JP3125757B2 - 液晶表示装置及びその製造方法 - Google Patents
液晶表示装置及びその製造方法Info
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は液晶表示装置及びそ
の製造方法に関し、特に基板表面と平行に発生させる電
界によって液晶分子を回転させて表示を行うＩＰＳ（Ｉ
ｎ−ＰｌａｎｅＳｗｉｔｃｈｉｎｇ）モードの液晶表示
装置及びその製造方法に関する。
の製造方法に関し、特に基板表面と平行に発生させる電
界によって液晶分子を回転させて表示を行うＩＰＳ（Ｉ
ｎ−ＰｌａｎｅＳｗｉｔｃｈｉｎｇ）モードの液晶表示
装置及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、広視野角液晶表示パネルの問題
点の一つに“パネル透過率が低い”という点がある。こ
れは、広視野角液晶表示パネルにおいては表示部に櫛歯
状の電極を形成するため、もともと開口部が狭い構造で
あることが原因である。この問題点を解決するには、表
示部のゲート絶縁膜を除去する方法が検討されている。
このゲート絶縁膜の除去により得られる効果は次の通り
である。 光の透過率が高くなる。 櫛歯電極間の液晶にかかる電圧が強くなる。 画素電極と共通電極が同一平面上に形成されるので、
電界に偏りが無い。
点の一つに“パネル透過率が低い”という点がある。こ
れは、広視野角液晶表示パネルにおいては表示部に櫛歯
状の電極を形成するため、もともと開口部が狭い構造で
あることが原因である。この問題点を解決するには、表
示部のゲート絶縁膜を除去する方法が検討されている。
このゲート絶縁膜の除去により得られる効果は次の通り
である。 光の透過率が高くなる。 櫛歯電極間の液晶にかかる電圧が強くなる。 画素電極と共通電極が同一平面上に形成されるので、
電界に偏りが無い。
【０００３】ここで、ＩＰＳモードでは、基板表面と実
質的に平行な面内で液晶分子を回転させて表示を行うの
で、視点を動かしても基本的に液晶分子の短軸方向のみ
を見ていることになり、このため、液晶分子の“立ち
方”の視野角依存性が無く、ＴＮモード等の液晶表示装
置と比較して、広視野角を達成することができる。以下
では、ＩＰＳモードの液晶表示装置を広視野角液晶表示
装置と呼ぶ。
質的に平行な面内で液晶分子を回転させて表示を行うの
で、視点を動かしても基本的に液晶分子の短軸方向のみ
を見ていることになり、このため、液晶分子の“立ち
方”の視野角依存性が無く、ＴＮモード等の液晶表示装
置と比較して、広視野角を達成することができる。以下
では、ＩＰＳモードの液晶表示装置を広視野角液晶表示
装置と呼ぶ。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来の表示部のゲート
絶縁膜除去方法及びその問題点を以下に更に詳しく説明
する。
絶縁膜除去方法及びその問題点を以下に更に詳しく説明
する。
【０００５】図９は特開平６−２５０２１０号公報の図
２０に示されている画素の平面構造を示す図であり、図
１０は図９のＢ−Ｂ´部の断面構造を示す図である。こ
れらの図を参照すると、透明絶縁性基板６の一主面上に
走査線１が形成され、その上にゲート絶縁膜７が形成さ
れている。さらに、その上に半導体層５が存在し、その
上に信号線２、画素電極３及び共通電極４が形成されて
いる。そして、信号線２、画素電極３及び共通電極４に
は保護絶縁膜８が設けられている。
２０に示されている画素の平面構造を示す図であり、図
１０は図９のＢ−Ｂ´部の断面構造を示す図である。こ
れらの図を参照すると、透明絶縁性基板６の一主面上に
走査線１が形成され、その上にゲート絶縁膜７が形成さ
れている。さらに、その上に半導体層５が存在し、その
上に信号線２、画素電極３及び共通電極４が形成されて
いる。そして、信号線２、画素電極３及び共通電極４に
は保護絶縁膜８が設けられている。
【０００６】かかる構成においては、表示部のゲート絶
縁膜７と保護絶縁膜８とを基板上部からパターニングし
て除去している。この場合、絶縁膜のパターンは電極パ
ターン上を完全に覆い隠す必要があるため（電極を構成
する金属が液晶層に露出するのを防ぐ）、絶縁膜パター
ンと電極パターンとの重ね合わせがずれた場合を想定し
て、絶縁膜パターンを電極パターンよりも幅広く形成し
なければならない。これにより以下に示すような問題が
ある。 表示部の絶縁膜の除去領域が狭くなるので光透過率が
下がる。 絶縁膜パターンと電極パターンとの重ね合わせがずれ
た場合に、共通電極と画素電極に囲まれてなる開口部の
断面構造は隣り合う開口部で異なるため、電圧のかかり
方に偏りがあり、表示ムラ等の原因になる。
縁膜７と保護絶縁膜８とを基板上部からパターニングし
て除去している。この場合、絶縁膜のパターンは電極パ
ターン上を完全に覆い隠す必要があるため（電極を構成
する金属が液晶層に露出するのを防ぐ）、絶縁膜パター
ンと電極パターンとの重ね合わせがずれた場合を想定し
て、絶縁膜パターンを電極パターンよりも幅広く形成し
なければならない。これにより以下に示すような問題が
ある。 表示部の絶縁膜の除去領域が狭くなるので光透過率が
下がる。 絶縁膜パターンと電極パターンとの重ね合わせがずれ
た場合に、共通電極と画素電極に囲まれてなる開口部の
断面構造は隣り合う開口部で異なるため、電圧のかかり
方に偏りがあり、表示ムラ等の原因になる。
【０００７】また、この従来技術によれば、共通電極４
と画素電極３とを異なる工程で形成した場合、共通電極
４と画素電極３は同一平面上に形成され無いため、電極
間に発生する電界に偏りが生じる。すなわち、電極間に
発生する電界の発生する方向がパネル表面と平行になら
ない。この電極間に発生する電界の偏りは、表示ムラ等
の原因になるという欠点もある。
と画素電極３とを異なる工程で形成した場合、共通電極
４と画素電極３は同一平面上に形成され無いため、電極
間に発生する電界に偏りが生じる。すなわち、電極間に
発生する電界の発生する方向がパネル表面と平行になら
ない。この電極間に発生する電界の偏りは、表示ムラ等
の原因になるという欠点もある。
【０００８】図１１は特開平７−３６０５８号公報の図
２２に示されている画素の平面構造を示す図であり、図
１２は図１１のＣ−Ｃ´部の断面構造を示す図である。
これらの図において、図９及び図１０と同等部分は同一
符号により示されている。
２２に示されている画素の平面構造を示す図であり、図
１２は図１１のＣ−Ｃ´部の断面構造を示す図である。
これらの図において、図９及び図１０と同等部分は同一
符号により示されている。
【０００９】この従来技術では、共通電極４の表面を五
酸化タンタル（自己酸化膜）２１で被膜している。そし
て、表示部のゲート絶縁膜７と保護絶縁膜８とを基板上
部からパターニングして除去している。この従来技術に
よれば、共通電極パターンは五酸化タンタルで被膜され
ているので、ゲート絶縁膜７と保護絶縁膜８とが共通電
極４上を覆っている必要は無く、上述した従来技術に比
べて絶縁膜の除去領域が広くなる。
酸化タンタル（自己酸化膜）２１で被膜している。そし
て、表示部のゲート絶縁膜７と保護絶縁膜８とを基板上
部からパターニングして除去している。この従来技術に
よれば、共通電極パターンは五酸化タンタルで被膜され
ているので、ゲート絶縁膜７と保護絶縁膜８とが共通電
極４上を覆っている必要は無く、上述した従来技術に比
べて絶縁膜の除去領域が広くなる。
【００１０】しかし、五酸化タンタルを形成する工程が
増えるという欠点がある。また、上記の従来技術と同様
に、共通電極と画素電極を異なる工程で形成した場合、
共通電極と画素電極は同一平面上に形成され無いので、
電極間に発生する電界に偏りが生じる。すなわち、電極
間に発生する電界の発生する方向がパネル表面と平行に
ならない。この電極間に発生する電界の偏りは、表示ム
ラ等の原因になるという欠点がある。
増えるという欠点がある。また、上記の従来技術と同様
に、共通電極と画素電極を異なる工程で形成した場合、
共通電極と画素電極は同一平面上に形成され無いので、
電極間に発生する電界に偏りが生じる。すなわち、電極
間に発生する電界の発生する方向がパネル表面と平行に
ならない。この電極間に発生する電界の偏りは、表示ム
ラ等の原因になるという欠点がある。
【００１１】図１３は特開平９−５７６４号公報の図２
に示されている画素の平面構造を示す図であり、図１４
は図１３のＤ−Ｄ´部の断面構造を示す図である。これ
らの図において、図９〜図１２と同等部分は同一符号に
より示されている。
に示されている画素の平面構造を示す図であり、図１４
は図１３のＤ−Ｄ´部の断面構造を示す図である。これ
らの図において、図９〜図１２と同等部分は同一符号に
より示されている。
【００１２】この従来技術は、ゲート絶縁膜をゲート層
メタルの陽極酸化膜２０とするものである。しかし、陽
極酸化膜２０がゲート層メタル上にのみ形成されるた
め、ゲート層メタル上の膜厚が厚くなる。すると、走査
線や共通電極線と交差する信号線の断線が起こりやすく
なるという欠点がある。また、共通電極の上面のみなら
ず側面にまで陽極酸化膜が形成されるので、その分、電
極間にかかる電圧が小さくなるという欠点がある。
メタルの陽極酸化膜２０とするものである。しかし、陽
極酸化膜２０がゲート層メタル上にのみ形成されるた
め、ゲート層メタル上の膜厚が厚くなる。すると、走査
線や共通電極線と交差する信号線の断線が起こりやすく
なるという欠点がある。また、共通電極の上面のみなら
ず側面にまで陽極酸化膜が形成されるので、その分、電
極間にかかる電圧が小さくなるという欠点がある。
【００１３】本発明は上述した従来技術の欠点を解決す
るためになされたものであり、その目的は開口部の光透
過率が高くなり、かつコントラストを向上させ、表示ム
ラ等を防ぎ、また信号線の断線確率を低減することので
きる液晶表示装置及びその製造方法を提供することであ
る。
るためになされたものであり、その目的は開口部の光透
過率が高くなり、かつコントラストを向上させ、表示ム
ラ等を防ぎ、また信号線の断線確率を低減することので
きる液晶表示装置及びその製造方法を提供することであ
る。
【００１４】
【課題を解決するための手段】本発明による液晶表示装
置は、透明絶縁性基板の一主面上に形成される共通電極
で周囲が囲まれる開口部を有しこの開口部に前記共通電
極と共に電界を発生させる画素電極が形成され前記電界
によって液晶分子を回転させて表示を行う液晶表示装置
であって、前記開口部における前記共通電極の直上の絶
縁膜以外の絶縁膜は、前記透明絶縁性基板の他主面側か
らの露光を行うことによって除去されており、前記開口
部において前記共通電極の直上にのみ絶縁膜が形成され
てなることを特徴とする。
置は、透明絶縁性基板の一主面上に形成される共通電極
で周囲が囲まれる開口部を有しこの開口部に前記共通電
極と共に電界を発生させる画素電極が形成され前記電界
によって液晶分子を回転させて表示を行う液晶表示装置
であって、前記開口部における前記共通電極の直上の絶
縁膜以外の絶縁膜は、前記透明絶縁性基板の他主面側か
らの露光を行うことによって除去されており、前記開口
部において前記共通電極の直上にのみ絶縁膜が形成され
てなることを特徴とする。
【００１５】本発明による液晶表示装置の製造方法は、
液晶層を介して互いに対向して配置される２つの透明絶
縁性基板のうちの一方の前記液晶層側の面にマトリクス
状に配置された複数の走査線及び信号線並びに共通電極
線と、前記走査線と前記信号線との交差部分に夫々設け
られゲート電極及びドレイン電極並びにソース電極を有
する薄膜トランジスタとを含む液晶表示装置の製造方法
であって、前記液晶層側の面に前記走査線と同層に前記
共通電極線を形成する第１のステップと、この形成後に
ゲート絶縁膜を形成する第２のステップと、前記液晶層
側の面と反対側の面から露光を行って前記共通電極が形
成されている部分の以外の絶縁膜を除去する第３のステ
ップと、この絶縁膜が除去された部分において前記共通
電極と同一の層に前記画素電極を形成する第４のステッ
プとを含むことを特徴とする。
液晶層を介して互いに対向して配置される２つの透明絶
縁性基板のうちの一方の前記液晶層側の面にマトリクス
状に配置された複数の走査線及び信号線並びに共通電極
線と、前記走査線と前記信号線との交差部分に夫々設け
られゲート電極及びドレイン電極並びにソース電極を有
する薄膜トランジスタとを含む液晶表示装置の製造方法
であって、前記液晶層側の面に前記走査線と同層に前記
共通電極線を形成する第１のステップと、この形成後に
ゲート絶縁膜を形成する第２のステップと、前記液晶層
側の面と反対側の面から露光を行って前記共通電極が形
成されている部分の以外の絶縁膜を除去する第３のステ
ップと、この絶縁膜が除去された部分において前記共通
電極と同一の層に前記画素電極を形成する第４のステッ
プとを含むことを特徴とする。
【００１６】要するに本液晶表示装置は、液晶層を介し
て互いに対向して配置される透明絶縁性基板のうち、そ
の一方の液晶層側の面に画素電極と共通電極とが備えら
れ、これら画素電極と共通電極の間に基板表面と平行に
発生させる電界によって液晶分子を回転させて表示を行
うＩＰＳモードの液晶表示装置である。そして、走査線
と同層で共通電極を形成し、更に、ゲート絶縁膜の成膜
後、バスライン部及びＴＦＴ部を覆い隠すようなパター
ンのマスクを基板背面にセットし、背面露光を行って表
示部の共通電極上を除いた領域のゲート絶縁膜を除去
し、更に、信号線と同層で画素電極を形成している構造
である。
て互いに対向して配置される透明絶縁性基板のうち、そ
の一方の液晶層側の面に画素電極と共通電極とが備えら
れ、これら画素電極と共通電極の間に基板表面と平行に
発生させる電界によって液晶分子を回転させて表示を行
うＩＰＳモードの液晶表示装置である。そして、走査線
と同層で共通電極を形成し、更に、ゲート絶縁膜の成膜
後、バスライン部及びＴＦＴ部を覆い隠すようなパター
ンのマスクを基板背面にセットし、背面露光を行って表
示部の共通電極上を除いた領域のゲート絶縁膜を除去
し、更に、信号線と同層で画素電極を形成している構造
である。
【００１７】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の一形態につ
いて図面を参照して説明する。以下の説明において参照
する各図においては、他の図と同等部分には同一符号が
付されている。
いて図面を参照して説明する。以下の説明において参照
する各図においては、他の図と同等部分には同一符号が
付されている。
【００１８】図２は本発明による液晶表示装置の１画素
分の平面構造を示す図である。また、図１は図２のＡ−
Ａ´部の断面構造を示す図である。以下、これらの図に
示されている液晶表示装置の製造方法について図３〜図
７を参照して説明する。
分の平面構造を示す図である。また、図１は図２のＡ−
Ａ´部の断面構造を示す図である。以下、これらの図に
示されている液晶表示装置の製造方法について図３〜図
７を参照して説明する。
【００１９】図３には、表示部のゲート絶縁膜の除去方
法が示されている。同図に示されているように、ゲート
層パターン（走査線及び共通電極線）上にゲート絶縁膜
を成膜した後、バスライン部及びＴＦＴ（Ｔｈｉｎ Ｆ
ｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）部を覆い隠すようなパ
ターンのマスク１０（図２中の点線で囲まれた部分１１
がマスクの開口部である）を基板背面にセットし、背面
露光１００によりゲート絶縁膜を除去する。なお、この
図３に対応する平面構造が図４に示されている。
法が示されている。同図に示されているように、ゲート
層パターン（走査線及び共通電極線）上にゲート絶縁膜
を成膜した後、バスライン部及びＴＦＴ（Ｔｈｉｎ Ｆ
ｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）部を覆い隠すようなパ
ターンのマスク１０（図２中の点線で囲まれた部分１１
がマスクの開口部である）を基板背面にセットし、背面
露光１００によりゲート絶縁膜を除去する。なお、この
図３に対応する平面構造が図４に示されている。
【００２０】このように背面露光により表示部のゲート
絶縁膜を除去すると、開口部において、共通電極の直上
のゲート絶縁膜のみを残して、表示部のゲート絶縁膜を
幅広く除去することができる。このため、開口部の光透
過率が高くなるのである。
絶縁膜を除去すると、開口部において、共通電極の直上
のゲート絶縁膜のみを残して、表示部のゲート絶縁膜を
幅広く除去することができる。このため、開口部の光透
過率が高くなるのである。
【００２１】このゲート絶縁膜を除去した後の平面構造
が図５に示されている。また、図６には図５のＡ−Ａ´
部の断面図が示されている。このゲート絶縁膜を除去し
た後の開口部に、図７に示されているように、画素電極
３を形成する。すると、表示部において異なる工程で形
成される共通電極４と画素電極３とを同一平面上に形成
できる。このため、電極間に発生する電界に偏りが無く
なる。すなわち、電極間に発生する電界の発生する方向
がパネル表面と平行になる。これにより、従来技術にお
いて生じていた表示ムラ等が防止できる。
が図５に示されている。また、図６には図５のＡ−Ａ´
部の断面図が示されている。このゲート絶縁膜を除去し
た後の開口部に、図７に示されているように、画素電極
３を形成する。すると、表示部において異なる工程で形
成される共通電極４と画素電極３とを同一平面上に形成
できる。このため、電極間に発生する電界に偏りが無く
なる。すなわち、電極間に発生する電界の発生する方向
がパネル表面と平行になる。これにより、従来技術にお
いて生じていた表示ムラ等が防止できる。
【００２２】表示部において共通電極と画素電極との間
のゲート絶縁膜が無くなる分、電極間にかかる電圧が大
きくなり、コントラストが上がるのである。
のゲート絶縁膜が無くなる分、電極間にかかる電圧が大
きくなり、コントラストが上がるのである。
【００２３】また、表示部のゲート絶縁膜のみを除去す
るので、信号線の下層にはゲート絶縁膜が残されてお
り、バスライン交差部の段差が大きくなることは無いた
め、段差に伴う信号線の断線発生確率が増加しないので
ある。
るので、信号線の下層にはゲート絶縁膜が残されてお
り、バスライン交差部の段差が大きくなることは無いた
め、段差に伴う信号線の断線発生確率が増加しないので
ある。
【００２４】以上のように、本液晶表示装置は、２枚の
透明絶縁性基板間に液晶が狭持され、一方の透明絶縁性
基板内に、マトリクス状に配置された複数の走査線、信
号線、及び共通電極線を備え、走査線と信号線の交差部
には、ゲート電極、ドレイン電極、及びソース電極を有
する薄膜トランジスタと、ゲート電極に走査用信号を供
給する走査線と、ドレイン電極にデータ信号を供給する
信号線と、ソース電極からデータ信号を供給される画素
電極と、基準電位を与えられた共通電極線が設けられて
いるアクティブマトリクス型液晶表示装置である。そし
て、走査線に供給される走査用信号と信号線に供給され
るデータ信号とで選択された画素において、基板表面と
実質的に平行な面内で液晶分子を回転させて表示を行う
ＩＰＳモードの広視野角液晶表示装置であり、走査線と
同層で共通電極を形成し、更に、ゲート絶縁膜の成膜
後、バスライン及びＴＦＴ部を覆い隠すようなパターン
のマスクをパネル背面にセットし、背面露光を行って表
示部の共通電極上を除いた領域のゲート絶縁膜を除去
し、更に、信号線と同層で画素電極を形成しているので
ある。
透明絶縁性基板間に液晶が狭持され、一方の透明絶縁性
基板内に、マトリクス状に配置された複数の走査線、信
号線、及び共通電極線を備え、走査線と信号線の交差部
には、ゲート電極、ドレイン電極、及びソース電極を有
する薄膜トランジスタと、ゲート電極に走査用信号を供
給する走査線と、ドレイン電極にデータ信号を供給する
信号線と、ソース電極からデータ信号を供給される画素
電極と、基準電位を与えられた共通電極線が設けられて
いるアクティブマトリクス型液晶表示装置である。そし
て、走査線に供給される走査用信号と信号線に供給され
るデータ信号とで選択された画素において、基板表面と
実質的に平行な面内で液晶分子を回転させて表示を行う
ＩＰＳモードの広視野角液晶表示装置であり、走査線と
同層で共通電極を形成し、更に、ゲート絶縁膜の成膜
後、バスライン及びＴＦＴ部を覆い隠すようなパターン
のマスクをパネル背面にセットし、背面露光を行って表
示部の共通電極上を除いた領域のゲート絶縁膜を除去
し、更に、信号線と同層で画素電極を形成しているので
ある。
【００２５】この結果、図８に示されているように、２
枚の透明絶縁性基板６と６´との間に液晶２００が狭持
され、一方の透明絶縁性基板内に、マトリクス状に配置
された複数の走査線、信号線、及び共通電極線を備え、
走査線と信号線の交差部には、ゲート電極、ドレイン電
極、及びソース電極を有する薄膜トランジスタと、ゲー
ト電極に走査用信号を供給する走査線と、ドレイン電極
にデータ信号を供給する信号線と、ソース電極からデー
タ信号を供給される画素電極と、基準電位を与えられた
共通電極線が設けられているアクティブマトリクス型液
晶表示装置が得られるのである。
枚の透明絶縁性基板６と６´との間に液晶２００が狭持
され、一方の透明絶縁性基板内に、マトリクス状に配置
された複数の走査線、信号線、及び共通電極線を備え、
走査線と信号線の交差部には、ゲート電極、ドレイン電
極、及びソース電極を有する薄膜トランジスタと、ゲー
ト電極に走査用信号を供給する走査線と、ドレイン電極
にデータ信号を供給する信号線と、ソース電極からデー
タ信号を供給される画素電極と、基準電位を与えられた
共通電極線が設けられているアクティブマトリクス型液
晶表示装置が得られるのである。
【００２６】また、広視野角液晶表示装置についての本
製造方法では、まず、図３に示されているように、透明
絶縁性基板６上に走査線１及び共通電極４とゲート絶縁
膜７を成膜した後、バスライン部及びＴＦＴ部を覆い隠
すようなパターンのマスク１０（図２の点線で囲まれた
部分がマスクの開口部）を基板背面にセットして背面露
光を行い表示部のゲート絶縁膜７を図６のように除去す
る。この後、図７に示されているように、半導体層５
と、信号線２と、画素電極３とを形成し、最後に図８に
示されているように保護絶縁膜８を形成しているのであ
る。
製造方法では、まず、図３に示されているように、透明
絶縁性基板６上に走査線１及び共通電極４とゲート絶縁
膜７を成膜した後、バスライン部及びＴＦＴ部を覆い隠
すようなパターンのマスク１０（図２の点線で囲まれた
部分がマスクの開口部）を基板背面にセットして背面露
光を行い表示部のゲート絶縁膜７を図６のように除去す
る。この後、図７に示されているように、半導体層５
と、信号線２と、画素電極３とを形成し、最後に図８に
示されているように保護絶縁膜８を形成しているのであ
る。
【００２７】この広視野角液晶表示装置の製造方法は次
の特徴を持っている。 （１）背面露光により表示部のゲート絶縁膜を除去する
ので、共通電極の直上のゲート絶縁膜のみを残して、表
示部のゲート絶縁膜を幅広く除去することができる。 （２）表示部のゲート絶縁膜のみを除去するので、信号
線の下層にはゲート絶縁膜が残されているため、バスラ
イン交差部の段差が大きくなることは無い。
の特徴を持っている。 （１）背面露光により表示部のゲート絶縁膜を除去する
ので、共通電極の直上のゲート絶縁膜のみを残して、表
示部のゲート絶縁膜を幅広く除去することができる。 （２）表示部のゲート絶縁膜のみを除去するので、信号
線の下層にはゲート絶縁膜が残されているため、バスラ
イン交差部の段差が大きくなることは無い。
【００２８】ここで上記の（１）、（２）の特徴により
得られる効果を次に説明する。
得られる効果を次に説明する。
【００２９】まず（１）により得られる効果は次の３つ
である。
である。
【００３０】表示部のゲート絶縁膜を幅広く除去する
ことができるため、開口部の光透過率が高くなる。
ことができるため、開口部の光透過率が高くなる。
【００３１】表示部において共通電極と画素電極との
間のゲート絶縁膜が無くなる分、電極間の液晶にかかる
電圧が大きくなるため、コントラストが上がる。
間のゲート絶縁膜が無くなる分、電極間の液晶にかかる
電圧が大きくなるため、コントラストが上がる。
【００３２】表示部において異なる工程で形成される
共通電極と画素電極とを同一平面上に形成できるため、
電極間に発生する電界に偏りが無くなる。すなわち、電
極間に発生する電界の発生する方向がパネル表面と平行
になり、表示ムラ等が防止できる。
共通電極と画素電極とを同一平面上に形成できるため、
電極間に発生する電界に偏りが無くなる。すなわち、電
極間に発生する電界の発生する方向がパネル表面と平行
になり、表示ムラ等が防止できる。
【００３３】次に、（２）により得られる効果は次の通
りである。
りである。
【００３４】ゲート絶縁膜を除去しない場合に比べて
段差に伴う信号線の断線発生確率が増加しない。
段差に伴う信号線の断線発生確率が増加しない。
【００３５】請求項の記載に関連して本発明は更に次の
態様をとりうる。
態様をとりうる。
【００３６】（１）前記共通電極と前記画素電極とは、
互いに異なる工程によって形成されることを特徴とする
請求項１〜４のいずれかに記載の液晶表示装置。
互いに異なる工程によって形成されることを特徴とする
請求項１〜４のいずれかに記載の液晶表示装置。
【００３７】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、背面露光
により表示部のゲート絶縁膜を除去するので、共通電極
の直上のゲート絶縁膜のみを残して、表示部のゲート絶
縁膜を幅広く除去することができ、表示部のゲート絶縁
膜を幅広く除去することができるため、開口部の光透過
率が高くなるという効果がある。また、表示部において
共通電極と画素電極の間のゲート絶縁膜が無くなる分、
電極間の液晶にかかる電圧が大きくなるため、コントラ
ストが上がるという効果がある。さらに、表示部におい
て異なる工程で形成される共通電極と画素電極とを同一
平面上に形成できるため、電極間に発生する電界に偏り
が無くなり、表示ムラ等が防止できるという効果があ
る。一方本発明では、表示部のゲート絶縁膜のみを除去
するので、信号線の下層にはゲート絶縁膜が残されてい
るため、バスライン交差部の段差が大きくなることは無
く、ゲート絶縁膜を除去しない場合に比べて段差に伴う
信号線の断線発生確率が増えないという効果がある。
により表示部のゲート絶縁膜を除去するので、共通電極
の直上のゲート絶縁膜のみを残して、表示部のゲート絶
縁膜を幅広く除去することができ、表示部のゲート絶縁
膜を幅広く除去することができるため、開口部の光透過
率が高くなるという効果がある。また、表示部において
共通電極と画素電極の間のゲート絶縁膜が無くなる分、
電極間の液晶にかかる電圧が大きくなるため、コントラ
ストが上がるという効果がある。さらに、表示部におい
て異なる工程で形成される共通電極と画素電極とを同一
平面上に形成できるため、電極間に発生する電界に偏り
が無くなり、表示ムラ等が防止できるという効果があ
る。一方本発明では、表示部のゲート絶縁膜のみを除去
するので、信号線の下層にはゲート絶縁膜が残されてい
るため、バスライン交差部の段差が大きくなることは無
く、ゲート絶縁膜を除去しない場合に比べて段差に伴う
信号線の断線発生確率が増えないという効果がある。
【図１】本発明の実施の一形態による液晶表示装置の断
面構造を示す図である。
面構造を示す図である。
【図２】図１の平面構造を示す図である。
【図３】マスクを用いて背面露光を行う液晶表示装置の
製造方法を示す図である。
製造方法を示す図である。
【図４】図３の平面構造を示す図である。
【図５】ゲート酸化膜を除去した後の平面構造を示す図
である。
である。
【図６】図５の断面構造を示す図である。
【図７】共通電極と同層に画素電極を形成した状態の断
面構造を示す図である。
面構造を示す図である。
【図８】最終的に得られる液晶表示装置の断面構造を示
す図である。
す図である。
【図９】液晶表示装置の第１の従来例を示す平面図であ
る。
る。
【図１０】図９中のＢ−Ｂ´部の断面図である。
【図１１】液晶表示装置の第２の従来例を示す平面図で
ある。
ある。
【図１２】図１１中のＣ−Ｃ´部の断面図である。
【図１３】液晶表示装置の第３の従来例を示す平面図で
ある。
ある。
【図１４】図１３中のＤ−Ｄ´部の断面図である。
１ 走査線 ２ 信号線 ３ 画素電極 ４ 共通電極 ５ 半導体層 ６ 透明絶縁性基板 ７ ゲート絶縁膜 ８ 保護絶縁膜 ９ レジスト １０ マスク１００ 背面露光 ２００ 液晶
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平９−258265（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−36058（ＪＰ，Ａ) 特開 平９−5793（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−239480（ＪＰ，Ａ) 特開 平11−119248（ＪＰ，Ａ) 特開 平10−221705（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G02F 1/136 G02F 1/1343
Claims (5)
- 【請求項１】 透明絶縁性基板の一主面上に形成される
共通電極で周囲が囲まれる開口部を有しこの開口部に前
記共通電極と共に電界を発生させる画素電極が形成され
前記電界によって液晶分子を回転させて表示を行う液晶
表示装置であって、前記開口部における前記共通電極の
直上の絶縁膜以外の絶縁膜は、前記透明絶縁性基板の他
主面側からの露光を行うことによって除去されており、
前記開口部において前記共通電極の直上にのみ絶縁膜が
形成されてなることを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項２】 前記共通電極と前記画素電極とは、前記
透明絶縁性基板の一主面上に同層に形成されてなること
を特徴とする請求項１記載の液晶表示装置。 - 【請求項３】 表示すべきデータに対応するデータ信号
は、外部からオンオフ制御される薄膜トランジスタによ
って前記画素電極に与えられることを特徴とする請求項
１又は２記載の液晶表示装置。 - 【請求項４】 液晶層を介して互いに対向して配置され
る２つの透明絶縁性基板のうちの一方の前記液晶層側の
面にマトリクス状に配置された複数の走査線及び信号線
並びに共通電極線と、前記走査線と前記信号線との交差
部分に夫々設けられゲート電極及びドレイン電極並びに
ソース電極を有する薄膜トランジスタとを含む液晶表示
装置の製造方法であって、前記液晶層側の面に前記走査
線と同層に前記共通電極線を形成する第１のステップ
と、この形成後にゲート絶縁膜を形成する第２のステッ
プと、前記液晶層側の面と反対側の面から露光を行って
前記共通電極が形成されている部分の以外の絶縁膜を除
去する第３のステップと、この絶縁膜が除去された部分
において前記共通電極と同一の層に前記画素電極を形成
する第４のステップとを含むことを特徴とする液晶表示
装置の製造方法。 - 【請求項５】 前記第３のステップにおいては、前記薄
膜トランジスタ並びに前記走査線及び信号線が形成され
る領域をマスクして前記液晶層側の面と反対側の面から
露光を行うことを特徴とする請求項４記載の液晶表示装
置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20754598A JP3125757B2 (ja) | 1998-07-23 | 1998-07-23 | 液晶表示装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20754598A JP3125757B2 (ja) | 1998-07-23 | 1998-07-23 | 液晶表示装置及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000039625A JP2000039625A (ja) | 2000-02-08 |
| JP3125757B2 true JP3125757B2 (ja) | 2001-01-22 |
Family
ID=16541515
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20754598A Expired - Fee Related JP3125757B2 (ja) | 1998-07-23 | 1998-07-23 | 液晶表示装置及びその製造方法 |
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| JP (1) | JP3125757B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3420201B2 (ja) | 1999-12-22 | 2003-06-23 | 日本電気株式会社 | 液晶表示装置 |
| JP4472116B2 (ja) | 2000-05-19 | 2010-06-02 | Ｎｅｃ液晶テクノロジー株式会社 | アクティブマトリクス型液晶表示装置 |
| KR101107269B1 (ko) * | 2004-12-31 | 2012-01-19 | 엘지디스플레이 주식회사 | 수평 전계 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법과, 그를이용한 액정 패널 및 그 제조 방법 |
| KR20150069386A (ko) | 2013-12-13 | 2015-06-23 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 기판 및 표시 기판의 제조 방법 |
-
1998
- 1998-07-23 JP JP20754598A patent/JP3125757B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| JP2000039625A (ja) | 2000-02-08 |
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