JPS63231318A - 液晶表示装置 - Google Patents
液晶表示装置Info
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- JPS63231318A JPS63231318A JP6482487A JP6482487A JPS63231318A JP S63231318 A JPS63231318 A JP S63231318A JP 6482487 A JP6482487 A JP 6482487A JP 6482487 A JP6482487 A JP 6482487A JP S63231318 A JPS63231318 A JP S63231318A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は液晶表示装置、詳しくは液晶セルにおける透明
電極と配向膜の構造に関する。
電極と配向膜の構造に関する。
従来、液晶表示装置を製造するにあたり、透明電極は、
真空蒸着法、スパッタリング法、ロールコーティング法
もしくは化学気相法により、透過率や抵抗値に注目して
膜厚の入の制（２）がされていた。又無機層もパシシベ
ーシッン効果、反射率等から膜厚に注目し設計されてい
た。配向層に関しても基板の反射率等に注目されて膜厚
設計がなされていた。
真空蒸着法、スパッタリング法、ロールコーティング法
もしくは化学気相法により、透過率や抵抗値に注目して
膜厚の入の制（２）がされていた。又無機層もパシシベ
ーシッン効果、反射率等から膜厚に注目し設計されてい
た。配向層に関しても基板の反射率等に注目されて膜厚
設計がなされていた。
以上のように、透明電極・無機層・配向層全てにおいて
、膜厚による管理のみがされてい友。
、膜厚による管理のみがされてい友。
しかし、前述の従来技術では、配向層の下にくる電極も
しくは無機層の結晶粒の制限がない為、ネマティック液
晶を用い、コレステリック液晶よりなるカイラル剤の添
加量を調整して９０°以上ねじっ几場合、配向嗅が薄く
、結晶粒径が大きいと下層の表面状態の影響を受け、液
晶分子のティルト角が不均一となり、配向不良が発生す
るという問題が生じ北。又、液晶表示装置の大型化に伴
い透明電極の抵抗を下げる事が必要となり電極部を厚く
する必要があるが、電極を厚くすると、電極エッヂでの
配向不良や、液晶注入時のクロマト効果によるカイラル
の不均一化による配向不良が発生していた。
しくは無機層の結晶粒の制限がない為、ネマティック液
晶を用い、コレステリック液晶よりなるカイラル剤の添
加量を調整して９０°以上ねじっ几場合、配向嗅が薄く
、結晶粒径が大きいと下層の表面状態の影響を受け、液
晶分子のティルト角が不均一となり、配向不良が発生す
るという問題が生じ北。又、液晶表示装置の大型化に伴
い透明電極の抵抗を下げる事が必要となり電極部を厚く
する必要があるが、電極を厚くすると、電極エッヂでの
配向不良や、液晶注入時のクロマト効果によるカイラル
の不均一化による配向不良が発生していた。
そこで本発明はこの様な問題点を解決するもので、その
目的とする所は、なめらかで、平坦な配向表面を形成し
、配向を安定させる事にある。
目的とする所は、なめらかで、平坦な配向表面を形成し
、配向を安定させる事にある。
本発明の液晶表示装置は、透明電極を有する一対の基板
に液晶が挾持され、前記透明電極上に配向膜が形成され
几液晶表示装置において、少くとも一方の前記透明電極
の結晶粒径が０．１μ雇以下であり、前記配向膜を３０
０Ａ以上形成し几ことを特徴とする。配向層の膜厚に関
してＴｆｉ１００〜１０００Ａが望ましく、さらに好ま
しくけ３００〜１０００Ａである。３００Ａ未満では下
層の透明電極の表面状態の影響を受けやすぐなり液晶分
子のティルト角が不均一となってしまう。又、１０００
Ａを超えると上下透明電啄間の抵抗や配向特性の問題が
発生する。
に液晶が挾持され、前記透明電極上に配向膜が形成され
几液晶表示装置において、少くとも一方の前記透明電極
の結晶粒径が０．１μ雇以下であり、前記配向膜を３０
０Ａ以上形成し几ことを特徴とする。配向層の膜厚に関
してＴｆｉ１００〜１０００Ａが望ましく、さらに好ま
しくけ３００〜１０００Ａである。３００Ａ未満では下
層の透明電極の表面状態の影響を受けやすぐなり液晶分
子のティルト角が不均一となってしまう。又、１０００
Ａを超えると上下透明電啄間の抵抗や配向特性の問題が
発生する。
透明電極及び無機膜の結晶粒径としてけ０．１μｍ以下
ｈｔ望ましく、０．１μｍを超えろと表面の凹凸が激し
くなり、液晶分子のティルト角に影響を及ぼしやすいも
のである。
ｈｔ望ましく、０．１μｍを超えろと表面の凹凸が激し
くなり、液晶分子のティルト角に影響を及ぼしやすいも
のである。
〔実施例１．〕
第１図は本発明の一実施例を示す図である。洗浄しｔガ
ラス基板１上に、スパッタリング法により酸化インジウ
ム−酸化スズ（以下、■Ｔｏと呼ぶ）ターゲットを用い
て透明電極２を１０００λ形成しｔｏこの際、導入ガス
としてＡｒを１．５ Ｘ １０−’（ｔｏｒｒ ） Ｋ
なるように導入し、ｏ２ガスヲ４×１０′〜５ｘ １０
−’ （ｔｏｒｒ’） Ｋなるように導入した。このよ
うにして、結晶粒径０．１μｍ以下で平均ｏ、０５μｍ
の透明電極２が形成できた。この透明電極２をフォト法
により任意のパターンに形成し比後、配向層３としてポ
リイミド膜を３００Ａ〜１０００λ形成し、ラビング後
ギャップ材５、シール材６を形成して液晶表示セルを作
製した。
ラス基板１上に、スパッタリング法により酸化インジウ
ム−酸化スズ（以下、■Ｔｏと呼ぶ）ターゲットを用い
て透明電極２を１０００λ形成しｔｏこの際、導入ガス
としてＡｒを１．５ Ｘ １０−’（ｔｏｒｒ ） Ｋ
なるように導入し、ｏ２ガスヲ４×１０′〜５ｘ １０
−’ （ｔｏｒｒ’） Ｋなるように導入した。このよ
うにして、結晶粒径０．１μｍ以下で平均ｏ、０５μｍ
の透明電極２が形成できた。この透明電極２をフォト法
により任意のパターンに形成し比後、配向層３としてポ
リイミド膜を３００Ａ〜１０００λ形成し、ラビング後
ギャップ材５、シール材６を形成して液晶表示セルを作
製した。
次に比較例として、従来の例を示す。
ｆａ２図は、従来の液晶表示装置の構造を示す図である
。上記と同様にガラス基板上に透明電極２′（工ＴＯ膜
）を形成するが、導入ガスとしてＡ？’を１ｘ１０−’
（ｔｏｆｆ）の条件で導入した。このようにして形成さ
れた工ＴＯ膜をフォト法でパターン形成し、同じくポリ
イミド膜でなる配向層３′を２５０ Ｋ形成後、ラビン
グ処理し上記と同様に液晶表示セルを作製した。このよ
うにしててき之液晶表示セルの透明電極２′の結晶粒径
を測定したところ０．５〜２μであり友。従って、凹凸
の激しい表面状態となっている。そして、上記液晶表示
セルと前述した液晶表示セルに、ネマチック液晶にカイ
ラルを混合した液晶を注入し、両者を比較したところ液
晶のねじれ具合４．４′は本実施例による液晶表示セル
の方１３Ｚ優れており、均一なねじれ状態で安定し几配
向を得ることができ比。
。上記と同様にガラス基板上に透明電極２′（工ＴＯ膜
）を形成するが、導入ガスとしてＡ？’を１ｘ１０−’
（ｔｏｆｆ）の条件で導入した。このようにして形成さ
れた工ＴＯ膜をフォト法でパターン形成し、同じくポリ
イミド膜でなる配向層３′を２５０ Ｋ形成後、ラビン
グ処理し上記と同様に液晶表示セルを作製した。このよ
うにしててき之液晶表示セルの透明電極２′の結晶粒径
を測定したところ０．５〜２μであり友。従って、凹凸
の激しい表面状態となっている。そして、上記液晶表示
セルと前述した液晶表示セルに、ネマチック液晶にカイ
ラルを混合した液晶を注入し、両者を比較したところ液
晶のねじれ具合４．４′は本実施例による液晶表示セル
の方１３Ｚ優れており、均一なねじれ状態で安定し几配
向を得ることができ比。
［実施例２．〕
同じく本実施例を第１図により説明する。
エレクトーンビーム（ＥＢ ）蒸着機により、工Ｔｏタ
ブレットを用いて透明電極２を１０００１形成する。こ
の時の条件は、導入０．圧５Ｘ１０−１′〜８×１Ｏ−
１Ｉ（ｔａｒデ）になるよ）にして蒸着後、ポリイミド
でなる配向層３を２５０１〜１０００大の範囲で数種に
分けて形成後、実施例１と同様にして液晶表示セルを作
製した。この時の透明電極２の結晶粒径は、０．０５μ
ｍ以下であっ比。
ブレットを用いて透明電極２を１０００１形成する。こ
の時の条件は、導入０．圧５Ｘ１０−１′〜８×１Ｏ−
１Ｉ（ｔａｒデ）になるよ）にして蒸着後、ポリイミド
でなる配向層３を２５０１〜１０００大の範囲で数種に
分けて形成後、実施例１と同様にして液晶表示セルを作
製した。この時の透明電極２の結晶粒径は、０．０５μ
ｍ以下であっ比。
次に比較例について説明する。
上記と同じようＫＥＢ蒸着機で、導入０２圧１Ｘ１ （
ｒ’ 〜３ ｘ １０−’ （ｔｏｒｒ） になるよ
うにして工Ｔｏを蒸着後、フォト法で任意の形状にパタ
ーニングし透明型ｆｆ１２’を形成し、この透明型１１
ｉｉ２’上にポリイミドでなる配向層を１００〜２５０
′に形成して液晶表示セルを作製した。この時の透明
電極２′の結晶粒径を測定し九ところ１〜２ＲｒＬであ
った。
ｒ’ 〜３ ｘ １０−’ （ｔｏｒｒ） になるよ
うにして工Ｔｏを蒸着後、フォト法で任意の形状にパタ
ーニングし透明型ｆｆ１２’を形成し、この透明型１１
ｉｉ２’上にポリイミドでなる配向層を１００〜２５０
′に形成して液晶表示セルを作製した。この時の透明
電極２′の結晶粒径を測定し九ところ１〜２ＲｒＬであ
った。
この両者を比較すると、実施例１と同様に透明電極の結
晶粒径が小さい本実施例の方が良好であっ之。特に、本
実施例では結晶粒径ｂ”＝ ０．０５μｍ以下であるの
で、配向層の厚みを２５０１とほぼ従来と同様にしても
良好な結果を得られ、さらに結晶粒径を小さくすれば、
配向層を薄くすることも町能と思われる。
晶粒径が小さい本実施例の方が良好であっ之。特に、本
実施例では結晶粒径ｂ”＝ ０．０５μｍ以下であるの
で、配向層の厚みを２５０１とほぼ従来と同様にしても
良好な結果を得られ、さらに結晶粒径を小さくすれば、
配向層を薄くすることも町能と思われる。
実施例１又は実施例２に示し九本発明の実施例と同様の
方法で工ＴＯを結晶粒径１１μｍ以下になるように形成
後、スパッタリング法でこの上に、ＴｊＯ−Ｚｒ０、の
無機膜を５００〜１０００ ’Ａを形成して、さらてこ
の上にポリイミドでなる配向層３を４００〜１ｏｏｏＺ
形成する。この際、前記無機膜の結晶粒径の大きさは０
．１ ｔｔｍ以下とした。以上のように構成された液晶
表示セルの配向状態は、非常に安定しており良好であっ
ｔｏ 以上述べ几実流側１〜５では透明電極及び無機膜を真空
法で形成しｚｂ−１他の方法１例えばロールコーティン
グ法、スプレー法などの液組成による塗布や化学気相法
でも結晶粒径を０．１μｍ以下となるように１条件設定
して行なう方法でも良ｂ０又、配向層としてはポリイミ
ドの他、ポリイミドアミド、ポリビニルアルコール、ポ
リアミド等でも同様の効果を有している。実施例３でけ
、Ｔｉ Ｏ−Ｚｒ Ｏの無機膜を使用した２
！ ｈＺ、これに限定されるものではなく例えばｓｈｏ、。
方法で工ＴＯを結晶粒径１１μｍ以下になるように形成
後、スパッタリング法でこの上に、ＴｊＯ−Ｚｒ０、の
無機膜を５００〜１０００ ’Ａを形成して、さらてこ
の上にポリイミドでなる配向層３を４００〜１ｏｏｏＺ
形成する。この際、前記無機膜の結晶粒径の大きさは０
．１ ｔｔｍ以下とした。以上のように構成された液晶
表示セルの配向状態は、非常に安定しており良好であっ
ｔｏ 以上述べ几実流側１〜５では透明電極及び無機膜を真空
法で形成しｚｂ−１他の方法１例えばロールコーティン
グ法、スプレー法などの液組成による塗布や化学気相法
でも結晶粒径を０．１μｍ以下となるように１条件設定
して行なう方法でも良ｂ０又、配向層としてはポリイミ
ドの他、ポリイミドアミド、ポリビニルアルコール、ポ
リアミド等でも同様の効果を有している。実施例３でけ
、Ｔｉ Ｏ−Ｚｒ Ｏの無機膜を使用した２
！ ｈＺ、これに限定されるものではなく例えばｓｈｏ、。
Ｔ＃０２ 、 Ａ４０３ 、 ＣｅＯ，、ＳちＮ４等が
ある。
ある。
以上述べた様に１本発明によれば透明電極及び該電極上
の無機層の結晶粒径を０．１μｍ以下とし念ので全面に
渡って配向面ｈ；なめらかで均一となり配向の安定した
、液晶表示装置を提供できるという効果ｂ；生じる。そ
の上今後、液晶表示装置は表示容量が多く。より大型化
へ向うと考えられ１本発明を用いる事により、従来から
の方法の工程数を変える事なく、容易に配向の安定し次
表示品位の高い液晶表示装置を提供できるという効果を
有している。
の無機層の結晶粒径を０．１μｍ以下とし念ので全面に
渡って配向面ｈ；なめらかで均一となり配向の安定した
、液晶表示装置を提供できるという効果ｂ；生じる。そ
の上今後、液晶表示装置は表示容量が多く。より大型化
へ向うと考えられ１本発明を用いる事により、従来から
の方法の工程数を変える事なく、容易に配向の安定し次
表示品位の高い液晶表示装置を提供できるという効果を
有している。
第１図は本発明の液晶表示装置の構造を示す図。
第２図は従来の液晶表示装置の構造を示す図。
１・・・・・・基板
２．２′・・・・・・透明電極
５．５′・・・・・・配向層
４．４′・・・・・・・・液晶のねじれ具合５・・・・
・・ギャップ材 ６・・・・・・シール材 ７・・・・・・液晶層 以 上
・・ギャップ材 ６・・・・・・シール材 ７・・・・・・液晶層 以 上
Claims (2)
- （１）透明電極を有する一対の基板に液晶が挾持され、
前記透明電極上に配向膜が形成された液晶表示装置にお
いて、少くとも一方の前記透明電極の結晶粒径が０．１
μｍ以下であり、前記配向膜を、３００Å以上形成した
ことを特徴とする液晶表示装置。 - （２）前記透明電極と前記配向層の間に結晶粒径が０．
１μｍ以下の無機膜を一層以上形成したことを特徴とす
る特許請求の範囲第１項記載の液晶表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6482487A JPS63231318A (ja) | 1987-03-19 | 1987-03-19 | 液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6482487A JPS63231318A (ja) | 1987-03-19 | 1987-03-19 | 液晶表示装置 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8130430A Division JP2879660B2 (ja) | 1996-05-24 | 1996-05-24 | 液晶表示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63231318A true JPS63231318A (ja) | 1988-09-27 |
Family
ID=13269386
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6482487A Pending JPS63231318A (ja) | 1987-03-19 | 1987-03-19 | 液晶表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63231318A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6677062B2 (en) * | 2000-07-19 | 2004-01-13 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Substrate with an electrode and method of producing the same |
| US9581875B2 (en) | 2005-02-23 | 2017-02-28 | Sage Electrochromics, Inc. | Electrochromic devices and methods |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61204619A (ja) * | 1985-03-07 | 1986-09-10 | Canon Inc | 液晶素子 |
| JPS61245186A (ja) * | 1985-04-23 | 1986-10-31 | 工業技術院長 | 広視野型液晶表示装置 |
-
1987
- 1987-03-19 JP JP6482487A patent/JPS63231318A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61204619A (ja) * | 1985-03-07 | 1986-09-10 | Canon Inc | 液晶素子 |
| JPS61245186A (ja) * | 1985-04-23 | 1986-10-31 | 工業技術院長 | 広視野型液晶表示装置 |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6677062B2 (en) * | 2000-07-19 | 2004-01-13 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Substrate with an electrode and method of producing the same |
| US7250326B2 (en) | 2000-07-19 | 2007-07-31 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Substrate with an electrode and method of producing the same |
| US9581875B2 (en) | 2005-02-23 | 2017-02-28 | Sage Electrochromics, Inc. | Electrochromic devices and methods |
| US10061174B2 (en) | 2005-02-23 | 2018-08-28 | Sage Electrochromics, Inc. | Electrochromic devices and methods |
| US11567383B2 (en) | 2005-02-23 | 2023-01-31 | Sage Electrochromics, Inc. | Electrochromic devices and methods |
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