JP4326058B2

JP4326058B2 - 垂直配向型液晶表示装置

Info

Publication number: JP4326058B2
Application number: JP2747999A
Authority: JP
Inventors: 龍司西川; 進大今; 洋史松田; 康志宮島
Original assignee: Sanyo Electric Co Ltd
Current assignee: Sanyo Electric Co Ltd
Priority date: 1999-02-04
Filing date: 1999-02-04
Publication date: 2009-09-02
Anticipated expiration: 2019-02-04
Also published as: JP2000221532A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、液晶表示装置（Liquid Crystal Display；ＬＣＤ）に関し、さらに詳しくは、補助容量（Storage Capacitor、以下ＳＣと表記する場合がある。）を有する液晶表示装置の画像表示の改善に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来より、負の誘電率異方性を有した液晶と、垂直配向膜とを用いた垂直配向型の液晶表示装置が開発されており、このようなタイプの装置は、大別して２種類存在する。
【０００３】
まず、第１のタイプは、ラビング処理を施した垂直配向膜を用いるもので、図６（ａ）はその平面図、図６（ｂ）はそのＡ−Ａ’断面図である。第１の基板５０上に、ゲート線５１が形成され、これを覆ってゲート絶縁膜５２が形成されている。ゲート線５１は、画素の一部にゲート電極５１ａを有する。この上には、ポリシリコン膜５３が、ゲート電極５１ａの上方を通過するように、島状に形成されている。ポリシリコン膜５３には、不純物がドーピングされ、その一部はゲート電極５１ａと共に薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor；ＴＦＴ）５３ａを形成している。これらを覆って層間絶縁膜５４ａが形成され、データ線５７が形成されている。この上に層間絶縁膜５４ｂを介してＩＴＯ（indium tin oxide）よりなる画素電極５５が形成され、層間絶縁膜５４に開口されたコンタクトホールを介してポリシリコン膜５３に接続されている。断面図（ｂ）では、理解のため、本来この断面にはないコンタクトをあえて描いている。この上には、ポリイミド等よりなる垂直配向膜５６が形成されている。垂直配向膜５６には、ラビング処理が施されている。データ線５７はＴＦＴ５３ａのソース領域に接続され、ゲート電極５１ａがオンしたときに画素電極５５に電荷を供給する。データ線５７に印加される電圧によって、液晶が直接傾斜される事を防止するため、データ線５７は、画素電極５５の下に重畳して形成されている。
【０００４】
第１の基板５０に対向して配置された第２の基板６０には、ＩＴＯ等よりなる共通電極６１が複数の画素電極５５を覆って形成されている。共通電極６１上には、第１の基板５０側と同じ垂直配向膜６２が設けられ、ラビング処理が施されている。
【０００５】
これら第１の基板５０および第２の基板６０の間には、液晶７０が封入され、画素電極５５と共通電極６１間に印加された電圧によって形成された電界強度に応じて、液晶分子の向き即ち配向が制御される。第１の基板５０および第２の基板６０の外側には、図示しない偏光板が、偏光軸を直交させて配置されている。これら偏光板間を通過する直線偏光は、各表示画素毎に異なる配向に制御された液晶７０を通過する際に変調され、所望の透過率に制御される。
【０００６】
液晶７０は負の誘電率異方性を有しており、即ち、電界方向に対して倒れるように配向する性質を有している。垂直配向膜５６，６２は、液晶７０の初期配向を垂直方向に制御する。この場合、電圧無印加時には、液晶分子は垂直配向膜５６，６２に垂直になっており、一方の偏光板を抜けた直線偏光は、液晶層７０を通過して他方の偏光板により遮断されて表示は黒として認識される。電圧印加時には、液晶７０はラビング方向に傾き、一方の偏光板を抜けた直線偏光は、液晶層７０にて複屈折を受け、楕円偏光に変化して他方の偏光板を通過し、表示は白に近づいていく。画素電極５５は、ゲート線５１とデータ線５７が両方オンするとＴＦＴ５３ａを介して電圧が印加され、その直上の液晶を駆動する。それぞれの画素電極５５に、それぞれの電圧を印加することによってＬＣＤの表示を行う。つまり、画素電極５５が形成されている領域が画素となる。
【０００７】
画素ではない領域、即ち、画素電極５５同士の間隙及びＴＦＴ５３ａの領域には、図示しない遮光性のブラックマトリクスが形成されている。ブラックマトリクスは、画素間の、電圧が印加されない領域において、プレチルトが付与された液晶により複屈折が生じて不要な光が抜けて、画素間が白く見え、コントラスト比を低下させることを防ぐ目的で設けられている。
【０００８】
ポリシリコン膜５３の一部は補助容量（ＳＣ）電極５３ｂとなっている。上述したように、ＬＣＤは、画素電極５５と共通電極６１との間に電圧を印加し、ここに発生する電界によって液晶を配向して透過率を制御するが、液晶は、完全な絶縁体ではないため、画素電極に電圧を印加すると微弱な電流が流れてしまう。これにより、画素電極に蓄積された電荷が放出され、画素電極５５と共通電極６１との間の電圧を維持できなくなってしまう。そこで、ＳＣ電極５３ｂの下には、例えばクロム等からなる補助容量（ＳＣ）線５８が形成され、ＳＣ電極５３ｂとの重畳部分で補助容量を形成し、画素電極５５に電荷を供給している。ＳＣ線５８は、ＳＣ電極５３ｂに対向する領域５８ａが太く形成され、ＳＣ電極５３ｂとの容量を大きくしている。画素と、補助容量、及びデータ線、ゲート線の等価回路を図７に示す。画素電極５５と共通電極６１に挟まれた液晶７０によって構成される容量と、ＳＣ電極５３ｂとＳＣ線５８によって構成される補助容量がゲート電極５１ａを有するＴＦＴを介してデータ線５７に接続されている。画素電極５５の電荷を保持する意味から、補助容量は、大きい方がよい。
【０００９】
垂直配向型ＬＣＤのもう一つのタイプは、垂直配向膜にラビング処理を施さず、別途液晶の配向方向を制御する配向制御手段を有する垂直配向型ＬＣＤである。例えば特願平５−８４６９６などに、配向方向を制御する、配向制御窓を有する垂直配向型ＬＣＤが提案されている。図８（ａ）はこのような配向制御窓を有するＬＣＤの構造を示す平面図、図８（ｂ）はそのＡ−Ａ’断面図である。図６のＬＣＤとは、第１の基板５０上にＴＦＴ５３ａＳＣ電極５３ｂとこれに接続された画素電極５５が形成されており、基板６０とともに液晶７０を封入し、その外側に偏光層が形成されているなどの点では共通である。図６のＬＣＤと共通の構造については同じ番号を付し、説明を省略する。図６のＬＣＤとは、共通電極６１が開口されて、配向制御窓６３が形成されている点と、垂直配向膜５６，６２にラビング処理がなされていない点で大きく異なっている。配向制御窓６３は、共通電極が開口された電極不在の領域であり、例えば図示したように「Ｙ」の文字を上下逆に連結した形状を有する。
【００１０】
この構成で、画素電極５５と共通電極６１間に電圧を印加すると、電界６４，６５が形成され、液晶分子５９は傾斜する。画素電極５５の端部では、電界６４は、画素電極５５から共通電極６１側へ向かって斜めに傾いた形状になる。同様に、配向制御窓６３の端部も電極が不在であるため、電界６５は画素電極５５に向かって傾いた形状になる。この傾いた電界によって、液晶の配向方向が制御されるため、液晶分子は、プレチルト角に依ることなく画素電極５５の内側方向、配向制御窓６３に向かって傾斜する。
【００１１】
また、配向制御窓６３直下では、共通電極６１が不在であるので電圧印加によっても電界が形成されず、液晶分子は初期配向状態、即ち垂直方向に固定される。これによって、液晶の連続体性によって配向制御窓６３を挟んで液晶の配向方向が対向し、図６に示したＬＣＤよりも広い視野角が得られる。
【００１２】
また、ラビングを施さない垂直配向型のＬＣＤは、電圧無印加時に黒に表示されるノーマリーブラック方式であるので、必ずしもブラックマトリックスは必要なく、これを形成しないことは、例えば特願平９−３１７１６９等に記載されている。
図９は、第２のタイプのＬＣＤの別の例である。この例では、データ線５９は、配向制御窓６３に重畳して形成されている。データ線５９を透過する光は一定の割合で減衰し、また、配向制御窓６３下の液晶は初期配向を保つので、電圧印加時でも光を透過しない。このため、それぞれの領域で光の透過率が落ち、画素全体の透過率が大きく落ちる。そこで、これを重畳して形成することによって、透過率の低下を防止しているのである。より詳しくは、特願平１０−３３７８４０に記載されている。
【００１３】
第２のタイプ、即ち配向膜にラビングを施さないタイプの垂直配向型ＬＣＤに関しては、液晶の配向方向を制御する手段は、配向制御窓６３に限るものではなく、液晶７０に面する垂直配向膜５６，６２に傾斜部を設けるなどしても良い。これに関しては、特願平６−１０４０４４に記載されている。
【００１４】
次にＬＣＤの電圧印加方式について述べる。図１０は、ゲート線及びデータ線に印加する電圧と、それによって駆動される画素電極の電圧を示すタイミングチャートである。図１０（ａ）は第１のゲート線５１に、（ｂ）は第１のゲート線に隣接する第２のゲート線５１に、（ｃ）はデータ線５７に、印加する電圧をそれぞれ示し、（ｄ）は第１のゲート線とデータ線によって制御される画素電極５５、（ｅ）は第２のゲート線とデータ線によって制御される画素電極５５の電圧を示している。１水平同期期間（以降１Ｈと表記する）第１のゲート線５１に電圧を印加し、これをオンする。第１のゲート線５１がオンすることで、これに対応した列の画素電極５５のＴＦＴがオンする。１Ｈの間それぞれのデータ線５７には、表示する画像に応じた電圧が印加され、この列の画素電極５５はその電圧を保持する。次の１Ｈで、第１のゲート電極５１はオフし、第２のゲート電極５１がオンする。これによって、第２のゲート線に対応した画素電極５５のＴＦＴがオンし、同様にデータ線５７の電圧を、この列の画素電極５５が保持する。以下同様に、１Ｈ毎に各行の画素電極５５に電圧を与え、これに対応する液晶を駆動し、画像を表示する。ここで、液晶の劣化を防止するため、隣接する行毎に電界の方向を反転させる。即ち、第１のゲート線が制御する列の画素電極５５は、共通電極６１の電位Ｖc（例えば６Ｖ）よりも所定電位（例えば４Ｖ）高い電圧Ｖ_high（１０Ｖ）を印加し、隣接する行の画素電極５５には、共通電極６１の電位Ｖｃよりも所定電位低い電圧Ｖ_low（２Ｖ）を印加する。再び第１のゲート線の列の画素電極５５に電圧を印加する際は、先ほどとは逆のＶ_lowを印加する。このような電圧の印加方式をライン反転方式と呼ぶ。ライン反転によると、共通電極６１の電位Ｖｃを中心に画素電極の印加電圧が反転しているので、電界は形状が同様で、方向が行毎に逆となる。
【００１５】
【発明が解決しようとする課題】
上述のように、第２のタイプ、即ち配向膜にラビングを施さず、配向制御窓のような配向制御手段を有するタイプの垂直配向型ＬＣＤは、一般的に、ラビングを施す第１のタイプのＬＣＤに比較して液晶の配向方向を制御する力が弱く、例えば液晶層７０の厚さを規定しているスペーサの分布の偏りによって液晶層７０の厚さが変化したり、外界から電界がかかったりするなど、配向方向を乱す要因（以下では外乱と呼ぶ）があると、液晶の配向方向が乱れ、画素の視角特性が変化する。また、外乱による配向方向の乱れは、画素毎に異なって生じるため、画面がざらついて見え、ＬＣＤの表示品質が低下する。
【００１６】
上述のように、データ線５７は、画素電極５５の下に重畳して形成されているが、これによって、画素電極とデータ線との間に寄生容量が生じる。この寄生容量に比較して、補助容量が十分に大きくないと、画素電極に適切な電圧が印加されず、画面のコントラストが低下する。ところが、補助容量を形成するＳＣ線５８は、金属なので、光を遮断し、単に面積を拡大して補助容量を大きくしようとするとＬＣＤの開口率が低下する。
【００１７】
また、ガラス基板が外的要因によって例えばプラスに帯電すると、対向する領域は逆電荷、即ちマイナスに帯電する。画素電極は、一定周期によって新たな電圧が印加され、帯電の影響は少ないが、画素電極間は電圧印加されないので、帯電したままとなる。画素電極間が帯電すると、これによって発生する電界によって液晶分子が傾斜し、光を透過するようになって、画素間が光る、いわゆる白抜けが生じ、画面のコントラストが低下する。帯電も上記外乱となりうる。
【００１８】
本発明は、配向膜にラビングを施さず、配向制御窓のような配向制御手段を有するタイプの垂直配向型ＬＣＤの表示品質を向上することを目的とする。
【００１９】
【課題を解決するための手段】
本発明は上記目的を達成するためになされたもので、画素電極の各行に形成されたゲート電極、画素電極に接続された補助容量電極、各行の画素電極にわたって延在し補助容量電極と対向して補助容量を形成する補助容量線が形成された第１の基板と、第１の基板に対向し、複数の画素電極に対向する共通電極が形成された第２の基板と、第１及び第２の基板間に封入された負の誘電率異方性を有する液晶とを備えた液晶表示装置において、液晶の配向方向を制御する配向制御手段を備え、画素電極の間に、液晶の配向方向を制御する配向制御補助電極が形成されている垂直配向型液晶表示装置である。
【００２０】
また、補助容量線は、行方向に隣接する画素の間に延在し、配向制御補助電極は、画素電極に接続された補助容量電極が該画素電極の列方向に隣接する画素電極に沿って形成されてなる。
【００２１】
また、液晶表示装置の駆動方法は、ライン反転方式である。
【００２２】
また、配向制御手段は、共通電極の画素電極それぞれに対応する領域に、共通電極を開口してなる配向制御窓を有することである。
【００２３】
また、第１及び第２の基板それぞれに液晶と接触する垂直配向制御膜を有し、配向制御手段は、第１もしくは第２の基板に形成された垂直配向制御膜に、液晶との接触表面が隆起または陥没されてなる配向制御傾斜部を有することである。
【００２４】
【発明の実施の形態】
図１（ａ）は本発明の第１の実施形態を示す平面図、図１（ｂ）はそのＡ−Ａ’断面図である。従来のＬＣＤと同様の構成については同じ番号を付し、説明を省略する。第１の基板５０上に、ゲート線５１が形成され、その一部がゲート電極５１ａとなっている。その上に絶縁膜５２を介してポリシリコン膜５３が形成され、その一部がゲート電極５１ａと共にＴＦＴ５３ａを形成している。ポリシリコン膜５３は、画素電極５５に接続されている。この上には、ラビング処理が施されていない垂直配向膜５６が形成されている。ポリシリコン膜５３の一部はＳＣ電極５３ｂであり、ＳＣ線５８とともに補助容量を形成している。データ線５９は２層の層間絶縁膜５４の間に形成されている。第１の基板５０に対向して配置された第２の基板６０上には、共通電極６１と、ラビング処理が施されていない垂直配向膜６２が設けらている。共通電極６１には、液晶の配向方向を制御する配向制御窓６３が形成されている。これら第１の基板５０および第２の基板６０の間には、負の誘電率異方性を有する液晶７０が装填され、画素電極５５と共通電極６１間に印加された電圧によって形成された電界強度に応じて配向が制御される。
【００２５】
従来との大きな違いは、画素間に配向制御補助電極１が形成されている点である。配向制御補助電極１は画素電極５５とそれに隣接する画素電極５５の間の領域に画素電極５５の長さと同程度形成されており、断面で見ると、画素電極５５の下、例えばＳＣ電極５３ｂと同じ層に形成された導電膜で、ポリシリコン膜５３及び画素電極５５とは絶縁されている。配線２は、コンタクトを介して配向補助電極１に接続され、これに電圧を印加する。配向制御補助電極１は、図示したように行方向の画素間に延在するのみでなく、列方向に隣接する画素間にも形成してもよい。
【００２６】
今、画素電極５５に共通電極６１よりも高い電圧が印加され、画素電極５５から共通電極６１に向かう電気力線が矢印のように形成されているとする。このとき、配向制御補助電極１に共通電極６１よりも低い電圧を印加すると、矢印で図示したように、共通電極６１から配向制御補助電極１に向かう電気力線が形成される。これは、画素電極５５から共通電極６１へ向かう電気力線とは逆方向である。
【００２７】
逆に、画素電極５５に共通電極６１よりも低い電圧を印加するときは、配向制御補助電極には、共通電極６１よりも高い電圧を印加する。つまり、配向制御補助電極には、共通電極を中央として、画素電極と反対の電圧を印加する。
【００２８】
従来のＬＣＤの画素間は、電極がないので電界が形成されておらず、図面上向きを「正」と表現すれば、画素電極５５端部からその隣の画素電極の端部までの電界強度は、正→０→正と変化していた。これに対し、本実施形態は、画素間に画素電極の極性とは逆の極性の電圧が印加されているので、画素間の電界強度は正→０→負→０→正と変化する。従って、画素間の電界強度の変化率は従来に比較して急になる。換言すれば、等電位線を描けば、その密度が密になる。負の誘電率異方性を有する液晶は、電界に垂直、電界強度の勾配方向に配向される。従って、配向制御補助電極１によって電界強度の変化率が急になると、より強く液晶の配向方向を制御することができる。配向制御が強くなると、液晶分子が初期配向から駆動状態へ移行する時間（応答時間）が短くなる。また、もし外乱によって、例えば画素間の液晶があらぬ方向に傾斜したとしても、画素電極端部の液晶は強く配向制御されているので、画素間の液晶の配向方向が画素内に影響しにくくなり、ＬＣＤの表示品質が向上する。
【００２９】
また、上述のように配向制御補助電極には電圧が印加されるので、ガラス基板が帯電しても、誘起された電荷がそこにたまることがなく、帯電の影響は受けにくい。
【００３０】
図２は、本発明の第２の実施形態の平面図であり、図３はその断面図である。図１の実施形態と同様の構成については同じ番号を付し説明を省略する。ゲート線５１が行方向に、データ線５９は列方向にそれぞれ複数延在しており、それらの上に絶縁膜を介して各画素毎に画素電極１０が形成されている。ＴＦＴ１１はデータ線５９と画素電極１０にコンタクトを介して接続され、ゲート線５１をまたがって延在している。対向電極には配向制御窓６３が形成されており、データ線５９は、配向制御窓に重畳して形成されている。駆動方法は、行毎に印加電圧を反転させるライン反転方式で駆動されている。
【００３１】
ＳＣ線１２は、行方向に延在し、画素間で、列方向に分岐して、画素の長さ程度延在している。SC電極１３は、ＴＦＴ１１からは独立して形成されており、ＳＣ線１２の画素間に延在した部分に対向し、補助容量を形成している。本発明の第１のポイントは、ここにあり、ＳＣ線１３とＳＣ電極１２が対向する領域が十分な面積を有するため、補助容量の値が大きい。しかも、ＳＣ線１３は主に画素間に形成されているので、開口率の低下も小さい。
【００３２】
本実施形態の第２のポイントは、各構成の接続にある。各構成には説明の便宜上、ａ，ｂ，ｃを付与し、区別して説明する。左上の画素電極１０ａａに注目して説明する。画素電極１０ｂａは、ゲート線５１ｂによって制御されたＴＦＴ１１ｂａを介して、データ線５９ａに接続されている。画素電極１０ｂａは、図面左下で、次の行のゲート線５１ｃにまたがって延在し、ゲート線５１ｃを越えた領域でSC電極１３ｂａに接続されている。そして、画素電極１０ｂａのとなりには、前の行の画素電極１０ａａに接続されたＳＣ電極１３ａａが配置されている。同様に、画素電極１０ａｂのＳＣ電極１３ａｂは画素電極１０ｂｂの隣、画素電極１０ｂｂのＳＣ電極１３ｂｂは画素電極１０ｃｂの隣にそれぞれ形成されている。以下同様に、SC電極１３は、接続されている画素電極１０の次の行の画素間に形成される。
【００３３】
図４は図２の動作を説明するために、これを簡略化して描いた平面図である。今、画素電極１０ａａに、共通電極６１に対して高い電圧V_highが印加されていたとする。図中、V_highが印加されている電極にはプラスを表示している。ＳＣ電極１３ａａは画素電極１０ａａに接続されているため、同じ電位V_highとなる。ライン反転であるので、同じ行にある画素電極１０ａｂ、それに接続されたＳＣ電極１３ａｂもV_highとなる。画素電極１０ａａに列方向に隣接する画素電極１０ｂａには、共通電極６１に対して低い電圧V_lowが印加される。従って、これに接続されたＳＣ電極１３ｂａ、１３ｂｂにも、V_lowが印加される。
【００３４】
このように、ライン反転によって、電圧が印加され、各画素に隣接するＳＣ電極１３は、列方向に隣接する画素に接続されているので、常にその画素とは逆の電圧が印加されている。従って、ＳＣ電極１３は、第１の実施形態で説明した配向制御補助電極１の働きをし、ここには、特に特別な方法によって電圧を印加する必要はなく、図１で示した配線２は不要である。
【００３５】
図５（ａ）は、本発明の第３の実施形態の平面図、図５（ｂ）はその断面図である。本実施形態は、配向制御を行う手段が、垂直配向膜に設けられた配向制御傾斜部であるＬＣＤに本発明を適用したものである。平面図（ａ）において、配向制御窓６３が形成されておらず、データ線が屈曲していない点が第２の実施形態と異なっている。断面図（ｂ）において、画素電極６の端部が隆起し、それを覆う配向制御膜には、配向制御傾斜部７ａ、７ｂが形成されている。配向制御傾斜部７ａによって、液晶分子の初期配向は、図面右に傾き、配向制御傾斜部７ｂによって図面左に傾く。画素中央の液晶分子は、傾斜部周辺の液晶分子からの連続体効果によって電圧印加時にも配向方向が制御される。本実施形態においても、ライン反転によって電圧が印加されており、各画素に隣接するＳＣ電極１３は、行方向に隣接する画素に接続されているため、常にその画素とは逆の電圧が印加されている。
【００３６】
尚、上記実施形態では、画素電極をゲート線にまたがって形成し、ＳＣ電極に接続したが、この逆でも良い。即ち、ＳＣ電極をゲート線にまたがって（図面上方向に延在して）形成し、画素電極に接続してもよい。さらに、コンタクトを介して別の層、例えばアルミニウムなどの金属層に接続し、金属層によってゲート線をまたがっても良い。ただし、またがるゲート線は、隣接する画素を制御するゲート線であって、その画素を制御するゲート線ではない方が望ましい。電圧印加時のクロストークを防止するためである。
【００３７】
また、本発明は、上述した実施形態に縛られるものではなく、特に配向制御手段は、配向制御窓、配向傾斜部以外のいかなる手段でもよい。
【００３８】
【発明の効果】
以上に述べたように、本発明によれば、画素電極の間に、液晶の配向方向を制御する配向制御補助電極が形成されているので、液晶の配向方向をより強く制御することができるので、液晶の配向方向が安定し、外部電界などの外乱に対して影響を受けにくくなり、表示品質が向上する。
【００３９】
また、請求項２に記載の発明によれば、補助容量が画素間に形成され、面積が大きいので、画素電極に十分な電圧を印加することができ、液晶を完全に駆動することができるので、コントラストが向上し、表示品質が向上する。
【００４０】
また、ライン反転方式によって駆動するので、補助容量電極には、隣接する画素電極とは逆の電圧が印加され、補助容量電極を配向制御補助電極として用いることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施形態を示す平面図及び断面図である。
【図２】本発明の実施形態を示す平面図である。
【図３】本発明の実施形態を示す断面図である。
【図４】本発明の実施形態を説明するための平面図である。
【図５】本発明の実施形態を示す平面図及び断面図である。
【図６】従来の液晶表示装置の平面図及び断面図である。
【図７】液晶表示装置の等価回路図である。
【図８】従来の配向制御窓を有する液晶表示装置の平面図及び断面図である。
【図９】従来の配向制御窓を有する液晶表示装置の平面図及び断面図である。
【図１０】ライン反転方式による電圧印加のタイミングチャートである。
【符号の説明】
１配向制御補助電極、２配線、７配向制御傾斜部、１０画素電極、１２補助容量線、１３補助容量電極、５１ゲート線、５２ゲート電極、５３補助容量電極、５５画素電極、６１共通電極、６３配向制御窓

Claims

液晶を駆動する互いに離間されて複数行形成された複数の画素電極、前記画素電極に電気的にそれぞれ接続された複数の補助容量電極、行方向に延在して各行の前記補助容量電極とそれぞれ対向して補助容量を形成する複数の補助容量線が形成された第１の基板と、
前記第１の基板に対向し、前記複数の画素電極に対向する共通電極が形成された第２の基板と、
前記第１及び第２の基板間に封入された負の誘電率異方性を有する液晶とを備えた液晶表示装置において、
前記画素電極上もしくは共通電極上に設けられ、前記液晶の配向方向を制御する配向制御手段を有し、
前記補助容量線は、行方向に隣接する画素の間に、列方向に分岐して延在し、前記画素電極に接続された前記補助容量電極は、前記画素電極の列方向に隣接する画素電極に沿って形成されてなり、前記液晶の配向方向制御を補助することを特徴とする垂直配向型液晶表示装置。
前記配向制御手段は、前記共通電極の前記画素電極それぞれに対応する領域に、前記共通電極を開口してなる配向制御窓を有することを特徴とする請求項１に記載の垂直配向型液晶表示装置。
さらに、前記第１及び第２の基板それぞれに前記液晶と接触する垂直配向制御膜を有し、前記配向制御手段は、前記第１もしくは第２の基板に形成された垂直配向制御膜に、前記液晶との接触表面が隆起または陥没されてなる配向制御傾斜部を有することを特徴とする請求項１に記載の垂直配向型液晶表示装置。
前記液晶表示装置の駆動方法は、行毎に印加電圧を反転させるライン反転方式であることを特徴とする請求項１から請求項３までの何れか一項に記載の垂直配向型液晶表示装置。