JPH03259116A - 液晶表示素子の製造方法 - Google Patents
液晶表示素子の製造方法Info
- Publication number
- JPH03259116A JPH03259116A JP5773990A JP5773990A JPH03259116A JP H03259116 A JPH03259116 A JP H03259116A JP 5773990 A JP5773990 A JP 5773990A JP 5773990 A JP5773990 A JP 5773990A JP H03259116 A JPH03259116 A JP H03259116A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- liquid crystal
- crystal display
- display element
- substrates
- angle
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 title claims abstract description 64
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 27
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 24
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 15
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims abstract description 13
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 12
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims abstract description 11
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 5
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims abstract description 5
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims abstract description 5
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 18
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 abstract description 4
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 abstract description 4
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 abstract description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 9
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 7
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 5
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 3
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004988 Nematic liquid crystal Substances 0.000 description 1
- 239000006087 Silane Coupling Agent Substances 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
- 125000001436 propyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
技術分野
本発明は液晶表示素子の製造方法に関し、特に、電圧制
御複屈折効果型の液晶表示素子における液る。
御複屈折効果型の液晶表示素子における液る。
背蝋技術
かかる電圧制御複屈折効果型液晶表示素子は、液晶層に
電界を印加し液晶分子の配向方向を変化させることによ
り、一定の偏光方向で入射し、た光に対して液晶層の複
屈折率が変化する効果を利用した素子である。
電界を印加し液晶分子の配向方向を変化させることによ
り、一定の偏光方向で入射し、た光に対して液晶層の複
屈折率が変化する効果を利用した素子である。
第３図に電圧制御複屈折効果型液晶表示素子の概略断面
図を示す。図示するように、電圧制御複屈折効果型の液
晶表示素子］は、一対の透明基板２の内側面の配向膜３
間に液晶層４をスペーサ５を介して保持した構造を有し
てる。また、基板２と配向膜３間には透明電極６が配置
され、液晶層４に電界を印加でき得るようになっている
。かかる液晶層には、例えばｎ形ネマティック岐晶が用
いられ、未電界印加時などに液晶分子が配向膜に対して
垂直配向すなわちホメオトメロピック配向するものが用
いられる。
図を示す。図示するように、電圧制御複屈折効果型の液
晶表示素子］は、一対の透明基板２の内側面の配向膜３
間に液晶層４をスペーサ５を介して保持した構造を有し
てる。また、基板２と配向膜３間には透明電極６が配置
され、液晶層４に電界を印加でき得るようになっている
。かかる液晶層には、例えばｎ形ネマティック岐晶が用
いられ、未電界印加時などに液晶分子が配向膜に対して
垂直配向すなわちホメオトメロピック配向するものが用
いられる。
かかる垂直配向型の液晶表示素子の動作原理を第４図（
ａ）及び山）に示す。この場合、かかる液晶表示素子１
は、クロスニコルに設定した一対の偏光板７（偏光子７
ａ及び検光子７ｂ）の間に配置される。液晶表示素子１
は、垂直配向した液晶分子４ａの液晶層を挾む両電極間
に電圧印加できるように電源８に接続されている。第４
図（ａ）に示すように未電界印加時又は電圧が閾値以下
のときには液晶層４中の液晶分子４ａは配向膜３に略垂
直に配向しており、電界印加時又は電圧が閾値以上のと
きには第４図山〉に示すように液晶分子４ａは傾斜して
配向している。
ａ）及び山）に示す。この場合、かかる液晶表示素子１
は、クロスニコルに設定した一対の偏光板７（偏光子７
ａ及び検光子７ｂ）の間に配置される。液晶表示素子１
は、垂直配向した液晶分子４ａの液晶層を挾む両電極間
に電圧印加できるように電源８に接続されている。第４
図（ａ）に示すように未電界印加時又は電圧が閾値以下
のときには液晶層４中の液晶分子４ａは配向膜３に略垂
直に配向しており、電界印加時又は電圧が閾値以上のと
きには第４図山〉に示すように液晶分子４ａは傾斜して
配向している。
液晶層４に印加される電圧が閾値以下のときは、第４図
〈ωに示すように、液晶分子４ａが基板面に対して垂直
に立っているので、偏光子７ａを通して直線偏光され液
晶表示素子を通過した光は、当該素子からは何の影響も
受けずに通過するけれども、検光子７ｂがクロスニコル
に配置されているので、通過光は検光子７ｂで遮断され
、これを通過する光はない。これが液晶表示素子の黒レ
ベルとなる。
〈ωに示すように、液晶分子４ａが基板面に対して垂直
に立っているので、偏光子７ａを通して直線偏光され液
晶表示素子を通過した光は、当該素子からは何の影響も
受けずに通過するけれども、検光子７ｂがクロスニコル
に配置されているので、通過光は検光子７ｂで遮断され
、これを通過する光はない。これが液晶表示素子の黒レ
ベルとなる。
さて、閾値を越えるように液晶表示素子への駆動電圧を
上げると、第４図〈ｂ＞に示すように、ｎ形ネマティッ
ク液晶は、液晶分子の長手軸線方向の誘電率からこれに
垂直方向の誘電率を減じた誘電率の差Δεが負（Δさく
０）であるので、液晶分子は垂直からだんだんと倒れる
。このため、偏光子７ａで直線偏光されて液晶表示素子
に進入した光は複屈折効果により楕円偏光になり、検光
子７ｂを通過する光成分が出る。これが液晶表示素子が
開いた状態となる。
上げると、第４図〈ｂ＞に示すように、ｎ形ネマティッ
ク液晶は、液晶分子の長手軸線方向の誘電率からこれに
垂直方向の誘電率を減じた誘電率の差Δεが負（Δさく
０）であるので、液晶分子は垂直からだんだんと倒れる
。このため、偏光子７ａで直線偏光されて液晶表示素子
に進入した光は複屈折効果により楕円偏光になり、検光
子７ｂを通過する光成分が出る。これが液晶表示素子が
開いた状態となる。
ここで問題がある。液晶分子の配向方向を単に配向膜に
垂直にしただけでは、印加電圧を上昇させていったと・
き、液晶分子の倒れる方向はバラバラになってしまうの
である。これでは、液晶表示素子における所望の明るさ
が得られないばかりか、液晶表示素子における画面の場
所による明るさのむらが生じることになる。
垂直にしただけでは、印加電圧を上昇させていったと・
き、液晶分子の倒れる方向はバラバラになってしまうの
である。これでは、液晶表示素子における所望の明るさ
が得られないばかりか、液晶表示素子における画面の場
所による明るさのむらが生じることになる。
そこで対策として、液晶分子４ａの倒れていく方向を決
めるために第５図に示すように、液晶分子４ａの配向方
向を配向膜の法線Ｐに対して微小角度α０だけ予め少し
傾けるように配向処理してでおく方法がとられている。
めるために第５図に示すように、液晶分子４ａの配向方
向を配向膜の法線Ｐに対して微小角度α０だけ予め少し
傾けるように配向処理してでおく方法がとられている。
この液晶分子４ａの微小角度はプレチルト（ｐｒｅｔｅ
ｌｔ）角α０と呼ばれ、ラビング法などの既知の低プレ
チルト垂直配向処理方法で得られる。
ｌｔ）角α０と呼ばれ、ラビング法などの既知の低プレ
チルト垂直配向処理方法で得られる。
プレチルト角α０が微小でない場合すなわち、液晶分子
が初めから大きく傾いていると、液晶表示素子は印加電
圧が閾値以下でもはじめから少し開いた状態となる。つ
まり黒レベルであるのに明るくなってしまうことになり
、コントラストは悪くなる。
が初めから大きく傾いていると、液晶表示素子は印加電
圧が閾値以下でもはじめから少し開いた状態となる。つ
まり黒レベルであるのに明るくなってしまうことになり
、コントラストは悪くなる。
一方、プレチルト角α０が限りなく０°に近い場合、プ
レチルト角が大きい方が液晶分子の応答は早いので、液
晶表示素子は応答速度が遅くなる。
レチルト角が大きい方が液晶分子の応答は早いので、液
晶表示素子は応答速度が遅くなる。
また、余りにも低プレチルト角とすると、製造上配向処
理として再現性が乏しくなる。
理として再現性が乏しくなる。
コントラスト、応答速度、製造の面からみても具体的に
は、プレチルト角が、０．５’ｌ’２″と変わっただけ
で応答速度は大きく変化してしまうので、制御の必要が
生じる。
は、プレチルト角が、０．５’ｌ’２″と変わっただけ
で応答速度は大きく変化してしまうので、制御の必要が
生じる。
そこで、従来の低プレチルト垂直配向処理方法は、ガラ
ス基板面にクロム錯体等の垂直配向処理剤を塗布し、こ
れを布や研磨剤でこするいわゆるラビング処理を行ない
、低プレチルト角を得ている。
ス基板面にクロム錯体等の垂直配向処理剤を塗布し、こ
れを布や研磨剤でこするいわゆるラビング処理を行ない
、低プレチルト角を得ている。
しかしこの方法では、配向膜面内における均一なラビン
グが困難であるため、液晶表示素子の表示画面ないにお
けるプレチルト角のむらがでるという欠点がある。
グが困難であるため、液晶表示素子の表示画面ないにお
けるプレチルト角のむらがでるという欠点がある。
また、ラビングにより発生するゴミ、ホコリが配向を見
出し、又、液晶表示素子のギャップの形成に悪影響を与
えていた。
出し、又、液晶表示素子のギャップの形成に悪影響を与
えていた。
発明の概要
［発明の目的３
本発明の目的は、液晶表示素子の微小プレチルト角を微
小角度範囲内で制御する配向処理工程を有する液晶表示
素子製造方法を提供することにある。
小角度範囲内で制御する配向処理工程を有する液晶表示
素子製造方法を提供することにある。
［発明の構成］
本発明の液晶表示素子の製造方法は、間隙をおいて灼向
する・−・対の基板と、前記基板の各々の内側面に電極
を介して積層された対向する一λ１の配向膜と、前記配
向膜間に充填された液晶層とからなる液晶表示素子を製
造する方法であって、基板の主面の法線に対し７て角度
１０’〜７Ｏ’だけ傾斜しまた方向から一酸化珪素また
は二酸化珪素を前記主面に蒸着し、て酸化珪素膜を形成
し２、前記酸化珪素膜上に垂直配向処理剤を被覆し、て
前記酸化珪素膜及び垂直配向処理剤からなる配向膜を形
成する工程を含むことを特徴とする。
する・−・対の基板と、前記基板の各々の内側面に電極
を介して積層された対向する一λ１の配向膜と、前記配
向膜間に充填された液晶層とからなる液晶表示素子を製
造する方法であって、基板の主面の法線に対し７て角度
１０’〜７Ｏ’だけ傾斜しまた方向から一酸化珪素また
は二酸化珪素を前記主面に蒸着し、て酸化珪素膜を形成
し２、前記酸化珪素膜上に垂直配向処理剤を被覆し、て
前記酸化珪素膜及び垂直配向処理剤からなる配向膜を形
成する工程を含むことを特徴とする。
「発明の作用」
かかる構成の本発明による液晶表示素ｆの製造方法によ
れば、液晶表示素子におけるブ［ノヂルト角αＣを０°
＜α０≦２″の範囲で再現性よく得ることができる。
れば、液晶表示素子におけるブ［ノヂルト角αＣを０°
＜α０≦２″の範囲で再現性よく得ることができる。
実施例
以下に、本発明の実施例を図面を参照し−）−）説明す
る。
る。
第１図は本実施例の各工程における基板等の部分拡大断
面図を示す。
面図を示す。
まず、インジウム・スズ酸化物１丁°０からなる透明電
極６が所定パターンで表面に設けられたガラス基板２を
２枚用意し５、装置の真空チャンバー内においで、各基
板ごとに該基板の透明電極６側の主面の法線Ｐに対して
１０°〜７０°の蒸る゛角度ψの方向からＥＢ蒸着によ
り、−酸化珪素ＳｉＯまたは：ミ酸化珪素５ｉｎ２を斜
方蒸着して酸化珪素膜３ａを形成する（第１７図（田）
。
極６が所定パターンで表面に設けられたガラス基板２を
２枚用意し５、装置の真空チャンバー内においで、各基
板ごとに該基板の透明電極６側の主面の法線Ｐに対して
１０°〜７０°の蒸る゛角度ψの方向からＥＢ蒸着によ
り、−酸化珪素ＳｉＯまたは：ミ酸化珪素５ｉｎ２を斜
方蒸着して酸化珪素膜３ａを形成する（第１７図（田）
。
更に、酸化珪素膜３ａを蒸ｉした基板２を真空チャンバ
ーから取り出ｊ０．て、その酸化珪素膜１−３ａＬに垂
直配向処理剤３ｂをディッピング或いはスピンコードの
方法で塗布し、垂直配向処理剤膜３ｂを形成する。・な
お、使用した垂直配向処理剤はｆｆ機シラン系カップリ
ング剤であり、例えば下記−般式のオクタデシルジメチ
ル［’ｌ−（＋−リメトキシシ′リル）プロピル］ ７
ンモ：−ラムクロライド、ＣＩＯ，ＣＨ。
ーから取り出ｊ０．て、その酸化珪素膜１−３ａＬに垂
直配向処理剤３ｂをディッピング或いはスピンコードの
方法で塗布し、垂直配向処理剤膜３ｂを形成する。・な
お、使用した垂直配向処理剤はｆｆ機シラン系カップリ
ング剤であり、例えば下記−般式のオクタデシルジメチ
ル［’ｌ−（＋−リメトキシシ′リル）プロピル］ ７
ンモ：−ラムクロライド、ＣＩＯ，ＣＨ。
＼ ７／
ＣＩ８Ｈ３７−Ｎ−ＣＨｚ ＣＨ２ＣＨ２５ｉ（ＯＣＨ
：ｔ ） ３Ｉ であって、これをメタノール溶液２−シて用いる（第１
図面）。このようにし、で、配向膜′３を基板上に形成
する。
：ｔ ） ３Ｉ であって、これをメタノール溶液２−シて用いる（第１
図面）。このようにし、で、配向膜′３を基板上に形成
する。
こうし、て得た基板等を第１図（Ｃ）の如く、スペーサ
を介して配向膜３側を向かい合わゼて上記蒸着角度ψの
方向が一致するように相補的に組め合わせ、液晶を注入
すべきギャップ１０を形成する（第１図（Ｃ））。
を介して配向膜３側を向かい合わゼて上記蒸着角度ψの
方向が一致するように相補的に組め合わせ、液晶を注入
すべきギャップ１０を形成する（第１図（Ｃ））。
このギャップに液晶（メルク社（Ｈｅｒｅｋ ） ：
ＺＬｌ−２８５７）を注入し封止する（第１図（ｄ）
）。
ＺＬｌ−２８５７）を注入し封止する（第１図（ｄ）
）。
このようにＬ７て、液晶表示素子が得られる。
第２図は、上記実施例の方法によって蒸着角度ψを種々
変化させた複数の液晶表示素子を形成して、ＳｉＯの斜
方蒸着角度ψと得られた液晶表示素子のプレチルト角α
０の相関をとったグラフである。このグラフによれば、
斜方蒸着法と垂直配向処理剤塗布法とを組み合わせた場
合に斜方蒸着角度だけから得られるチルト角θ。に９０
′′を加えた角度（θ。＋９０６）でプレチルト角α０
が得られるという単純な関係ではないことが判る。
変化させた複数の液晶表示素子を形成して、ＳｉＯの斜
方蒸着角度ψと得られた液晶表示素子のプレチルト角α
０の相関をとったグラフである。このグラフによれば、
斜方蒸着法と垂直配向処理剤塗布法とを組み合わせた場
合に斜方蒸着角度だけから得られるチルト角θ。に９０
′′を加えた角度（θ。＋９０６）でプレチルト角α０
が得られるという単純な関係ではないことが判る。
すなわち、蒸着角度ψを１０″から７０°までの角度範
囲で・変化させれば、０６〜２°の角度範囲でプレチル
ト角α０か再現性良＜ ｌＷられるのである。
囲で・変化させれば、０６〜２°の角度範囲でプレチル
ト角α０か再現性良＜ ｌＷられるのである。
発明の効果
本分！明の液晶表示素ｒ製造方法によりば、一対の基板
内側面に電極を介し、て積層された互いに対向する配向
膜間に充填された液晶層からなる液晶表示素子を製造す
るに際し５で、基板の主面の法線に対し、で所定蒸着角
度の方向から一酸化珪素またはニー酸化珪素を基板に蒸
着Ｉ７、この酸化珪素膜上に垂直配向処理剤を被覆して
配向膜を形成する工程を含むと共に、この所定蒸着角度
ψを１０’〜７０°の範囲内で選定し５て酸化珪素膜を
形成するコトにより、得られる液晶表示素子のプレチル
ト角α０を０くα０≦２″の範囲内で再現性よく得るこ
とができる。
内側面に電極を介し、て積層された互いに対向する配向
膜間に充填された液晶層からなる液晶表示素子を製造す
るに際し５で、基板の主面の法線に対し、で所定蒸着角
度の方向から一酸化珪素またはニー酸化珪素を基板に蒸
着Ｉ７、この酸化珪素膜上に垂直配向処理剤を被覆して
配向膜を形成する工程を含むと共に、この所定蒸着角度
ψを１０’〜７０°の範囲内で選定し５て酸化珪素膜を
形成するコトにより、得られる液晶表示素子のプレチル
ト角α０を０くα０≦２″の範囲内で再現性よく得るこ
とができる。
また、酸化珪素膜を蒸着により形成する故に処理均一性
が高いため配向膜面内の配向むらがない。
が高いため配向膜面内の配向むらがない。
さらに、真空中における配向処理であるため、配向膜面
にゴミ、ホコリが付着せず良好なギャップ形成が行える
。
にゴミ、ホコリが付着せず良好なギャップ形成が行える
。
第１図は本発明による方法における各工程中の基板等の
部材の部分拡大断面図、第２図は本発明における蒸着角
度ψとプレチルト角αＯとの相関を示すグラフ、第３図
及び第４図は電圧制御複屈折効果型液晶表示素子の概略
断面図、第５図は第３図の素子の拡大部分断面図である
。 主要部分の符号の説明 １・・・・・・液晶表示素子 ２・・・・・・透明基板 ３・・・・・・配向膜 ４・・・・・・液晶層 ５・・・・・・スペーサ ６・・・・・・透明電極 ７・・・・・・偏光板
部材の部分拡大断面図、第２図は本発明における蒸着角
度ψとプレチルト角αＯとの相関を示すグラフ、第３図
及び第４図は電圧制御複屈折効果型液晶表示素子の概略
断面図、第５図は第３図の素子の拡大部分断面図である
。 主要部分の符号の説明 １・・・・・・液晶表示素子 ２・・・・・・透明基板 ３・・・・・・配向膜 ４・・・・・・液晶層 ５・・・・・・スペーサ ６・・・・・・透明電極 ７・・・・・・偏光板
Claims (1)
- （１）間隙をおいて対向する一対の基板と、前記基板の
各々の内側面に電極を介して積層された対向する一対の
配向膜と、前記配向膜間に充填された液晶層とからなる
液晶表示素子を製造する方法であって、基板の主面の法
線に対して角度１０°〜７０°だけ傾斜した方向から一
酸化珪素または二酸化珪素を前記主面に蒸着して酸化珪
素膜を形成し、前記酸化珪素膜上に垂直配向処理剤を被
覆して前記酸化珪素膜及び垂直配向処理剤からなる配向
膜を形成する工程を含むことを特徴とする方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5773990A JPH03259116A (ja) | 1990-03-08 | 1990-03-08 | 液晶表示素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5773990A JPH03259116A (ja) | 1990-03-08 | 1990-03-08 | 液晶表示素子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03259116A true JPH03259116A (ja) | 1991-11-19 |
Family
ID=13064285
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5773990A Pending JPH03259116A (ja) | 1990-03-08 | 1990-03-08 | 液晶表示素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03259116A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6226066B1 (en) | 1996-01-09 | 2001-05-01 | Lg. Philips Lcd Co., Ltd. | Method for controlling pretilt angle direction in a liquid crystal cell |
| WO2001059514A1 (fr) * | 2000-02-10 | 2001-08-16 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Element d'affichage a cristaux liquides et procede de fabrication dudit element |
| US7283191B2 (en) | 2003-11-19 | 2007-10-16 | Seiko Epson Corporation | Liquid crystal display device and electronic apparatus wherein liquid crystal molecules having particular pre-tilt angle |
| JP2007286468A (ja) * | 2006-04-19 | 2007-11-01 | Seiko Epson Corp | 液晶装置の製造方法 |
| JP2007328100A (ja) * | 2006-06-07 | 2007-12-20 | Citizen Miyota Co Ltd | 液晶パネルおよびその製造方法 |
| US9128328B2 (en) | 2012-09-19 | 2015-09-08 | Seiko Epson Corporation | Liquid crystal device and projector |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5651722A (en) * | 1979-10-03 | 1981-05-09 | Sanyo Electric Co Ltd | Liquid crystal display device |
-
1990
- 1990-03-08 JP JP5773990A patent/JPH03259116A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5651722A (en) * | 1979-10-03 | 1981-05-09 | Sanyo Electric Co Ltd | Liquid crystal display device |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6226066B1 (en) | 1996-01-09 | 2001-05-01 | Lg. Philips Lcd Co., Ltd. | Method for controlling pretilt angle direction in a liquid crystal cell |
| US6414737B1 (en) | 1996-01-09 | 2002-07-02 | Lg.Philips Lcd Co., Ltd. | Method for controlling pretilt angle direction in a liquid crystal cell |
| US6633355B2 (en) | 1996-01-09 | 2003-10-14 | Lg. Philips Lcd Co., Ltd. | Method for controlling pretilt angle direction in a liquid crystal cell |
| US7145618B2 (en) | 1996-01-09 | 2006-12-05 | Lg.Philips Lcd Co., Ltd | Method for controlling pretilt angle direction in a liquid crystal cell |
| WO2001059514A1 (fr) * | 2000-02-10 | 2001-08-16 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Element d'affichage a cristaux liquides et procede de fabrication dudit element |
| EP1172685A1 (en) * | 2000-02-10 | 2002-01-16 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Liquid crystal display element and method for fabricating the same |
| EP1172685A4 (en) * | 2000-02-10 | 2005-10-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | LIQUID CRYSTAL DISPLAY ELEMENT AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME |
| US7283191B2 (en) | 2003-11-19 | 2007-10-16 | Seiko Epson Corporation | Liquid crystal display device and electronic apparatus wherein liquid crystal molecules having particular pre-tilt angle |
| JP2007286468A (ja) * | 2006-04-19 | 2007-11-01 | Seiko Epson Corp | 液晶装置の製造方法 |
| JP2007328100A (ja) * | 2006-06-07 | 2007-12-20 | Citizen Miyota Co Ltd | 液晶パネルおよびその製造方法 |
| US9128328B2 (en) | 2012-09-19 | 2015-09-08 | Seiko Epson Corporation | Liquid crystal device and projector |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5256714B2 (ja) | 液晶表示素子及びその製造方法 | |
| US6027772A (en) | Optical alignment composition, alignment layer formed using the same and LCD having the alignment layer | |
| JP2010032860A (ja) | 配向膜及びその製造方法、配向基板及びその製造方法、並びに液晶表示素子 | |
| JPH08136932A (ja) | 液晶に微少に傾斜した垂直配列を導入する方法、液晶電気光学素子及び液晶ライトバルブ | |
| JP2991995B2 (ja) | 液晶表示装置 | |
| JPH03259116A (ja) | 液晶表示素子の製造方法 | |
| JP2856466B2 (ja) | 液晶表示素子 | |
| JP4357622B2 (ja) | 液晶表示装置 | |
| US6682786B1 (en) | Liquid crystal display cell having liquid crystal molecules in vertical or substantially vertical alignment | |
| JPH10268313A (ja) | 液晶素子及びその製造方法 | |
| JPH05210101A (ja) | 強誘電性液晶素子の製造方法 | |
| JP2000206535A (ja) | 透過型ハイブリッド配向液晶表示装置 | |
| JPH01183627A (ja) | 液晶表示装置の製法 | |
| JPH01120535A (ja) | 強誘電性液晶素子 | |
| JPH01120536A (ja) | 強誘電性液晶素子 | |
| JPH05289088A (ja) | 液晶表示素子およびその作製方法 | |
| JP2522645B2 (ja) | 液晶光学スイッチ装置 | |
| JPH08171091A (ja) | 液晶表示素子およびその製造方法 | |
| JP2522647B2 (ja) | 偏光変換素子 | |
| KR20040036953A (ko) | 액정 표시 장치 | |
| JPH06160858A (ja) | 液晶表示素子 | |
| JP2521260B2 (ja) | 液晶光学スイツチ装置 | |
| JPS6366534A (ja) | 液晶表示素子の製造方法 | |
| JP2006030920A (ja) | イオンビームによる液晶表示パネルの配向処理方法及び液晶表示パネル | |
| KR100249190B1 (ko) | 액정표시소자 제조방법 |