JP3123250B2 - 液晶表示パネル - Google Patents
液晶表示パネルInfo
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、画素毎に薄膜トランジ
スタ等の能動素子を具えてなるアクティブマトリクス方
式の液晶表示パネルに係り、特に画素周辺部に発生し表
示品質を低下させる要因となるディスクリネーション
（disclination）の成長を防止する手段に関する。
スタ等の能動素子を具えてなるアクティブマトリクス方
式の液晶表示パネルに係り、特に画素周辺部に発生し表
示品質を低下させる要因となるディスクリネーション
（disclination）の成長を防止する手段に関する。
【０００２】近年、高性能化が進み液晶ディスプレイ装
置は各種電子機器に広く用いられるようになってきてい
る。特にＴＦＴ（thin film transistor）やＭＩＭ（me
talinsulator metal ）等の能動素子が、画素毎に形成
されてなるアクティブマトリクス方式の液晶表示パネル
は表示品質が優れており、近い将来、ＯＡ装置等におけ
るディスプレイとして広く利用されるようになると考え
られている。
置は各種電子機器に広く用いられるようになってきてい
る。特にＴＦＴ（thin film transistor）やＭＩＭ（me
talinsulator metal ）等の能動素子が、画素毎に形成
されてなるアクティブマトリクス方式の液晶表示パネル
は表示品質が優れており、近い将来、ＯＡ装置等におけ
るディスプレイとして広く利用されるようになると考え
られている。
【０００３】しかし、アクティブマトリクス方式の液晶
表示パネルは単純マトリクス方式の液晶表示パネルと異
なり、能動素子に印加される駆動電圧の電圧値が比較的
高いため画素の周辺部において電界の乱れが生じやす
く、液晶分子のチルト角が変化して表示品質が低下する
所謂ディスクリネーションと称する現象が発生する。そ
こでディスクリネーションの発生を防止可能なアクティ
ブマトリクス方式の液晶表示パネルの開発が要望されて
いる。
表示パネルは単純マトリクス方式の液晶表示パネルと異
なり、能動素子に印加される駆動電圧の電圧値が比較的
高いため画素の周辺部において電界の乱れが生じやす
く、液晶分子のチルト角が変化して表示品質が低下する
所謂ディスクリネーションと称する現象が発生する。そ
こでディスクリネーションの発生を防止可能なアクティ
ブマトリクス方式の液晶表示パネルの開発が要望されて
いる。
【０００４】
【従来の技術】図７は従来の液晶表示パネルの主要部を
示す斜視図、図８は従来の液晶表示パネルにおける電位
分布を示す模式図である。従来のアクティブマトリクス
方式の液晶表示パネルは図７に示す如く少なくとも第１
の基板１と第２の基板２を有し、所定の間隔を介して対
向せしめた第１の基板１と第２の基板２の間に液晶分子
を含有してなる液晶３が封入されている。
示す斜視図、図８は従来の液晶表示パネルにおける電位
分布を示す模式図である。従来のアクティブマトリクス
方式の液晶表示パネルは図７に示す如く少なくとも第１
の基板１と第２の基板２を有し、所定の間隔を介して対
向せしめた第１の基板１と第２の基板２の間に液晶分子
を含有してなる液晶３が封入されている。
【０００５】第１の基板１はガラス基板１１上に複数の
画素電極１２とＴＦＴやＭＩＭ等の能動素子１３がマト
リクス状に配設され、能動素子１３には画素電極１２の
他に直交するように形成されたゲートバスライン１４と
データバスライン１５が接続されている。第１の基板１
の液晶３に面した側は厚さが約１０００Åのポリイミド
樹脂等からなる配向膜１６によって覆われており、配向
膜１６には液晶３に含有されている液晶分子が同一方向
を指すようにラビング等の手段によって配向処理が施さ
れている。
画素電極１２とＴＦＴやＭＩＭ等の能動素子１３がマト
リクス状に配設され、能動素子１３には画素電極１２の
他に直交するように形成されたゲートバスライン１４と
データバスライン１５が接続されている。第１の基板１
の液晶３に面した側は厚さが約１０００Åのポリイミド
樹脂等からなる配向膜１６によって覆われており、配向
膜１６には液晶３に含有されている液晶分子が同一方向
を指すようにラビング等の手段によって配向処理が施さ
れている。
【０００６】一方、第２の基板２はガラス基板２１上に
対向電極２２を形成すると共に共通電極２２を覆うよう
に配向膜２３が形成されており、配向膜１６と同様に配
向膜２３には液晶分子が同一方向を指すようにラビング
等の手段によって配向処理が施されている。画像表示に
際してゲートバスライン１４には順次走査電圧が印加さ
れデータバスライン１５には信号電圧が印加される。即
ち、走査電圧を印加することによってそのゲートバスラ
イン１４に接続されてなる能動素子１３は一斉にオン状
態となる。
対向電極２２を形成すると共に共通電極２２を覆うよう
に配向膜２３が形成されており、配向膜１６と同様に配
向膜２３には液晶分子が同一方向を指すようにラビング
等の手段によって配向処理が施されている。画像表示に
際してゲートバスライン１４には順次走査電圧が印加さ
れデータバスライン１５には信号電圧が印加される。即
ち、走査電圧を印加することによってそのゲートバスラ
イン１４に接続されてなる能動素子１３は一斉にオン状
態となる。
【０００７】そのときデータバスライン１５に信号電圧
が印加されていなければ画素電極１２と対向電極２２の
電位差はしきい値以下で、液晶３に含有されている液晶
分子は画素電極１２や対向電極２２とほぼ平行でかつ同
一方向を指した状態が維持されている。反対にそのとき
データバスライン１５に信号電圧が印加されると画素電
極１２と対向電極２２の電位差はしきい値を超え、液晶
３に含有されている液晶分子は画素電極１２や対向電極
２２に対してほぼ垂直になるよう一斉に方向が反転す
る。
が印加されていなければ画素電極１２と対向電極２２の
電位差はしきい値以下で、液晶３に含有されている液晶
分子は画素電極１２や対向電極２２とほぼ平行でかつ同
一方向を指した状態が維持されている。反対にそのとき
データバスライン１５に信号電圧が印加されると画素電
極１２と対向電極２２の電位差はしきい値を超え、液晶
３に含有されている液晶分子は画素電極１２や対向電極
２２に対してほぼ垂直になるよう一斉に方向が反転す
る。
【０００８】このように液晶分子が画素電極１２や対向
電極２２に対してほぼ平行な状態からほぼ垂直な状態に
反転するに際して、液晶分子が画素電極１２や対向電極
２２と完全に平行であるよりいずれか一方の先端が予め
持ち上がっている方が応答が速い。そこでラビング等の
配向処理を施すことによって配向膜１６と配向膜２３に
は液晶分子の向きを同一方向に揃える機能と、液晶分子
の何れか一方を持ち上げ液晶分子との間にチルト角と称
する所定の傾斜角を形成する機能を付与している。
電極２２に対してほぼ平行な状態からほぼ垂直な状態に
反転するに際して、液晶分子が画素電極１２や対向電極
２２と完全に平行であるよりいずれか一方の先端が予め
持ち上がっている方が応答が速い。そこでラビング等の
配向処理を施すことによって配向膜１６と配向膜２３に
は液晶分子の向きを同一方向に揃える機能と、液晶分子
の何れか一方を持ち上げ液晶分子との間にチルト角と称
する所定の傾斜角を形成する機能を付与している。
【０００９】かかる液晶表示パネルは通常対向電極２２
の電位を基準として画素電極１２に±１〜５Ｖ程度の電
圧ＶD が印加され、ゲートバスライン１４にはゲートオ
ン時に＋１５Ｖ程度の電圧ＶGON が、ゲートオフ時に−
１５Ｖ程度の電圧ＶGOFFが印加される。その結果、例え
ばゲートオフ時に画素電極１２の電圧ＶD が＋になると
液晶表示パネル内の電位は図８（ａ）の如く分布し、画
素電極１２に印加される電圧Ｖ D が−に反転すると液晶
表示パネル内の電位は図８（ｂ）の如く分布すると考え
られる。
の電位を基準として画素電極１２に±１〜５Ｖ程度の電
圧ＶD が印加され、ゲートバスライン１４にはゲートオ
ン時に＋１５Ｖ程度の電圧ＶGON が、ゲートオフ時に−
１５Ｖ程度の電圧ＶGOFFが印加される。その結果、例え
ばゲートオフ時に画素電極１２の電圧ＶD が＋になると
液晶表示パネル内の電位は図８（ａ）の如く分布し、画
素電極１２に印加される電圧Ｖ D が−に反転すると液晶
表示パネル内の電位は図８（ｂ）の如く分布すると考え
られる。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、以上述
べたような従来の液晶表示パネルでは以下のような問題
が生じる。液晶分子と配向膜との間にチルト角を介在せ
しめる機能は予め配向処理を施すことによって配向膜に
付与される。しかし、チルト角が所定の角度になるのは
電位の分布曲線が画素電極１２および対向電極２２に対
してほぼ平行な領域である。
べたような従来の液晶表示パネルでは以下のような問題
が生じる。液晶分子と配向膜との間にチルト角を介在せ
しめる機能は予め配向処理を施すことによって配向膜に
付与される。しかし、チルト角が所定の角度になるのは
電位の分布曲線が画素電極１２および対向電極２２に対
してほぼ平行な領域である。
【００１１】しかるに、従来の液晶表示パネル内部の電
位の分布は図８に示す如く画素電極１２の周縁部におい
て大きく傾斜し、かつ、ゲートバスライン１４の電位に
関係なく画素電極１２に印加される電圧ＶD の極性反転
に伴って傾斜方向が反転している。その結果、画素電極
１２の周縁部においてチルト角が所定の角度からはずれ
信号電圧に応答しない液晶分子が発生する。かかる現象
をディスクリネーションと称し表示画像中に微小な欠陥
を生じて表示品質を低下させるという問題があった。
位の分布は図８に示す如く画素電極１２の周縁部におい
て大きく傾斜し、かつ、ゲートバスライン１４の電位に
関係なく画素電極１２に印加される電圧ＶD の極性反転
に伴って傾斜方向が反転している。その結果、画素電極
１２の周縁部においてチルト角が所定の角度からはずれ
信号電圧に応答しない液晶分子が発生する。かかる現象
をディスクリネーションと称し表示画像中に微小な欠陥
を生じて表示品質を低下させるという問題があった。
【００１２】本発明の目的はディスクリネーションの発
生を防止可能なアクティブマトリクス方式の液晶表示パ
ネルを提供することにある。
生を防止可能なアクティブマトリクス方式の液晶表示パ
ネルを提供することにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】上記の問題点は、以下に
示す液晶表示パネルにより解決される。すなわち、図１
に示すように、複数の画素電極と薄膜トランジスタがマ
トリクス状に配設された第１の基板および第２の基板を
有し、対向せしめた２枚の基板の間に液晶を封入してな
るアクティブマトリクス方式の液晶表示パネルにおい
て、薄膜トランジスタに接続されてなるゲートバスライ
ンが、液晶より誘電率の低い材料からなる誘電体層によ
って被覆されてなる。
示す液晶表示パネルにより解決される。すなわち、図１
に示すように、複数の画素電極と薄膜トランジスタがマ
トリクス状に配設された第１の基板および第２の基板を
有し、対向せしめた２枚の基板の間に液晶を封入してな
るアクティブマトリクス方式の液晶表示パネルにおい
て、薄膜トランジスタに接続されてなるゲートバスライ
ンが、液晶より誘電率の低い材料からなる誘電体層によ
って被覆されてなる。
【００１４】また、他の態様として、図３に示すよう
に、第１の基板に形成されたゲートバスラインと対向
し、対向電極から独立した任意の電圧を印加可能な補助
電極を第２の基板上に形成する。さらに別の態様とし
て、図５に示すように、データバスラインから導出され
た延長部を、絶縁膜を介してゲートバスラインの幅方向
全体を覆うように配設する。
に、第１の基板に形成されたゲートバスラインと対向
し、対向電極から独立した任意の電圧を印加可能な補助
電極を第２の基板上に形成する。さらに別の態様とし
て、図５に示すように、データバスラインから導出され
た延長部を、絶縁膜を介してゲートバスラインの幅方向
全体を覆うように配設する。
【００１５】
【作用】本発明によれば、能動素子に接続されてなるゲ
ートバスラインとデータバスラインのいずれか一方若し
くは両方を、液晶より誘電率の低い材料からなる誘電体
層で被覆する場合には、誘電体層によってバスラインに
印加される電圧の影響が減少し、画素電極の周縁部にお
ける電位の傾斜を小さくする。
ートバスラインとデータバスラインのいずれか一方若し
くは両方を、液晶より誘電率の低い材料からなる誘電体
層で被覆する場合には、誘電体層によってバスラインに
印加される電圧の影響が減少し、画素電極の周縁部にお
ける電位の傾斜を小さくする。
【００１６】また、対向電極から独立した補助電極をゲ
ートバスラインに対向させて形成する場合には、補助電
極に任意の直流バイアス電圧を印加することによってバ
スラインに印加される電圧の影響が減少し、画素電極の
周縁部における電位の傾斜を小さくする。さらに、ゲー
トバスライン上に絶縁膜を介してデータバスラインから
導出された延長部を配設する場合には、延長部がシール
ド電極としてはたらくためバスラインに印加される電圧
の影響が減少し、画素電極の周縁部における電位の傾斜
を小さくする。
ートバスラインに対向させて形成する場合には、補助電
極に任意の直流バイアス電圧を印加することによってバ
スラインに印加される電圧の影響が減少し、画素電極の
周縁部における電位の傾斜を小さくする。さらに、ゲー
トバスライン上に絶縁膜を介してデータバスラインから
導出された延長部を配設する場合には、延長部がシール
ド電極としてはたらくためバスラインに印加される電圧
の影響が減少し、画素電極の周縁部における電位の傾斜
を小さくする。
【００１７】したがって、本発明によれば画素電極の周
縁部における電位の傾斜が小さくなってディスクリネー
ションの発生が軽減される。即ち、ディスクリネーショ
ンの発生を防止可能なアクティブマトリクス方式の液晶
表示パネルを実現できる。
縁部における電位の傾斜が小さくなってディスクリネー
ションの発生が軽減される。即ち、ディスクリネーショ
ンの発生を防止可能なアクティブマトリクス方式の液晶
表示パネルを実現できる。
【００１８】
【実施例】以下添付図により本発明の実施例について説
明する。なお、実施例を説明するための図において、同
一機能を有するものには同一符号を付し、その繰り返し
の説明は省略する。図１は本発明になる液晶表示パネル
の第１の実施例における主要部を示す斜視図である。
明する。なお、実施例を説明するための図において、同
一機能を有するものには同一符号を付し、その繰り返し
の説明は省略する。図１は本発明になる液晶表示パネル
の第１の実施例における主要部を示す斜視図である。
【００１９】同図において、２は第２の基板、３は液
晶、４は第１の基板、１１および２１はガラス基板、１
２は画素電極、１３は能動素子、１４はゲートバスライ
ン、１５はデータバスライン、１６および２３は配向
膜、１７は誘電体層、２２は対向電極である。この図１
に示す本発明の第１の実施例であるアクティブマトリク
ス方式の液晶表示パネルは、第１の基板４と第２の基板
２を具えており、所定の間隔を介して対向せしめた第１
の基板４と第２の基板２の間に液晶分子を含有してなる
液晶３が封入されている。
晶、４は第１の基板、１１および２１はガラス基板、１
２は画素電極、１３は能動素子、１４はゲートバスライ
ン、１５はデータバスライン、１６および２３は配向
膜、１７は誘電体層、２２は対向電極である。この図１
に示す本発明の第１の実施例であるアクティブマトリク
ス方式の液晶表示パネルは、第１の基板４と第２の基板
２を具えており、所定の間隔を介して対向せしめた第１
の基板４と第２の基板２の間に液晶分子を含有してなる
液晶３が封入されている。
【００２０】第１の基板４はガラス基板１１上に複数の
画素電極１２とＴＦＴやＭＩＭ等の能動素子１３がマト
リクス状に配設され、能動素子１３には画素電極１２の
他に直交するように形成されたゲートバスライン１４と
データバスライン１５が接続されている。本実施例の液
晶表示パネルは従来の液晶表示パネルとは異なり、能動
素子１３に接続されてなるゲートバスライン１４とデー
タバスライン１５のいずれか一方、若しくは両方が液晶
３より誘電率の低い材料、例えばポリイミド等からなる
誘電体層１７によって被覆されている。
画素電極１２とＴＦＴやＭＩＭ等の能動素子１３がマト
リクス状に配設され、能動素子１３には画素電極１２の
他に直交するように形成されたゲートバスライン１４と
データバスライン１５が接続されている。本実施例の液
晶表示パネルは従来の液晶表示パネルとは異なり、能動
素子１３に接続されてなるゲートバスライン１４とデー
タバスライン１５のいずれか一方、若しくは両方が液晶
３より誘電率の低い材料、例えばポリイミド等からなる
誘電体層１７によって被覆されている。
【００２１】因みに、液晶３の誘電率は方向性を有し短
軸方向において３〜５程度であり長軸方向において８〜
１０程度であるが、液晶分子はガラス基板１１と平行で
画素電極１２とゲートバスライン１４間は横方向に電界
がかかることから長軸方向に相当する。したがって、液
晶３の誘電率は８〜１０程度と推定され誘電体層１７を
形成する誘電率が液晶３より低い材料として、誘電率が
３〜４のポリイミド、誘電率が２．５〜２．７のポリス
チレン、誘電率が２．２〜２．４のポリエチレン等が挙
げられる。
軸方向において３〜５程度であり長軸方向において８〜
１０程度であるが、液晶分子はガラス基板１１と平行で
画素電極１２とゲートバスライン１４間は横方向に電界
がかかることから長軸方向に相当する。したがって、液
晶３の誘電率は８〜１０程度と推定され誘電体層１７を
形成する誘電率が液晶３より低い材料として、誘電率が
３〜４のポリイミド、誘電率が２．５〜２．７のポリス
チレン、誘電率が２．２〜２．４のポリエチレン等が挙
げられる。
【００２２】即ち、ガラス基板１１上に画素電極１２お
よび能動素子１３とゲートバスライン１４およびデータ
バスライン１５を形成した後、その上に厚さが２μｍに
なるようにポリイミド樹脂をスピンコートし塗布された
樹脂を加熱によってイミド化している。しかし、画素電
極１２上に誘電率の低い材料からなる厚い膜が介在する
と液晶３に十分な電圧を印加することができない。そこ
で通常用いられるポジ型フォトレジストとアルカリ系現
像液によって画素電極１２上のポリイミド樹脂を除去す
る。
よび能動素子１３とゲートバスライン１４およびデータ
バスライン１５を形成した後、その上に厚さが２μｍに
なるようにポリイミド樹脂をスピンコートし塗布された
樹脂を加熱によってイミド化している。しかし、画素電
極１２上に誘電率の低い材料からなる厚い膜が介在する
と液晶３に十分な電圧を印加することができない。そこ
で通常用いられるポジ型フォトレジストとアルカリ系現
像液によって画素電極１２上のポリイミド樹脂を除去す
る。
【００２３】その後、第１の基板４の液晶３に面した側
を厚さが約１０００Åのポリイミド樹脂等からなる配向
膜１６によって覆い、液晶３に含有されている液晶分子
が同一方向を指すようラビング等の手段によって配向膜
１６に配向処理が施される。一方、第２の基板２はガラ
ス基板２１上に対向電極２２を形成すると共に共通電極
２２を覆うように配向膜２３が形成されており、配向膜
１６と同様に配向膜２３には液晶分子が同一方向を指す
ようラビング等の手段によって配向処理が施されてい
る。
を厚さが約１０００Åのポリイミド樹脂等からなる配向
膜１６によって覆い、液晶３に含有されている液晶分子
が同一方向を指すようラビング等の手段によって配向膜
１６に配向処理が施される。一方、第２の基板２はガラ
ス基板２１上に対向電極２２を形成すると共に共通電極
２２を覆うように配向膜２３が形成されており、配向膜
１６と同様に配向膜２３には液晶分子が同一方向を指す
ようラビング等の手段によって配向処理が施されてい
る。
【００２４】かかる液晶表示パネルは通常対向電極２２
の電位を基準として画素電極１２に±１〜５Ｖ程度の電
圧ＶD が印加され、ゲートバスライン１４にはゲートオ
ン時に＋１５Ｖ程度の電圧ＶGON が、ゲートオフ時に−
１５Ｖ程度の電圧ＶGOFFが印加される。図２は本発明の
第１の実施例における電位分布を示す模式図である。
の電位を基準として画素電極１２に±１〜５Ｖ程度の電
圧ＶD が印加され、ゲートバスライン１４にはゲートオ
ン時に＋１５Ｖ程度の電圧ＶGON が、ゲートオフ時に−
１５Ｖ程度の電圧ＶGOFFが印加される。図２は本発明の
第１の実施例における電位分布を示す模式図である。
【００２５】同図に示すように、本発明になる液晶表示
パネルの第１の実施例において、ゲートオフ時に、画素
電極１２に印加される電圧ＶD が＋になると液晶表示パ
ネル内の電位は図２（ａ）の如く分布し、画素電極１２
に印加される電圧ＶD が−に反転すると液晶表示パネル
内の電位は図２（ｂ）の如く分布すると考えられる。こ
のように能動素子１３に接続されてなるゲートバスライ
ン１４とデータバスライン１５のいずれか一方若しくは
両方を、液晶３より誘電率の低い材料からなる誘電体層
１７で被覆することによってバスラインに印加される電
圧の影響が減少する。
パネルの第１の実施例において、ゲートオフ時に、画素
電極１２に印加される電圧ＶD が＋になると液晶表示パ
ネル内の電位は図２（ａ）の如く分布し、画素電極１２
に印加される電圧ＶD が−に反転すると液晶表示パネル
内の電位は図２（ｂ）の如く分布すると考えられる。こ
のように能動素子１３に接続されてなるゲートバスライ
ン１４とデータバスライン１５のいずれか一方若しくは
両方を、液晶３より誘電率の低い材料からなる誘電体層
１７で被覆することによってバスラインに印加される電
圧の影響が減少する。
【００２６】その結果、画素電極の周縁部における電位
の傾斜が小さくなってディスクリネーションの発生が軽
減される。即ち、ディスクリネーションの発生を防止可
能なアクティブマトリクス方式の液晶表示パネルを実現
することができる。図３は本発明になる液晶表示パネル
の第２の実施例における主要部を示す斜視図である。
の傾斜が小さくなってディスクリネーションの発生が軽
減される。即ち、ディスクリネーションの発生を防止可
能なアクティブマトリクス方式の液晶表示パネルを実現
することができる。図３は本発明になる液晶表示パネル
の第２の実施例における主要部を示す斜視図である。
【００２７】同図において、１は第１の基板、５は第２
の基板、２４は補助電極である。この図３に示す本発明
の第２の実施例である液晶表示パネルは前記実施例とは
異なり、第１の基板１と第２の基板５を有し、所定の間
隔を介して対向させた第１の基板１と第２の基板５の間
に液晶分子を含有してなる液晶３が封入されている。
の基板、２４は補助電極である。この図３に示す本発明
の第２の実施例である液晶表示パネルは前記実施例とは
異なり、第１の基板１と第２の基板５を有し、所定の間
隔を介して対向させた第１の基板１と第２の基板５の間
に液晶分子を含有してなる液晶３が封入されている。
【００２８】第１の基板１はガラス基板１１上に複数の
画素電極１２とＴＦＴやＭＩＭ等の能動素子１３がマト
リクス状に配設され、能動素子１２には画素電極１３の
他に直交するように形成されたゲートバスライン１４と
データバスライン１５が接続されている。第１の基板１
の液晶３に面した側は厚さが約１０００Åのポリイミド
樹脂等からなる配向膜１６によって覆われており、配向
膜１６には液晶３に含有されている液晶分子が同一方向
を指すようラビング等の手段によって配向処理が施され
ている。
画素電極１２とＴＦＴやＭＩＭ等の能動素子１３がマト
リクス状に配設され、能動素子１２には画素電極１３の
他に直交するように形成されたゲートバスライン１４と
データバスライン１５が接続されている。第１の基板１
の液晶３に面した側は厚さが約１０００Åのポリイミド
樹脂等からなる配向膜１６によって覆われており、配向
膜１６には液晶３に含有されている液晶分子が同一方向
を指すようラビング等の手段によって配向処理が施され
ている。
【００２９】一方、第２の基板５はガラス基板２１上に
対向電極２２と任意の直流バイアス電圧を印加可能な補
助電極２４が形成され、第１の基板１のゲートバスライ
ン１４と対向する補助電極２４にゲートオフ電圧ＶGOFF
と逆極性の電圧−ＶGOFFが印加される。かかる液晶表示
パネルは通常対向電極２２の電位を基準として画素電極
１２に±１〜５Ｖ程度の電圧ＶD が印加され、ゲートバ
スライン１４にはゲートオン時に＋１５Ｖ程度の電圧Ｖ
GON が、ゲートオフ時に−１５Ｖ程度の電圧ＶGOFFが印
加される。
対向電極２２と任意の直流バイアス電圧を印加可能な補
助電極２４が形成され、第１の基板１のゲートバスライ
ン１４と対向する補助電極２４にゲートオフ電圧ＶGOFF
と逆極性の電圧−ＶGOFFが印加される。かかる液晶表示
パネルは通常対向電極２２の電位を基準として画素電極
１２に±１〜５Ｖ程度の電圧ＶD が印加され、ゲートバ
スライン１４にはゲートオン時に＋１５Ｖ程度の電圧Ｖ
GON が、ゲートオフ時に−１５Ｖ程度の電圧ＶGOFFが印
加される。
【００３０】図４は本発明の第２の実施例における電位
分布を示す模式図である。同図に示すように、本発明に
なる液晶表示パネルの第２の実施例において、ゲートオ
フ時に、画素電極１２に印加される電圧ＶD が＋になる
と液晶表示パネル内の電位は図４（ａ）の如く分布し、
画素電極１２に印加される電圧ＶD が−に反転すると液
晶表示パネル内の電位は図４（ｂ）の如く分布すると考
えられる。
分布を示す模式図である。同図に示すように、本発明に
なる液晶表示パネルの第２の実施例において、ゲートオ
フ時に、画素電極１２に印加される電圧ＶD が＋になる
と液晶表示パネル内の電位は図４（ａ）の如く分布し、
画素電極１２に印加される電圧ＶD が−に反転すると液
晶表示パネル内の電位は図４（ｂ）の如く分布すると考
えられる。
【００３１】このように対向電極から独立し任意の直流
バイアス電圧を印加可能な補助電極を第２の基板上に形
成すると共に、補助電極を第１の基板が有するゲートバ
スラインと対向させることによってバスラインに印加さ
れる電圧の影響が減少する。その結果、画素電極の周縁
部における電位の傾斜が小さくなってディスクリネーシ
ョンの発生が軽減される。即ち、ディスクリネーション
の発生を防止可能なアクティブマトリクス方式の液晶表
示パネルを実現することができる。
バイアス電圧を印加可能な補助電極を第２の基板上に形
成すると共に、補助電極を第１の基板が有するゲートバ
スラインと対向させることによってバスラインに印加さ
れる電圧の影響が減少する。その結果、画素電極の周縁
部における電位の傾斜が小さくなってディスクリネーシ
ョンの発生が軽減される。即ち、ディスクリネーション
の発生を防止可能なアクティブマトリクス方式の液晶表
示パネルを実現することができる。
【００３２】図５は本発明になる液晶表示パネルの第３
の実施例における主要部を示す斜視図である。同図にお
いて、２は第２の基板、６は第１の基板、１８は絶縁
膜、１９は延長部である。この図５に示す本発明の第３
の実施例である液晶表示パネルは前記２つの実施例とは
異なり、第１の基板６と第２の基板２を有し、所定の間
隔を介して対向させた第１の基板６と第２の基板２の間
に液晶分子を含有してなる液晶３が封入されている。
の実施例における主要部を示す斜視図である。同図にお
いて、２は第２の基板、６は第１の基板、１８は絶縁
膜、１９は延長部である。この図５に示す本発明の第３
の実施例である液晶表示パネルは前記２つの実施例とは
異なり、第１の基板６と第２の基板２を有し、所定の間
隔を介して対向させた第１の基板６と第２の基板２の間
に液晶分子を含有してなる液晶３が封入されている。
【００３３】第１の基板６はガラス基板１１上に複数の
画素電極１２とＴＦＴやＭＩＭ等の能動素子１３がマト
リクス状に配設され、能動素子１３には画素電極１２の
他に直交するように形成されたゲートバスライン１４と
データバスライン１５が接続されている。ここで、能動
素子１３に接続されてなるデータバスライン１５は絶縁
膜１８を介して能動素子１３に接続されてなるゲートバ
スライン１４上に形成されており、データバスライン１
５から導出された延長部１９がゲートバスライン１４上
で絶縁膜１８を介してゲートバスライン１４を覆うよう
に形成されている。
画素電極１２とＴＦＴやＭＩＭ等の能動素子１３がマト
リクス状に配設され、能動素子１３には画素電極１２の
他に直交するように形成されたゲートバスライン１４と
データバスライン１５が接続されている。ここで、能動
素子１３に接続されてなるデータバスライン１５は絶縁
膜１８を介して能動素子１３に接続されてなるゲートバ
スライン１４上に形成されており、データバスライン１
５から導出された延長部１９がゲートバスライン１４上
で絶縁膜１８を介してゲートバスライン１４を覆うよう
に形成されている。
【００３４】さらに、第１の基板６の液晶３に面した側
は厚さが約１０００Åのポリイミド樹脂等からなる配向
膜１６によって覆われており、配向膜１６には液晶３に
含有されている液晶分子が同一方向を指すようラビング
等の手段によって配向処理が施されている。一方、第２
の基板２はガラス基板２１上に対向電極２２を形成する
と共に対向電極２２を覆うように配向膜２３が形成され
ており、配向膜１６と同様に配向膜２３には液晶分子が
同一方向を指すようラビング等の手段によって配向処理
が施されている。
は厚さが約１０００Åのポリイミド樹脂等からなる配向
膜１６によって覆われており、配向膜１６には液晶３に
含有されている液晶分子が同一方向を指すようラビング
等の手段によって配向処理が施されている。一方、第２
の基板２はガラス基板２１上に対向電極２２を形成する
と共に対向電極２２を覆うように配向膜２３が形成され
ており、配向膜１６と同様に配向膜２３には液晶分子が
同一方向を指すようラビング等の手段によって配向処理
が施されている。
【００３５】かかる液晶表示パネルは通常対向電極２２
の電位を基準として画素電極１２に±１〜５Ｖ程度の電
圧ＶD が印加され、ゲートバスライン１４にはゲートオ
ン時に＋１５Ｖ程度の電圧ＶGON が、ゲートオフ時に−
１５Ｖ程度の電圧ＶGOFFが印加される。このように能動
素子１３に接続されてなるデータバスライン１５を絶縁
膜１８を介してゲートバスライン１４上に形成し、デー
タバスライン１５から導出された延長部１９をゲートバ
スライン１４上に覆うように形成することによって、延
長部１９がシールド電極として作用する。
の電位を基準として画素電極１２に±１〜５Ｖ程度の電
圧ＶD が印加され、ゲートバスライン１４にはゲートオ
ン時に＋１５Ｖ程度の電圧ＶGON が、ゲートオフ時に−
１５Ｖ程度の電圧ＶGOFFが印加される。このように能動
素子１３に接続されてなるデータバスライン１５を絶縁
膜１８を介してゲートバスライン１４上に形成し、デー
タバスライン１５から導出された延長部１９をゲートバ
スライン１４上に覆うように形成することによって、延
長部１９がシールド電極として作用する。
【００３６】したがって画素電極には、延長部１９が形
成されている部分ではゲートバスライン１４に印加され
ている電圧の影響はほとんど無視でき、データバスライ
ン１５に印加されている電圧のみが影響する。データバ
スライン１５および延長部１９には、画素電極１２に印
加されるべき±１〜５Ｖ程度の電圧が印加されており、
ゲートバスライン１４に印加されている−１５Ｖ程度の
ゲートオフ電圧ＶGOFFに比べると大幅に小さいものであ
る。
成されている部分ではゲートバスライン１４に印加され
ている電圧の影響はほとんど無視でき、データバスライ
ン１５に印加されている電圧のみが影響する。データバ
スライン１５および延長部１９には、画素電極１２に印
加されるべき±１〜５Ｖ程度の電圧が印加されており、
ゲートバスライン１４に印加されている−１５Ｖ程度の
ゲートオフ電圧ＶGOFFに比べると大幅に小さいものであ
る。
【００３７】その結果、画素電極の周縁部における電位
の傾斜が小さくなってディスクリネーションの発生が軽
減される。即ち、ディスクリネーションの発生を防止可
能なアクティブマトリクス方式の液晶表示パネルを実現
することができる。図６は本発明の第３の実施例におけ
る変形例を示す平面図である。同図に示す変形例におい
ては導出される延長部１９の形状は異なるが、いずれの
延長部１９も画素電極１２に隣接するゲートバスライン
１４を覆うように形成されている。
の傾斜が小さくなってディスクリネーションの発生が軽
減される。即ち、ディスクリネーションの発生を防止可
能なアクティブマトリクス方式の液晶表示パネルを実現
することができる。図６は本発明の第３の実施例におけ
る変形例を示す平面図である。同図に示す変形例におい
ては導出される延長部１９の形状は異なるが、いずれの
延長部１９も画素電極１２に隣接するゲートバスライン
１４を覆うように形成されている。
【００３８】したがって、図６に示される変形例におい
ても図５に示される第３の実施例と同様にゲートバスラ
イン１４に印加される電圧の影響が減少し、ディスクリ
ネーションの発生を軽減することができる。
ても図５に示される第３の実施例と同様にゲートバスラ
イン１４に印加される電圧の影響が減少し、ディスクリ
ネーションの発生を軽減することができる。
【００３９】
【発明の効果】上述の如く本発明によれば、液晶の配向
異常の原因となる電界の乱れを抑えることができ、ディ
スクリネーションの発生を防止可能なアクティブマトリ
クス方式の液晶表示パネルを実現することができる。と
くに、第１の実施例においては必要に応じてゲートバス
ラインのみではなく、ゲートバスラインおよびデータバ
スラインの両方を誘電体層によって被覆することによっ
て、より効果をあげることができる。
異常の原因となる電界の乱れを抑えることができ、ディ
スクリネーションの発生を防止可能なアクティブマトリ
クス方式の液晶表示パネルを実現することができる。と
くに、第１の実施例においては必要に応じてゲートバス
ラインのみではなく、ゲートバスラインおよびデータバ
スラインの両方を誘電体層によって被覆することによっ
て、より効果をあげることができる。
【００４０】また、第３の実施例においてはシールド電
極として作用する延長部を、データバスラインと同じ工
程で形成できるので工程数を少なくできる。
極として作用する延長部を、データバスラインと同じ工
程で形成できるので工程数を少なくできる。
【図１】本発明になる液晶表示パネルの第１の実施例に
おける主要部を示す斜視図である。
おける主要部を示す斜視図である。
【図２】本発明の第１の実施例における電位分布を示す
模式図である。
模式図である。
【図３】本発明になる液晶表示パネルの第２の実施例に
おける主要部を示す斜視図である。
おける主要部を示す斜視図である。
【図４】本発明の第２の実施例における電位分布を示す
模式図である。
模式図である。
【図５】本発明になる液晶表示パネルの第３の実施例に
おける主要部を示す斜視図である。
おける主要部を示す斜視図である。
【図６】本発明の第３の実施例における変形例を示す平
面図である。
面図である。
【図７】従来の液晶表示パネルの主要部を示す斜視図で
ある。
ある。
【図８】従来の液晶表示パネルにおける電位分布を示す
模式図である。
模式図である。
１、４、６…第１の基板 ２、５…第２の基板 ３…液晶 １１…ガラス基板 １２…画素電極 １３…能動素子 １４…ゲートバスライン １５…データバスライン １６…配向膜 １７…誘電体層 １８…絶縁膜 １９…延長部 ２１…ガラス基板 ２２…対向電極 ２３…配向膜 ２４…補助電極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平３−103830（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−298716（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−212621（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−307520（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−251285（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−298716（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−135424（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G02F 1/136 G02F 1/1343
Claims (3)
- 【請求項１】 複数の画素電極と薄膜トランジスタがマ
トリクス状に配設された第１の基板および第２の基板を
有し、対向せしめた２枚の該基板の間に液晶を封入して
なるアクティブマトリクス方式の液晶表示パネルにおい
て、 薄膜トランジスタに接続されてなるゲートバスライン
が、液晶より誘電率の低い材料からなる誘電体層によっ
て被覆されてなることを特徴とする液晶表示パネル。 - 【請求項２】 複数の画素電極と薄膜トランジスタがマ
トリクス状に配設された第１の基板および対向電極を具
えた第２の基板を有し、対向せしめた２枚の該基板の間
に液晶を封入してなるアクティブマトリクス方式の液晶
表示パネルにおいて、 第１の基板に形成されたゲートバスラインと対向し、対
向電極から独立した任意の電圧を印加可能な補助電極が
第２の基板上に形成されてなることを特徴とする液晶表
示パネル。 - 【請求項３】 複数の画素電極と薄膜トランジスタがマ
トリクス状に配設された第１の基板および第２の基板を
有し、対向せしめた２枚の該基板の間に液晶を封入して
なるアクティブマトリクス方式の液晶表示パネルにおい
て、 データバスラインから導出された延長部が、絶縁膜を介
してゲートバスラインの幅方向全体を覆うように配設さ
れてなることを特徴とする液晶表示パネル。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24830292A JP3123250B2 (ja) | 1992-08-06 | 1992-09-17 | 液晶表示パネル |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4-209325 | 1992-08-06 | ||
| JP20932592 | 1992-08-06 | ||
| JP24830292A JP3123250B2 (ja) | 1992-08-06 | 1992-09-17 | 液晶表示パネル |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06102527A JPH06102527A (ja) | 1994-04-15 |
| JP3123250B2 true JP3123250B2 (ja) | 2001-01-09 |
Family
ID=26517380
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24830292A Expired - Lifetime JP3123250B2 (ja) | 1992-08-06 | 1992-09-17 | 液晶表示パネル |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3123250B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101700274B1 (ko) * | 2016-09-29 | 2017-01-26 | 이승국 | 치아세정 겸용 잇몸 마사지 기구 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6801267B2 (en) | 2000-11-10 | 2004-10-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device |
-
1992
- 1992-09-17 JP JP24830292A patent/JP3123250B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101700274B1 (ko) * | 2016-09-29 | 2017-01-26 | 이승국 | 치아세정 겸용 잇몸 마사지 기구 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06102527A (ja) | 1994-04-15 |
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