TWI286843B - Liquid crystal display device and method of manufacturing the same - Google Patents

Description

1286843 九、發明說明： 本發明關於一種液晶顯示裝置及其製造方法，尤其是關於一 種可縮減製程並獲得儲存電容之液晶顯示裝置及其製造方法，藉 以提高顯示晝質之品質。 • 【先前技術】 • 液晶顯示模組作為顯示資訊之裝置的重要性越來越明顯，然 而由於陰極射線管(Cathode Ray Tube，CRT)顯示器的顯示性能優 • 良，故至今仍被廣泛地應用，但是陰極射線管顯示器在尺寸和攜 帶便利性上皆有其缺點。 為了克服陰極射線管顯示器的缺點，人們將注意力轉向液晶 顯示裝置(LCD)。液晶顯示裝置具有諸多優點，如重量輕、厚度薄、 尺寸小、亮度高及螢幕大等，而且液晶顯示裝置還具有耗能低、 價格便宜的優勢。、 與其它平面顯示裝置相比」液晶顯示裝置的晝面解析度高， • 而且在顯示動態晝面時比陰極射線管顯示器的反應速度要來得 快。 液晶顯示技術的研究方向正朝向克服液晶顯示裝置之視角狹 ，窄躲賴行發展，並出現了多麵型的液晶齡裝置如平面切 、 換型(In_Plan Switching，IPS)和光學補償雙折射型(〇pticaUy

Compensated Birefringence，OCB) 〇 在平面切換型液晶顯示裝置中，兩種電極皆形成在同一基板 上，即形成於下基板。對兩電極加載電壓可產生二者間之水平方 1286843 向的電場，以相對於基板之水平方向來驅動液晶分子。 因此，在平面切換型液晶顯示裝置中，液晶分子的主軸並非 如扭轉向列(Twisted Nematic，ΚΓΓ)型中垂直於基板上。 因此’與扭轉向列型液晶顯示裝置相比，平面切換型液晶顯 不裝置的視角更廣，這是因為對於視角而言，平面切換型液晶顯 不裝置之液晶分子具有變化範圍較小之雙折射指標。 下基板通常也稱作薄膜電晶體(Thin Film Transistor，TFT)基 板，且薄膜電晶體基板的光罩製程次數g 5次至6二欠，而光罩製 私夂數直接影響液晶顯示裝置的製造成本，因此目前制4次光 罩的製造方法。 第1圖』所不為先前技術之平面切換型液晶顯示#置之平 面圖。 如第1圖』所示，彼此交叉的閘極線n和資料線13界定 出單兀像素11域。_線n可接岐動健且資料線可接收 資料信號。 作共同電極線17與閘極線Γ1平行排列且相隔一預設距離，而 為開關το件之薄膜電晶體設置於閘極線η和資料線^之交叉 區域。 ㈣在衫像素區域巾，複數個制18分支形成為狹縫，複 j像素_19與共同電㈣相互㈣剩，且共職極18和 素電極19相隔一預設距離。 1286843 複數個共同電極18係排列於單元像素區域内，並從第一儲存 電木7b向外延伸’而第一儲存電極係與共同電極、線口开 一整體結構。 /像素電極19由第二儲存電極15向外延伸，而第二儲存電極 15係形成於第-儲存電極17b上方並與第一儲存電極⑺重疊。 、閘極墊11a係形成於閘極線n之邊緣處，且透明金屬材^製 成的閘極接觸墊21形成於閘極墊lla上。 、資料墊！3a係形成於閘極線13之邊緣處，且透明金屬材料製 成的資料接觸塾23形成於資料藝以上，而標號17a代表共同電 第圖』至帛2D圖』分別為先前技術之液晶顯示襄置 之製造方法沿『第1圖』Ι-Γ線之剖面圖。 如『第2A圖』所示，金屬層沉積於絕緣基板1〇上，藉由钱 刻製程同時形細極線U、墊lla、_ 3以及共同電極線 17 〇 …如:第1圖』所示’共_極線17可作為第—儲存電極i7b， 以形成單元像素區域之儲存電容Cst。 人在閘極線11形成之後，於絕緣基板10之整個表面形成問極 介電層2 〇 接著’如『第2B圖』所示，將非晶質石夕層4、摻雜之非晶質 矽層5以及金屬層7依序形成於絕緣基板1〇上。 1286843 可將光阻材料塗覆於絕緣基板ίο之整個表面上，並利用繞射 曝光的方式形成點染之圖案。 如第2C圖』所示’沿者點染之圖案進行兩次钱刻製程，以 同時形成通道層4a、歐姆接觸層5a、源極13、汲極14以及資料 線13。 如『第1圖』所示，源極13並未被蝕刻或是形成圖案，並且 位於閘極線11交叉區域之資料線13可作為源極13。 如『第2D圖』所示，當薄膜電晶體形成於絕緣基板1〇上時， 於絕緣基板10之整個表面上形成鈍化層9。 在鈍化層9形成之後即進行接觸孔之製程，以暴露汲極14、 閘極墊11a、資料墊13a以及共同電極17b之預設部份。 接著於絕緣基板10上沉積透明金屬，並一體形成像素電極19 及第二儲存電極15，以覆蓋第一儲存電極17b。 如『第1圖』所示，閘極接觸墊21與資料接觸墊23形成於 資料墊13&上。 、 、^而’在『第1圖』所示之液晶顯示裝置中，很難獲得儲存 電容Cst，這是因為第—儲存電極⑺與第二儲存電極15之間形 成有閘極絕緣層2及鈍化層9〇 如果無法麟;n儲存絲Cst，縣術之液晶顯示裝 置之畫質品質將會降低。因而，第—儲存電極i7b與第二儲存 極I5之間的距離應要儘可能縮小，以獲得足夠的儲存電容⑸。 9 1286843 並且’還需要誠製程:欠數崎低液晶顯示裝置的製造成本。 【發明内容】 雲於上述問題’本發明之目的在於提供一種減少先前技術中 的一個或多個缺點之液晶顯不裝置及其製造方法。 本發明之另-目的在於提供—種可於減少餘次數的同時， 亦可獲得足夠儲存電容之液晶顯示裝置及其製造方法。 本發明之又-目的在於提供—種減少鮮製程次數，用以減 低電極間之階梯狀高度差，崎低光陷之液晶顯示裝置及其 製造方法。 本發明之特徵和優點將透過如了的說明得以部分地理解或者 可以從本發_實射得出。本發·目的和其他優點可以透過 本發明攸載的說明書和中請專利範圍中特別指明的結構並結合 圖式部份，得以實現和獲得。 因此，為達上述目的’本發明所揭露之—種液晶顯示裝置， =包含有_線、第-資料線及第二#料線，其中閘極線、第一 資，線與第二資料線相互交叉排列，於第—f料線與第二資料線 重疊之區域界定單元像素區域；薄膜電晶體，係設置於閑極線、 第-資料線與第二資料線之交叉區域，並具有位於暴露的通道層 ^之純化層；與_線平行之共職極線；與共料極線為整^ =冓之第一儲存電極’係用以形成位於單元像*之儲存電容⑽ 與第-儲存電歸#之第二儲存電極；設置於單元像素區域之共 ^^6843 同電極，係由第一儲存電極分支；以及與共同電極交替設置之像 奪電極，係由第二儲存電極分支。 本發明所揭露之一種液晶顯示裝置之製造方法，其包含有第 光罩製私’係於絕緣基板上形成閘極線、閘極塾、閘極和丑同 、 電極線；第二光罩製程，係於絕緣基板之閘極形成區域依序形成 閘極絕緣層、非晶質矽層、摻雜之非晶質矽層及金屬層，並藉由 % 點染製程形成第一資料線及通道層；第三光罩製程，係於閘極絕 緣層之通道層形成區域形成透明金屬層，並藉由蝕刻製程同時形 成接觸墊、第二資料線、薄膜電晶體之電極、歐姆接觸層及像素 電極；以及電漿製程，係於薄膜電晶體之通道層上形成鈍化層。 有關本發明的特徵與實作，茲配合圖式作最佳實施例詳細說 明如下。 【實施方式】 Φ 以下將配合圖式對本發明之實施例作詳細的描述。 『第3圖』所示為本發明之-實施例之平面切換型液晶顯示 裝置之示意圖。 如『第3圖』所示，彼此交又排列之閘極線ln及資料線用 •以界定單元像素區域。其中，閘極、線m係用以接收驅動信號， -以及資料線包含有第一資料線113及第二資料線！23,係用以接收 資料信號，且第一資料線113與第二資料線123相互重疊。 當通道層沿著點染圖案而形成時，即形成不透明之 ^一資料 11 1286843 線113，當藉由透明金屬之沉積而形成像素電極ιΐ9，第二資料線 123係沿第一資料線113形成線形圖案並與第一資料線113重疊。 因此，資料線係為包含有第一資料線113及第二資料線123 之雙層結構。 形成共同電極線117並與閘極線lu相隔一預設距離。薄膜 電晶體係形成於閘極線m、第一資料線m及第二資料線123之 交叉區域，而薄膜電晶體可作為開關元件。 在單轉素區域内，複數個制電極118以及複數個像素電 極119係分支形成為狹缝，且彼此交替排列並相隔一預設間距。 共同電極118由第-儲存電極117b朝單元像素區域分支，並 與第—資料線m及第二資料線123平行。而第—儲存電極㈣ 與共同電極線117係為整體結構。 像素電極119亦由第二儲存電極115分支，而第二儲存電極 15係形成並重疊於第一儲存電極U7b。 /由於在本發明之實施辦，像素電極119係由三次光罩製程 所形成’因此第-儲存電極117b延伸至細電晶體之雜區域， 並與汲極電性連結。 ”第S料線113及第二資料線123相似，薄膜電晶體之沒 極係由兩電極層所構成。 和間極塾Ilia係形成於閘極線⑴邊緣處，而由透明金屬材料 衣成之閘極接觸塾121係形成於閘極墊11]3上。 12 1286843 第-資料塾113a係形成於第一資料線113之邊緣處，且以透 明金屬材料製成之第二資料墊123a $疊於第—資料塾靡。第二 貪料線123之第二資料塾123a與第—資料線ιΐ3重疊，以形成於 第-貝料塾IDa上作為接觸墊，而標號仙代表共同電極塾。 據上所述，舰本發明之實施例，其獲得齡電容⑶之液晶 顯示裝置之製程次數縮減為3次。

『第4A圖』所示為第一光罩製程沿『第3圖』之眺線之 剖面圖，『第4B圖』所示為『第3圖』之第—光罩製程之平面圖。 如第4A圖』所不’根據本實施例之第一光章製程，金屬層 係沉積於絕緣基板110上，藉由光刻製程使金屬層形成圖案，並 藉由侧製程同時形朗極線出、閘轉仙、閘極議以及共 同電極線117。 如第4B圖』所不，共同電極線m係作為第—儲存電極 117b，用以形成單元像素區域之儲存電容匚钉。 閘極線m係形成於絕緣基板110上，而共同電極線ιΐ7係 與閘極線m平行。複數個共同電極118由第一館存電極㈣分 支，且第-儲存電極mb係與共同電極線117為整體結構，而標 號117a為共同電極塾。 當閘極線111形成時，第二光罩製程依據『第5圖』所示。 『第5圖』所示為第二光罩製程中將光阻形成圖案沿『第3 圖』之ΙΙ-ΙΓ線之剖面圖。如圖所示，閑極絕緣層搬、非晶質石夕 13 1286843 層104、摻雜之非晶質石夕層105及金屬層1〇7依序形成於絕緣基板 110之整個表面上。 接著’將光阻材料塗覆於絕緣基板110上，並利用點染光罩 200進行曝光製程，而點染光罩含有全傳輪層2〇1、半傳輸 層202及非傳輸層203。 利用點染光罩2GG將光阻材料曝光後，騎光後之光阻顯影 時，即將點染圖案250形成於絕緣基板n〇上。 ' 點染難250包含有對應於全傳輸層2〇1之無光阻殘留之全 曝光區域、對應於半傳輸層202之具有薄層光阻殘留之半曝光區 域、以及對應於非傳輸層203之全部光阻殘留之未曝光區域。在 半曝光區財，與未曝光區域相較之下，其光闕案較薄。 如『第6圖』、『第7A圖』及『第7B圖』所示，於絕緣基板 110上『形成點染_ 25G後，即依序進行侧製程。 『第6圖』所示為第二光罩製程中之第-侧製程沿第3圖 之π-n，線之剖面圖，『第7A圖』及『第7B圖』所示為第二光罩 製程中7第二_製程沿『第3圖』之腿，線之剖關。 如『第6圖』所示，利用形成於絕緣基板110上之點染圖案 250對全曝光區域，亦即『第6圖』之閘極墊區域進行賴，以依 序韻刻金屬層浙、摻雜之非晶御層1〇5以及非晶質發層辦。 田王曝紐域物勒!時’半曝光輯上之絲亦被移除。 接著，如『第7A FI - 圃』所示，沿著絕緣基板110上殘留之點染 14 1286843 圖案250進行第-&

一麵刻製程，以依序蝕刻金屬層107、摻雜之非曰曰 質矽層105及非n曰哲A 曰曰為石夕層104。因此，同時形成第一閘極線113、 第一祕114及通道層104a。 沿著點染圖幸 一 、摻雜之非晶質矽層1〇5、第一資料線113 及第一汲極114進耔笛- Τ弟一蝕刻製程，可於非曝光區域形成通道層 104a ° 『第7B圖』所矛i nn u 、為弟7A圖』之蝕刻製程後，於絕緣基 开二成圖案之示意圖。通道層购之第一資料線出係為 極，且弟—資料線m電性連結於第一汲_。 第一資料線113與閘榀始η， 域。第-沒極m、線111相互交叉以界定一單元像素; . /…喊於閘極、線⑴與第一資 處，且與第一資料線 、*貝概113間之父— 、’ 連、、、Q，而標號113a代表第一資料執 f細m料移_成_ 上之閘極絕緣層102，於是 a及，、同電極墊⑴ 放狀態。因此，閘極絕緣層102殘留電極塾U7a呈择 墊㈣以外之區域。 殘雜除間極塾叫及共同電恭 在第二群躲之後，進行如『_ ρ

圖』及『第觸圖』所示之第 °』、弟9圖』、『第1(M 『 不〜先罩製程。 圖之ΙΙ-ΙΓ線之剖面圖。『第9圖 先阻圖案形成製程沿第3 之後之電漿製程沿第3圖之^ :第三光罩製程之勒』製種

11綠之剖面圖。『第•圖』及J 1286843 酬圖』所示分別為㈣製程沿第3圖之IM，線之平面圖及剖面 圖。 如第8圖』所示’移除絕緣基板no上剩餘之點染圖案Μ。， 並將透明之氧化銦錫層Π2沉積於絕緣基板110之整個表面。 將光阻材料塗覆於絕緣基板110上之氧化銦錫層112沉積區 域，並藉由曝光製程與顯影製程將光阻材料形成圖案26〇。 如『第9圖』所示，沿著光阻圖案260進行蝕刻製程以形成 第二資料、線123及第二汲極124,其中第二資料線123係為透明金 屬所製成。在像素區域中，第二儲存電極115與第二汲極124形 成一整體結構，並形成像素電極119。 在第二資料線123與第二汲極124間之通道層i〇4a之一區域 内進行蝕刻製程，以分離第一資料線113及第一汲極114。 對第二資料線123和第二汲極124間之分隔區域進行蝕刻， 以形成歐姆絕緣層l〇5a。同時，通道層i〇4a呈開放狀態。其中， 對閘極墊111a之透明金屬層進行餘刻，以形成閘極接觸墊丨21。 因此，第一資料線113與第二資料線123相互接觸且重疊。 於第一汲極114與第二汲極124相對應之區域中，第一資料線H3 與第二資料線123可作為第一源極113與第二源極123。 可為第一資料線之第一源極113係由不透明金屬所製成，如 銘、翻或是其它合金。可為第二資料線之第二源極123係由透明 金屬所製成，且位於第一源極113上方並與第一源極H3重疊。 16 1286843 第一汲極114係由不透明金屬所製成，如鋁、鉬或是其它合 金，而第二汲極124係由透明金屬所製成，且位於第一汲極114 上方並與第一汲極114重疊。 第二汲極124、第二儲存電極115及像素電極119係為連貫之 整體結構。 於暴露通道層104a之後，即利用氧電漿（〇2 Plasma)製程將 鈍化層300形成於薄膜電晶體之通道層i〇4a上。氧電漿與組成通 道層104a之石夕(Si)元素進行反應，於暴露在外之通道層i〇4a上形 成包含有氧化矽(SiOx)之鈍化層300。 1998年11月7日之應用物理期刊之第3933頁至3999頁揭露 了一種定點沉積氧電漿以於沉積區域形成鈍化層之方法。 本發明之液晶顯示裝置之製造方法在使用上述應用物理期刊 揭露的氧電漿製程沉積鈍化層後無需進行其它光罩製程。 純化層300可於薄膜電晶體之光阻圖案剝離之前或是之後形 於剝離光阻製程後形成鈍化層300,此鈍化層300可防止雜質 摻入通道層l〇4a。因此，鈍化層300之形成係用於保護薄膜電晶 體之特性。 於通道層104a上形成鈍化層300之後，即進行剝離製程以移 除光阻圖案260，而鈍化層300可保護通道層i〇4a避免受到剝離 製程之破壞。 17 1286843 如『第10B圖』所示，由透明金屬製成之第二資料線i23重 叠於資料線113 ’並且第—#料線ιΐ3之第—資料墊仙與 第二資料線123之第二資料塾12如相互接觸。因此，第二資料塾 123a可作為第一資料墊113a之資料接觸墊。 第二沒極124重疊於第一沒極114，且閘極接觸塾⑵形成於 閘極墊llla上。 、 依照本發明，可僅使用三次光罩製程即可製造液晶顯示裝 置，無需進行多餘的鈍化層製程，因此簡化了製程。 而且，由於閘極絕緣層102僅存在於第一儲存電極㈣盥第 二儲存電極m之間’與先前技術之使肋次製錄晶顯示裝置 之製造方法相比，可獲得更大之儲存電容Cst。 弟11圖』所示為沿第3圖之ΠΙ-ΙΙΓ線之剖面圖。 如『第11圖』所示，共同電極118彼此間隔-預設距離形成 於絕緣基板11G上。像素電極119位於共同龍118上且與共同 電極118交替設置’而閘極絕緣層1〇2係介於共同電極⑽與像 素電極119之間。 共同電極118之一侧設置有第—資料線m及第二資料線 123由於帛胃料線113及第二資料線⑵係沿著點染光罩· 同畴成，因此非晶質石夕層刚與摻雜之非晶質石夕層ι〇5保留於 第一資料線113及閘極絕緣層1〇2之間。 第一資料線m與第二資料線m電性連接。與像素電極ιΐ9 18 1286843 相同，第二資料線123亦由透明金屬氧化銦錫所製成。 第-資料線113形成圖案後，沿第一資料線113之透明金屬 幵>成圖案，以形成第二資料線123。 因此’本發明之液晶顯示裝置之製造方法於獲得儲存電容的 同年亦^減光罩製程之次數，因此使顯示影像之品質得到提升。 據上所述，於本發明之製造液晶顯示裝置之方法中，除了減 ^光罩製程之次數朗時得_存絲Cst之外，亦可防止階梯狀 面度差所引起之光漏缺陷。 雖然本發__之錄實_揭露如上，並非用以限 定本發明，任何熟習相像技藝者，在不脫離本發明之精神和範圍 二t::些許之:動與潤飾’因此本發明之專利保護範圍須視 -胃P付之ψ 4專鄕騎界定者為準。 【圖式簡單說明】 為先紐術之平面切換型液晶顯示裝置之平面圖； • M 相為先前技術之液晶顯 法沿第1圖之W，線之剖面圖； 之^方 圖， 意圖第圖為本《明之—實施例之平面切換型液晶顯示裝置之示 第4A圖為本發明之第—光罩製程沿第3 ®之 圖 第4B圖為第3圖之第—光罩製程之平面 19 1286843 第5圖為本發明之部份第二光罩製程沿第3圖之II-ΙΓ線之剖 面圖； 第6圖為本發明之部份第二光罩製程沿第3圖之II-ΙΓ線之剖 面圖； 第7Α圖為本發明之部分第二光罩製程沿第3圖之II-ΙΓ線之 橫切面圖； 第7Β圖為本發明之第3圖之部份第二光罩製程之平面圖； 第8圖為本發明之部份第三光罩製程沿第3圖之II-ΙΓ線之橫 切面圖， 第9圖為本發明之部份第三光罩製程沿第3圖之II-ΙΓ線之橫 切面圖； 第10Α圖及第10Β圖分別為本發明之電漿製程沿第3圖之 II-ΙΓ線之平面圖及剖面圖；以及 第11圖所示為第3圖沿ΙΙΙ-ΙΙΓ線之橫切面圖。 【主要元件符號說明】 2 閘極介電層 3、 103 閘極 4、 104 非晶質矽層 4a、104a 通道層 5、 105 摻雜之非晶質矽層 5a 歐姆接觸層 20 1286843

7、107 金屬層 9、300 鈍化層 10、110 絕緣基板 11 ^ 111 閘極線 11a 、 111a 閘極墊 13 資料線、源極 13a 資料墊 14 没極 15 、 115 第二儲存電極 17、117 共同電極線 17a、117a 共同電極墊 17b 、 117b 第一儲存電極 18、118 共同電極 19、119 像素電極 21 ^ 121 閘極接觸墊 23 資料接觸墊 102 閘極絕緣層 112 氧化銦錫透明金屬層 113 第一資料線、第一源極 113a 第一資料墊 114 第一没極 21 1286843 123 第二資料線、第二源極 123a 第二資料墊 124 第二汲極 200 點染光罩 201 全傳輸層 202 半傳輸層 203 非傳輸層 250 點染圖案 260 光阻圖案 22

Claims (1)

1286843 十、申請專利範圍： 1· 一種液晶顯示裝置，其包含有： 一閘極線、一第一資料線以及一第二資料線，其中該閘極 線、該第一資料線及該第二資料線相马交叉排列，於該第—資 料線及該第二資料線重疊之區域界定_單元像秦區域； _ 一薄膜電晶體，係設置於該閘極線、該第一資料線及該第 二資料線之一交叉區域，且具有一鈍化層，係位於一暴露之通 > 道層上； 一共同電極線，係與該閘極線平行； 一第一儲存電極，與該共同電極線為一整體結構，係用以 形成一位於該單元像素區域之儲存電容cst; 弟一儲存電極’係重疊於該第一儲存電極； 複數個共同電择，係由該第一错存電極延伸，並位於該單 元像素區域；以及 I . 複數個像素電極’係由該第二儲存電極延伸，並與該複數 個共同電極交替設置。 2·如申明專利乾圍弟1項所述之液晶顯示裝置，其中該第二儲存 電極延伸至該薄膜電晶體之一汲極區域。 3. 如申請專利範圍第1項之液晶顯示裝置，其中該第二資料線、 該第一儲存電極、該第二儲存電極以及該像素電極皆係由透明 金屬所製成。 4. 如申請專利範圍第1項所述之液晶顯示裝置，其中該第一儲存 23 1286843 電極重疊於該第二儲存電極，且該第一儲存電極與該第二儲存 電極之間插入一閘極絕緣層。 5.如申請專利範圍第丨項所述之液晶顯示I置，其中該純化層係 利用一氧電漿製程而形成。 6·如申請專利範圍第i項所述之液晶顯示裝置，其中該純化層係 為組成該通道層之石夕⑼元素發生反應而形成之氣化石夕(Si〇x)。 7·種液晶顧示裝置之製造方法，其包含有： -第-光罩製程’係於—絕緣基板上形成—祕線、一問 極塾、一閘極以及-共同電極線； -第二光罩製程，係於該絕緣基板之—_形成區域上依 序形成-閘極絕緣層、一非晶質石夕層、一捧雜之非晶質石夕層以 及-金屬層，並藉由—點染製程形成—第—資料線以及一通道 層； 一第三光罩製程，係用於該閘極絕緣層之該通道層形成區 域上形成—透明金屬層，並藉由-侧製程同時形成-接觸 墊第一資料線、一薄膜電晶體之電極、一歐姆接觸層以及 一像素電極， ·以及 一電漿製程，係於該薄膜電晶體之該通道層上形成一鈍化 層。 8·如申請專利範圍第7項所述之液晶顯示裝置之製造方法，其中 於該第-光罩製程中形成一第一儲存電極。 24 1286843 9.如申#專物爾7項所述之液晶顯示裝置之製造方法，其中 於該第—光軍製程中，形成一第二錯存電極重疊於该第-儲存 電極，且該閘極絕緣·插人於該第1存電極與该第二儲存 電極之間。 瓜如申請專利範圍第8項所述之液晶顯示裝置之製造方法，其中 δ亥第-儲存電極與該共同電極線係為一整體結構。 11. 如申賴咖第7項所述之液晶顯轉置之製造方法，其中 該薄膜電晶體之電極係依照—第—源極、—第二源極、—第— 没極以及一第二汲極而形成。 12. 如申請專利範圍第11項所述之液晶顯示輕之製造方法，其 中該第-源極係為該第一資料線，而該第二源極係為該第 料線。、 !3.如申請專職_ η項·讀晶_輕之製造方法，其 中该第-錄與該第二汲極相互細且重&。 Κ如申請專利範圍第η項所述之液晶顯示ς置之製造方法，其 中該第-雜與該第二儲存電極及該像素電極係為—整體姓 構。 、、口 • 15·如申明專利範圍第u項所述之液晶顯示裝置之製造方法，其 中该第一資料線、該第二汲極、該第二儲存電極以及該像素電 極皆係由透明金屬所製成。 I6·如申請專利範圍第7項所述之液晶顯示裝置之製造方法，其中 25 1286843 該電漿具有氧成分。 17.如申請專利範圍第7項所述之液晶顯示裝置之製造方法，其中 該鈍化層係為該電漿與該通道層之成分反應所形成之氮化矽 (Si〇x) 〇 ‘ 18.如申請專利範圍第7項所述之液晶顯示裝置之製造方法，其中 “ 於該電漿製程中，一蝕刻製程係沿著一點染圖案執行，而該電 漿製程係於一剝離製程之前執行。 • 19.如申請專利範圍第7項所述之液晶顯示裝置之製造方法，其中 於該電漿製程中，一蝕刻製程係沿著一點染圖案執行，而該電 漿製程係於一剝離製程之後執行。 20.如申請專利範圍第7項所述之液晶顯示裝置之製造方法，其中 形成於該通道層上之該鈍化層，係用以保護該薄膜電晶體之特 性。

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