JP4395130B2 - 液晶表示装置およびその製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、液晶表示装置(ＬＣＤ)の製造工程からマスク工程を減らし、ストレージキャパシタンスを確保して、表示品位を向上させた液晶表示装置およびその製造方法に関する。

一般に、現代社会が情報社会へと移動するに伴って、情報表示装置の一つの液晶表示装置モジュールの重要性がしだいに増加している。これまで最も広く使われているＣＲＴは、性能や価格の側面から多い長所を有しているが、小型化または携帯性の側面では多い短所を有している。
このようなＣＲＴの短所を補完するために、軽薄、高輝度、大画面、低消費電力および低価格化を実現する液晶表示装置が開発された。

前記液晶表示装置は、表示解像度が他のフラットパネル表示装置より優れており、動画像を具現するとき、ブラウン管に比べられるほどの速い応答速度を示している。

近年は、狭小な視野角の問題を解決するために、様々な新しい方式を採用した液晶表示装置の開発が活発に行われている。前記方式としては、横電界方式(ＩＰＳ)またはＯＣＢ方式(optically compensated birefringence mode)などがある。

その中で、前記横電界方式液晶表示装置は、液晶分子を基板に対して水平を維持した状態で駆動するために、二つの電極を同一な基板(下部基板)上に形成し、前記二つの電極の間に電圧を印加して、基板に対して水平方向に電界を発生させる方式である。

したがって、このような横電界方式では、ツイストネマティック方式とは異なって、液晶分子の長軸が基板に対して垂直な方向に立たなくなる。
このため、視角方向に対する液晶の複屈折率の変化が小さくなって、従来のＴＮ方式液晶表示装置に比べて優れた視野角特性を有する。

そして、前記下部基板はＴＦＴ基板とも称するが、一般に５回または６回のマスク工程を行って製作される。前記マスク工程の数は液晶表示装置の製造単価と直接的に関わるため、最近は４回のマスク工程を適用してＴＦＴ基板を完成する技術が開発および適用されている。

図１は、従来技術による横電界方式液晶表示装置の構造を図示した平面図である。
図１に図示されたように、駆動信号を印加するゲート配線１１とデータ信号を印加するデータ配線１３とが垂直に交差配列され、単位画素領域を定義している。

共通配線１７は、前記ゲート配線１１と所定の距離を置いて平行に形成されており、前記ゲート配線１１とデータ配線１３とが垂直に交差する領域上には、スイッチング素子である薄膜トランジスタＴＦＴが配置されている。

前記単位画素領域には、スリット形態で分岐された複数の共通電極１８と画素電極１９とが、所定の間隔を置いて交互に配置されている。

前記複数の共通電極１８は、単位画素領域に位置し、前記共通配線１７と一体に形成された第１ストレージ電極１７ｂから分岐されている。
同様に、前記画素電極１９は、前記第１ストレージ電極１７ｂ上部にオーバーラップされる第２ストレージ電極１５から分岐されている。

なお、前記ゲート配線１１の端部にはゲートパッド１１ａが形成されており、前記ゲートパッド１１ａ上には透明金属からなるゲートコンタクトパッド２１が形成されている。

前記データ配線１３の端部にはデータパッド１３ａが形成されており、前記データパッド１３ａ上には透明金属からなるデータコンタクトパッド２８が形成されている。
前記図面の１７ａは共通パッドである。

図２Ａ乃至図２Ｄは、前記図１のＩ−Ｉ′領域を中心に製造工程を図示した断面図である。
図２Ａに図示したように、絶縁基板１０上に金属膜を蒸着し、エッチングしてゲート配線１１、ゲートパッド１１ａ、ゲート電極３および共通配線を同時に形成する。

前記共通配線は、前記図１で図示したように、単位画素領域内ではストレージキャパシタンスを形成するための第１ストレージ電極１７ｂとして使用される。

前記のように絶縁基板１０上にはゲート配線１１などが形成した後、絶縁基板１０の全領域上にゲート絶縁膜２を形成する。

次に、図２ｂに図示したように、絶縁基板１０上に非晶質シリコン膜４、ドーピングされた非晶質シリコン膜５および金属膜７を順次に形成する。
フォトレジストを前記絶縁基板１０の全領域上に塗布してから、回折露光方式によってハーフトーンパターンを形成する。

図２Ｃに図示したように、ハーフトーンパターンによって２回の連続エッチングを行って、薄膜トランジスタのチャンネル層４ａ、オーミックコンタクト層５ａ、ソース/ドレイン電極１３、１４およびデータ配線を同時に形成する。

図１に図示したように、前記ソース電極１３は別途にパターニングせず、前記ゲート配線１１と交差する領域でのデータ配線１３を使用する。

前記のように薄膜トランジスタが絶縁基板１０上に形成した後、図２ｄに図示したように、絶縁基板１０の全領域に保護膜９を形成する。
前記保護膜９が絶縁基板１０上に形成した後、コンタクトホール工程によってドレイン電極１４の一部と、ゲートパッド、データパッドおよび共通パッドをオープンさせる。

次に、前記絶縁基板１０上に透明金属を蒸着してから、エッチングして画素電極１９および前記画素電極１９と一体に形成するように、前記第１ストレージ電極１７ｂとオーバーラップして第２ストレージ電極１５を形成する。

図面には図示していないが、図１に図示したように、ゲートパッド、データパッドにそれぞれゲートコンタクトパッド２１とデータコンタクトパッド２３を形成する。

しかしながら、前記のような液晶表示装置は、第１ストレージ電極１７ｂと第２ストレージ電極１５との間にゲート絶縁膜２、保護膜９が形成されているので、ストレージキャパシタンスの確保が難しい。

前記のように、ストレージキャパシタンスが十分に確保されないと、ディスプレイされる映像の表示品位が低下する。よって、第１ストレージ電極１７ｂと第２ストレージ電極１５間の距離を短くして、ストレージキャパシタンスを確保する必要がある。
なお、液晶表示装置の製造単価を低減するために、４マスク工程数を減らす必要がある。

本発明は、液晶表示装置の製造時にマスク工程数を減らし、且つストレージキャパシタンスを確保することができる液晶表示装置を提供することにその目的がある。
なお、マスク工程数を減らすことによって発生する電極間の段差を最小化して、光漏れの不良を減らした液晶表示装置およびその製造方法を提供することに他の目的がある。

本発明の実施例に係る液晶表示装置は、交差配列され単位画素領域を定義するゲート配線との重畳構造で形成された第１および第２データ配線と、前記ゲート配線と第１および第２データ配線との交差領域に配置され、露出されたチャンネル層上に保護膜が形成された薄膜トランジスタと、前記ゲート配線と平行に配置される共通配線と、前記共通配線と一体に形成され、前記単位画素領域内でストレージキャパシタンスを形成するための第１ストレージ電極と、前記第１ストレージ電極とオーバーラップされるように配置される第２ストレージ電極と、前記第１ストレージ電極から分岐され単位画素領域に配置される共通電極らと、前記第２ストレージ電極から分岐され前記共通電極らと交互に配置される画素電極らと、を含む。

本発明の他の実施例に係る液晶表示装置の製造方法は、絶縁基板上にゲート配線、ゲートパッド、ゲート電極および共通配線を形成する第１マスク工程と、前記ゲート電極などが形成された絶縁基板上にゲート絶縁膜、非晶質シリコン膜、ドーピングされた非晶質シリコン膜および金属膜を順次に形成してから、ハーフトーン工程によって第１データ配線とチャンネル層を形成する第２マスク工程と、前記チャンネル層が形成された絶縁基板上に透明金属膜を形成し、エッチングしてコンタクトパッド、第２データ配線、薄膜トランジスタの電極、オーミックコンタクト層および画素電極を同時に形成する第３マスク工程と、前記薄膜トランジスタのチャンネル層上に保護層を形成するプラズマ処理工程と、を含む。

本発明は、液晶表示装置の製造時、マスク工程を減らし、且つストレージキャパシタンスの確保し、段差による光漏れの不良を防止できる効果がある。

以下、添付の図面に基づいて、本発明の好適な実施例を詳細に説明する。

図３は、本発明に係る液晶表示装置の構造を図示した平面図である。
図３に図示したように、駆動信号を印加するゲート配線１１１とデータ信号を印加する第１データ配線１１３および第２データ配線１２３で形成されたデータ配線とが垂直に交差配列されて、単位画素領域を定義している。

ここで、前記第１データ配線１１３と第２データ配線１２３とは、互いに重畳形成されている。
すなわち、前記第１データ配線１１３は、不透明金属で、ハーフトーンパターンによってチャンネル層が形成されるとき、一緒に形成される配線であって、前記第２データ配線１２３は、透明金属を蒸着して画素電極１１９を形成するとき、前記第１データ配線１１３に沿ってオーバーラップされるようにパターニングされた配線である。
したがって、前記第１データ配線１１３と前記第２データ配線１２３は、上下二重層構造で形成されている。

そして、前記ゲート配線１１１と所定の距離を置いて平行に共通配線１１７が形成されており、前記ゲート配線１１１と第１、第２データ配線１１３、１２３とが垂直に交差される領域上には、スイッチング素子である薄膜トランジスタＴＦＴが配置されている。
なお、前記単位画素領域には、スリット形態で分岐された複数の共通電極１１８と画素電極１１９とが、所定の間隔を置いて交互に配置されている。

前記共通電極１１８は、単位画素領域で前記共通配線１１７と一体に形成された第１ストレージ電極１１７ｂから、前記第１、２データ配線１１３、１２３と平行な方向に分岐されている。

同様に、前記画素電極１１９は、前記第１ストレージ電極１１７ｂ上部にオーバーラップされる第２ストレージ電極１１５から分岐されている。

特に、本発明では、３マスク工程によって画素電極１１９が形成されるので、前記第１ストレージ電極１１７ｂが薄膜トランジスタのドレイン電極領域まで拡張されており、下側に形成されたドレイン電極と電気的にコンタクトされている。

すなわち、前記第１データ配線１１３および第２データ配線１２３と同様に、前記薄膜トランジスタのドレイン電極も二つの電極層からなっている。これについては、図４ｆでより詳細に説明する。

なお、前記ゲート配線１１１の端部にはゲートパッド１１１ａが形成されており、前記ゲートパッド１１１ａ上には透明金属からなるゲートコンタクトパッド１２１が形成されている。

前記１データ配線１１３の端部には第１データパッド１１３ａが形成されており、前記第１データパッド１１３ａとオーバーラップされるように、透明金属からなる第２データパッド１２３ａが形成されている。すなわち、前記第１データ配線１１３とオーバーラップされる第２データ配線１２３の第２データパッド１２３ａが、前記第１データパッド１１３ａ上に形成され、コンタクトパッドの役割をする。
そして、前記図面の１１７ａは共通パッドである。

このように、本発明に係る液晶表示装置の製造工程数を３マスク工程に減らし、且つストレージキャパシタンスを確保した。

図４Ａおよび図４Ｂは、前記図３のII−II′領域に沿って第１マスク工程を行った断面図と平面図である。

図４Ａに図示したように、本発明の第１マスク工程は、絶縁基板１１０上に金属膜を蒸着し、フォトリソグラフィ工程によってパターニングしてから、エッチングして、ゲート配線１１１、ゲートパッド１１１ａ、ゲート電極１０３および共通配線１１７を同時に形成する。

前記共通配線１１７は、図４Ｂに図示したように、単位画素領域内ではストレージキャパシタンスを形成するための第１ストレージ電極１１７ｂとして使用される。

前記絶縁基板１１０上にはゲート配線１１１が形成されており、前記ゲート配線１１１と並行に共通配線１１７が形成されており、前記共通配線１１７と一体に形成された第１ストレージ電極１１７ｂから複数の共通電極１１８が分岐されている。
前記図面の１１７ａは共通パッドである。

このように、ゲート配線１１１が形成されたら、図５のように第２マスク工程を行う。
図５は、前記図３のII−II′領域に沿って第２マスク工程でフォトレジストをパターニングした断面図である。図示したように、前記絶縁基板１１０の全領域上にゲート絶縁膜１０２、非晶質シリコン膜１０４、ドーピングされた非晶質シリコン膜１０５および金属膜１０７を順次に形成する。

次に、前記絶縁基板１１０上にフォトレジストを塗布してから、完全透過層２０１、半透過層２０２、完全非透過層２０３で構成されたハーフトーンマスク２００を用いて露光工程を行う。

このように、前記ハーフトーンマスク２００によって露光されたフォトレジストを現像すると、前記絶縁基板１１０上にハーフトーンパターン２５０が形成される。

前記ハーフトーンパターン２５０は、前記ハーフトーンマスク２００の完全透過層２０１と対応する領域にはフォトレジストが存在せず、完全非透過層２０３と対応する領域には塗布されたフォトレジストがそのまま存在する。

前記ハーフトーンマスク２００の半透過層２０２と対応する領域のフォトレジストの厚さは、前記塗布されたフォトレジストの厚さより薄くパターニングされている。
このように、ハーフトーンパターン２５０が絶縁基板１１０上に形成されたら、図６と図７Ａおよび図７Ｂのように、順次にエッチング工程を行う。

図６は、前記図３のII−II′領域に沿って第２マスク工程で１次エッチング工程を行った断面図であって、図７Ａおよび図７Ｂは、前記図３のII−II′領域に沿って第２マスク工程で２次エッチング工程を行った断面図および平面図である。

図６に図示したように、絶縁基板１１０上に形成されたハーフトーンパターン２５０に沿って完全露光領域(図面ではゲートパッド領域)を１次的にエッチングして、金属膜１０７、ドーピングされた非晶質シリコン膜１０５、非晶質シリコン膜１０４を順次にエッチングする。

前記のように完全露光領域をエッチングするとき、前記ハーフトーンパターン２５０の半透過領域に対応するフォトレジストが除去される。

次に、前記図７Ａに図示したように、絶縁基板１１０上に残っているハーフトーンパターン２５０に沿って２次エッチング工程を行って、半透過領域での金属膜１０７、ドーピングされた非晶質シリコン膜１０５、非晶質シリコン膜１０４を順次にエッチングして、第１データ配線１１３、第１ドレイン電極１１４およびチャンネル層１０４ａを同時に形成する。

このように、ハーフトーン領域に沿って２次エッチングをすることにより、完全非透過領域ではチャンネル層１０４ａが形成され、前記チャンネル層１０４ａ上にはドーピングされた非晶質シリコン膜１０５、第１データ配線１１３と第１度レイン電極１１４が形成されている。

図７Ｂは、前記図７Ａのエッチング工程後、絶縁基板１１０上に形成されたパターンの構造である。図面されたように、前記チャンネル層１０４ａ領域での第１データ配線１１３はソース電極の役割をし、前記第１データ配線１１３と第１ドレイン電極１１４とは、電気的に連結された構造になっている。

すなわち、前記第１データ配線１１３が前記ゲート配線１１１と垂直に交差しされ、単位画素領域を限定しており、前記ゲート配線１１１と第１データ配線１１３とが交差する領域には、第１ドレイン電極１１４が前記第１データ配線１１３と連結された状態で形成されている。
前記図面の１１３ａは第１データパッドである。

なお、１次エッチング工程を行うとき、ゲートパッド１１１ａ上に存在するゲート絶縁膜１０２と共通パッド１１７ａ上に存在するゲート絶縁膜１０２が除去され、ゲートパッド１１１ａと共通パッド１１７ａ領域がオープンされる。

よって、前記ゲートパッド１１１ａと共通パッド１１７ａ領域以外の全領域には、絶縁基板１１０上にゲート絶縁膜１０２が残っている。

前記のように第２マスク工程が行われたら、図８、図９、図１０Ａおよび図１０Ｂのように第３マスク工程を行う。

図８は、前記図３のII−II′領域に沿って第３マスク工程でフォトレジストをパターニングした断面図であって、図９は、前記図３のII−II′領域に沿って第３マスク工程でエッチングしてからプラズマ処理をする断面図であって、図１０ａおよび図１０ｂは、前記図３のII−II′領域に沿ってプラズマ処理が完了した断面図と平面図である。

図８に図示したように、絶縁基板１１０上に残っているハーフトーンパターンを除去してから、絶縁基板１１０の全領域上にＩＴＯ透明金属膜１１２を蒸着する。

前記透明金属膜１１２が蒸着された絶縁基板１１０上にフォトレジストを塗布してから、露光および現像工程によってフォトレジスト２６０をパターニングする。

図９に図示したように、パターニングされたフォトレジスト２６０に沿ってエッチング工程を行って、チャンネル層１０４ａ領域には透明金属からなる第２データ配線１２３と第２ドレイン電極１２４を形成し、画素領域には前記第２ドレイン電極１２４と一体に形成された第２ストレージ電極１１５と画素電極１１９を形成する。

前記第２データ配線１２３と第２ドレイン電極１２４との間のチャンネル層１０４ａ領域をエッチングし続けて、図７Ａで連結された第１データ配線１１３と第１ドレイン電極１１４とを分離する。

なお、前記第１データ配線１１３と第１ドレイン電極１１４の分離領域をエッチングし続けて、オーミックコンタクト層１０５ａを形成すると同時に、前記チャンネル層１０４ａをオープンする。ゲートパッド１１１ａ領域には、透明金属膜をエッチングして、ゲートコンタクトパッド１２１を同時に形成する。

よって、前記第１データ配線１１３と第２データ配線１２３とは、互いに重畳してコンタクトされており、前記第１ドレイン電極１１４と第２ドレイン電極１２４に対向する領域では、前記第１データ配線１１３と第２データ配線１２３を薄膜トランジスタの第１ソース電極１１３と第２ソース電極１２３として使用する。

前記第１ソース電極(第１データ配線)１１３は、不透明金属(Ａｌ、Ｍｏまたはこれらの合金など)からなっており、前記第１ソース電極１１３上には透明金属からなる第２ソース電極(第２データ配線)１２３が重畳されている。

同様に、前記第１ドレイン電極１１４は不透明金属(Ａｌ、Ｍｏまたはこれらの合金など)からなっており、前記第１ドレイン電極１１４上には透明金属からなる第２ドレイン電極１２４が重畳されている。

そして、前記第２ドレイン電極１２４、第２ストレージ電極１１５および画素電極１１９は、一体に連結された構造からなっている。

前記のようにチャンネル層１０４ａ領域がオープンされたら、薄膜トランジスタのチャンネル層１０４ａ上に、酸素(Ｏ_２)プラズマを用いて保護層３００を形成する。

すなわち、前記酸素プラズマは前記チャンネル層１０４ａ成分であるシリコン(Ｓｉ)と反応して、外部に露出されたチャンネル層１０４ａ上にＳｉＯｘ成分を有する保護層３００が形成される。

前記のように酸素プラズマを局部的に蒸着して、蒸着された領域で保護層を形成する技術は、トランジスタ製造工程に関する“Journal of Applied Physic Vol 84, November 7 pp 3993-3999(1998)”を参照する。

すなわち、前記の論文に提示された酸素プラズマ工程を液晶表示装置の製造工程に適用することにより、保護膜の蒸着後追加のマスク工程なしに液晶表示装置を製造することができるようにした。

前記保護層３００は、薄膜トランジスタを形成するためにパターニングされたフォトレジストをストリップする前に形成するか、ストリップの後に形成することができる。

前記保護層３００は、ストリップ工程または以降の配向膜形成工程で、チャンネル層１０４ａに異物質が浸透しないようにすることにより、薄膜トランジスタの特性を確保するために形成する。

前記のようにチャンネル層１０４ａ上に保護層３００が形成されたら、図１０ａに図示したように、パターニングされたフォトレジスト２６０を除去するストリップ工程を行う。
このとき、前記チャンネル層１０４ａ上に保護層３００が形成されているので、ストリップ工程で前記チャンネル層１０４ａを損傷しない。

図１０Ｂを参照すると、透明金属からなる第２データ配線１２３が前記第１データ配線１１３と重畳されており、前記第１データ配線１１３の第１データパッド１１３ａは前記第２データ配線１２３の第２データパッド１２３ａとコンタクトされ、前記第２データパッド１２３ａが前記第１データパッド１１３ａのデータコンタクトパッドの役割をする。

そして、第２ドレイン電極１２４が前記第１ドレイン電極１１４と重畳される構造になっており、ゲートパッド１１１ａ上にゲートコンタクトパッド１２１が形成されている。

このように、本発明では、保護膜形成工程を行わず、３マスク工程によって液晶表示装置を製造するので、製造工程を単純化する長所を有する。

共に、第１ストレージ電極１１７ｂと第２ストレージ電極１１５との間にゲート絶縁膜１０２だけが存在するので、ストレージキャパシタンスの値が従来の４マスク工程より大きくなる。

図１１は、前記図３のIII−III′領域を図示した断面図である。
図１１に図示されたように、図３の画素領域を切断した断面図を参照すると、絶縁基板１１０上に共通電極１１８が所定の間隔を置いて配置されており、前記共通電極１１８上にはゲート絶縁膜１０２を介して画素電極１１９が前記共通電極１１８と交互に配置されている。

前記共通電極１１８の一側には、第１データ配線１１３と第２データ配線１２３が配置されているが、ハーフトーンマスクによって第１データ配線１１３と第２データ配線１２３が同時に形成されるので、前記第１データ配線１１３とゲート絶縁膜１０２との間に、非晶質シリコン層１０４とドーピングされた非晶質シリコン層１０５が残っている。

そして、前記第１データ配線１１３と第２データ配線１２３は電気的に接触しており、前記第２データ配線１２３は画素電極１１９と同一な物質であるＩＴＯ透明金属からなっている。

すなわち、前記第１データ配線１１３がパターニングされた状態で透明金属を蒸着し、パターニングするとき、前記第１データ配線１１３に沿って前記第２データ配線１２３をパターニングして形成する。

よって、本発明では、液晶表示装置を製造するためのマスク工程数を減らし、且つストレージキャパシタンスを確保して、表示品位を改善する長所がある。

本発明は、前述した実施例に限定されず、請求の範囲で請求する本発明の要旨から外れなく、本発明が属する分野で通常の知識を有している者であれば、誰でも多様な変更実施が可能なはずである。

従来技術に係る横電界方式液晶表示装置の構造を図示した平面図である。 前記図１のＩ−Ｉ′領域を中心に製造工程を図示した断面図である。 前記図１のＩ−Ｉ′領域を中心に製造工程を図示した断面図である。 前記図１のＩ−Ｉ′領域を中心に製造工程を図示した断面図である。 前記図１のＩ−Ｉ′領域を中心に製造工程を図示した断面図である。 本発明に係る横電界方式液晶表示装置の構造を図示した平面図である。 前記図３のII−II′領域に沿って第１マスク工程を行った断面図である。 前記図３のII−II′領域に沿って第１マスク工程を行った平面図である。 前記図３のII−II′領域に沿って第２マスク工程でフォトレジストをパターニングした断面図である。 前記図３のII−II′領域に沿って第２マスク工程で１次エッチング工程を行った断面図である。 前記図３のII−II′領域に沿って第２マスク工程で２次エッチング工程を行った断面図である。 前記図３のII−II′領域に沿って第２マスク工程で２次エッチング工程を行った平面図である。 前記図３のII−II′領域に沿って第３マスク工程でフォトレジストをパターニングした断面図である。 前記図３のII−II′領域に沿って第３マスク工程でエッチング後プラズマ処理をする断面図である。 前記図３のII−II′領域に沿ってプラズマ処理が完了した断面図である。 前記図３のII−II′領域に沿ってプラズマ処理が完了した平面図である。 前記図３のIII−III′領域を図示した断面図である。

符号の説明

１１１：ゲート配線
１１１ａ：ゲートパッド
１１３：第１データ配線
１１３ａ：第１データパッド
１１５：第２ストレージ電極
１１７：共通配線
１１７ａ：共通パッド
１１７ｂ：第１ストレージ電極
１１８：共通電極
１１９：画素電極
１２３：第２データ配線
１２３ａ：第２データパッド

Claims (20)

1. ゲート線及び第１及び第２のデータ配線を含むデータ配線と、前記ゲート配線及び前記データ配線は単位画素領域を定義するように交差配列され、前記第１及び第２データ配線は重畳され、前記データ配線は２層構造を有し、
   前記ゲート配線と第１および第２データ配線との交差領域に配置され、露出されたチャンネル層上にのみ保護膜が形成された薄膜トランジスタと、
   前記ゲート配線と平行に配置される共通配線と、
   前記共通配線と一体に形成され、前記単位画素領域内にストレージキャパシタンスを形成するための第１ストレージ電極と、
   前記第１ストレージ電極とオーバーラップされるように配置される第２ストレージ電極と、
   前記第１ストレージ電極から分岐され、単位画素領域に配置される複数の共通電極らと、
   前記第２ストレージ電極から分岐され、前記共通電極らと交互に配置される複数の画素電極らと、を含むことを特徴とする液晶表示装置。
2. 前記第２ストレージ電極は、前記薄膜トランジスタのドレイン電極領域まで拡張されることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
3. 前記第２データ配線、第２ストレージ電極および画素電極は、透明金属で形成されたことを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
4. 前記第１ストレージ電極と第２ストレージ電極とは、ゲート絶縁膜を介してオーバーラップされるように配置されることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
5. 前記保護膜は、酸素プラズマ処理により形成されたことを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
6. 前記保護膜は、Ｏ _２ プラズマと前記チャンネル層のシリコン(Ｓｉ)を反応させることにより形成されたＳｉＯｘ成分であることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
7. 絶縁基板上にゲート配線、ゲートパッド、ゲート電極および共通配線を形成する第１マスク工程と、
   前記ゲート電極などが形成された絶縁基板上に、ゲート絶縁膜、非晶質シリコン膜、ドーピングされた非晶質シリコン膜および金属膜を順次に形成してから、ハーフトーン工程によって第１データ配線とチャンネル層を形成する第２マスク工程と、
   前記チャンネル層が形成された絶縁基板上に透明金属膜を形成し、エッチングしてコンタクトパッド、第２データ配線、薄膜トランジスタの電極、オーミックコンタクト層および画素電極を同時に形成する第３マスク工程と、
   Ｏ _２ プラズマと前記露出されたチャンネル層を反応させて、前記薄膜トランジスタの前記チャンネル層上に保護層を形成するプラズマ処理工程とを含み、
   前記第１及び第２データ配線は重畳し、互いに２層構造を形成する
   ことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
8. 前記第１マスク工程で第１ストレージ電極を形成することを特徴とする請求項７に記載の液晶表示装置の製造方法。
9. 前記第３マスク工程でゲート絶縁膜を介して、前記第１ストレージ電極と重畳されるように第２ストレージ電極を形成することを特徴とする請求項７に記載の液晶表示装置の製造方法。
10. 前記第１ストレージ電極は、前記共通配線と一体に形成することを特徴とする請求項８に記載の液晶表示装置の製造方法。
11. 前記薄膜トランジスタ電極は、第１ソース電極、第２ソース電極、第１ドレイン電極および第２ドレイン電極で形成することを特徴とする請求項７に記載の液晶表示装置の製造方法。
12. 前記第１データ配線と第２データ配線は、それぞれ前記第１ソース電極と第２ソース電極として機能することを特徴とする請求項１１に記載の液晶表示装置の製造方法。
13. 前記第１ドレイン電極と第２ドレイン電極とは、互いにコンタクトされた重畳構造で形成することを特徴とする請求項１１に記載の液晶表示装置の製造方法。
14. 前記第２ドレイン電極は、前記第２ストレージ電極および画素電極と一体に形成することを特徴とする請求項１１に記載の液晶表示装置の製造方法。
15. 前記第２データ配線、第２ドレイン電極、第２ストレージ電極および画素電極は、透明金属を形成することを特徴とする請求項１１に記載の液晶表示装置の製造方法。
16. 前記プラズマは、酸素プラズマであることを特徴とする請求項７に記載の液晶表示装置の製造方法。
17. 前記保護層は、プラズマと前記チャンネル層成分の結合によりＳｉＯｘ系列の成分で形成されることを特徴とする請求項７に記載の液晶表示装置の製造方法。
18. 前記プラズマ工程は、ハーフトーンパターンによってエッチング工程をし、ストリップ工程の前段階に行うことを特徴とする請求項７に記載の液晶表示装置の製造方法。
19. 前記プラズマ工程は、ハーフトーンパターンによってエッチング工程とストリップ工程の完了後に行うことを特徴とする請求項７に記載の液晶表示装置の製造方法。
20. 前記チャンネル層上に形成する保護層は、薄膜トランジスタの特性を保護することを特徴とする請求項７に記載の液晶表示装置の製造方法。

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