JPH11142886A - 液晶表示装置 - Google Patents
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- JPH11142886A JPH11142886A JP31034097A JP31034097A JPH11142886A JP H11142886 A JPH11142886 A JP H11142886A JP 31034097 A JP31034097 A JP 31034097A JP 31034097 A JP31034097 A JP 31034097A JP H11142886 A JPH11142886 A JP H11142886A
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- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1345—Conductors connecting electrodes to cell terminals
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- G—PHYSICS
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- G02F1/134309—Electrodes characterised by their geometrical arrangement
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- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/1368—Active matrix addressed cells in which the switching element is a three-electrode device
Abstract
(57)【要約】
【課題】 カラーフィルタのブラックマトリクスが持つ
電位が表示部の電界を乱すのを防ぎ、長期残像や表示む
らが発生しないようにする。 【解決手段】 開示される液晶表示装置は、走査線２３
及び信号線２４と、共通信号線３１と、画素電極３０
と、薄膜トランジスタ２６とを有する能動素子基板と、
導電性のブラックマトリクス層を備えた対向基板（カラ
ーフィルタ）とを液晶層を挟んで対向させてなる。能動
素子基板の画素電極３０が、信号線２４の延びる方向に
延びて、隣接する前段の走査線２３を絶縁層を介して覆
うように、しかし、薄膜トランジスタ２６と信号線２４
とには、重ならないように形成されている。すなわち、
走査線２３上の絶縁膜３６，３３のみを介して液晶層３
４と対向する領域の大半には、画素電極３０が覆い被さ
っている。
電位が表示部の電界を乱すのを防ぎ、長期残像や表示む
らが発生しないようにする。 【解決手段】 開示される液晶表示装置は、走査線２３
及び信号線２４と、共通信号線３１と、画素電極３０
と、薄膜トランジスタ２６とを有する能動素子基板と、
導電性のブラックマトリクス層を備えた対向基板（カラ
ーフィルタ）とを液晶層を挟んで対向させてなる。能動
素子基板の画素電極３０が、信号線２４の延びる方向に
延びて、隣接する前段の走査線２３を絶縁層を介して覆
うように、しかし、薄膜トランジスタ２６と信号線２４
とには、重ならないように形成されている。すなわち、
走査線２３上の絶縁膜３６，３３のみを介して液晶層３
４と対向する領域の大半には、画素電極３０が覆い被さ
っている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、液晶表示装置に
係り、詳しくは、ＩＰＳ（In-Plane Switching）モード
の広視野角液晶表示装置に関する。
係り、詳しくは、ＩＰＳ（In-Plane Switching）モード
の広視野角液晶表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、この種の液晶表示装置として
は、配向した液晶分子の分子軸の方向（以下、ディレク
タと呼ぶ。）を基板に対して垂直方向に回転させて表示
を行うＴＮモード等のものと、基板に対して水平面内で
回転させて表示を行うＩＰＳモードのものとがある。こ
のうち、ＩＰＳモードの液晶表示装置は、視点を動かし
ても基本的に液晶分子の短軸方向のみを見ていることに
なり、このため、液晶分子の”立ち方”の視野角依存性
がなく、ＴＮモード等の液晶表示装置に比較して、広視
野角を達成することができる。このため、以下では、Ｉ
ＰＳモードの液晶表示装置を広視野角液晶表示装置と称
する。
は、配向した液晶分子の分子軸の方向（以下、ディレク
タと呼ぶ。）を基板に対して垂直方向に回転させて表示
を行うＴＮモード等のものと、基板に対して水平面内で
回転させて表示を行うＩＰＳモードのものとがある。こ
のうち、ＩＰＳモードの液晶表示装置は、視点を動かし
ても基本的に液晶分子の短軸方向のみを見ていることに
なり、このため、液晶分子の”立ち方”の視野角依存性
がなく、ＴＮモード等の液晶表示装置に比較して、広視
野角を達成することができる。このため、以下では、Ｉ
ＰＳモードの液晶表示装置を広視野角液晶表示装置と称
する。
【０００３】従来、この種の広視野角液晶表示装置で
は、例えば、特開平６−１４８５９５号公報に記載され
ているように、液晶に電界を印加するための画素電極と
共通電極が同一面内に所定の間隔をおいて並行するよう
に設けられている。両電極間において基板表面に対して
平行な電界を印加し、液晶分子のディレクタを水平面内
で回転させることにより表示を行っている。
は、例えば、特開平６−１４８５９５号公報に記載され
ているように、液晶に電界を印加するための画素電極と
共通電極が同一面内に所定の間隔をおいて並行するよう
に設けられている。両電極間において基板表面に対して
平行な電界を印加し、液晶分子のディレクタを水平面内
で回転させることにより表示を行っている。
【０００４】図７は、上記公報に記載されている液晶表
示装置の１画素分の構造を示す平面図である。また、図
８は図７のＥ−Ｅ線に沿った断面図、図９は図７のＦ−
Ｆ線に沿った断面図である。図７乃至図９を参照して、
従来の液晶表示装置の構成について説明する。従来の液
晶表示装置においては、透明絶縁性基板１上にマトリク
ス状に複数の走査線３と信号線４が配置され、さらに走
査線３に平行に共通電極線１１が形成されている。走査
線３と信号線４の交差部には、薄膜トランジスタ（ＴＦ
Ｔ(thin film transistor)）６が形成され、薄膜トラン
ジスタ６のソース電極と電気的に接続する画素電極１０
が形成されている。
示装置の１画素分の構造を示す平面図である。また、図
８は図７のＥ−Ｅ線に沿った断面図、図９は図７のＦ−
Ｆ線に沿った断面図である。図７乃至図９を参照して、
従来の液晶表示装置の構成について説明する。従来の液
晶表示装置においては、透明絶縁性基板１上にマトリク
ス状に複数の走査線３と信号線４が配置され、さらに走
査線３に平行に共通電極線１１が形成されている。走査
線３と信号線４の交差部には、薄膜トランジスタ（ＴＦ
Ｔ(thin film transistor)）６が形成され、薄膜トラン
ジスタ６のソース電極と電気的に接続する画素電極１０
が形成されている。
【０００５】図７に示すように、画素電極１０と共通電
極線１１からはストライプ状の引き出し電極が分岐し、
ともに信号線４の方向に延び、各電極１０と１１に繋が
る引き出し電極が平行に互い違いに並んで配置されてい
る。電圧を印加することにより基板面に平行で走査線３
に平行な成分を主とした電界１００を発生する。次に、
図９により上記薄膜トランジスタ６の詳細について説明
する。この薄膜トランジスタ６は、ゲート電極３の上部
にチャネル層５、ソース電極１０及びドレイン電極４の
ある構造であり、一般的には「逆スタガ構造」と呼ばれ
ている構造である。
極線１１からはストライプ状の引き出し電極が分岐し、
ともに信号線４の方向に延び、各電極１０と１１に繋が
る引き出し電極が平行に互い違いに並んで配置されてい
る。電圧を印加することにより基板面に平行で走査線３
に平行な成分を主とした電界１００を発生する。次に、
図９により上記薄膜トランジスタ６の詳細について説明
する。この薄膜トランジスタ６は、ゲート電極３の上部
にチャネル層５、ソース電極１０及びドレイン電極４の
ある構造であり、一般的には「逆スタガ構造」と呼ばれ
ている構造である。
【０００６】図９に示すように、透明絶縁性基板１上に
走査線３に電気的に接続されたゲート電極３が形成さ
れ、このゲート電極３を覆うように全面にゲート絶縁膜
１６が形成されている。そして、ゲート電極３上方であ
ってゲート絶縁膜１６上にチャネル層となるアモルファ
スシリコン層５が形成され、アモルファスシリコン層５
の片側にドレイン電極４が接続されている。ドレイン電
極４は信号線４に電気的に接続されている。アモルファ
スシリコン層５のもう片側にはソース電極１０が接続さ
れており、ソース電極１０はさらに画素電極１０に接続
されている。
走査線３に電気的に接続されたゲート電極３が形成さ
れ、このゲート電極３を覆うように全面にゲート絶縁膜
１６が形成されている。そして、ゲート電極３上方であ
ってゲート絶縁膜１６上にチャネル層となるアモルファ
スシリコン層５が形成され、アモルファスシリコン層５
の片側にドレイン電極４が接続されている。ドレイン電
極４は信号線４に電気的に接続されている。アモルファ
スシリコン層５のもう片側にはソース電極１０が接続さ
れており、ソース電極１０はさらに画素電極１０に接続
されている。
【０００７】なお、ドレイン電極４及びソース電極１０
とアモルファスシリコン層５との間に高濃度ｎ型不純物
のドープされたｎ+ 型アモルファスシリコン層１５が設
けられている。ｎ+ 型アモルファスシリコン層１５はア
モルファスシリコン層５とドレイン電極及びソース電極
との間においてオーミックコンタクトをとるためのもの
である。さらに、これらの全てを覆うようにしてパシベ
ーション層１３が設けられている。パッシペーション膜
１３上には、液晶分子を液晶の動作モードに適した方向
に配向するためのＴＦＴ側液晶配向層１７が設けられて
いる。上記透明絶縁性基板１からＴＦＴ側液晶配向層１
７までの構成要素により、能動素子基板１９が構成され
ている。
とアモルファスシリコン層５との間に高濃度ｎ型不純物
のドープされたｎ+ 型アモルファスシリコン層１５が設
けられている。ｎ+ 型アモルファスシリコン層１５はア
モルファスシリコン層５とドレイン電極及びソース電極
との間においてオーミックコンタクトをとるためのもの
である。さらに、これらの全てを覆うようにしてパシベ
ーション層１３が設けられている。パッシペーション膜
１３上には、液晶分子を液晶の動作モードに適した方向
に配向するためのＴＦＴ側液晶配向層１７が設けられて
いる。上記透明絶縁性基板１からＴＦＴ側液晶配向層１
７までの構成要素により、能動素子基板１９が構成され
ている。
【０００８】さらに、液晶層１４を介してこの能動素子
基板１９と対向してカラーフィルター（ＣＦ）である対
向基板２０が設けられている。上記対向基板２０は、透
明絶縁性基板２上に、薄膜トランジスタ６や走査線３、
信号線４等を外部から隠すためのブラックマトリクス層
７と、色層８と、ＣＦ側液晶配向層１２とが順に積層さ
れている。ＣＦ側液晶配向層１２側が液晶層１４に面す
ることとなる。上記能動素子基板１９と液晶層１４と対
向基板２０とで、アクティブマトリクス液晶表示装置が
構成されている。
基板１９と対向してカラーフィルター（ＣＦ）である対
向基板２０が設けられている。上記対向基板２０は、透
明絶縁性基板２上に、薄膜トランジスタ６や走査線３、
信号線４等を外部から隠すためのブラックマトリクス層
７と、色層８と、ＣＦ側液晶配向層１２とが順に積層さ
れている。ＣＦ側液晶配向層１２側が液晶層１４に面す
ることとなる。上記能動素子基板１９と液晶層１４と対
向基板２０とで、アクティブマトリクス液晶表示装置が
構成されている。
【０００９】ここで、対向基板２０においては、ブラッ
クマトリクス層７が厚くなると、ブラックマトリクス層
７がある部分と無い部分での対向基板２０の厚みの差が
大きくなるため、対向基板２０の表面の凹凸が大きくな
る。よって、能動素子基板１９と対向基板２０に挟まれ
る液晶層１４の厚みがパネル面内でばらつくため、表示
むら等の発生原因となる。このような不具合を回避する
ため、ブラックマトリクス層７をより薄膜化すべく、薄
膜化が可能な金属で形成している。
クマトリクス層７が厚くなると、ブラックマトリクス層
７がある部分と無い部分での対向基板２０の厚みの差が
大きくなるため、対向基板２０の表面の凹凸が大きくな
る。よって、能動素子基板１９と対向基板２０に挟まれ
る液晶層１４の厚みがパネル面内でばらつくため、表示
むら等の発生原因となる。このような不具合を回避する
ため、ブラックマトリクス層７をより薄膜化すべく、薄
膜化が可能な金属で形成している。
【００１０】次に、図８を参照して、走査線３と共通電
極線１１とが並行している部分の構造について説明す
る。能動素子基板１９側では、同図に示すように、透明
絶縁性基板１上に走査線３と共通電極線１１とが並行
し、その上にゲート絶縁膜１６とパシベーション膜１３
とＴＦＴ側液晶配向層１７が積層されている。また、対
向基板２０側では、図９に示す構造と同じ構造となって
いる。
極線１１とが並行している部分の構造について説明す
る。能動素子基板１９側では、同図に示すように、透明
絶縁性基板１上に走査線３と共通電極線１１とが並行
し、その上にゲート絶縁膜１６とパシベーション膜１３
とＴＦＴ側液晶配向層１７が積層されている。また、対
向基板２０側では、図９に示す構造と同じ構造となって
いる。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記従来の
ＩＰＳモードの液晶表示装置では、ＴＮモードの場合と
異なり、共通電極１１が能動素子基板１９上に形成さ
れ、対向基板２０上に設けられていないため、ブラック
マトリクス層７を形成する金属はフローティング状態に
ある。このような場合、次のような問題点がある。ブラ
ックマトリクス層７が金属で形成されている場合、ブラ
ックマトリクス層７はブラックマトリクス層７の直上に
ある能動素子基板１９側の電位の影響を受けてある電位
を有する。ブラックマトリクス層７の有する電位が、表
示画素部の電位と差がある場合、ブラックマトリクス層
と表示画素部間に電界が生じるため、表示画素部の電界
が乱れてしまう。
ＩＰＳモードの液晶表示装置では、ＴＮモードの場合と
異なり、共通電極１１が能動素子基板１９上に形成さ
れ、対向基板２０上に設けられていないため、ブラック
マトリクス層７を形成する金属はフローティング状態に
ある。このような場合、次のような問題点がある。ブラ
ックマトリクス層７が金属で形成されている場合、ブラ
ックマトリクス層７はブラックマトリクス層７の直上に
ある能動素子基板１９側の電位の影響を受けてある電位
を有する。ブラックマトリクス層７の有する電位が、表
示画素部の電位と差がある場合、ブラックマトリクス層
と表示画素部間に電界が生じるため、表示画素部の電界
が乱れてしまう。
【００１２】この問題点について、図７乃至図９を参照
して、さらに詳細に説明する。図７に示すように、対向
基板２０側のブラックマトリクス層７と対向する能動素
子基板１９側のパターンは、走査線３と共通電極線１１
と信号線４に分けられる。まず、図８に示すように、走
査線３及び共通電極線１１と対向する対向基板２０側の
ブラックマトリクス層７は、色層８、液晶配向層１２、
液晶層１４、液晶配向膜１７、パシベーション膜１３、
ゲート絶縁膜１６を介して走査線３及び共通電極線１１
と容量結合する。一方、図９に示すように、信号線４と
対向するブラックマトリクス層７は走査線３および共通
電極線１１と同様に、色層８、液晶配向膜１２、液晶層
１４、液晶配向膜１７、絶縁膜１３，１６を介して信号
線４と容量結合する。
して、さらに詳細に説明する。図７に示すように、対向
基板２０側のブラックマトリクス層７と対向する能動素
子基板１９側のパターンは、走査線３と共通電極線１１
と信号線４に分けられる。まず、図８に示すように、走
査線３及び共通電極線１１と対向する対向基板２０側の
ブラックマトリクス層７は、色層８、液晶配向層１２、
液晶層１４、液晶配向膜１７、パシベーション膜１３、
ゲート絶縁膜１６を介して走査線３及び共通電極線１１
と容量結合する。一方、図９に示すように、信号線４と
対向するブラックマトリクス層７は走査線３および共通
電極線１１と同様に、色層８、液晶配向膜１２、液晶層
１４、液晶配向膜１７、絶縁膜１３，１６を介して信号
線４と容量結合する。
【００１３】結局、導電体であるフローティングのブラ
ックマトリクス層７の電位は、主に、走査線３と共通電
極線１１と信号線４の電位の各々と、ブラックマトリク
ス層７との容量結合とで決まるため、次の（１）式のよ
うに示される。 V BM＝（C BM-G/Ctot ）×V Goff＋（C BM-COM /C tot ）×V COM ＋（C BM-D/C tot）×V D … …（１） ここで、 C BM-G：ブラックマトリクス層（以下、ＢＭ層という）
７上にある走査線とＢＭ層間の容量値 C tot ：ＢＭ層上にある走査線、共通電極線および信号
線とＢＭ層間の静電容量の合計値 V Goff：走査線電位（ＴＦＴオフ時） C BM-COM：ＢＭ上にある共通電極線とＢＭ層間の容量値 V COM ：共通電極電位 C BM-D：ＢＭ層上にある信号線とＢＭ層間の容量値 V D ：信号線電位 なお、ＴＦＴ部とブラックマトリクス層７との容量結合
については、上述の他の容量結合に比べて小さいので、
ここでは省略した。
ックマトリクス層７の電位は、主に、走査線３と共通電
極線１１と信号線４の電位の各々と、ブラックマトリク
ス層７との容量結合とで決まるため、次の（１）式のよ
うに示される。 V BM＝（C BM-G/Ctot ）×V Goff＋（C BM-COM /C tot ）×V COM ＋（C BM-D/C tot）×V D … …（１） ここで、 C BM-G：ブラックマトリクス層（以下、ＢＭ層という）
７上にある走査線とＢＭ層間の容量値 C tot ：ＢＭ層上にある走査線、共通電極線および信号
線とＢＭ層間の静電容量の合計値 V Goff：走査線電位（ＴＦＴオフ時） C BM-COM：ＢＭ上にある共通電極線とＢＭ層間の容量値 V COM ：共通電極電位 C BM-D：ＢＭ層上にある信号線とＢＭ層間の容量値 V D ：信号線電位 なお、ＴＦＴ部とブラックマトリクス層７との容量結合
については、上述の他の容量結合に比べて小さいので、
ここでは省略した。
【００１４】ところで、極性反転駆動を行う場合には信
号線４の電位の平均電位は共通電極線１１の電位と同等
であると考えられるため、表示画素部の平均的な電位は
共通電極線１１の電位とほぼ同等であると考えられる。
したがって、ブラックマトリクス層７の電位が表示画素
部の電界を大きく乱すことはない。しかしながら、式
（２）に示すとおり、ブラックマトリクス層７の電位は
走査線３の電位の影響も受けることになるので、 （C BM-G/Ctot ）×（V Goff−V COM ） … …（２） だけ、共通電極線１１の電位からずれた値になる。よっ
て、従来の構造では、ブラックマトリクス層７の電位が
表示画素部の電界を乱すため、表示むら等の問題が起き
る。
号線４の電位の平均電位は共通電極線１１の電位と同等
であると考えられるため、表示画素部の平均的な電位は
共通電極線１１の電位とほぼ同等であると考えられる。
したがって、ブラックマトリクス層７の電位が表示画素
部の電界を大きく乱すことはない。しかしながら、式
（２）に示すとおり、ブラックマトリクス層７の電位は
走査線３の電位の影響も受けることになるので、 （C BM-G/Ctot ）×（V Goff−V COM ） … …（２） だけ、共通電極線１１の電位からずれた値になる。よっ
て、従来の構造では、ブラックマトリクス層７の電位が
表示画素部の電界を乱すため、表示むら等の問題が起き
る。
【００１５】また、広視野角液晶表示装置では基板１９
面に平行な電界によって液晶１４の複屈折性を精密に制
御する必要があるが、カラーフィルタ上の電界は、基板
１９，２０に対して垂直な成分を含んでおり、液晶分子
を基板１９，２０と垂直な方向に回転させるため、液晶
１４の複屈折性が大きく変化し、表示むらの程度はＴＮ
モードに比べて非常に大きくなると考えられる。
面に平行な電界によって液晶１４の複屈折性を精密に制
御する必要があるが、カラーフィルタ上の電界は、基板
１９，２０に対して垂直な成分を含んでおり、液晶分子
を基板１９，２０と垂直な方向に回転させるため、液晶
１４の複屈折性が大きく変化し、表示むらの程度はＴＮ
モードに比べて非常に大きくなると考えられる。
【００１６】この発明は、上述の事情に鑑みてなされた
もので、広視野角液晶表示装置において、ブラックマト
リクス層が導電体で形成されているカラーフィルタを用
いても表示画素部の電界を乱すことのない液晶表示装置
を提供することを目的としている。
もので、広視野角液晶表示装置において、ブラックマト
リクス層が導電体で形成されているカラーフィルタを用
いても表示画素部の電界を乱すことのない液晶表示装置
を提供することを目的としている。
【００１７】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、請求項１記載の発明は、マトリクス状に配置された
複数の走査線及び信号線と、上記走査線又は上記信号線
に平行に延びて基準電位を与える共通信号線と、画素電
極と、上記画素電極と接続したソース電極と上記信号線
と接続したドレイン電極と上記走査線と接続したゲート
電極とを備え、上記走査線と上記信号線との交差部に形
成された薄膜トランジスタとを有する第１の基板と、ブ
ラックマトリクス層を備えた第２の基板とを液晶層を挟
んで対向させ、上記共通信号線と上記画素電極との間に
電界を発生させ、上記液晶層の液晶分子の分子軸の方向
を上記第１の基板に平行な面内で回転させて表示を行う
液晶表示装置に係り、上記第１の基板の画素電極が、上
記走査線との間に絶縁層を挟んで、上記薄膜トランジス
タの形成領域以外の領域に存在する走査線の一部分、大
半又は全部を覆っていることを特徴としている。
に、請求項１記載の発明は、マトリクス状に配置された
複数の走査線及び信号線と、上記走査線又は上記信号線
に平行に延びて基準電位を与える共通信号線と、画素電
極と、上記画素電極と接続したソース電極と上記信号線
と接続したドレイン電極と上記走査線と接続したゲート
電極とを備え、上記走査線と上記信号線との交差部に形
成された薄膜トランジスタとを有する第１の基板と、ブ
ラックマトリクス層を備えた第２の基板とを液晶層を挟
んで対向させ、上記共通信号線と上記画素電極との間に
電界を発生させ、上記液晶層の液晶分子の分子軸の方向
を上記第１の基板に平行な面内で回転させて表示を行う
液晶表示装置に係り、上記第１の基板の画素電極が、上
記走査線との間に絶縁層を挟んで、上記薄膜トランジス
タの形成領域以外の領域に存在する走査線の一部分、大
半又は全部を覆っていることを特徴としている。
【００１８】また、請求項２記載の発明は、請求項１記
載の液晶表示装置に係り、上記第１の基板の画素電極
が、上記走査線との間に絶縁層を挟んで、上記薄膜トラ
ンジスタの形成領域に存在する走査線の一部分、大半又
は全部も覆っていることを特徴としている。
載の液晶表示装置に係り、上記第１の基板の画素電極
が、上記走査線との間に絶縁層を挟んで、上記薄膜トラ
ンジスタの形成領域に存在する走査線の一部分、大半又
は全部も覆っていることを特徴としている。
【００１９】また、請求項３記載の発明は、請求項１又
は２記載の液晶表示装置に係り、上記ブラックマトリク
ス層が、導電性材料からなることを特徴としている。
は２記載の液晶表示装置に係り、上記ブラックマトリク
ス層が、導電性材料からなることを特徴としている。
【００２０】また、請求項４記載の発明は、請求項１，
２又は３記載の液晶表示装置に係り、上記走査線と上記
信号線とで囲まれた領域が一画素部を構成し、一つの上
記画素部の画素電極は隣接する上記画素部に属する上記
走査線を覆っていることを特徴としている。
２又は３記載の液晶表示装置に係り、上記走査線と上記
信号線とで囲まれた領域が一画素部を構成し、一つの上
記画素部の画素電極は隣接する上記画素部に属する上記
走査線を覆っていることを特徴としている。
【００２１】また、請求項５記載の発明は、請求項１乃
至４の何れか１に記載の液晶表示装置に係り、上記薄膜
トランジスタが、絶縁性透明基板上に形成されたゲート
電極と、上記ゲート電極を覆うゲート絶縁膜と、上記ゲ
ート電極上のゲート絶縁膜上に形成されたチャネル層
と、上記チャネル層の両端部に形成されたソース電極及
びドレイン電極と、上記チャネル層、ソース電極及びド
レイン電極を覆う絶縁層とを有することを特徴としてい
る。
至４の何れか１に記載の液晶表示装置に係り、上記薄膜
トランジスタが、絶縁性透明基板上に形成されたゲート
電極と、上記ゲート電極を覆うゲート絶縁膜と、上記ゲ
ート電極上のゲート絶縁膜上に形成されたチャネル層
と、上記チャネル層の両端部に形成されたソース電極及
びドレイン電極と、上記チャネル層、ソース電極及びド
レイン電極を覆う絶縁層とを有することを特徴としてい
る。
【００２２】また、請求項６記載の発明は、請求項１乃
至５の何れか１に記載の液晶表示装置に係り、上記走査
線及び上記共通信号線が上記透明絶縁性基板上に形成さ
れ、上記画素電極及び上記信号線はゲート絶縁膜上に形
成されていることを特徴としている。
至５の何れか１に記載の液晶表示装置に係り、上記走査
線及び上記共通信号線が上記透明絶縁性基板上に形成さ
れ、上記画素電極及び上記信号線はゲート絶縁膜上に形
成されていることを特徴としている。
【００２３】また、請求項７記載の発明は、請求項１乃
至６の何れか１に記載の液晶表示装置に係り、上記画素
電極が上記絶縁層上に形成され、該絶縁層の開口部を通
して上記薄膜トランジスタのソース電極と接続されてい
ることを特徴としている。
至６の何れか１に記載の液晶表示装置に係り、上記画素
電極が上記絶縁層上に形成され、該絶縁層の開口部を通
して上記薄膜トランジスタのソース電極と接続されてい
ることを特徴としている。
【００２４】
【作用】この発明の構成では、画素電極が、信号線の延
びる方向に対して前段の走査線を覆っている。つまり、
この発明の構成は、走査線上の絶縁膜のみを介して液晶
層と対向する領域の一部又は全域にわたって、画素電極
が走査線を覆っている点で、従来の広視野角液晶表示装
置と相違する。
びる方向に対して前段の走査線を覆っている。つまり、
この発明の構成は、走査線上の絶縁膜のみを介して液晶
層と対向する領域の一部又は全域にわたって、画素電極
が走査線を覆っている点で、従来の広視野角液晶表示装
置と相違する。
【００２５】このため、ブラックマトリクス層が導電体
で形成されているカラーフィルタを用いても、走査線の
電界が遮蔽されて、ブラックマトリクス層の電位に対す
る走査線の電位の影響が無くなる。すなわち、走査線の
電位が液晶層に漏れることがなくなるため、ブラックマ
トリクス層の平均電位は、共通電極線の電位と略同等と
なり、従来において問題とされていたブラックマトリク
ス層と表示部間に生じる電界を抑えることができる。特
に、薄膜トランジスタと画素電極との間に層間絶縁膜を
挟むことにより、画素電極と薄膜トランジスタとを異な
る層間絶縁層上に形成することができる。それゆえ、表
示部にある薄膜トランジスタを含む走査線全体を覆うこ
とができ、この結果、走査線の電位が液晶層に漏れるこ
とがなくなるので、より有効である。
で形成されているカラーフィルタを用いても、走査線の
電界が遮蔽されて、ブラックマトリクス層の電位に対す
る走査線の電位の影響が無くなる。すなわち、走査線の
電位が液晶層に漏れることがなくなるため、ブラックマ
トリクス層の平均電位は、共通電極線の電位と略同等と
なり、従来において問題とされていたブラックマトリク
ス層と表示部間に生じる電界を抑えることができる。特
に、薄膜トランジスタと画素電極との間に層間絶縁膜を
挟むことにより、画素電極と薄膜トランジスタとを異な
る層間絶縁層上に形成することができる。それゆえ、表
示部にある薄膜トランジスタを含む走査線全体を覆うこ
とができ、この結果、走査線の電位が液晶層に漏れるこ
とがなくなるので、より有効である。
【００２６】したがって、走査線の電界は画素電極によ
って遮蔽されるため、ブラックマトリクス層の電位に対
する走査線の電位の影響を大幅に低減することができ
る。このため、表示画素部の電界を乱すことがない。こ
れにより、この実施の形態の広視野角液晶表示装置は、
従来において問題とされていた、ブラックマトリクス層
２７と表示部間に生じる電界を大幅に抑えて、表示ムラ
等を抑制することができる。
って遮蔽されるため、ブラックマトリクス層の電位に対
する走査線の電位の影響を大幅に低減することができ
る。このため、表示画素部の電界を乱すことがない。こ
れにより、この実施の形態の広視野角液晶表示装置は、
従来において問題とされていた、ブラックマトリクス層
２７と表示部間に生じる電界を大幅に抑えて、表示ムラ
等を抑制することができる。
【００２７】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して、この発明
の実施の形態について説明する。 ◇第１の実施の形態 図１は、この発明の第１の実施の形態である広視野角液
晶表示装置の表示画素の構成を示す平面図、図２は図１
のＡ−Ａ線断面図、また、図３は図１のＢ−Ｂ線断面図
である。図１に示すように、この実施形態の広視野角液
晶表示装置は、能動素子基板３９側では、透明絶縁性基
板２１上に走査線用信号が供給される走査線２３と、デ
ータ信号が供給される信号線２４と、基準電位が供給さ
れる共通電極線３１と、表示すべき画素に対応した画素
電極３０と、薄膜トランジスタ２６とを備えてなってい
る。共通電極線３１は前段の走査線２３の近くと、当該
画素の走査線２３の近くに形成され、共通電極線３１と
走査線２３とは並行している。１画素は、前段の走査線
２３の近くの共通電極線３１と走査線２３と信号線２４
とで囲まれた領域をいう。また、信号線２４は、共通電
極線３１と走査線２３とに直交する方向に延びている。
そして、走査線２３と信号線２４との交差部分であって
走査線２３上に薄膜トランジスタ２６が形成されてい
る。
の実施の形態について説明する。 ◇第１の実施の形態 図１は、この発明の第１の実施の形態である広視野角液
晶表示装置の表示画素の構成を示す平面図、図２は図１
のＡ−Ａ線断面図、また、図３は図１のＢ−Ｂ線断面図
である。図１に示すように、この実施形態の広視野角液
晶表示装置は、能動素子基板３９側では、透明絶縁性基
板２１上に走査線用信号が供給される走査線２３と、デ
ータ信号が供給される信号線２４と、基準電位が供給さ
れる共通電極線３１と、表示すべき画素に対応した画素
電極３０と、薄膜トランジスタ２６とを備えてなってい
る。共通電極線３１は前段の走査線２３の近くと、当該
画素の走査線２３の近くに形成され、共通電極線３１と
走査線２３とは並行している。１画素は、前段の走査線
２３の近くの共通電極線３１と走査線２３と信号線２４
とで囲まれた領域をいう。また、信号線２４は、共通電
極線３１と走査線２３とに直交する方向に延びている。
そして、走査線２３と信号線２４との交差部分であって
走査線２３上に薄膜トランジスタ２６が形成されてい
る。
【００２８】ここで、画素電極３０は、ＩＴＯ（indium
tin oxide）等の導電性透明膜からなり、走査線２３、
信号線２４、共通電極線３１は、アルミ等の金属膜から
なっている。なお、走査線２３、信号線２４、共通電極
線３１も、ＩＴＯ（indium tin oxide）等の導電性透明
膜から構成しても良い。画素電極３０と共通電極線３１
からはストライプ状の引き出し電極が分岐し、ともに信
号線２４の方向に延び、各電極３０，３１に繋がる引き
出し電極が平行に互い違いに並んで配置されている。電
圧を印加することにより基板３９，４０面に平行で走査
線２３に平行な成分を主とした電界を発生する。また、
画素電極３０の引き出し電極は、前段の画素近くの共通
電極線３１の上で一つにまとまり、その画素電極３０の
一部が信号線２４の延びる方向であって前段の走査線２
３の方向に延び（Ｘ部で示す。）、前段の走査線２３を
覆うようにして形成されている。画素電極３０のＸ部
は、薄膜トランジスタ２６と信号線２４とに重ならない
ように形成されている。
tin oxide）等の導電性透明膜からなり、走査線２３、
信号線２４、共通電極線３１は、アルミ等の金属膜から
なっている。なお、走査線２３、信号線２４、共通電極
線３１も、ＩＴＯ（indium tin oxide）等の導電性透明
膜から構成しても良い。画素電極３０と共通電極線３１
からはストライプ状の引き出し電極が分岐し、ともに信
号線２４の方向に延び、各電極３０，３１に繋がる引き
出し電極が平行に互い違いに並んで配置されている。電
圧を印加することにより基板３９，４０面に平行で走査
線２３に平行な成分を主とした電界を発生する。また、
画素電極３０の引き出し電極は、前段の画素近くの共通
電極線３１の上で一つにまとまり、その画素電極３０の
一部が信号線２４の延びる方向であって前段の走査線２
３の方向に延び（Ｘ部で示す。）、前段の走査線２３を
覆うようにして形成されている。画素電極３０のＸ部
は、薄膜トランジスタ２６と信号線２４とに重ならない
ように形成されている。
【００２９】次に、図２を参照して、Ｘ部分の構造につ
いてより詳細に説明する。すなわち、能動素子基板３９
側では、透明絶縁性基板２１上に走査線２３と共通電極
線３１とが並行し、その上にシリコン酸化膜等のゲート
絶縁膜３６が形成されている。そして、ゲート絶縁膜３
６上に走査線２３と共通電極線３１とを被覆してＩＴＯ
膜からなる画素電極３０のＸ部分が形成されている。さ
らに、画素電極３０を被覆してＰＳＧ（phosphosilicat
e glass）膜等のパシベーション膜３３とＴＦＴ側液晶
配向層３７が積層されている。
いてより詳細に説明する。すなわち、能動素子基板３９
側では、透明絶縁性基板２１上に走査線２３と共通電極
線３１とが並行し、その上にシリコン酸化膜等のゲート
絶縁膜３６が形成されている。そして、ゲート絶縁膜３
６上に走査線２３と共通電極線３１とを被覆してＩＴＯ
膜からなる画素電極３０のＸ部分が形成されている。さ
らに、画素電極３０を被覆してＰＳＧ（phosphosilicat
e glass）膜等のパシベーション膜３３とＴＦＴ側液晶
配向層３７が積層されている。
【００３０】走査線２３上の絶縁膜３６，３３のみを介
して液晶層３４と対向する領域の大半には、後段の画素
電極３０が覆い被さっているため、走査線２３に電圧が
印加されたとき走査線２３の電界は画素電極３０によっ
て有効に遮蔽される。また、対向基板４０側では、ＣＦ
側透明絶縁性基板２２上に、不必要な光を遮るためのブ
ラックマトリクス層（ＢＭ層）２７と、ＲＧＢの三原色
を持つ染料や顔料の入った樹脂膜である色層２８と、Ｃ
Ｆ側液晶配向膜３２とがこの順に積層されている。
して液晶層３４と対向する領域の大半には、後段の画素
電極３０が覆い被さっているため、走査線２３に電圧が
印加されたとき走査線２３の電界は画素電極３０によっ
て有効に遮蔽される。また、対向基板４０側では、ＣＦ
側透明絶縁性基板２２上に、不必要な光を遮るためのブ
ラックマトリクス層（ＢＭ層）２７と、ＲＧＢの三原色
を持つ染料や顔料の入った樹脂膜である色層２８と、Ｃ
Ｆ側液晶配向膜３２とがこの順に積層されている。
【００３１】次いで、図３を参照して、薄膜トランジス
タ２６部分及びその周辺部分をより詳細に説明する。こ
の図に示すように、ＴＦＴ側透明絶縁性基板２１上にゲ
ート電極（走査線）２３と共通電極線３１とが形成さ
れ、これらを被覆してゲート絶縁膜３６が形成されてい
る。走査線２３と共通電極線３１とは、ゲート電極２３
と同じ層、すなわちＴＦＴ側透明絶縁性基板上に形成さ
れている。また、ゲート電極２３上のゲート絶縁膜３６
の上に薄膜トランジスタのチャネルとなるアモルファス
シリコン層２５が形成され、アモルファスシリコン層２
５の両端部にオーミックコンタクトをとるためのｎ+ 型
アモルファスシリコン層３５が形成されている。分離さ
れたｎ+ 型アモルファスシリコン層３５上にそれぞれド
レイン電極２４とソース電極３０とが形成されている。
ドレイン電極２４とソース電極３０は、それぞれ、信号
線２４及び画素電極３０に対して電気的に接続されてい
る。さらに、これらを被覆してパシベーション膜３３が
形成されている。
タ２６部分及びその周辺部分をより詳細に説明する。こ
の図に示すように、ＴＦＴ側透明絶縁性基板２１上にゲ
ート電極（走査線）２３と共通電極線３１とが形成さ
れ、これらを被覆してゲート絶縁膜３６が形成されてい
る。走査線２３と共通電極線３１とは、ゲート電極２３
と同じ層、すなわちＴＦＴ側透明絶縁性基板上に形成さ
れている。また、ゲート電極２３上のゲート絶縁膜３６
の上に薄膜トランジスタのチャネルとなるアモルファス
シリコン層２５が形成され、アモルファスシリコン層２
５の両端部にオーミックコンタクトをとるためのｎ+ 型
アモルファスシリコン層３５が形成されている。分離さ
れたｎ+ 型アモルファスシリコン層３５上にそれぞれド
レイン電極２４とソース電極３０とが形成されている。
ドレイン電極２４とソース電極３０は、それぞれ、信号
線２４及び画素電極３０に対して電気的に接続されてい
る。さらに、これらを被覆してパシベーション膜３３が
形成されている。
【００３２】さらに、この実施の形態の広視野角液晶表
示装置はパッシベーション膜３３上にＴＦＴ側液晶配向
膜３７を備えている。ここで、ＴＦＴ側透明絶縁性基板
２１からＴＦＴ側液晶配向膜３７までの構成要素にて構
成される基板全体を能動素子基板３９と定義する。さら
に、この実施の形態の広視野角液晶表示装置は、液晶分
子が封止される液晶層３４を備えており、該液晶層３４
に液晶配向膜３２及び３７とが隣接するようにして、能
動素子基板３９と対向基板４０とで液晶層３４を挟むよ
うな構成を有している。
示装置はパッシベーション膜３３上にＴＦＴ側液晶配向
膜３７を備えている。ここで、ＴＦＴ側透明絶縁性基板
２１からＴＦＴ側液晶配向膜３７までの構成要素にて構
成される基板全体を能動素子基板３９と定義する。さら
に、この実施の形態の広視野角液晶表示装置は、液晶分
子が封止される液晶層３４を備えており、該液晶層３４
に液晶配向膜３２及び３７とが隣接するようにして、能
動素子基板３９と対向基板４０とで液晶層３４を挟むよ
うな構成を有している。
【００３３】なお、実際には、液晶層３４の厚みを保持
するためのスペーサや、液晶分子を外部に漏らさないた
めのシールなどを必要とするが、これらの要素は、この
発明に直接的に関係するものでないため図示及び説明を
省略する。この発明の第１の実施の形態に係る広視野角
液晶表示装置では、走査線２３が走査用信号によって選
択されたときに信号線２４に供給されたデータ信号が書
き込まれた画素において、画素電極３０と共通電極線３
１間に電圧がかかることにより、基板３９の表面と実質
的に水平な電界を発生させて、基板３９の表面と実質的
に水平な平面内で液晶分子を回転させて表示を行う。
するためのスペーサや、液晶分子を外部に漏らさないた
めのシールなどを必要とするが、これらの要素は、この
発明に直接的に関係するものでないため図示及び説明を
省略する。この発明の第１の実施の形態に係る広視野角
液晶表示装置では、走査線２３が走査用信号によって選
択されたときに信号線２４に供給されたデータ信号が書
き込まれた画素において、画素電極３０と共通電極線３
１間に電圧がかかることにより、基板３９の表面と実質
的に水平な電界を発生させて、基板３９の表面と実質的
に水平な平面内で液晶分子を回転させて表示を行う。
【００３４】このとき、図２に示すように、画素電極３
０は、信号線２４の延びる方向に延びて、隣接する前段
の走査線２３を覆うように、しかし、薄膜トランジスタ
２６と信号線２４とには、重ならないように形成されて
いる。すなわち、走査線２３上の絶縁膜３６，３３のみ
を介して液晶層３４と対向する領域の大半には、画素電
極３０が覆い被さっている。
０は、信号線２４の延びる方向に延びて、隣接する前段
の走査線２３を覆うように、しかし、薄膜トランジスタ
２６と信号線２４とには、重ならないように形成されて
いる。すなわち、走査線２３上の絶縁膜３６，３３のみ
を介して液晶層３４と対向する領域の大半には、画素電
極３０が覆い被さっている。
【００３５】したがって、走査線２３の電界は画素電極
３０によって遮蔽されるため、ブラックマトリクス層２
７が導電体で形成されているカラーフィルタを用いて
も、ブラックマトリクス層２７の電位に対する走査線２
３の電位の影響を大幅に低減することができる。このた
め、表示画素部の電界を乱すことがない。これにより、
この実施の形態の広視野角液晶表示装置は、従来におい
て問題とされていた、ブラックマトリクス層２７と表示
部間に生じる電界を大幅に抑えて、表示ムラ等を抑制す
ることができる。
３０によって遮蔽されるため、ブラックマトリクス層２
７が導電体で形成されているカラーフィルタを用いて
も、ブラックマトリクス層２７の電位に対する走査線２
３の電位の影響を大幅に低減することができる。このた
め、表示画素部の電界を乱すことがない。これにより、
この実施の形態の広視野角液晶表示装置は、従来におい
て問題とされていた、ブラックマトリクス層２７と表示
部間に生じる電界を大幅に抑えて、表示ムラ等を抑制す
ることができる。
【００３６】◇第２の実施の形態 次に、第２の実施の形態について説明する。図４は、こ
の発明の第２の実施の形態である広視野角液晶表示装置
の１画素分の構成を示す示す上面図、図５は図４のＣ−
Ｃ線断面図、また、図６は図４のＤ−Ｄ線断面図であ
る。この形態に係る広視野角液晶表示装置も、第１の実
施の形態と同様の駆動方法で表示が行われる構成となっ
ている。この実施の形態が、第１の実施の形態と異なる
ところは、図４乃至図６に示すように、第１の実施の形
態（図３）で示した層に加えて、層間絶縁膜４１を介し
て、薄膜トランジスタ２６の上にまで画素電極４２を延
設するようにした点である。そして、層間絶縁膜４１上
の画素電極４２を、層間絶縁膜４１に形成されたコンタ
クトを介してソース電極３０に電気的に接続するように
して、画素電極４２が、隣（前段）の走査線２３上に延
び、前段の走査線４３を覆うようにした点である。さら
に、画素電極４２が形成された層は薄膜トランジスタが
形成された層とは異なっているため、画素電極４２が薄
膜トランジスタ２６上にも延在していることである。な
お、図４乃至図６において、図１乃至図３の構成部分と
同一の各部には、同一の符号を付してその説明を省略す
る。
の発明の第２の実施の形態である広視野角液晶表示装置
の１画素分の構成を示す示す上面図、図５は図４のＣ−
Ｃ線断面図、また、図６は図４のＤ−Ｄ線断面図であ
る。この形態に係る広視野角液晶表示装置も、第１の実
施の形態と同様の駆動方法で表示が行われる構成となっ
ている。この実施の形態が、第１の実施の形態と異なる
ところは、図４乃至図６に示すように、第１の実施の形
態（図３）で示した層に加えて、層間絶縁膜４１を介し
て、薄膜トランジスタ２６の上にまで画素電極４２を延
設するようにした点である。そして、層間絶縁膜４１上
の画素電極４２を、層間絶縁膜４１に形成されたコンタ
クトを介してソース電極３０に電気的に接続するように
して、画素電極４２が、隣（前段）の走査線２３上に延
び、前段の走査線４３を覆うようにした点である。さら
に、画素電極４２が形成された層は薄膜トランジスタが
形成された層とは異なっているため、画素電極４２が薄
膜トランジスタ２６上にも延在していることである。な
お、図４乃至図６において、図１乃至図３の構成部分と
同一の各部には、同一の符号を付してその説明を省略す
る。
【００３７】このように、この実施の形態の特徴は、図
４乃至図６に示すように、画素電極３０が、信号線２４
の延びる方向に対して前段の走査線２３を覆い、各画素
電極３０は隣り合う画素電極３０と重ならないように形
成されている点にある。したがって、この実施の形態の
広視野角液晶表示装置においては、従来の広視野角液晶
表示装置と比較すると、図５及び図６に示すように、走
査線２３上の絶縁膜３６，４１，３３のみを介して液晶
層３４と対向する領域の全域にわたって、画素電極３０
が覆っている。このため、走査線２３の電界が遮蔽され
て、ブラックマトリクス層２７の電位に対する走査線２
３の電位の影響が無くなることになる。すなわち、この
実施の形態の広視野角液晶表示装置は、走査線２３の電
位が液晶層３４に漏れることがなくなるため、ブラック
マトリクス層２７の平均電位は、共通電極線３１の電位
と同等となり、従来において問題とされていたブラック
マトリクス層２７と表示部間に生じる電界を抑えること
ができる。
４乃至図６に示すように、画素電極３０が、信号線２４
の延びる方向に対して前段の走査線２３を覆い、各画素
電極３０は隣り合う画素電極３０と重ならないように形
成されている点にある。したがって、この実施の形態の
広視野角液晶表示装置においては、従来の広視野角液晶
表示装置と比較すると、図５及び図６に示すように、走
査線２３上の絶縁膜３６，４１，３３のみを介して液晶
層３４と対向する領域の全域にわたって、画素電極３０
が覆っている。このため、走査線２３の電界が遮蔽され
て、ブラックマトリクス層２７の電位に対する走査線２
３の電位の影響が無くなることになる。すなわち、この
実施の形態の広視野角液晶表示装置は、走査線２３の電
位が液晶層３４に漏れることがなくなるため、ブラック
マトリクス層２７の平均電位は、共通電極線３１の電位
と同等となり、従来において問題とされていたブラック
マトリクス層２７と表示部間に生じる電界を抑えること
ができる。
【００３８】特に、第１の実施の形態と比較すると、薄
膜トランジスタ２６と画素電極３０との間に層間絶縁膜
４１を挟むことにより、画素電極３０と薄膜トランジス
タ２６とを異なる層間絶縁層４１，３６上に形成するこ
とができる。したがって、表示部にある薄膜トランジス
タ２６を含む走査線２３の全体を覆うことができ、この
ため、走査線２３の電位が液晶層３４に漏れることがな
くなり、ブラックマトリクス層２７の平均電位は共通電
極線３１の電位と同等になるので、ブラックマトリクス
層２７の電位が表示部の電界を乱すことはない。
膜トランジスタ２６と画素電極３０との間に層間絶縁膜
４１を挟むことにより、画素電極３０と薄膜トランジス
タ２６とを異なる層間絶縁層４１，３６上に形成するこ
とができる。したがって、表示部にある薄膜トランジス
タ２６を含む走査線２３の全体を覆うことができ、この
ため、走査線２３の電位が液晶層３４に漏れることがな
くなり、ブラックマトリクス層２７の平均電位は共通電
極線３１の電位と同等になるので、ブラックマトリクス
層２７の電位が表示部の電界を乱すことはない。
【００３９】したがって、走査線２３の電界は画素電極
３０によって遮蔽されるため、ブラックマトリクス層２
７の電位に対する走査線２３の電位の影響を大幅に低減
することができる。このため、ブラックマトリクス層２
７が導電体で形成されているカラーフィルタを用いても
表示画素部の電界を乱すことがない。これにより、この
実施の形態の広視野角液晶表示装置は、従来において問
題とされていた、ブラックマトリクス層２７と表示部間
に生じる電界を大幅に抑えて、表示ムラ等を抑制するこ
とができる。なお、この実施の形態の広視野角液晶表示
装置は、表示部において、開口部以外の領域は全て、走
査線２３、信号線２４、画素電極３０、共通電極線３１
のいずれかで覆われているため、ブラックマトリクス層
２７を省略することも可能である。
３０によって遮蔽されるため、ブラックマトリクス層２
７の電位に対する走査線２３の電位の影響を大幅に低減
することができる。このため、ブラックマトリクス層２
７が導電体で形成されているカラーフィルタを用いても
表示画素部の電界を乱すことがない。これにより、この
実施の形態の広視野角液晶表示装置は、従来において問
題とされていた、ブラックマトリクス層２７と表示部間
に生じる電界を大幅に抑えて、表示ムラ等を抑制するこ
とができる。なお、この実施の形態の広視野角液晶表示
装置は、表示部において、開口部以外の領域は全て、走
査線２３、信号線２４、画素電極３０、共通電極線３１
のいずれかで覆われているため、ブラックマトリクス層
２７を省略することも可能である。
【００４０】以上、この発明の実施例を図面により詳述
してきたが、具体的な構成はこの実施例に限られるもの
ではなく、この発明の要旨を逸脱しない範囲の設計の変
更等があってもこの発明に含まれる。例えば、上述の第
１の実施の形態では、画素電極が、走査線との間に絶縁
層を挟んで、隣の画素部に存在する走査線のうち、薄膜
トランジスタの形成領域以外の領域に存在する走査線の
大半を覆う場合について述べたが、一部分又は全部を覆
うようにしても良い。また、上述の第２の実施の形態で
は、画素電極が、走査線との間に絶縁層を挟んで、隣の
画素部に属する薄膜トランジスタの形成領域に存在する
走査線の全部も含めて覆う場合について述べたが、一部
分又は大半を含めて覆うようにしても良い。また、ブラ
ックマトリクス層は、非導電性材料からなるものでも良
い。
してきたが、具体的な構成はこの実施例に限られるもの
ではなく、この発明の要旨を逸脱しない範囲の設計の変
更等があってもこの発明に含まれる。例えば、上述の第
１の実施の形態では、画素電極が、走査線との間に絶縁
層を挟んで、隣の画素部に存在する走査線のうち、薄膜
トランジスタの形成領域以外の領域に存在する走査線の
大半を覆う場合について述べたが、一部分又は全部を覆
うようにしても良い。また、上述の第２の実施の形態で
は、画素電極が、走査線との間に絶縁層を挟んで、隣の
画素部に属する薄膜トランジスタの形成領域に存在する
走査線の全部も含めて覆う場合について述べたが、一部
分又は大半を含めて覆うようにしても良い。また、ブラ
ックマトリクス層は、非導電性材料からなるものでも良
い。
【００４１】
【発明の効果】以上説明したように、この発明の構成に
よれば、画素電極は、信号線の延びる方向に延びて、前
段の走査線を覆うようにして形成されており、すなわ
ち、走査線上の絶縁膜のみを介して液晶層と対向する領
域の大半には、画素電極が覆い被さっている。したがっ
て、走査線の電界は画素電極によって遮蔽されるため、
ブラックマトリクス層が導電体で形成されているカラー
フィルタを用いても、ブラックマトリクス層の電位に対
する走査線の電位の影響を大幅に低減することができ
る。これにより、この実施の形態の広視野角液晶表示装
置は、従来において問題とされていた、ブラックマトリ
クス層と表示部間に生じる電界を大幅に抑えて、表示ム
ラ等を抑制することができる。それゆえ、従来構造のも
のと比較して、表示部の電界が安定した広視野角液晶表
示装置を得ることができる。
よれば、画素電極は、信号線の延びる方向に延びて、前
段の走査線を覆うようにして形成されており、すなわ
ち、走査線上の絶縁膜のみを介して液晶層と対向する領
域の大半には、画素電極が覆い被さっている。したがっ
て、走査線の電界は画素電極によって遮蔽されるため、
ブラックマトリクス層が導電体で形成されているカラー
フィルタを用いても、ブラックマトリクス層の電位に対
する走査線の電位の影響を大幅に低減することができ
る。これにより、この実施の形態の広視野角液晶表示装
置は、従来において問題とされていた、ブラックマトリ
クス層と表示部間に生じる電界を大幅に抑えて、表示ム
ラ等を抑制することができる。それゆえ、従来構造のも
のと比較して、表示部の電界が安定した広視野角液晶表
示装置を得ることができる。
【図１】この発明の第１の実施の形態である広視野角液
晶表示装置の１画素分の構成を示す上面図である。
晶表示装置の１画素分の構成を示す上面図である。
【図２】図１のＡ−Ａ線断面図である。
【図３】図１のＢ−Ｂ線断面図である。
【図４】この発明の第２の実施の形態である広視野角液
晶表示装置の１画素分の構成を示す上面図である。
晶表示装置の１画素分の構成を示す上面図である。
【図５】図４のＣ−Ｃ線断面図である。
【図６】図４のＤ−Ｄ線断面図である。
【図７】従来における広視野角液晶表示装置の１画素分
の構成を示す上面図である。
の構成を示す上面図である。
【図８】図７のＥ−Ｅ線断面図である。
【図９】図７のＦ−Ｆ線断面図である。
２１ ＴＦＴ側透明絶縁性基板 ２２ ＣＦ側透明絶縁性基板 ２３ 走査線・ゲート電極 ２４ 信号線・ドレイン電極 ２５ アモルファスシリコン層 ２６ 薄膜トランジスタ ２７ ブラックマトリクス、 ２８ 色層 ３０ 画素電極・ソース電極 ３１ 共通電極線 ３２ ＣＦ側液晶配向層 ３３ パッシベーション層 ３４ 液晶層 ３５ ｎ+ 型アモルファスシリコン層 ３６ ゲート絶縁膜 ３７ ＴＦＴ側液晶配向層 ３８ 層間絶縁膜 ３９ 能動素子基板（第１の基板） ４０ 対向基板（第２の基板） ４１ 層間絶縁膜 ４２ 画素電極 １００ 画素電極と共通電極線間に発生する電界の
向き
向き
Claims (7)
- 【請求項１】 マトリクス状に配置された複数の走査線
及び信号線と、前記走査線又は前記信号線に平行に延び
て基準電位を与える共通信号線と、画素電極と、前記画
素電極と接続したソース電極と前記信号線と接続したド
レイン電極と前記走査線と接続したゲート電極とを備
え、前記走査線と前記信号線との交差部に形成された薄
膜トランジスタとを有する第１の基板と、ブラックマト
リクス層を備えた第２の基板とを液晶層を挟んで対向さ
せ、前記共通信号線と前記画素電極との間に電界を発生
させ、前記液晶層の液晶分子の分子軸の方向を前記第１
の基板に平行な面内で回転させて表示を行う液晶表示装
置において、 前記第１の基板の画素電極が、前記走査線との間に絶縁
層を挟んで、前記薄膜トランジスタの形成領域以外の領
域に存在する走査線の一部分、大半又は全部を覆ってい
ることを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項２】 前記第１の基板の画素電極が、前記走査
線との間に絶縁層を挟んで、前記薄膜トランジスタの形
成領域に存在する走査線の一部分、大半又は全部も覆っ
ていることを特徴とする請求項１記載の液晶表示装置。 - 【請求項３】 前記ブラックマトリクス層は、導電性材
料からなることを特徴とする請求項１又は２記載の液晶
表示装置。 - 【請求項４】 前記走査線と前記信号線とで囲まれた領
域が一画素部を構成し、一つの前記画素部の画素電極は
隣接する前記画素部に属する前記走査線を覆っているこ
とを特徴とする請求項１，２又は３記載の液晶表示装
置。 - 【請求項５】 前記薄膜トランジスタは、絶縁性透明基
板上に形成されたゲート電極と、前記ゲート電極を覆う
ゲート絶縁膜と、前記ゲート電極上のゲート絶縁膜上に
形成されたチャネル層と、前記チャネル層の両端部に形
成されたソース電極及びドレイン電極と、前記チャネル
層、ソース電極及びドレイン電極を覆う絶縁層とを有す
ることを特徴とする請求項１乃至４の何れか１に記載の
液晶表示装置。 - 【請求項６】 前記走査線及び前記共通信号線は前記透
明絶縁性基板上に形成され、前記画素電極及び前記信号
線はゲート絶縁膜上に形成されていることを特徴とする
請求項１乃至５の何れか１に記載の液晶表示装置。 - 【請求項７】 前記画素電極は前記絶縁層上に形成さ
れ、該絶縁層の開口部を通して前記薄膜トランジスタの
ソース電極と接続されていることを特徴とする請求項１
乃至６の何れか１に記載の液晶表示装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31034097A JP3050191B2 (ja) | 1997-11-12 | 1997-11-12 | 液晶表示装置 |
| US09/190,819 US6297867B1 (en) | 1997-11-12 | 1998-11-12 | Wide view angle LCD operable in IPS mode which uses a pixel electrode as a shield to prevent disturbances in the electric field of a display pixel portion of the LCD |
| KR1019980048391A KR100323368B1 (ko) | 1997-11-12 | 1998-11-12 | Ips모드로동작가능한광시야각액정표시장치 |
| TW087118915A TW513586B (en) | 1997-11-12 | 1998-11-13 | Wide view angle LCD operable in IPS mode |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31034097A JP3050191B2 (ja) | 1997-11-12 | 1997-11-12 | 液晶表示装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11142886A true JPH11142886A (ja) | 1999-05-28 |
| JP3050191B2 JP3050191B2 (ja) | 2000-06-12 |
Family
ID=18004063
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31034097A Expired - Lifetime JP3050191B2 (ja) | 1997-11-12 | 1997-11-12 | 液晶表示装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6297867B1 (ja) |
| JP (1) | JP3050191B2 (ja) |
| KR (1) | KR100323368B1 (ja) |
| TW (1) | TW513586B (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6707523B2 (en) | 2000-03-23 | 2004-03-16 | Hitachi, Ltd. | Liquid crystal display device wherein pixels having particular metal layer between alignment film and protective film |
| JP2016040639A (ja) * | 2015-12-25 | 2016-03-24 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 液晶表示装置およびその製造方法 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11174491A (ja) * | 1997-12-08 | 1999-07-02 | Nec Corp | アクティブマトリクス型液晶表示装置 |
| KR100344844B1 (ko) * | 1998-07-07 | 2002-11-18 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정표시소자및그제조방법 |
| WO2001018597A1 (fr) * | 1999-09-07 | 2001-03-15 | Hitachi, Ltd | Afficheur à cristaux liquides |
| JP3985399B2 (ja) * | 1999-09-10 | 2007-10-03 | 株式会社日立製作所 | 液晶表示装置 |
| US6906769B2 (en) | 2000-08-30 | 2005-06-14 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Liquid crystal screen display |
| JP4831716B2 (ja) * | 2001-03-15 | 2011-12-07 | Ｎｌｔテクノロジー株式会社 | アクティブマトリクス型液晶表示装置 |
| KR100744955B1 (ko) * | 2001-05-21 | 2007-08-02 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 횡전계방식 액정표시장치용 어레이기판과 그 제조방법 |
| JP4647843B2 (ja) * | 2001-06-28 | 2011-03-09 | 株式会社日立製作所 | 液晶表示装置 |
| KR100829786B1 (ko) * | 2001-12-28 | 2008-05-16 | 엘지디스플레이 주식회사 | 횡전계 방식 액정표시장치용 어레이기판과 그 제조방법 |
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| JP4154598B2 (ja) * | 2003-08-26 | 2008-09-24 | セイコーエプソン株式会社 | 液晶表示装置の駆動法、液晶表示装置及び携帯型電子機器 |
| KR100961960B1 (ko) | 2003-11-18 | 2010-06-08 | 삼성전자주식회사 | 액정 표시 장치, 박막 다이오드 표시판 및 그 제조 방법 |
| JP4708710B2 (ja) * | 2004-01-07 | 2011-06-22 | Ｎｅｃ液晶テクノロジー株式会社 | 液晶表示装置 |
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| JP2008164787A (ja) | 2006-12-27 | 2008-07-17 | Epson Imaging Devices Corp | 液晶表示装置 |
| KR101439268B1 (ko) * | 2008-02-22 | 2014-09-12 | 엘지디스플레이 주식회사 | 횡전계 방식 액정표시장치용 어레이 기판 |
| JP5246782B2 (ja) | 2008-03-06 | 2013-07-24 | 株式会社ジャパンディスプレイウェスト | 液晶装置および電子機器 |
| JP5389529B2 (ja) * | 2009-05-20 | 2014-01-15 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 液晶表示装置及びその製造方法 |
| KR102408899B1 (ko) * | 2015-10-02 | 2022-06-15 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시장치 및 그의 제조 방법 |
| CN205621414U (zh) * | 2016-04-26 | 2016-10-05 | 京东方科技集团股份有限公司 | 静电放电电路、阵列基板和显示装置 |
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| JP2907629B2 (ja) | 1992-04-10 | 1999-06-21 | 松下電器産業株式会社 | 液晶表示パネル |
| JP2941580B2 (ja) | 1992-10-30 | 1999-08-25 | シャープ株式会社 | 表示パネルの駆動装置 |
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- 1997-11-12 JP JP31034097A patent/JP3050191B2/ja not_active Expired - Lifetime
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1998
- 1998-11-12 US US09/190,819 patent/US6297867B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1998-11-12 KR KR1019980048391A patent/KR100323368B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1998-11-13 TW TW087118915A patent/TW513586B/zh not_active IP Right Cessation
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Also Published As
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|---|---|
| JP3050191B2 (ja) | 2000-06-12 |
| US6297867B1 (en) | 2001-10-02 |
| TW513586B (en) | 2002-12-11 |
| KR100323368B1 (ko) | 2002-09-17 |
| KR19990045227A (ko) | 1999-06-25 |
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