JP2002139727A - 液晶表示装置及びその製造方法 - Google Patents
液晶表示装置及びその製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 色層チャージアップに伴うコントラストの低
下や残像現象を防止する液晶表示装置及びその製造方法
を提供する。 【解決手段】 本発明の第１の実施形態である液晶表示
装置は、第１偏光板１と、第２偏光板２と、ＣＦ硝子端
子板３と、ＴＦＴ硝子端子板４と、色付け層５と、電界
印加層６と、ブラックマトリックス層７と、色層８と、
液晶層９と、オーバーコート層１０と、第１配向層１１
と、第２配向層１２と、ＰＡ−ＳｉＮ層１３と、ソース
電極層１４と、ドレイン電極層１５と、ｎ＋ａｓｉ層１
６と、ａｓｉ層１７と、絶縁層１８と、ゲート電極層１
９と、から構成される。ブラックマトリックス層とカラ
ーフィルタ（色層）とが平面的にオーバーラップしない
ようにレイアウトし、さらに、ブラックマトリックス層
とカラーフィルタとの間を高抵抗層で充填するようにす
ることで、横方向に移動する電荷の流れを抑制できるの
で、液晶層が受ける悪影響を軽減することができる。
下や残像現象を防止する液晶表示装置及びその製造方法
を提供する。 【解決手段】 本発明の第１の実施形態である液晶表示
装置は、第１偏光板１と、第２偏光板２と、ＣＦ硝子端
子板３と、ＴＦＴ硝子端子板４と、色付け層５と、電界
印加層６と、ブラックマトリックス層７と、色層８と、
液晶層９と、オーバーコート層１０と、第１配向層１１
と、第２配向層１２と、ＰＡ−ＳｉＮ層１３と、ソース
電極層１４と、ドレイン電極層１５と、ｎ＋ａｓｉ層１
６と、ａｓｉ層１７と、絶縁層１８と、ゲート電極層１
９と、から構成される。ブラックマトリックス層とカラ
ーフィルタ（色層）とが平面的にオーバーラップしない
ようにレイアウトし、さらに、ブラックマトリックス層
とカラーフィルタとの間を高抵抗層で充填するようにす
ることで、横方向に移動する電荷の流れを抑制できるの
で、液晶層が受ける悪影響を軽減することができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、横方向電界が印加
される液晶表示装置及びその製造方法に関し、特にスイ
ッチング素子として薄膜電界効果型トランジスタを用い
たアクティブマトリクス型の液晶表示装置及びその製造
方法に関する。
される液晶表示装置及びその製造方法に関し、特にスイ
ッチング素子として薄膜電界効果型トランジスタを用い
たアクティブマトリクス型の液晶表示装置及びその製造
方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、高品位の画質を備える液晶表示技
術として、アクティブマトリクス型表示装置が知られて
いる。このアクティブマトリクス型表示装置は、薄膜電
界効果型トランジスタ（以下、ＴＦＴと称す）が画素の
スイッチング素子として用いられている。このようなア
クティブマトリクス型表示装置は、薄型、軽量及び低消
費電力であると共に、スキャン数に依存せずに鮮明なコ
ントラストと高速表示が可能であることから、携帯型コ
ンピュータ、省スペース・デスクトップ型コンピュータ
等のモニタとして幅広く用いられている。
術として、アクティブマトリクス型表示装置が知られて
いる。このアクティブマトリクス型表示装置は、薄膜電
界効果型トランジスタ（以下、ＴＦＴと称す）が画素の
スイッチング素子として用いられている。このようなア
クティブマトリクス型表示装置は、薄型、軽量及び低消
費電力であると共に、スキャン数に依存せずに鮮明なコ
ントラストと高速表示が可能であることから、携帯型コ
ンピュータ、省スペース・デスクトップ型コンピュータ
等のモニタとして幅広く用いられている。
【０００３】また、高画質化のためには、視野角特性の
向上が求められる。この視野角特性の向上のためには、
横方向電界が利用されている。例えば、特許第２９８６
７５７号の「電気光学的表示装置及び液晶切換素子」に
横方向電界の印加技術が開示されている。
向上が求められる。この視野角特性の向上のためには、
横方向電界が利用されている。例えば、特許第２９８６
７５７号の「電気光学的表示装置及び液晶切換素子」に
横方向電界の印加技術が開示されている。
【０００４】図９は、従来の横方向電界型アクティブマ
トリクス型表示装置の正面断面図である。図９におい
て、従来の横方向電界型のアクティブマトリクス型表示
装置は、対向配置される第１偏光板１０１と第２偏光板
１０２との間で、第１透明絶縁性基板１０３が第１偏光
板１０１に接合され、第２透明絶縁性基板１０４が第２
偏光板１０２に接合されている。第１透明絶縁性基板１
０３と第２透明絶縁性基板１０４との間で、色付け層
（カラーフィルタ層：以下ＣＦ層と称す）１０５が第１
透明絶縁基板層１０３に接合され、電界印加層１０６
（ＴＦＴ層）が第２透明絶縁性基板１０４に接合されて
いる。ＣＦ層１０５と電界印加層１０６との間には、液
晶層１０７が介設されている。
トリクス型表示装置の正面断面図である。図９におい
て、従来の横方向電界型のアクティブマトリクス型表示
装置は、対向配置される第１偏光板１０１と第２偏光板
１０２との間で、第１透明絶縁性基板１０３が第１偏光
板１０１に接合され、第２透明絶縁性基板１０４が第２
偏光板１０２に接合されている。第１透明絶縁性基板１
０３と第２透明絶縁性基板１０４との間で、色付け層
（カラーフィルタ層：以下ＣＦ層と称す）１０５が第１
透明絶縁基板層１０３に接合され、電界印加層１０６
（ＴＦＴ層）が第２透明絶縁性基板１０４に接合されて
いる。ＣＦ層１０５と電界印加層１０６との間には、液
晶層１０７が介設されている。
【０００５】電界印加層１０６は、第１電極層１０８と
第２電極層１０９とから形成され、第１電極層１０８に
は複数・画素電極１１０が基板面に平行に配置されて設
けられ、第２電極層１０９には複数・対向電極１１１が
基板面に平行に配置されて設けられている。複数・画素
電極１１０の内の１つと複数・対向電極１１１の内の１
つは、基板面に略平行に対向して横方向（基板面に垂直
な方向）の電界を形成し、液晶層１０７に横方向電界が
印加される。
第２電極層１０９とから形成され、第１電極層１０８に
は複数・画素電極１１０が基板面に平行に配置されて設
けられ、第２電極層１０９には複数・対向電極１１１が
基板面に平行に配置されて設けられている。複数・画素
電極１１０の内の１つと複数・対向電極１１１の内の１
つは、基板面に略平行に対向して横方向（基板面に垂直
な方向）の電界を形成し、液晶層１０７に横方向電界が
印加される。
【０００６】このような横方向電界電圧を受ける液晶層
１０７の液晶は、その異方軸（ダイレクタ）の向きが変
化して、第１偏光板１０１と第２偏光板１０２との間の
光透過率が「０」でなくなるように制御される。以上の
ような制御方法は、ダイレクタが基板内で回転すること
により、非常に広い視野角から見て階調反転のない良好
な画像を得られる。
１０７の液晶は、その異方軸（ダイレクタ）の向きが変
化して、第１偏光板１０１と第２偏光板１０２との間の
光透過率が「０」でなくなるように制御される。以上の
ような制御方法は、ダイレクタが基板内で回転すること
により、非常に広い視野角から見て階調反転のない良好
な画像を得られる。
【０００７】上述される従来の横方向電界型のアクティ
ブマトリクス型表示装置は、電界印加層１０６に接合す
る第２透明絶縁性基板１０４に対向する第１透明絶縁性
基板１０３側に電極のような導電層が設けられていない
ので、ブラックマトリックス層１１２と色層１１３とか
ら形成されているＣＦ層１０５に電荷の集積が起こる。
ブマトリクス型表示装置は、電界印加層１０６に接合す
る第２透明絶縁性基板１０４に対向する第１透明絶縁性
基板１０３側に電極のような導電層が設けられていない
ので、ブラックマトリックス層１１２と色層１１３とか
ら形成されているＣＦ層１０５に電荷の集積が起こる。
【０００８】このように第１透明絶縁性基板１０３が電
気的に浮いている基板全体には、内部に印加される様々
な電位の影響を受け、ブラックマトリックス層１１２の
電位が変動して共通電位とは異なる電位になって、図９
に示されるように、ブラックマトリックス層１１２の次
に抵抗が低い色層１１３を介して表示部位に電流１１４
が流れ、図１０に示されるような等価回路が形成される
ことになる。
気的に浮いている基板全体には、内部に印加される様々
な電位の影響を受け、ブラックマトリックス層１１２の
電位が変動して共通電位とは異なる電位になって、図９
に示されるように、ブラックマトリックス層１１２の次
に抵抗が低い色層１１３を介して表示部位に電流１１４
が流れ、図１０に示されるような等価回路が形成される
ことになる。
【０００９】図１０に示される等価回路は、ブラックマ
トリックス層１１２と色層１１３との間の容量結合によ
って、各画素の表示領域の色層１１３に電荷の蓄積が生
じる。このような電荷の蓄積は、残像現象を引き起こす
要因になっていた。
トリックス層１１２と色層１１３との間の容量結合によ
って、各画素の表示領域の色層１１３に電荷の蓄積が生
じる。このような電荷の蓄積は、残像現象を引き起こす
要因になっていた。
【００１０】図１１は、公知の単位画素の断面図であ
る。図１１によれば、電荷は、ゲート電極層の電界
（負）によりブラックマトリックス層７に注入された
後、色層８にも注入されるため、コントラスト低下や残
像発生の要因になっていた。
る。図１１によれば、電荷は、ゲート電極層の電界
（負）によりブラックマトリックス層７に注入された
後、色層８にも注入されるため、コントラスト低下や残
像発生の要因になっていた。
【００１１】このような電荷の蓄積を防止する従来例１
として、特開平１０−０７３８１０号公報の「液晶表示
装置」には、ブラックマトリックス自体を非常に高抵抗
化することにより、当該ブラックマトリックスから色層
に流れる電流を抑制する技術が開示されている。
として、特開平１０−０７３８１０号公報の「液晶表示
装置」には、ブラックマトリックス自体を非常に高抵抗
化することにより、当該ブラックマトリックスから色層
に流れる電流を抑制する技術が開示されている。
【００１２】また、従来例２として、特開平０９−２６
９５０４号公報の「液晶表示素子」には、ブラックマト
リックスを逆に低抵抗化することにより、それを共通電
極と等電位に保持する技術が開示されている。
９５０４号公報の「液晶表示素子」には、ブラックマト
リックスを逆に低抵抗化することにより、それを共通電
極と等電位に保持する技術が開示されている。
【００１３】さらに、従来例３として、特開平１０−１
７０９５８号公報の「カラー液晶表示装置」には、ゲー
ト電極からブラックマトリックスへの電荷注入を減少さ
せることにより、色付け層の電荷の蓄積を防止する技術
が開示されている。この「カラー液晶表示装置」は、ブ
ラックマトリックスの近傍のコラムの透過率を、ブラッ
クマトリックスの影響がない画素中央部のコラムの透過
率に近づけることにより、ブラックマトリックスが横電
界を乱すことがないようにするものであり、ブラックマ
トリックスの比抵抗と比誘電率及び液晶の比抵抗の関係
を改善する定義を与えている。
７０９５８号公報の「カラー液晶表示装置」には、ゲー
ト電極からブラックマトリックスへの電荷注入を減少さ
せることにより、色付け層の電荷の蓄積を防止する技術
が開示されている。この「カラー液晶表示装置」は、ブ
ラックマトリックスの近傍のコラムの透過率を、ブラッ
クマトリックスの影響がない画素中央部のコラムの透過
率に近づけることにより、ブラックマトリックスが横電
界を乱すことがないようにするものであり、ブラックマ
トリックスの比抵抗と比誘電率及び液晶の比抵抗の関係
を改善する定義を与えている。
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来例１では、ブラックマトリックスの材料が限定され、
単位膜当たりの光吸収率を大きくすることが困難である
と共に、対向するＴＦＴ基板側の電位の偏りの影響をそ
のまま受けるので、ブラックマトリックスの電位が表示
パネルの面内で変化し、これが表示ムラとして表れる。
このような表示ムラを解消するために電位の平均化の点
に配慮する必要があり、その配慮による設計変更は複雑
化するという問題点があった。
来例１では、ブラックマトリックスの材料が限定され、
単位膜当たりの光吸収率を大きくすることが困難である
と共に、対向するＴＦＴ基板側の電位の偏りの影響をそ
のまま受けるので、ブラックマトリックスの電位が表示
パネルの面内で変化し、これが表示ムラとして表れる。
このような表示ムラを解消するために電位の平均化の点
に配慮する必要があり、その配慮による設計変更は複雑
化するという問題点があった。
【００１５】また、上記従来例２では、ブラックマトリ
ックスを周囲で露出させることが必要になるため、カラ
ーフィルタの作製プロセスが複雑化するという問題点が
あった。
ックスを周囲で露出させることが必要になるため、カラ
ーフィルタの作製プロセスが複雑化するという問題点が
あった。
【００１６】また、上記従来例３では、ゲート電極から
ブラックマトリックスへの電荷注入を減少させることは
可能であるが、ブラックマトリックスから色層への電荷
注入を防止することができないという問題点があった。
ブラックマトリックスへの電荷注入を減少させることは
可能であるが、ブラックマトリックスから色層への電荷
注入を防止することができないという問題点があった。
【００１７】さらに、色層のチャージアップは、コント
ラストの低下や長期残像を引き起こすため、ＩＰＳ(In
Plane Switching mode）−ＬＣＤ（横方向電界印加型−
ＬＣＤ、面内印加型−ＬＣＤ）で発生する上記現象を低
コストで防止することが望まれている。
ラストの低下や長期残像を引き起こすため、ＩＰＳ(In
Plane Switching mode）−ＬＣＤ（横方向電界印加型−
ＬＣＤ、面内印加型−ＬＣＤ）で発生する上記現象を低
コストで防止することが望まれている。
【００１８】本発明は、上記問題点に鑑みて成されたも
のであり、色層チャージアップに伴うコントラストの低
下や残像現象を防止する液晶表示装置及びその製造方法
を提供することにある。
のであり、色層チャージアップに伴うコントラストの低
下や残像現象を防止する液晶表示装置及びその製造方法
を提供することにある。
【００１９】より詳細に、本発明は、対向基板のブラッ
クマトリックス層に蓄積された電荷が横方向にリークす
るのを防止する液晶表示装置及びその製造方法を提供す
ることを目的とする。
クマトリックス層に蓄積された電荷が横方向にリークす
るのを防止する液晶表示装置及びその製造方法を提供す
ることを目的とする。
【００２０】
【課題を解決するための手段】前記課題を解決するため
に、請求項１記載の発明は、面内で横方向に電界が印加
される横方向電界型の液晶表示装置において、第１の透
明絶縁性基板と第２の透明絶縁性基板との層間に設けら
れる液晶層と、画素領域を形成するブラックマトリック
ス層と、画素領域の中に形成される色層とを有し、ブラ
ックマトリックス層と色層との中央領域の間が高抵抗化
されていることを特徴とする。
に、請求項１記載の発明は、面内で横方向に電界が印加
される横方向電界型の液晶表示装置において、第１の透
明絶縁性基板と第２の透明絶縁性基板との層間に設けら
れる液晶層と、画素領域を形成するブラックマトリック
ス層と、画素領域の中に形成される色層とを有し、ブラ
ックマトリックス層と色層との中央領域の間が高抵抗化
されていることを特徴とする。
【００２１】請求項２記載の発明は、請求項１記載の発
明において、高抵抗化は、ブラックマトリックス層と色
層とが基板に垂直な方向にオーバーラップしていないこ
とを特徴とする。
明において、高抵抗化は、ブラックマトリックス層と色
層とが基板に垂直な方向にオーバーラップしていないこ
とを特徴とする。
【００２２】請求項３記載の発明は、請求項２記載の発
明において、高抵抗化は、ブラックマトリックス層と色
層との間に絶縁層が介設されていることを特徴とする。
明において、高抵抗化は、ブラックマトリックス層と色
層との間に絶縁層が介設されていることを特徴とする。
【００２３】請求項４記載の発明は、請求項３記載の発
明において、ブラックマトリックス層と色層とを被覆す
るオーバーコート層を有し、絶縁層は、オーバーコート
層の一部により形成されることを特徴とする。
明において、ブラックマトリックス層と色層とを被覆す
るオーバーコート層を有し、絶縁層は、オーバーコート
層の一部により形成されることを特徴とする。
【００２４】請求項５記載の発明は、請求項３または４
記載の発明において、絶縁層は、色層を形成する第１の
材料と異なる他の色層により形成される第２の材料で形
成され、第２の材料の比抵抗が第１の材料の比抵抗より
も高いことを特徴とする。
記載の発明において、絶縁層は、色層を形成する第１の
材料と異なる他の色層により形成される第２の材料で形
成され、第２の材料の比抵抗が第１の材料の比抵抗より
も高いことを特徴とする。
【００２５】請求項６記載の発明は、請求項３から５の
いずれか１項に記載の発明において、絶縁層は、液晶層
の一部であることを特徴とする。
いずれか１項に記載の発明において、絶縁層は、液晶層
の一部であることを特徴とする。
【００２６】請求項７記載の発明は、請求項１から６の
いずれか１項に記載の発明において、液晶層に電界を印
加する電極層を形成する基板側に遮光層を有し、遮光層
は、基板に垂直な方向で絶縁層にオーバーラップしてい
ることを特徴とする。
いずれか１項に記載の発明において、液晶層に電界を印
加する電極層を形成する基板側に遮光層を有し、遮光層
は、基板に垂直な方向で絶縁層にオーバーラップしてい
ることを特徴とする。
【００２７】請求項８記載の発明は、請求項７記載の発
明において、遮光層は、電極層であることを特徴とす
る。
明において、遮光層は、電極層であることを特徴とす
る。
【００２８】請求項９記載の発明は、面内で横方向に電
界が印加される横方向電界型の液晶表示装置の製造方法
において、第１の透明絶縁性基板と第２の透明絶縁性基
板との層間に液晶層を設ける工程と、画素領域を形成す
るブラックマトリックス層を設ける工程と、画素領域の
中に色層を設ける工程と、を有し、ブラックマトリック
ス層と色層との中央領域の間が高抵抗化されていること
を特徴とする。
界が印加される横方向電界型の液晶表示装置の製造方法
において、第１の透明絶縁性基板と第２の透明絶縁性基
板との層間に液晶層を設ける工程と、画素領域を形成す
るブラックマトリックス層を設ける工程と、画素領域の
中に色層を設ける工程と、を有し、ブラックマトリック
ス層と色層との中央領域の間が高抵抗化されていること
を特徴とする。
【００２９】請求項１０記載の発明は、請求項９記載の
発明において、高抵抗化は、ブラックマトリックス層と
色層とが基板に垂直な方向にオーバーラップしていない
ことを特徴とする。
発明において、高抵抗化は、ブラックマトリックス層と
色層とが基板に垂直な方向にオーバーラップしていない
ことを特徴とする。
【００３０】請求項１１記載の発明は、請求項１０記載
の発明において、高抵抗化は、ブラックマトリックス層
と色層との間に絶縁層が介設されていることを特徴とす
る。
の発明において、高抵抗化は、ブラックマトリックス層
と色層との間に絶縁層が介設されていることを特徴とす
る。
【００３１】請求項１２記載の発明は、請求項１１記載
の発明において、ブラックマトリックス層と色層とを被
覆するオーバーコート層を設ける工程を有し、絶縁層
は、オーバーコート層の一部により形成されることを特
徴とする。
の発明において、ブラックマトリックス層と色層とを被
覆するオーバーコート層を設ける工程を有し、絶縁層
は、オーバーコート層の一部により形成されることを特
徴とする。
【００３２】請求項１３記載の発明は、請求項１１また
は１２記載の発明において、絶縁層は、色層を形成する
第１の材料と異なる他の色層により形成される第２の材
料で形成され、第２の材料の比抵抗が第１の材料の比抵
抗よりも高いことを特徴とする。
は１２記載の発明において、絶縁層は、色層を形成する
第１の材料と異なる他の色層により形成される第２の材
料で形成され、第２の材料の比抵抗が第１の材料の比抵
抗よりも高いことを特徴とする。
【００３３】請求項１４記載の発明は、請求項１１から
１３のいずれか１項に記載の発明において、絶縁層は、
液晶層の一部であることを特徴とする。
１３のいずれか１項に記載の発明において、絶縁層は、
液晶層の一部であることを特徴とする。
【００３４】請求項１５記載の発明は、請求項９から１
４のいずれか１項に記載の発明において、液晶層に電界
を印加する電極層を形成する基板側に遮光層を設ける工
程を有し、遮光層は、基板に垂直な方向で絶縁層にオー
バーラップしていることを特徴とする。
４のいずれか１項に記載の発明において、液晶層に電界
を印加する電極層を形成する基板側に遮光層を設ける工
程を有し、遮光層は、基板に垂直な方向で絶縁層にオー
バーラップしていることを特徴とする。
【００３５】請求項１６記載の発明は、請求項１５記載
の発明において、遮光層は、電極層であることを特徴と
する。
の発明において、遮光層は、電極層であることを特徴と
する。
【００３６】〈作用〉本発明は、このような高抵抗化に
より、ブラックマトリックスから色層に横方向に移動す
る電荷の流れが抑制され、液晶層が受ける悪影響が軽減
される。
より、ブラックマトリックスから色層に横方向に移動す
る電荷の流れが抑制され、液晶層が受ける悪影響が軽減
される。
【００３７】高抵抗化は、幾何学的配置関係により有効
に実現する。その幾何学的配置関係は、ブラックマトリ
ックスと色層とが直交方向にオーバーラップしていない
ことであり、または、ブラックマトリックスと色層との
横方向の間に横方向の絶縁層が介設されていることであ
る。横方向絶縁層は、他の絶縁層であるオーバーコート
層の一部が兼用され得る。この兼用は、製造プロセスの
ステップ数を削減することができる。
に実現する。その幾何学的配置関係は、ブラックマトリ
ックスと色層とが直交方向にオーバーラップしていない
ことであり、または、ブラックマトリックスと色層との
横方向の間に横方向の絶縁層が介設されていることであ
る。横方向絶縁層は、他の絶縁層であるオーバーコート
層の一部が兼用され得る。この兼用は、製造プロセスの
ステップ数を削減することができる。
【００３８】この場合、横方向電界型液晶層とブラック
マトリックスとの直交方向の間、及び、横方向電界型液
晶層と色層との直交方向の間に介設されるオーバーコー
ト層が設けられ、横方向絶縁層は、オーバーコート層の
一部で形成されている。横方向絶縁層は、横方向電界型
液晶層の一部であることも好ましい。
マトリックスとの直交方向の間、及び、横方向電界型液
晶層と色層との直交方向の間に介設されるオーバーコー
ト層が設けられ、横方向絶縁層は、オーバーコート層の
一部で形成されている。横方向絶縁層は、横方向電界型
液晶層の一部であることも好ましい。
【００３９】横方向絶縁層は、色層（Ｒ，Ｇ，Ｂ）を形
成する第１材料と異なり他の色層（Ｒ，Ｇ，Ｂ）を形成
する第２材料で形成され、第２材料の比抵抗は第１材料
の比抵抗よりも高いことが、課題解決のために有効であ
る。例えば、色層（Ｒ，Ｇ，Ｂ））の色は、３原色ＲＧ
ＢのうちのＧであり、他の色層の色はＲである。
成する第１材料と異なり他の色層（Ｒ，Ｇ，Ｂ）を形成
する第２材料で形成され、第２材料の比抵抗は第１材料
の比抵抗よりも高いことが、課題解決のために有効であ
る。例えば、色層（Ｒ，Ｇ，Ｂ））の色は、３原色ＲＧ
ＢのうちのＧであり、他の色層の色はＲである。
【００４０】横方向電界型液晶層に電界を印加する電極
層を形成する基板の側に配置される遮光層が更に設けら
れる。遮光層は直交方向に横方向絶縁層にオーバーラッ
プしている。高抵抗化は、ブラックマトリックスと色層
とが直交方向にオーバーラップしていないことであり、
且つ、ブラックマトリックスと色層との横方向の間に横
方向絶縁層が介設される。
層を形成する基板の側に配置される遮光層が更に設けら
れる。遮光層は直交方向に横方向絶縁層にオーバーラッ
プしている。高抵抗化は、ブラックマトリックスと色層
とが直交方向にオーバーラップしていないことであり、
且つ、ブラックマトリックスと色層との横方向の間に横
方向絶縁層が介設される。
【００４１】この場合、横方向絶縁層は実質的に不透明
であることが好ましい。または、高抵抗化は、直交方向
にブラックマトリックス層と色層とが僅かにオーバラッ
プし、ブラックマトリックスと色層との横方向の間に横
方向絶縁層が介設され、且つ、ブラックマトリックス層
と色層との間の直交方向の間に直交方向絶縁層が介設さ
れていることである。この場合、僅かにオーバーラップ
することは、色層が横方向絶縁層に実質的に丁度重なり
合う程度が好ましい。
であることが好ましい。または、高抵抗化は、直交方向
にブラックマトリックス層と色層とが僅かにオーバラッ
プし、ブラックマトリックスと色層との横方向の間に横
方向絶縁層が介設され、且つ、ブラックマトリックス層
と色層との間の直交方向の間に直交方向絶縁層が介設さ
れていることである。この場合、僅かにオーバーラップ
することは、色層が横方向絶縁層に実質的に丁度重なり
合う程度が好ましい。
【００４２】
【発明の実施の形態】次に、添付図面を参照しながら本
発明の実施形態である液晶表示装置及びその製造方法を
詳細に説明する。図１から図８を参照すると、本発明に
係る液晶表示装置及びその製造方法の実施の形態が示さ
れている。
発明の実施形態である液晶表示装置及びその製造方法を
詳細に説明する。図１から図８を参照すると、本発明に
係る液晶表示装置及びその製造方法の実施の形態が示さ
れている。
【００４３】〈第１の実施形態〉図１は、本発明の第１
の実施形態である液晶表示装置の概略構成を示す断面図
である。図１において、本発明の第１の実施形態である
液晶表示装置は、第１偏光板１と、第２偏光板２と、Ｃ
Ｆ（カラーフィルタ）硝子端子板３と、ＴＦＴ（薄膜電
界効果型トランジスタ）硝子端子板４と、色付け層５
と、電界印加層６と、ブラックマトリックス層７と、色
層８と、液晶層９と、オーバーコート層１０と、第１配
向層１１と、第２配向層１２と、ＰＡ−ＳｉＮ層１３
と、ソース電極層１４と、ドレイン電極層１５と、ｎ＋
ａｓｉ（アモルファスシリコン）層１６と、ａｓｉ（ア
モルファスシリコン）層１７と、絶縁層１８と、ゲート
電極層１９と、により構成される。
の実施形態である液晶表示装置の概略構成を示す断面図
である。図１において、本発明の第１の実施形態である
液晶表示装置は、第１偏光板１と、第２偏光板２と、Ｃ
Ｆ（カラーフィルタ）硝子端子板３と、ＴＦＴ（薄膜電
界効果型トランジスタ）硝子端子板４と、色付け層５
と、電界印加層６と、ブラックマトリックス層７と、色
層８と、液晶層９と、オーバーコート層１０と、第１配
向層１１と、第２配向層１２と、ＰＡ−ＳｉＮ層１３
と、ソース電極層１４と、ドレイン電極層１５と、ｎ＋
ａｓｉ（アモルファスシリコン）層１６と、ａｓｉ（ア
モルファスシリコン）層１７と、絶縁層１８と、ゲート
電極層１９と、により構成される。
【００４４】本発明の第１の実施形態である液晶表示装
置は、２枚の偏光板（第１偏光板１、第２偏光板２）が
設けられ、それらの間には、ＣＦ硝子端子板３とＴＦＴ
硝子端子板４とが介設されている。ＣＦ硝子端子板３
は、第１偏光板１に接合し、ＴＦＴ硝子端子板４は、第
２偏光板２にそれぞれ接合している。
置は、２枚の偏光板（第１偏光板１、第２偏光板２）が
設けられ、それらの間には、ＣＦ硝子端子板３とＴＦＴ
硝子端子板４とが介設されている。ＣＦ硝子端子板３
は、第１偏光板１に接合し、ＴＦＴ硝子端子板４は、第
２偏光板２にそれぞれ接合している。
【００４５】ＣＦ硝子端子板３とＴＦＴ硝子端子板４と
の間には、色付け層５と電界印加層６とオーバーコート
層１０とが介設されている。色付け層５は、ＣＦ硝子端
子板３に接合し、電界印加層６は、ＴＦＴ硝子端子板４
に接合している。この色付け層５は、ブラックマトリッ
クス層７と色層８とから形成されている。
の間には、色付け層５と電界印加層６とオーバーコート
層１０とが介設されている。色付け層５は、ＣＦ硝子端
子板３に接合し、電界印加層６は、ＴＦＴ硝子端子板４
に接合している。この色付け層５は、ブラックマトリッ
クス層７と色層８とから形成されている。
【００４６】オーバーコート層１０は、ブラックマトリ
ックス層７且つ色層８の内側に配置され、ブラックマト
リックス層７と色層８とのそれぞれに接合している。色
層８が、Ｒ色フィルタ、Ｇ色フィルタ、Ｂ色フィルタで
ある場合には、それぞれ色層８（Ｒ）、色層８（Ｇ）、
色層８（Ｂ）と表される。
ックス層７且つ色層８の内側に配置され、ブラックマト
リックス層７と色層８とのそれぞれに接合している。色
層８が、Ｒ色フィルタ、Ｇ色フィルタ、Ｂ色フィルタで
ある場合には、それぞれ色層８（Ｒ）、色層８（Ｇ）、
色層８（Ｂ）と表される。
【００４７】ブラックマトリックス層７は、基板面に垂
直な方向で色層８にオーバーラップしていない。基板面
は、後述の液晶層９のダイレクタが向く方向を含む面に
概ね平行な面として定義され、第１偏光板１と第２偏光
板２とが対向する方向に直交する面として定義される。
直な方向で色層８にオーバーラップしていない。基板面
は、後述の液晶層９のダイレクタが向く方向を含む面に
概ね平行な面として定義され、第１偏光板１と第２偏光
板２とが対向する方向に直交する面として定義される。
【００４８】また、ブラックマトリックス層７は、基板
面方向（基板面に含まれる２次元的方向）には色層８に
直接接しておらず、図示されるように、ブラックマトリ
ックス層７の端面（基板面に直交する面）と色層８の端
面との間にはオーバーコート層１０の一部が入り込んで
いる。
面方向（基板面に含まれる２次元的方向）には色層８に
直接接しておらず、図示されるように、ブラックマトリ
ックス層７の端面（基板面に直交する面）と色層８の端
面との間にはオーバーコート層１０の一部が入り込んで
いる。
【００４９】ＩＰＳ型の液晶層９は、色付け層５と電界
印加層６との間に介設されている。液晶層９と色付け層
５との間には、第１配向層１１が介設されている。液晶
層９と電界印加層６との間には、第２配向層１２が介設
されている。
印加層６との間に介設されている。液晶層９と色付け層
５との間には、第１配向層１１が介設されている。液晶
層９と電界印加層６との間には、第２配向層１２が介設
されている。
【００５０】電界印加層６は、ＰＡ−ＳｉＮ層１３と、
ソース電極層１４と、ドレイン電極層１５と、ｎ＋ａｓ
ｉ層１６と、ａｓｉ層１７と、絶縁層１８と、ゲート電
極層１９と、から形成されている。
ソース電極層１４と、ドレイン電極層１５と、ｎ＋ａｓ
ｉ層１６と、ａｓｉ層１７と、絶縁層１８と、ゲート電
極層１９と、から形成されている。
【００５１】ＰＡ−ＳｉＮ層１３は、第２配向層１２の
外側面側に形成され、ソース電極層１４とドレイン電極
層１５とは、ＰＡ−ＳｉＮ層１３の外側面側に形成さ
れ、ｎ＋ａｓｉ層１６は、ソース電極層１４とドレイン
電極層１５とのそれぞれの外側面側に形成されている。
ここで、外側とは液晶表示装置の前側であり、図では上
側に相当するものとする。
外側面側に形成され、ソース電極層１４とドレイン電極
層１５とは、ＰＡ−ＳｉＮ層１３の外側面側に形成さ
れ、ｎ＋ａｓｉ層１６は、ソース電極層１４とドレイン
電極層１５とのそれぞれの外側面側に形成されている。
ここで、外側とは液晶表示装置の前側であり、図では上
側に相当するものとする。
【００５２】ａｓｉ層１７は、ｎ＋ａｓｉ層１６の外側
面側に形成され、両側でソース電極層１４とドレイン電
極層１５とに挟まれて配置されている。絶縁層１８は、
ａｓｉ層１７とソース電極層１４とのそれぞれの外側面
側に形成されている。ゲート電極層１９は、絶縁層１８
の一部の外側面側に形成され、当該絶縁層１８とＴＦＴ
硝子端子板４との間に挟まれて形成されている。
面側に形成され、両側でソース電極層１４とドレイン電
極層１５とに挟まれて配置されている。絶縁層１８は、
ａｓｉ層１７とソース電極層１４とのそれぞれの外側面
側に形成されている。ゲート電極層１９は、絶縁層１８
の一部の外側面側に形成され、当該絶縁層１８とＴＦＴ
硝子端子板４との間に挟まれて形成されている。
【００５３】図２は、本発明の第１の実施形態における
単位液晶表示画素とその周辺近傍の透視図である。ソー
ス電極層１４は、単位画素領域の１つの方向に関する中
央部で１つの閉じた格子状の画素電極２４を形成してい
る。この画素電極（ピクセル、ＰＩ）２４の両側の極の
横方向間に対向電極２３が配置されている。対向電極２
３は、２格子状に形成されている。
単位液晶表示画素とその周辺近傍の透視図である。ソー
ス電極層１４は、単位画素領域の１つの方向に関する中
央部で１つの閉じた格子状の画素電極２４を形成してい
る。この画素電極（ピクセル、ＰＩ）２４の両側の極の
横方向間に対向電極２３が配置されている。対向電極２
３は、２格子状に形成されている。
【００５４】単位液晶表示画素の開口部２６は、１点鎖
線で示す単位格子のブラックマトリックス層により囲ま
れて遮蔽されている。ここで、ブラックとは、光学的に
非透過であることを意味する。
線で示す単位格子のブラックマトリックス層により囲ま
れて遮蔽されている。ここで、ブラックとは、光学的に
非透過であることを意味する。
【００５５】ゲート電極層１９は、図２に示されるよう
に、ゲート電極用走査線２７Ｇに接続している。ドレイ
ン電極層１５は、ドレイン電極用信号線２７Ｄに接続し
ている。対向電極２３と画素電極２４とにより横方向電
界が生成され、その横方向電界電圧が平面内配向の不図
示の液晶層９に印加される。
に、ゲート電極用走査線２７Ｇに接続している。ドレイ
ン電極層１５は、ドレイン電極用信号線２７Ｄに接続し
ている。対向電極２３と画素電極２４とにより横方向電
界が生成され、その横方向電界電圧が平面内配向の不図
示の液晶層９に印加される。
【００５６】このように電圧が印加された液晶層９は、
その液晶の配向の主軸の向きが変わって、そこを通る白
色光を偏光させる。電圧印加がない状態では、光透過率
が極めて小さい第１偏光板１と第２偏光板２との間を通
る光は外側に出ないが、電圧が印加された状態では、光
透過率が零でなくなった両偏光板（第１偏光板及び第２
偏光板２）の間を通る光は外側に出る。このように外側
に出る光は、各カラーフィルタ８（Ｒ，Ｇ，Ｂ）により
３原色化されている。
その液晶の配向の主軸の向きが変わって、そこを通る白
色光を偏光させる。電圧印加がない状態では、光透過率
が極めて小さい第１偏光板１と第２偏光板２との間を通
る光は外側に出ないが、電圧が印加された状態では、光
透過率が零でなくなった両偏光板（第１偏光板及び第２
偏光板２）の間を通る光は外側に出る。このように外側
に出る光は、各カラーフィルタ８（Ｒ，Ｇ，Ｂ）により
３原色化されている。
【００５７】ゲート電極用走査線２７Ｇとドレイン電極
用信号線２７Ｄとは、ブラックマトリックス層７に対し
て横方向電界の横方向に直交する直交方向Ｄに概ねオー
バーラップしている。ブラックマトリックス層７は、液
晶の横方向配向により形成される有効透過部（ブラック
マトリックス層７により直交方向には囲まれる液晶部）
２２に対して斜め向きであり（ブラックマトリックス層
７の中心線に有効透過部の中心領域を通って直交する直
線は、直交方向Ｄに対して斜め向きであり）、ブラック
マトリックス層７は、有効透過部２２にに対して色層８
よりも遠くに位置する。色層８は、その有効透過部２２
に対して基板面に概ね直交する直交方向Ｄに配置され、
有効透過部２２に対してブラックマトリックス層７より
も近くに配置されている。
用信号線２７Ｄとは、ブラックマトリックス層７に対し
て横方向電界の横方向に直交する直交方向Ｄに概ねオー
バーラップしている。ブラックマトリックス層７は、液
晶の横方向配向により形成される有効透過部（ブラック
マトリックス層７により直交方向には囲まれる液晶部）
２２に対して斜め向きであり（ブラックマトリックス層
７の中心線に有効透過部の中心領域を通って直交する直
線は、直交方向Ｄに対して斜め向きであり）、ブラック
マトリックス層７は、有効透過部２２にに対して色層８
よりも遠くに位置する。色層８は、その有効透過部２２
に対して基板面に概ね直交する直交方向Ｄに配置され、
有効透過部２２に対してブラックマトリックス層７より
も近くに配置されている。
【００５８】ゲート電極とこの近傍の電極（以下、近傍
電極といわれる）が生成する横方向電界電圧がブラック
マトリックス層７に作用する。絶縁層により遮蔽されて
いるブラックマトリックス層７は、電気的に中に浮いて
いる。ブラックマトリックス層７が電界電圧の印加を受
け、当該ブラックマトリックス層７とゲート電極・近傍
電極とは、直交方向Ｄに容量結合する。この容量結合に
より、ブラックマトリックス層７に電荷が蓄積される。
ブラックマトリックス層７に蓄積される電荷は、当該ブ
ラックマトリックス層７と色層８との横方向間の絶縁層
である色付け層５の一部分に阻まれて移動しにくいの
で、有効透過部２２の液晶の横方向配向は、色層８から
受ける電界影響が小さく抑えられ、コントラストの低下
や残像現象が抑制される。
電極といわれる）が生成する横方向電界電圧がブラック
マトリックス層７に作用する。絶縁層により遮蔽されて
いるブラックマトリックス層７は、電気的に中に浮いて
いる。ブラックマトリックス層７が電界電圧の印加を受
け、当該ブラックマトリックス層７とゲート電極・近傍
電極とは、直交方向Ｄに容量結合する。この容量結合に
より、ブラックマトリックス層７に電荷が蓄積される。
ブラックマトリックス層７に蓄積される電荷は、当該ブ
ラックマトリックス層７と色層８との横方向間の絶縁層
である色付け層５の一部分に阻まれて移動しにくいの
で、有効透過部２２の液晶の横方向配向は、色層８から
受ける電界影響が小さく抑えられ、コントラストの低下
や残像現象が抑制される。
【００５９】図３は、図２のＩＩＩ−ＩＩＩ間の断面図
である。図３に示されるように、画素電極２４は、対向
電極２３の外側の層である上層として形成されている。
画素電極２４は、対向電極２３からゲート絶縁膜２５に
より絶縁されている。
である。図３に示されるように、画素電極２４は、対向
電極２３の外側の層である上層として形成されている。
画素電極２４は、対向電極２３からゲート絶縁膜２５に
より絶縁されている。
【００６０】また、色層８（Ｇ）は、ブラックマトリッ
クス層７に垂直な方向にはオーバーラップしていない。
ブラックマトリックス層７と色層８（Ｇ）との間には、
２次元横方向にオーバーコート層１０の一部分が入り込
んでいる。
クス層７に垂直な方向にはオーバーラップしていない。
ブラックマトリックス層７と色層８（Ｇ）との間には、
２次元横方向にオーバーコート層１０の一部分が入り込
んでいる。
【００６１】〈第２の実施形態〉図４は、本発明の第２
の実施形態である液晶表示装置の概略構成を示す正面断
面図である。本発明の第２の実施形態である液晶表示装
置は、色層８とブラックマトリックス層７との横方向間
に、オーバーコート層１０の一部分だけでなく、液晶層
９の一部分が介設されて入り込んでいる。この液晶層９
を形成する比抵抗が著しく大きい液晶材料は、電荷注入
をより良好に阻止することができる。
の実施形態である液晶表示装置の概略構成を示す正面断
面図である。本発明の第２の実施形態である液晶表示装
置は、色層８とブラックマトリックス層７との横方向間
に、オーバーコート層１０の一部分だけでなく、液晶層
９の一部分が介設されて入り込んでいる。この液晶層９
を形成する比抵抗が著しく大きい液晶材料は、電荷注入
をより良好に阻止することができる。
【００６２】〈第３の実施形態〉図５は、本発明の第３
の実施形態である液晶表示装置の概略構成を示す正面断
面図である。本発明の第３の実施形態である液晶表示装
置は、ブラックマトリックス層７と色層８（Ｒ，Ｇ，
Ｂ）との間である横方向間に、特別に選択された高比抵
抗・不透明の材料の絶縁層５０がそれぞれ介設されてい
る。この絶縁層５０は、直交方向に色層８とブラックマ
トリックス層７にオーバーラップするように配置される
ことが好ましい。絶縁層５０は、一種のブラックマトリ
ックスとしての遮光性を有しているのでオーバーコート
層１０を形成しなくてもよい。
の実施形態である液晶表示装置の概略構成を示す正面断
面図である。本発明の第３の実施形態である液晶表示装
置は、ブラックマトリックス層７と色層８（Ｒ，Ｇ，
Ｂ）との間である横方向間に、特別に選択された高比抵
抗・不透明の材料の絶縁層５０がそれぞれ介設されてい
る。この絶縁層５０は、直交方向に色層８とブラックマ
トリックス層７にオーバーラップするように配置される
ことが好ましい。絶縁層５０は、一種のブラックマトリ
ックスとしての遮光性を有しているのでオーバーコート
層１０を形成しなくてもよい。
【００６３】〈第４の実施形態〉図６は、本発明の第４
の実施形態である液晶表示装置の概略構成を示す正面断
面図である。本発明の第４の実施形態は、ブラックマト
リックス層７と色層８（Ｒ，Ｇ，Ｂ）との間である横方
向間に、特別に選択された高比抵抗材料の絶縁層５１が
それぞれに介設されている。絶縁層５１は、直交方向Ｄ
にブラックマトリックス層７にオーバーラップすること
が好ましい。
の実施形態である液晶表示装置の概略構成を示す正面断
面図である。本発明の第４の実施形態は、ブラックマト
リックス層７と色層８（Ｒ，Ｇ，Ｂ）との間である横方
向間に、特別に選択された高比抵抗材料の絶縁層５１が
それぞれに介設されている。絶縁層５１は、直交方向Ｄ
にブラックマトリックス層７にオーバーラップすること
が好ましい。
【００６４】〈第５の実施形態〉図７は、本発明の第５
の実施形態である液晶表示装置における絶縁層の構成例
を示す断面図である。図７に示されるように、隣り合う
２箇所の絶縁層５１は、横方向に連続し、ブラックマト
リックス層７を完全に被覆する絶縁層５１’（Ｒ）とし
て形成されることが好ましい。
の実施形態である液晶表示装置における絶縁層の構成例
を示す断面図である。図７に示されるように、隣り合う
２箇所の絶縁層５１は、横方向に連続し、ブラックマト
リックス層７を完全に被覆する絶縁層５１’（Ｒ）とし
て形成されることが好ましい。
【００６５】〈実施例〉本発明の具体的な実施例を以下
に詳述する。横方向電界を利用するＩＰＳ方式の液晶表
示装置の実施例は、液晶の比抵抗が１０の１３乗（Ωｃ
ｍ）以上である。ブラックマトリックス層７と色層８と
の横方向間が透明であるので、ＴＦＴ基板（電極側基
板）には、ブラックマトリックス層７に直交方向Ｄに十
分にオーバーラップしてブラックマトリックス層の領域
よりも広い領域に不透明電極が配置され、白色光の漏れ
が防止される。液晶の屈折率異方性でΔｎと液晶層のギ
ャップ幅ｄとの積である位相回転角度差Δｎｄは、０．
２μｍ＜Δｎｄ＜０．３６μｍである。ブラックマトリ
ックス層７の抵抗が、色層８の抵抗に比べて十分に低
い。
に詳述する。横方向電界を利用するＩＰＳ方式の液晶表
示装置の実施例は、液晶の比抵抗が１０の１３乗（Ωｃ
ｍ）以上である。ブラックマトリックス層７と色層８と
の横方向間が透明であるので、ＴＦＴ基板（電極側基
板）には、ブラックマトリックス層７に直交方向Ｄに十
分にオーバーラップしてブラックマトリックス層の領域
よりも広い領域に不透明電極が配置され、白色光の漏れ
が防止される。液晶の屈折率異方性でΔｎと液晶層のギ
ャップ幅ｄとの積である位相回転角度差Δｎｄは、０．
２μｍ＜Δｎｄ＜０．３６μｍである。ブラックマトリ
ックス層７の抵抗が、色層８の抵抗に比べて十分に低
い。
【００６６】ＢＭ比抵抗（１０の３乗〜１０の６乗Ωｃ
ｍ） ＜＜＜色相Ｒ，Ｇ，Ｂ抵抗値（１０の８乗〜１０の１２
乗Ωｃｍ） ＜オーバーコート層の抵抗値（１０の１４乗Ωｃｍ以
上）
ｍ） ＜＜＜色相Ｒ，Ｇ，Ｂ抵抗値（１０の８乗〜１０の１２
乗Ωｃｍ） ＜オーバーコート層の抵抗値（１０の１４乗Ωｃｍ以
上）
【００６７】Ｒ，Ｇ，Ｂに関して、比抵抗Ｒは、下記の
通りである。 Ｒ（Ｒ）＝１０の１０乗〜１０の１２乗（Ωｃｍ） Ｒ（Ｇ）＝１０の９乗〜１０の１１乗（Ωｃｍ） Ｒ（Ｂ）＝１０の８乗〜１０の１２乗（Ωｃｍ） Ｒ（ＯＣ）＝１０の１４乗Ωｃｍ以上 Ｒ（図２１の絶縁層５０）＝１０の１４乗（Ωｃｍ）以
上 ここで、ＯＣはオーバーコート層１０を示すものであ
る。
通りである。 Ｒ（Ｒ）＝１０の１０乗〜１０の１２乗（Ωｃｍ） Ｒ（Ｇ）＝１０の９乗〜１０の１１乗（Ωｃｍ） Ｒ（Ｂ）＝１０の８乗〜１０の１２乗（Ωｃｍ） Ｒ（ＯＣ）＝１０の１４乗Ωｃｍ以上 Ｒ（図２１の絶縁層５０）＝１０の１４乗（Ωｃｍ）以
上 ここで、ＯＣはオーバーコート層１０を示すものであ
る。
【００６８】ＢＭと８（Ｒ）の間の絶縁層の比抵抗Ｒ
（Ｒ）＝１０の１２乗（Ωｃｍ） ＢＭと８（Ｇ）の間の絶縁層の比抵抗Ｒ（Ｇ）＝１０の
１０乗（Ωｃｍ） ＢＭと８（Ｂ）の間の絶縁層の比抵抗Ｒ（Ｂ）＝１０の
９乗（Ωｃｍ）
（Ｒ）＝１０の１２乗（Ωｃｍ） ＢＭと８（Ｇ）の間の絶縁層の比抵抗Ｒ（Ｇ）＝１０の
１０乗（Ωｃｍ） ＢＭと８（Ｂ）の間の絶縁層の比抵抗Ｒ（Ｂ）＝１０の
９乗（Ωｃｍ）
【００６９】ブラックマトリックス層７と色層８とがオ
ーバーラップしていない場合、光の漏れを抑制すること
が望まれる。図８は、電極２３とブラックマトリックス
層７とのオーバラッピングの状態及び電極２３と色層８
とのオーバラッピングの状態を示している。液晶層９の
厚みはｄで示され、対抗電極２３の横方向幅がＹで示さ
れている。ブラックマトリックス層７と色層８との間
に、オーバーコート層１０の一部分である透明隙間６１
が形成されている。
ーバーラップしていない場合、光の漏れを抑制すること
が望まれる。図８は、電極２３とブラックマトリックス
層７とのオーバラッピングの状態及び電極２３と色層８
とのオーバラッピングの状態を示している。液晶層９の
厚みはｄで示され、対抗電極２３の横方向幅がＹで示さ
れている。ブラックマトリックス層７と色層８との間
に、オーバーコート層１０の一部分である透明隙間６１
が形成されている。
【００７０】透明隙間６１と対抗電極２３とは、直交方
向Ｄにオーバーラップしている。横方向幅Ｙが広いほ
ど、透明隙間６１を通過する漏れ光量は少なくなる。横
方向幅Ｙが広いほど、開口率が低下して色層８を通過す
る有効光量が少なくなる。１＜ｄ／Ｙ＜７の関係を満た
すことが有効である。特に、ｄ＝５μｍ、Ｙ＝２μｍ、
であることが視覚経験上、特に有効である。
向Ｄにオーバーラップしている。横方向幅Ｙが広いほ
ど、透明隙間６１を通過する漏れ光量は少なくなる。横
方向幅Ｙが広いほど、開口率が低下して色層８を通過す
る有効光量が少なくなる。１＜ｄ／Ｙ＜７の関係を満た
すことが有効である。特に、ｄ＝５μｍ、Ｙ＝２μｍ、
であることが視覚経験上、特に有効である。
【００７１】また、色付き表示ムラが発生するカラーフ
ィルタを用いた場合、液晶比抵抗が変化しても、短時間
で輝度が一定値に落ち着く傾向がある。液晶比抵抗の変
化は、電荷注入による色付き表示ムラ発生の原因に影響
しない。色付き表示ムラ発生の原因は、ブラックマトリ
ックスとカラーフィルタとの間の電荷流動に強く依存し
ている。
ィルタを用いた場合、液晶比抵抗が変化しても、短時間
で輝度が一定値に落ち着く傾向がある。液晶比抵抗の変
化は、電荷注入による色付き表示ムラ発生の原因に影響
しない。色付き表示ムラ発生の原因は、ブラックマトリ
ックスとカラーフィルタとの間の電荷流動に強く依存し
ている。
【００７２】なお、上述される実施形態は、本発明の好
適な実施形態であり、本発明の要旨を変更しない範囲内
において種々変形して実施することが可能である。
適な実施形態であり、本発明の要旨を変更しない範囲内
において種々変形して実施することが可能である。
【００７３】
【発明の効果】以上の説明より明らかなように、本発明
による液晶表示装置及びその製造方法によれば、ブラッ
クマトリックス層とカラーフィルタ（色層）とが平面的
にオーバーラップしないようにレイアウトし、さらに、
ブラックマトリックス層とカラーフィルタとの間を高抵
抗層で充填するように構成することで、電荷注入を抑制
することができる。
による液晶表示装置及びその製造方法によれば、ブラッ
クマトリックス層とカラーフィルタ（色層）とが平面的
にオーバーラップしないようにレイアウトし、さらに、
ブラックマトリックス層とカラーフィルタとの間を高抵
抗層で充填するように構成することで、電荷注入を抑制
することができる。
【図１】本発明の第１の実施形態である液晶表示装置の
概略構成を示す正面断面図である。
概略構成を示す正面断面図である。
【図２】本発明の第１の実施形態である液晶表示装置の
上面透視図である。
上面透視図である。
【図３】図２のＩＩＩ−ＩＩＩ線断面図である。
【図４】本発明の第２の実施形態である液晶表示装置の
概略構成を示す正面断面図である。
概略構成を示す正面断面図である。
【図５】本発明の第３の実施形態である液晶表示装置の
概略構成を示す正面断面図である。
概略構成を示す正面断面図である。
【図６】本発明の第４の実施形態である液晶表示装置の
概略構成を示す正面断面図である。
概略構成を示す正面断面図である。
【図７】本発明の第５の実施形態である液晶表示装置の
概略構成を示す正面断面図である。
概略構成を示す正面断面図である。
【図８】本発明の第６の実施形態である液晶表示装置の
概略構成を示す正面断面図である。
概略構成を示す正面断面図である。
【図９】従来の液晶表示装置の概略構成を示す断面図で
ある。
ある。
【図１０】従来の液晶表示装置における等価電気回路を
示す回路図である。
示す回路図である。
【図１１】従来の液晶表示装置の他の概略構成を示す断
面図である。
面図である。
１ 第１偏光板 ２ 第２偏光板 ３ 第１ＣＦ（カラーフィルタ）硝子端子板 ４ ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）硝子端子遺体 ５ 色付け層 ６ 電界印加層 ７ ブラックマトリックス ８ （Ｒ，Ｇ，Ｂ）色層 ９ 横方向電界型液晶層 １０ オーバーコート層 １１ 第１配向層 １２ 第２配向層 １３ Ｐａ−ＳｉＮ層 １４ ソース電極層 １５ ドレイン電極層 １６ Ｎａｓｉ層 １７ ａｓｉ層 １８ 絶縁層 １９ ゲート電極層 ２１ 容量結合 ２２ 有効透過部 ２３ 対向電極 ２４ 画素電極 ２５ ゲート絶縁膜 ２６ 開口部 Ｄ 直交方向
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 2H042 AA09 AA15 AA26 2H048 BA11 BB01 BB02 BB23 BB37 BB42 2H091 FA02Y FA35Y GA13 LA17 2H092 GA14 JA26 JA37 JA41 JB11 JB52 JB56 JB57 KA05 KB26 NA01 NA22 PA08 PA09
Claims (16)
- 【請求項１】 面内で横方向に電界が印加される横方向
電界型の液晶表示装置において、 第１の透明絶縁性基板と第２の透明絶縁性基板との層間
に設けられる液晶層と、 画素領域を形成するブラックマトリックス層と、 前記画素領域の中に形成される色層とを有し、 前記ブラックマトリックス層と前記色層との中央領域の
間が高抵抗化されていることを特徴とする液晶表示装
置。 - 【請求項２】 前記高抵抗化は、 前記ブラックマトリックス層と前記色層とが基板に垂直
な方向にオーバーラップしていないことを特徴とする請
求項１記載の液晶表示装置。 - 【請求項３】 前記高抵抗化は、 前記ブラックマトリックス層と前記色層との間に絶縁層
が介設されていることを特徴とする請求項２記載の液晶
表示装置。 - 【請求項４】 前記ブラックマトリックス層と前記色層
とを被覆するオーバーコート層を有し、 前記絶縁層は、前記オーバーコート層の一部により形成
されることを特徴とする請求項３記載の液晶表示装置。 - 【請求項５】 前記絶縁層は、 前記色層を形成する第１の材料と異なる他の色層により
形成される第２の材料で形成され、 前記第２の材料の比抵抗が前記第１の材料の比抵抗より
も高いことを特徴とする請求項３または４記載の液晶表
示装置。 - 【請求項６】 前記絶縁層は、 前記液晶層の一部であることを特徴とする請求項３から
５のいずれか１項に記載の液晶表示装置。 - 【請求項７】 前記液晶層に前記電界を印加する電極層
を形成する基板側に遮光層を有し、 前記遮光層は、前記基板に垂直な方向で前記絶縁層にオ
ーバーラップしていることを特徴とする請求項１から６
のいずれか１項に記載の液晶表示装置。 - 【請求項８】 前記遮光層は、前記電極層であることを
特徴とする請求項７記載の液晶表示装置。 - 【請求項９】 面内で横方向に電界が印加される横方向
電界型の液晶表示装置の製造方法において、 第１の透明絶縁性基板と第２の透明絶縁性基板との層間
に液晶層を設ける工程と、 画素領域を形成するブラックマトリックス層を設ける工
程と、 前記画素領域の中に色層を設ける工程と、を有し、 前記ブラックマトリックス層と前記色層との中央領域の
間が高抵抗化されていることを特徴とする液晶表示装置
の製造方法。 - 【請求項１０】 前記高抵抗化は、 前記ブラックマトリックス層と前記色層とが基板に垂直
な方向にオーバーラップしていないことを特徴とする請
求項９記載の液晶表示装置の製造方法。 - 【請求項１１】 前記高抵抗化は、 前記ブラックマトリックス層と前記色層との間に絶縁層
が介設されていることを特徴とする請求項１０記載の液
晶表示装置の製造方法。 - 【請求項１２】 前記ブラックマトリックス層と前記色
層とを被覆するオーバーコート層を設ける工程を有し、 前記絶縁層は、前記オーバーコート層の一部により形成
されることを特徴とする請求項１１記載の液晶表示装置
の製造方法。 - 【請求項１３】 前記絶縁層は、 前記色層を形成する第１の材料と異なる他の色層により
形成される第２の材料で形成され、 前記第２の材料の比抵抗が前記第１の材料の比抵抗より
も高いことを特徴とする請求項１１または１２記載の液
晶表示装置の製造方法。 - 【請求項１４】 前記絶縁層は、 前記液晶層の一部であることを特徴とする請求項１１か
ら１３のいずれか１項に記載の液晶表示装置の製造方
法。 - 【請求項１５】 前記液晶層に前記電界を印加する電極
層を形成する基板側に遮光層を設ける工程を有し、 前記遮光層は、前記基板に垂直な方向で前記絶縁層にオ
ーバーラップしていることを特徴とする請求項９から１
４のいずれか１項に記載の液晶表示装置の製造方法。 - 【請求項１６】 前記遮光層は、前記電極層であること
を特徴とする請求項１５記載の液晶表示装置の製造方
法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000334938A JP4554798B2 (ja) | 2000-10-30 | 2000-10-30 | 液晶表示装置及びその製造方法 |
| TW090126838A TWI226500B (en) | 2000-10-30 | 2001-10-29 | In-plane switching mode active matrix liquid crystal display panel having highly resistive layer inserted in gap between black matrix and color filters and process for fabrication thereof |
| KR10-2001-0066718A KR100459320B1 (ko) | 2000-10-30 | 2001-10-29 | 블랙 매트릭스 및 컬러 필터 사이의 갭에 삽입된 고저항층을 갖는 평면 스위칭 모드 액티브 매트릭스 액정 디스플레이 패널 및 그 제조 방법 |
| US10/055,127 US6900859B2 (en) | 2000-10-30 | 2001-10-29 | In-plane switching mode active matrix liquid crystal display panel having highly resistive layer inserted in gap black matrix and color filters and process for fabrication thereof |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000334938A JP4554798B2 (ja) | 2000-10-30 | 2000-10-30 | 液晶表示装置及びその製造方法 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002139727A true JP2002139727A (ja) | 2002-05-17 |
| JP4554798B2 JP4554798B2 (ja) | 2010-09-29 |
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ID=18810765
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
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| KR (1) | KR100459320B1 (ja) |
| TW (1) | TWI226500B (ja) |
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- 2000-10-30 JP JP2000334938A patent/JP4554798B2/ja not_active Expired - Lifetime
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2001
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