されていることを特徴とする。
【0020】
またこれらにおいて、分割された対向電極対向電極を結線する配線の線巾が、ディスクリネーションラインの幅よりも広い線幅であることを特徴とする。
【0021】
またこれらにおいて、屈曲対向電極と屈曲画素電極に挟まれた領域で、ソース配線の延伸方向に対して、時計方向に傾斜した領域と反時計方向に傾斜した領域の面積が1つの画素内で略等しい面積を有することを特徴とする。
【0022】
またこれらにおいて、蓄積容量がゲート配線上に形成されていることを特徴とする。
【0023】
またこれらにおいて、対向電極を結線する配線が、画素内で複数本形成された液晶表示装置において、蓄積容量が対向電極を結線する配線上に分割されて複数個形成されていることを特徴とする。
【0024】
またこれらにおいて、対向電極を結線する配線の画素内での分割本数が、画素によって異なることを特徴とする。
【0025】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態について図面に基づいて説明する。
【0026】
(実施例1)
本発明における液晶表示装置の特徴と製造工程を図1(a)および図1(b)を用いて以下に記載する。
【0027】
図1(a)および図1(b)に示すように、アレイ側基板107には、複数の平行なゲート配線104とソース配線103が交差して形成され、交差部には能動スイッチング素子としてTFT110が形成されている。隣接する2本のゲート配線104と隣接する2本のソース配線103で区画された領域が、表示領域(画素領域)である。この画素領域内に画素電極102と対向電極101が、櫛歯形状で屈曲して互いに対向するように形成されている。また、図1-aに示す様に、対向電極バスライン108とゲート配線104が、一定の間隔を保って互いに略平行にストライプの形状をして配置されている。対向電極101は、対向電極バスライン108の画素領域内から分岐し、画素電極102と対向されるように構成されている。また、蓄積容量116が、前段のゲート線上に形成されている。
【0028】
以下、この電極が形成された基板をアレイ側基板と称する。
【0029】
このアレイ側基板107は、配向膜を塗布された上で、画素電極あるいは対向電極の延伸方向(115の方向)にラビングされる。液晶はラビング方向115に配列する為、画素および対向電極に対しては屈曲角度分の初期角度を持って配向することになる。画素電極と対向電極とに挟まれて傾斜角度が同じである一つの区画は、電圧印加時における液晶配向の電極に対する角度が同じとなる領域である。図1においては、画素中に12区画形成されている。
【0030】
本実施例において、電圧が印加されたときに液晶の回転方向が同一になる領域は、1画素内の上部4区画と下部4区画の計8区画の領域I117であり、逆方向で同一になる領域は、画素中央部の4区画の領域II118である。領域Iと領域IIでは液晶の視野角依存性が異なり、両者を組み合わせることにより全体としての視野角依存性を補償することができる。そこでこの領域Iの面積と領域IIの面積が略等しくなる様に画素電極、対向電極の線幅と線の長さを調整して視野角依存性を極小化してある。
【0031】
電圧印加の際に液晶の回転方向が逆になる境界、即ち、ディスクリネーションラインは1つの画素領域内で8箇所存在する。図1においては、画素電極102と対向電極101の屈曲点を結ぶ線上に、ゲート配線104と平行に、ライン状に数μmの幅で発生する。画素上部の4箇所の屈曲点と下部4箇所の屈曲点は、其々、一直線上に並ぶ様に形成されているので、ディスクリネーションラインとしては、画素領域を横切る2本のラインと見なすことが出来る。
【0032】
そこで対向電極バスライン108を、この画素電極102と対向電極101の屈曲位置に画素を横切るように2本配置する。即ち、屈曲部位に発生するディスクリネーションラインを対向電極バスライン108が覆うように構成した。本実施例においては、対向電極バスラインは、画素内で等巾に2分割して形成されている。
【0033】
図1(b)に示すように、上述したアレイ基板107はカラーフィルタ側基板105と対向され、その間に液晶106が充填されて液晶表示装置が構成されている。
【0034】
上記構成は、例えば以下のようにして作製される。先ず、アレイ基板107のベースとなるガラス基板の片面上に、真空成膜装置を用いて膜厚0.1μm程度のアルミ(Al)で薄膜導電体層を被着する。
【0035】
そして、ゲート配線104と対向電極101、対向電極バスライン108とをフォトリソグラフィにより選択的に形成する。
【0036】
このときゲート配線104と対向電極バスライン108は、略平行に形成される。
【0037】
次に、アレイ基板107の全面にプラズマCVD装置を用いてゲート絶縁層111となる窒化シリコン層(SiNx)、不純物をほとんど含まずトランジスタのチャネルとなる非晶質シリコン層(a−Si)112および、n+シリコン層113の3種類の薄膜層を、膜厚0.3、0.2、0.03μmで順次被着し、フォトリソグラフィにより、チャネル部のa-Si112を選択的に残す。
【0038】
次に、スパッタ装置を用いて膜厚0.1μm程度のAl薄膜を被着し、ソース配線103と画素電極102とを選択的に形成し、さらにチャネル部のn+a-Si113のエッチングも行いTFT110を形成する。このTFTの形成方法は公知の方法に従った。
【0039】
次に、プラズマCVD装置を用いて保護膜として窒化シリコン層114を堆積する。
【0040】
最後に、図示はしないが、ゲート配線104やソース配線103に電気信号を供給できるようにアレイ基板107の周辺部にて、電極上のパシベーション絶縁層である窒化シリコン層114を、フォトリソグラフィにより選択的に除去し、端子電極を露出しておく。
【0041】
また一方、カラーフィルタ側基板105にはブラックマトリクスとカラーフィルタが形成される。ブラックマトリクスはゲート配線104、ソース配線103を覆うように配置する。
【0042】
上記2枚の基板を用いて、基板の間隙に液晶層106が挟持されるように定法によりパネルを組み立てた。
【0043】
本願の発明が従来例と異なる点は、対向電極バスラインを画素および対向電極の屈曲部を通る全てのディスクリネーションラインを覆うように構成した点である。
【0044】
図1に示すように、画素および対向電極を屈曲させた構成のIPS型の液晶表示装置において、ゲート配線と平行に屈曲部を結ぶ線上の、液晶の動作しない部分を利用して対向電極バスラインを配置したことで、画質低下がなく光ロスの少ない高効率の高輝度の液晶表示装置を提供することができた。
【0045】
(実施例2)
図5に、実施例2におけるアレイ構成を示す。図5に示す様に、本実施例が実施例1と異なる点は、画素電極、対向電極の屈曲部を3箇所としてアレイ基板を作製したことである。
【0046】
対向電極バスラインを形成する際には、屈曲部2箇所の液晶表示装置の対向電極バスラインのものと比較して、其々の配線の線幅を3分の2とした。
【0047】
この基板を用いてパネルを作製したところ、従来の電極配線のものと比較して、本来液晶が動作しない部分に、遮光層となる対向電極バスラインを形成したことで、光のロスを少なくして、高効率でより色変化の少ない高輝度液晶表示装置を提供することが出来た。
【0048】
(実施例3)
図6は、本発明の実施例3におけるアレイ構成を示す。図6に示す様に、本実施例が実施例1と異なる点は、対向電極バスライン608の線幅をディスクリネーションラインの線幅以上で且つ、1つの画素において其々に違った線幅にて設けてアレイ基板を作製したことである。
【0049】
本実施例においては、第1の対向電極バスラインを3μmとし、第2の対向電極バスラインを5μmとした。
【0050】
アレイの製造プロセスにより電極線幅がばらつき、其々の線幅が違った場合においても、対向電極バスライン608の線幅をディスクリネーションラインよりも太くしておけば効果がある。
【0051】
この基板を用いてパネルを作製したところ、等幅で分割したものと比較して遜色無く、また、従来の電極配線のものと比較して、本来液晶が動作しない部分に、遮光層となる対向電極バスラインを形成したことで、光のロスを少なくして、高効率な色変化の少ない高輝度液晶表示装置を提供することが出来た。
【0052】
(実施例4)
図7は、本発明の実施例4におけるアレイ構成を示す。図7に示す様に、本実施例が実施例1と異なる点は、蓄積容量705を分割された対向電極バスライン708上に複数設けたことである。このように蓄積容量を分散して設けることにより、蓄積容量の一部で短絡欠陥が発生しても画素全体の欠陥になることを防ぐことが可能になる。
【0053】
この基板を用いてパネルを作製したところ、実施例1における液晶表示装置とは遜色無く、また従来の電極配線のものと比較して、本来液晶が動作しない部分に、遮光層となる対向電極バスラインを形成したことで、光のロスを少なくして、高効率な色変化の少ない高輝度液晶表示装置を提供することが出来た。
【0054】
(実施例5)
図8は、本発明の実施例5におけるアレイ構成を示す。図8に示す様に、本実施例が実施例1と異なる点は、画素電極、対向電極の屈曲点を画素内で2ヶ所設けたものと、画素内で3ヶ所設けたものを同一アレイ基板上に形成した点である。こうすることにより、全画素を同一の屈曲回数で作成した液晶表示装置と比較して、画面の場所による色付きの違いを補正することが出来る、このため、色付きを低減することが出来る。
【0055】
この基板を用いてパネルを作製したところ、従来の電極配線のものと比較して、本来液晶が動作しない部分に、遮光層となる対向電極バスラインを形成したことで、光のロスを少なくして、高効率でより色変化の少ない高輝度液晶表示装置を提供することが出来た。
【0056】
(実施例6)
図9は、本発明の実施例6におけるアレイ構成を示す。図9に示す様に、本実施例が実施例1と異なる点は、画素電極902と対向電極901をゲート配線904と略平行に形成したこと、および、ディスクリネーションラインがソース配線に略平行になるように形成したことである。これに伴って対向電極バスライン908はソース配線903に略平行になる。なおこの場合、ラビング方向909はゲート配線に略並行な方向とする。
【0057】
この基板を用いてパネルを作製したところ、従来の電極配線のものと比較して、本来液晶が動作しない部分に、遮光層となる対向電極バスラインを形成したことで、光のロスを少なくして、高効率な色変化の少ない高輝度液晶表示装置を提供することが出来た。
【0058】
【発明の効果】
上記の構成にすることにより、光の利用効率を高め、より明るい表示品位の高い省電力のディスプレイを提供することが出来た。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施例1に係る画素構成を示す図
【図2】従来のIPS型表示装置の画素構成を示す図
【図3】従来のIPS型表示装置の配線を説明する図
【図4】電極屈曲型IPS型表示装置の電極部の拡大図
【図5】実施例2に係わるIPS型表示装置の配線を説明する図
【図6】実施例3に係わるIPS型表示装置の配線を説明する図
【図7】実施例4に係わるIPS型表示装置の配線を説明する図
【図8】実施例5に係わるIPS型表示装置の配線を説明する図
【図9】実施例6に係わるIPS型表示装置の配線を説明する図
【符号の説明】
101 対向電極
102 画素電極
103 ソース配線
104 ゲート配線
105 対向基板
106 液晶部
107 アレイ基板
108 対向電極バスライン
110 TFT部分
111 ゲート絶縁層
112 非晶質シリコン層
113 n+シリコン層
114 窒化シリコン層(保護膜)
115 ラビング方向
116 蓄積容量
117 領域I(時計方向屈曲部)
118 領域II(反時計方向屈曲部)
201 対向電極
202 画素電極
203 ソース配線
204 ゲート配線
205 対向基板
206 液晶部
207 アレイ基板
208 対向電極バスライン
209 ディスクリネーションライン
301 ソース配線
302 ゲート配線
303 対向電極バスライン
304 TFT部
305 対向電極
306 画素電極
401 時計方向動作部
402 反時計方向動作部
403 対向電極
404 画素電極
405 画素電極からの傾き角度 時計回り
406 画素電極からの傾き角度 反時計回り
407 ラビング方向
408 ディスクリネーションライン
409 液晶分子模式図
501 対向電極
502 画素電極
503 ソース配線
504 ゲート配線
505 蓄積容量
506 対向電極バスライン
507 領域II(反時計方向屈曲部)
508 領域I(時計方向屈曲部)
509 ラビング方向
510 TFT部分
601 対向電極
602 画素電極
603 ソース配線
604 ゲート配線
605 蓄積容量
606 領域I(時計方向屈曲部)
607 領域II(反時計方向屈曲部)
608 対向電極バスライン
609 ラビング方向
610 TFT部分
701 対向電極
702 画素電極
703 ソース配線
704 ゲート配線
705 蓄積容量
706 領域I(時計方向屈曲部)
707 領域II(反時計方向屈曲部)
708 対向電極バスライン
709 ラビング方向
710 TFT部分
801 対向電極
802 画素電極
803 蓄積容量
804 ソース配線
805 対向電極バスライン
806 ゲート配線
807 TFT部分
901 対向電極
902 画素電極
903 ソース配線
904 ゲート配線
905 蓄積容量
906 領域I(時計方向屈曲部)
907 領域II(反時計方向屈曲部)
908 対向電極結線ライン
909 ラビング方向
910 TFT部分

Claims (2)

  1. 一対の基板間に液晶が挟持され、前記一対の基板のうち少なくとも一方が透明基板であり、片側の基板上には、複数のゲート配線と、前記複数のゲート配線に交差する複数のソース線と、各ゲート配線及びソース配線に接続された薄膜トランジスタと、各薄膜トランジスタに接続された画素電極と、対向電極とが形成されている横電界方式液晶表示装置において、
    隣接する前記ゲート配線と前記ソース配線とで囲まれた領域を画素とし、
    前記対向電極および画素電極が画素内で少なくとも1つの屈曲部を有し、
    前記対向電極を結線する対向電極バスラインが、前記屈曲部において生じるディスクリネーションラインと重なるように配置され、
    前記対向電極と前記対向バスラインとが同一層で一体的に形成され
    前記対向電極バスラインが、画素内で複数本形成され、
    蓄積容量が前記対向電極バスライン上に分割されて複数個形成されていることを特徴とする液晶表示装置。
  2. 一対の基板間に液晶が挟持され、前記一対の基板のうち少なくとも一方が透明基板であり、片側の基板上には、複数のゲート配線と、前記複数のゲート配線に交差する複数のソース線と、各ゲート配線及びソース配線に接続された薄膜トランジスタと、各薄膜トランジスタに接続された画素電極と、対向電極とが形成されている横電界方式液晶表示装置において、
    隣接する前記ゲート配線と前記ソース配線とで囲まれた領域を画素とし、
    前記対向電極および画素電極が画素内で少なくとも1つの屈曲部を有し、
    前記対向電極を結線する対向電極バスラインが、前記屈曲部において生じるディスクリネーションラインと重なるように配置され、
    前記対向電極と前記対向バスラインとが同一層で一体的に形成され、
    前記対向電極バスラインの画素内での分割本数が、画素によって異なることを特徴とする液晶表示装置。
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