JPH01280724A - 液晶素子 - Google Patents
液晶素子Info
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- JPH01280724A JPH01280724A JP11133788A JP11133788A JPH01280724A JP H01280724 A JPH01280724 A JP H01280724A JP 11133788 A JP11133788 A JP 11133788A JP 11133788 A JP11133788 A JP 11133788A JP H01280724 A JPH01280724 A JP H01280724A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の分野〕
本発明は、大画面（例えば、日本工業規格のＡ−５サイ
ズ以上）の液晶素子パネル、特に強誘電性スメクチック
液晶を用いた大画面の液晶素子パネルに関するものであ
る。
ズ以上）の液晶素子パネル、特に強誘電性スメクチック
液晶を用いた大画面の液晶素子パネルに関するものであ
る。
従来、液晶表示素子に、特に単純なドツトマトリクス型
の液晶表示素子の電極構成としては、基板上に透明電極
のみをストライブ状に形成したものが一般的に用いられ
ていた。
の液晶表示素子の電極構成としては、基板上に透明電極
のみをストライブ状に形成したものが一般的に用いられ
ていた。
しかしながら、この様な電極を、大画面且つ高精細な液
晶表示素子に使用するとストライブ電極の長手方向の長
さが長くなるため、電極配線抵抗が太き（なり、信号の
遅延、駆動波形のなまり等の駆動上の問題が発生する欠
点があった。
晶表示素子に使用するとストライブ電極の長手方向の長
さが長くなるため、電極配線抵抗が太き（なり、信号の
遅延、駆動波形のなまり等の駆動上の問題が発生する欠
点があった。
このため、比較的に比抵抗の小さいＡｎなどの金属電極
配線が必要とされていた。
配線が必要とされていた。
この金属電極配線をストライプ状透明電極の長手方向に
沿って、且つ電気的に接続させて配線する際には、スト
ライプ状透明電極を設けた基板に蒸着により金属膜を形
成した後、フォトリソグラフィー−エツチング処理によ
って細線金属電極をストライブ状透明電極上に形成させ
る方法が用いられていた。
沿って、且つ電気的に接続させて配線する際には、スト
ライプ状透明電極を設けた基板に蒸着により金属膜を形
成した後、フォトリソグラフィー−エツチング処理によ
って細線金属電極をストライブ状透明電極上に形成させ
る方法が用いられていた。
しかしながら、通常の）第１・リソグラフィー−エツチ
ング処理によって形成した細線金属電極は、ストライプ
状透明電極極の長手方向のエツジに沿って第４図の如き
形態で設けられる事ができず、実際には第５図の如き形
態で設けられていた。
ング処理によって形成した細線金属電極は、ストライプ
状透明電極極の長手方向のエツジに沿って第４図の如き
形態で設けられる事ができず、実際には第５図の如き形
態で設けられていた。
第４図によれば、基板１の上に形成したストライプ状透
明電極２のエツジ部２ａと細線金属電極３のエツジ部３
ａとが一致していたが、実際には第５図に示す形態の微
少画素部が形成されていた。
明電極２のエツジ部２ａと細線金属電極３のエツジ部３
ａとが一致していたが、実際には第５図に示す形態の微
少画素部が形成されていた。
第５図によればストライプ状透明電極極２のエツジ部２
ａと細線金属電極３のエツジ部３ａとに間隔ｄ（一般に
は２〜８μｍ程度）の微少画素部Ａが形成されている。
ａと細線金属電極３のエツジ部３ａとに間隔ｄ（一般に
は２〜８μｍ程度）の微少画素部Ａが形成されている。
ところで、モノドメインに強誘電性スメクチック液晶の
形成には、ラビング処理などの一軸性配向処理が適して
いる。かかる一軸性配向処理は米国特許第４６３９０８
９号公報などで明らかにされている。
形成には、ラビング処理などの一軸性配向処理が適して
いる。かかる一軸性配向処理は米国特許第４６３９０８
９号公報などで明らかにされている。
しかしながら、ラビング処理、特にストライプ状透明電
極２の長手エツジ方向に対して９０°の角度で交差する
方向に軸を形成させたラビング処理によって生じた配向
状態は、ラビング処理に対してストライプ状透明電極２
のエツジ部と細線金属電極３のエツジ部とで２箇所の段
差を生じているため、前述した微少画素部Ａと主要画素
部Ｐとで相違していた。この微少画素部へにおけるモノ
ドメイン形成性は、主要画素部Ｐにおけるモノドメイン
形成と比較して悪（、このため微少画素部Ａの閾値応答
特性が主要画素部Ｐの閾値特性と比較して遅くなる問題
点があった。
極２の長手エツジ方向に対して９０°の角度で交差する
方向に軸を形成させたラビング処理によって生じた配向
状態は、ラビング処理に対してストライプ状透明電極２
のエツジ部と細線金属電極３のエツジ部とで２箇所の段
差を生じているため、前述した微少画素部Ａと主要画素
部Ｐとで相違していた。この微少画素部へにおけるモノ
ドメイン形成性は、主要画素部Ｐにおけるモノドメイン
形成と比較して悪（、このため微少画素部Ａの閾値応答
特性が主要画素部Ｐの閾値特性と比較して遅くなる問題
点があった。
かかる問題点は、微少画素部への幅ｄが３μ以上になる
と、微少画素部Ａの電気光学的応答が表示観察者にとっ
て視認され、これが原因となって動画やスクロール表示
の際の残像現象として識別される問題点を惹起していた
。
と、微少画素部Ａの電気光学的応答が表示観察者にとっ
て視認され、これが原因となって動画やスクロール表示
の際の残像現象として識別される問題点を惹起していた
。
補発明の目的は、前述の問題点を解決すること、特に動
画表示又はキャラクタ−のスムーズスクロールデイスプ
レィ時の残像現象の発生を解消した強誘電性スメクチッ
ク液晶素子を提供することにある。
画表示又はキャラクタ−のスムーズスクロールデイスプ
レィ時の残像現象の発生を解消した強誘電性スメクチッ
ク液晶素子を提供することにある。
本発明は、少なくとも一方に一軸性配向処理を施した２
枚の基板間に液晶を配置し、該２枚の基板の少なくとも
１枚にストライプ状の透明電極とその長手方向に電気的
接続させた金属電極を有する液晶素子において、 前記金属電極が透明電極の少なくとも一方のエツジに沿
って、且つ該エツジからはみ出して形成されている液晶
素子に特徴を有している。
枚の基板間に液晶を配置し、該２枚の基板の少なくとも
１枚にストライプ状の透明電極とその長手方向に電気的
接続させた金属電極を有する液晶素子において、 前記金属電極が透明電極の少なくとも一方のエツジに沿
って、且つ該エツジからはみ出して形成されている液晶
素子に特徴を有している。
第１図は、本発明の液晶素子で用いた電極基板１」の断
面図である。第１図に示す電極基板１１′は、ガラスや
プラスチックで作成した基板１、該基板１の上に設けた
ストライプ状透明電極２、該透明電極２のエツジ部２ａ
からはみ出したはみ出し部５をもつ細線金属電極３を備
えている。
面図である。第１図に示す電極基板１１′は、ガラスや
プラスチックで作成した基板１、該基板１の上に設けた
ストライプ状透明電極２、該透明電極２のエツジ部２ａ
からはみ出したはみ出し部５をもつ細線金属電極３を備
えている。
上述のはみ出し部５のエツジ部５ａは、隣り合うストラ
イプ状透明電極２が電気的に接続しない位置にあり、一
般には３〜１０μｍ１好ましくは５〜７μｍ程度の幅で
、細線金属電極３の線幅は５〜２０μｍ１膜厚５００〜
５０００人程度に設定されているのがよく、ストライプ
状透明電極２と細線金属電極３との重なり部Ｍの幅は０
．５〜１０μｍ１好ましくは１〜５μｍ程度である。こ
の重なり部Ｍの幅が小さい程、開口率を向上させること
ができる。この際のストライプ状透明電極２としては、
ＳｎＯ，Ｉｎ２Ｏ３又はＩ ｎ ２０３／ＳｎＯ２（イ
ンジウム−ティン−オキサイド：Ｉ Ｔｏ）などで成膜
されたもの、又細線金属電極３としてはアルミニウム、
モリブデン、クロム、チタン、タングステン又はその合
金（例えばＮ１Ｃｒ）で成膜したものを用いることがで
きる。
イプ状透明電極２が電気的に接続しない位置にあり、一
般には３〜１０μｍ１好ましくは５〜７μｍ程度の幅で
、細線金属電極３の線幅は５〜２０μｍ１膜厚５００〜
５０００人程度に設定されているのがよく、ストライプ
状透明電極２と細線金属電極３との重なり部Ｍの幅は０
．５〜１０μｍ１好ましくは１〜５μｍ程度である。こ
の重なり部Ｍの幅が小さい程、開口率を向上させること
ができる。この際のストライプ状透明電極２としては、
ＳｎＯ，Ｉｎ２Ｏ３又はＩ ｎ ２０３／ＳｎＯ２（イ
ンジウム−ティン−オキサイド：Ｉ Ｔｏ）などで成膜
されたもの、又細線金属電極３としてはアルミニウム、
モリブデン、クロム、チタン、タングステン又はその合
金（例えばＮ１Ｃｒ）で成膜したものを用いることがで
きる。
この電極基板１１は、更にこの上に強誘電性スメクチッ
ク液晶の配向状態を制御する為の配向制御膜（図示せず
）が設けられ、この配向制御膜はラビング処理や斜方蒸
着処理などの一軸配向処理が施されている。この際に用
いられる配向制御膜としては、ポリイミドイミド、ポリ
アミドイミド、ポリエステルイミド、ポリエーテルイミ
ド、ポリアミド、ポリビニルアルコール、ポリエチレン
及びポリエステルなどの有機樹脂の少なくとも１種によ
って形成する事ができる。かかる配向制御膜は、５０人
〜５０００Ａ、好ましくは１００人〜２０００人の範囲
で形成する事ができる。
ク液晶の配向状態を制御する為の配向制御膜（図示せず
）が設けられ、この配向制御膜はラビング処理や斜方蒸
着処理などの一軸配向処理が施されている。この際に用
いられる配向制御膜としては、ポリイミドイミド、ポリ
アミドイミド、ポリエステルイミド、ポリエーテルイミ
ド、ポリアミド、ポリビニルアルコール、ポリエチレン
及びポリエステルなどの有機樹脂の少なくとも１種によ
って形成する事ができる。かかる配向制御膜は、５０人
〜５０００Ａ、好ましくは１００人〜２０００人の範囲
で形成する事ができる。
又、本発明の好ましい具体例では、電極基板１１の上に
ＳｉＣ，５１０２やＴ ］ ０２などの無機絶縁物質に
よって成膜した絶縁膜を形成し、その上に前述した有機
樹脂膜で形成した配向制御膜を設けることができる。こ
の時の絶縁膜は５００人〜５０００人、好ましくは１０
０ＯＡ〜２０００人で形成することができる。
ＳｉＣ，５１０２やＴ ］ ０２などの無機絶縁物質に
よって成膜した絶縁膜を形成し、その上に前述した有機
樹脂膜で形成した配向制御膜を設けることができる。こ
の時の絶縁膜は５００人〜５０００人、好ましくは１０
０ＯＡ〜２０００人で形成することができる。
第２図は、前述の電極基板１１（上側；１１Ａ、下側：
１１Ｂを用いた強誘電性スメクチック液晶素子２１の断
面図である。電極基板１１Ａ及びＩＩＢには、それぞれ
ガラス基板ＩＡ及びＩＢ」二にストライプ状透明電極２
Ａ及び２Ｂ、細線金属電極３Ａ及び３Ｂ、配向制御膜２
２Ａ及び２２Ｂが形成されている。ストライプ状透明電
極２Ａ及び２Ｂは互に９０°の角度で交差する様に配置
され、一軸性配向処理は、両方の基板上に形成した配向
制御膜２３Ａ及び２３Ｂに反平行方向（一軸性配向処理
軸２５Ａ及び２５Ｂ）に施されているとともに、その処
理軸はストライプ状透明電極２Ｂの長手エツジ方向に対
して平行に付与されている（２５Ａ及び２５Ｂの矢標の
方向は、それぞれ一軸性配向処理軸の向きを表している
）。
１１Ｂを用いた強誘電性スメクチック液晶素子２１の断
面図である。電極基板１１Ａ及びＩＩＢには、それぞれ
ガラス基板ＩＡ及びＩＢ」二にストライプ状透明電極２
Ａ及び２Ｂ、細線金属電極３Ａ及び３Ｂ、配向制御膜２
２Ａ及び２２Ｂが形成されている。ストライプ状透明電
極２Ａ及び２Ｂは互に９０°の角度で交差する様に配置
され、一軸性配向処理は、両方の基板上に形成した配向
制御膜２３Ａ及び２３Ｂに反平行方向（一軸性配向処理
軸２５Ａ及び２５Ｂ）に施されているとともに、その処
理軸はストライプ状透明電極２Ｂの長手エツジ方向に対
して平行に付与されている（２５Ａ及び２５Ｂの矢標の
方向は、それぞれ一軸性配向処理軸の向きを表している
）。
この際、上側電極基板１１Ａに付与された一軸性配向処
理軸２５Ａは、ストライプ状透明電極２人の長手エツジ
方向に対して９０°の角度で交差することになるが、こ
のストライプ状透明電極２Ａには、前述した微少画素部
がな（、このため表示の際の残像現象が現れない。
理軸２５Ａは、ストライプ状透明電極２人の長手エツジ
方向に対して９０°の角度で交差することになるが、こ
のストライプ状透明電極２Ａには、前述した微少画素部
がな（、このため表示の際の残像現象が現れない。
強誘電性スメクチック液晶素子２１の一対の電極基板１
１ＡとＩＩＢとの間には、強誘電性スメクチック液晶２
３が配置されている。強誘電性スメクチック液晶２３と
しては、例えば米国特許第４５６１７２６号公報、米国
特許第４５８９９９６号公報、米国特許第４５９２８５
８号公報、米国特許第４５９６６６７号公報、米国特許
第４６１３２０９号公報、米国特許第４６１４６０９号
公報、米国特許第４６３８０７３号公報、米国特許第４
７２５６８８号公報などに開示されたものを用いること
ができる。電極基板１１Ａ及びＩＩＢの間隔を米国特許
第４３６７９２４号公報などに開示された間隔に設定す
ることによって、無電界時に強誘電性スメクチック液晶
のらせん配列構造の形成を制御することができ、それに
よりて双安定性を付与することができる。
１ＡとＩＩＢとの間には、強誘電性スメクチック液晶２
３が配置されている。強誘電性スメクチック液晶２３と
しては、例えば米国特許第４５６１７２６号公報、米国
特許第４５８９９９６号公報、米国特許第４５９２８５
８号公報、米国特許第４５９６６６７号公報、米国特許
第４６１３２０９号公報、米国特許第４６１４６０９号
公報、米国特許第４６３８０７３号公報、米国特許第４
７２５６８８号公報などに開示されたものを用いること
ができる。電極基板１１Ａ及びＩＩＢの間隔を米国特許
第４３６７９２４号公報などに開示された間隔に設定す
ることによって、無電界時に強誘電性スメクチック液晶
のらせん配列構造の形成を制御することができ、それに
よりて双安定性を付与することができる。
上述の強誘電性スメクチック液晶２３は電気−光学的に
応答するが、この際の光学的検知手段としてクロスニコ
ル又はパラレルニコル配置の偏光子２４Ａ及び２４Ｂが
用いられる。
応答するが、この際の光学的検知手段としてクロスニコ
ル又はパラレルニコル配置の偏光子２４Ａ及び２４Ｂが
用いられる。
第３図は、本発明で用いた別の電極基板３１の断面図で
ある。第３図において第１図と同一符号のものは、同一
部材を表わしている。第３図に示す電極基板３１は、ス
トライプ状透明電極２を設けた基板１の上に、Ｓ ｉＯ
，Ｓ １０２やＴｌＯ２を蒸着法などにより絶縁膜４を
成膜した後、スルーホール部３２を除いて絶縁膜４の上
にフォトレジストマスクを形成してから、プラズマエツ
チングすることによってスルーホール部３２を形成した
後、金属を蒸着することによって金属膜を形成する。し
かる後、第３図に図示する如くのはみ出し部５に細線電
極３を形成することができる。
ある。第３図において第１図と同一符号のものは、同一
部材を表わしている。第３図に示す電極基板３１は、ス
トライプ状透明電極２を設けた基板１の上に、Ｓ ｉＯ
，Ｓ １０２やＴｌＯ２を蒸着法などにより絶縁膜４を
成膜した後、スルーホール部３２を除いて絶縁膜４の上
にフォトレジストマスクを形成してから、プラズマエツ
チングすることによってスルーホール部３２を形成した
後、金属を蒸着することによって金属膜を形成する。し
かる後、第３図に図示する如くのはみ出し部５に細線電
極３を形成することができる。
この細線金属電極３は、隣接するストライプ状透明電極
２間に形成されているので、ブラックストライプ線とし
ての効果を併せもつことになる。
２間に形成されているので、ブラックストライプ線とし
ての効果を併せもつことになる。
以下、実施例を示し本発明をさらに具体的に説明する。
実施例１
３２０Ｘ３００ｍｍのガラス基板上にスパッタリング法
で厚さ１０００人のＩＴＯ膜を成膜し、ホトリングラフ
イー技術を用いて全面にピッチ３０５μｍ１ライン巾２
８５μｍのストライプパターンを形成した後、厚さ２０
００人のＡＡ膜を成膜し、次にピッチ３０５μｍ１ライ
ンｌ］１２μｍ、ＩＴＯ電極との重なり巾６μｍで第１
図に示す構成のパターンを形成して電極基板を得た。
で厚さ１０００人のＩＴＯ膜を成膜し、ホトリングラフ
イー技術を用いて全面にピッチ３０５μｍ１ライン巾２
８５μｍのストライプパターンを形成した後、厚さ２０
００人のＡＡ膜を成膜し、次にピッチ３０５μｍ１ライ
ンｌ］１２μｍ、ＩＴＯ電極との重なり巾６μｍで第１
図に示す構成のパターンを形成して電極基板を得た。
この際の位置ズレの誤差は±４μｍであった。
この電極基板上に０．１μｍの８１０２膜を蒸着法に形
成し、さらに１．００入庫のポリイミド膜（ピロメリッ
ク酸２無水物と４，４′−ジアミノジフェニルエーテル
との脱水縮合体であるポリアミック酸の５％ｗ ｔ 、
Ｎ−メチルピロリドン溶液を成膜した後に、２５０°
Ｃ以上の温度で焼成することによって形成）を形成した
。
成し、さらに１．００入庫のポリイミド膜（ピロメリッ
ク酸２無水物と４，４′−ジアミノジフェニルエーテル
との脱水縮合体であるポリアミック酸の５％ｗ ｔ 、
Ｎ−メチルピロリドン溶液を成膜した後に、２５０°
Ｃ以上の温度で焼成することによって形成）を形成した
。
この電極基板を２枚用意し、一方の電極基板に対しては
、ストライプ状透明電極の長手エツジ方向と平行方向（
第２図の方向２５Ｂ）にラビング処理を施し、他方の電
極基板に対しては、ストライプ状透明電極の長手エツジ
方向に対しては９０°の角度で交差する（第２図の方向
２５Ａ）様にラビング処理を施した。
、ストライプ状透明電極の長手エツジ方向と平行方向（
第２図の方向２５Ｂ）にラビング処理を施し、他方の電
極基板に対しては、ストライプ状透明電極の長手エツジ
方向に対しては９０°の角度で交差する（第２図の方向
２５Ａ）様にラビング処理を施した。
しかる後に、２枚の電極基板のストライプ状透明電極の
長手エツジ方向が互いに９０°の角度で交差する様に重
ね合せ（２枚の電極基板間の間隔を１．５μｍに保持す
るための平均粒径１．５μｍの３１０２ ビーズを配置
）で、セルを作成し、セル内に強誘電性スメクチック液
晶であるチッソ社製のｒｃｓ−１０１７Ｊ （商品名
）を注入し、等六相から順次コレステリック相、スメク
チックＡ相及びカイラルスメクチックＣ相へと徐冷（０
，５°Ｃ／ｈ）することによって双安定性強誘電性スメ
クヂツク液晶素子を作成した。
長手エツジ方向が互いに９０°の角度で交差する様に重
ね合せ（２枚の電極基板間の間隔を１．５μｍに保持す
るための平均粒径１．５μｍの３１０２ ビーズを配置
）で、セルを作成し、セル内に強誘電性スメクチック液
晶であるチッソ社製のｒｃｓ−１０１７Ｊ （商品名
）を注入し、等六相から順次コレステリック相、スメク
チックＡ相及びカイラルスメクチックＣ相へと徐冷（０
，５°Ｃ／ｈ）することによって双安定性強誘電性スメ
クヂツク液晶素子を作成した。
この液晶素子を５００倍の偏光顕微鏡で観察したところ
、らせん配列構造が解除されたモノドメインのカイラル
スメクチック相が観察された。
、らせん配列構造が解除されたモノドメインのカイラル
スメクチック相が観察された。
さらに、この液晶素子をマルチプレクシング駆動装置に
接続し、キャラクタ−のスクロールデイスプレィを行っ
たところ、残像現象が生じていないことが判った。
接続し、キャラクタ−のスクロールデイスプレィを行っ
たところ、残像現象が生じていないことが判った。
比較例１
下記の方法で２枚の電極基板を作成したほかは、実施例
１と同様の方法で比較用強誘電性スメクチック液晶素子
を作成した。
１と同様の方法で比較用強誘電性スメクチック液晶素子
を作成した。
３２０Ｘ３００ｍｍのガラス基板上にスパッタリング法
で厚さ１０００人のＩＴＯ膜を成膜し、ホトリングラフ
イー技術を用いて全面にピッチ３０５μｍ１ライン中２
８５μｍのストライプパターンを形成した後、厚さ、２
０００人のＡＥ膜を成膜し、次にピッチ３０５μｍ１ラ
イン幅１２μｍ、ＩＴＯ電極との重なり中１２μｍ（Ｉ
ＴＯ電極と長手エツジ部とＡｊ７膜のエツジ部とが一致
する様にした）で、第４図に示す構成のパターンを形成
して電極基板を得ようとした。
で厚さ１０００人のＩＴＯ膜を成膜し、ホトリングラフ
イー技術を用いて全面にピッチ３０５μｍ１ライン中２
８５μｍのストライプパターンを形成した後、厚さ、２
０００人のＡＥ膜を成膜し、次にピッチ３０５μｍ１ラ
イン幅１２μｍ、ＩＴＯ電極との重なり中１２μｍ（Ｉ
ＴＯ電極と長手エツジ部とＡｊ７膜のエツジ部とが一致
する様にした）で、第４図に示す構成のパターンを形成
して電極基板を得ようとした。
この結果、位置ズレによる誤差は±４μｍで、実際には
第４図に示す微少画素部が最大で４μｍ巾に亘って形成
されていた。
第４図に示す微少画素部が最大で４μｍ巾に亘って形成
されていた。
上述の比較用素子を実施例１と同様の方法で評価した処
、主要画素部と微少画素部とのドメインが相違しており
、キャラクタ−のスクロールデイスプレィの際には明ら
かな残像が見られた。
、主要画素部と微少画素部とのドメインが相違しており
、キャラクタ−のスクロールデイスプレィの際には明ら
かな残像が見られた。
本発明によれば、動画表示やキャラクタ−のスムーズス
クロールデイスプレィ時に、残像を生じることがなく、
しかも画面の開口率向上に基づく高輝度画面を実現する
ことができた。
クロールデイスプレィ時に、残像を生じることがなく、
しかも画面の開口率向上に基づく高輝度画面を実現する
ことができた。
第１図（Ａ）は、本発明で用いた電極基板の平面図で、
第１図（Ｂ）はそのＡ−Ａ断面図である。 第２図は、本発明の液晶素子の断面図である。 第３図は、本発明で用いた別の電極基板の断面図である
。 第４図及び第５図は、本発明外の電極基板の断面図であ
る。 −特許出願人 キャノン株式会社 ワ（Ｂ）
第１図（Ｂ）はそのＡ−Ａ断面図である。 第２図は、本発明の液晶素子の断面図である。 第３図は、本発明で用いた別の電極基板の断面図である
。 第４図及び第５図は、本発明外の電極基板の断面図であ
る。 −特許出願人 キャノン株式会社 ワ（Ｂ）
Claims (11)
- （１）少なくとも一方に一軸性配向処理を施した２枚の
基板間に液晶を配置し、該２枚の基板の少なくとも１枚
にストライプ状の透明電極とその長手方向に電気的接続
させた金属電極を有する液晶素子において、 前記金属電極が透明電極の少なくとも一方のエッジに沿
って、且つ該エッジからはみ出して形成されていること
を特徴とする液晶素子。 - （２）前記一軸性配向処理が有機樹脂膜の表面に施され
ている請求項１の液晶素子。 - （３）前記有機樹脂膜が絶縁膜の上に形成されている請
求項１の液晶素子。 - （４）前記有機樹脂膜がポリイミド、ポリビニルアルコ
ール、ポリアミド、ポリエチレン及びポリエステルから
なる群より選択された少なくとも１種で形成された膜で
ある請求項２又は３の液晶素子。 - （５）前記ポリイミドが、ポリイミドイミド、ポリエス
テルイミド、ポリアミドイミド又はポリエーテルイミド
である請求項４の液晶素子。 - （６）前記絶縁膜が無機絶縁膜である請求項３の液晶素
子。 - （７）前記無機絶縁膜がＳｉＯ、ＳｉＯ＿２又はＴｉＯ
＿２である請求項６の液晶素子。 - （８）金属電極がアルミニウム、モリブデン、クロム、
タングステン、チタン又はその合金によって形成された
膜である請求項１の液晶素子。 - （９）前記一軸性配向処理、前記ストライプ状の透明電
極と金属電極が形成されている基板が施され、その軸が
前記ストライプ状の透明電極の長手方向に対して交差し
ている請求項１の液晶素子。 - （１０）前記金属電極が絶縁膜の上に形成され、且つ該
絶縁膜のスルーホール部を介して前記透明電極と電気的
に接続されている請求項１の液晶素子。 - （１１）前記液晶が強誘電性スメクチツク液晶である請
求項１の液晶素子。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63111337A JP2683032B2 (ja) | 1988-05-06 | 1988-05-06 | 液晶素子 |
| US07/552,860 US5000545A (en) | 1987-05-28 | 1990-07-13 | Liquid crystal device with metal electrode partially overlying transparent electrode |
| US07/626,737 US5124826A (en) | 1987-05-28 | 1990-12-13 | Liquid crystal device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63111337A JP2683032B2 (ja) | 1988-05-06 | 1988-05-06 | 液晶素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01280724A true JPH01280724A (ja) | 1989-11-10 |
| JP2683032B2 JP2683032B2 (ja) | 1997-11-26 |
Family
ID=14558642
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63111337A Expired - Fee Related JP2683032B2 (ja) | 1987-05-28 | 1988-05-06 | 液晶素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2683032B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5227899A (en) * | 1990-09-07 | 1993-07-13 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display device with low resistance film separated from one of two adjacent electrodes by an insulating film |
| US5274483A (en) * | 1991-01-14 | 1993-12-28 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display with conductive film along the edge of electrodes of one substrate and between dot electrodes of the other substrate |
| US6008877A (en) * | 1996-11-28 | 1999-12-28 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display having multilayered electrodes with a layer adhesive to a substrate formed of indium tin oxide |
| US6452659B1 (en) | 1997-04-23 | 2002-09-17 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display device having multiple insulating films with different etch characteristics |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2022249992A1 (ja) | 2021-05-24 | 2022-12-01 | 住友化学株式会社 | ビピリジン誘導体の製造方法、大環状化合物の製造方法、大環状化合物を配位子として含む金属錯体の製造方法、金属錯体、空気電池用電極、及び空気電池 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS579977U (ja) * | 1980-06-16 | 1982-01-19 | ||
| JPS6033533A (ja) * | 1983-08-05 | 1985-02-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 液晶マトリクス表示用電極 |
| JPS61273522A (ja) * | 1985-05-29 | 1986-12-03 | Toppan Printing Co Ltd | 金属リ−ド付透明電極板 |
-
1988
- 1988-05-06 JP JP63111337A patent/JP2683032B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS579977U (ja) * | 1980-06-16 | 1982-01-19 | ||
| JPS6033533A (ja) * | 1983-08-05 | 1985-02-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 液晶マトリクス表示用電極 |
| JPS61273522A (ja) * | 1985-05-29 | 1986-12-03 | Toppan Printing Co Ltd | 金属リ−ド付透明電極板 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5227899A (en) * | 1990-09-07 | 1993-07-13 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display device with low resistance film separated from one of two adjacent electrodes by an insulating film |
| US5274483A (en) * | 1991-01-14 | 1993-12-28 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display with conductive film along the edge of electrodes of one substrate and between dot electrodes of the other substrate |
| US6008877A (en) * | 1996-11-28 | 1999-12-28 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display having multilayered electrodes with a layer adhesive to a substrate formed of indium tin oxide |
| US6452659B1 (en) | 1997-04-23 | 2002-09-17 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display device having multiple insulating films with different etch characteristics |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2683032B2 (ja) | 1997-11-26 |
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|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |