JPH11160706A - 液晶表示素子の製造方法 - Google Patents

液晶表示素子の製造方法

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JPH11160706A
JPH11160706A JP32110097A JP32110097A JPH11160706A JP H11160706 A JPH11160706 A JP H11160706A JP 32110097 A JP32110097 A JP 32110097A JP 32110097 A JP32110097 A JP 32110097A JP H11160706 A JPH11160706 A JP H11160706A
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JP
Japan
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cell
liquid crystals
surfactant
liquid crystal
film
Prior art date
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JP32110097A
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English (en)
Inventor
Toshinobu Kashima
敏信 鹿島
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Stanley Electric Co Ltd
Original Assignee
Stanley Electric Co Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 液晶表示素子の初期配向を垂直配向とする場
合、良好な垂直配向を得ると同時に、工程の簡略化、コ
スト低減を図れるようにする。 【解決手段】 基板上にスパッタあるいは蒸着によりS
iO2 膜4を成膜させ、メインシール作製から通常の条
件でセルを作製した後、界面活性剤5を適量添加して溶
解させた液晶6を注入することにより垂直配向を得るよ
うにする。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、特に工程の簡略化
が可能な液晶表示素子の製造方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】液晶表示素子の初期配向を基板に対して
垂直配向とする場合、均一な垂直配向を得るために従来
より次の,のような方法がとられている。
【0003】図4に示すような蒸着装置を使用し、そ
の蒸着チャンバー11内に基板12を蒸発源13に対し
て斜めに設置し、SiO2 等の材料を斜め蒸着させる。
【0004】その後、垂直配向剤として界面活性剤を成
膜させる。これにより、図5に示すように基板12の法
線方向から多少傾いた均一な垂直配向が得られる。図5
中、14はSiO2 の蒸着膜、15は界面活性剤、16
は液晶(LC)を示している。
【0005】長鎖アルキル鎖を含有したポリイミド・
ベースの有機高分子系垂直配向膜を基板上に成膜させる
ことにより垂直配向を得る。
【0006】また、必要に応じて均一な垂直配向を得る
ために、その後ラビング処理等を行い、基板の法線方向
から多少傾けて配向させる。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ような従来の液晶表示素子の製造方法にあっては、垂直
配向を得るに際して次のような問題点があった。
【0008】上記の方法においては、界面活性剤は化
学吸着により成膜するので、成膜状態が環境に影響され
やすく、工程管理が難しい。
【0009】上記の方法においては、有機高分子系の
配向膜を成膜するので、印刷またはスピンナー塗布の後
プリベーク,ポストベークとなり、工程が複雑となる。
【0010】また、配向膜の成膜だけでは垂直方向の配
向規制力のみであるので、成膜の後何らかの配向規制力
を与え、均一配向(一軸配向)としなければならない。
例えばそれがラビングであっても、工程がまた増えるこ
とになる。
【0011】本発明は、上記のような問題点に着目して
なされたもので、良好な垂直配向が得られるとともに、
工程の簡略化及びコスト低減を図ることができる液晶表
示素子の製造方法を提供することを目的としている。
【0012】
【課題を解決するための手段】本発明に係る液晶表示素
子の製造方法は、次のように構成したものである。
【0013】(1)基板に形成したセル内に、界面活性
剤を所定量添加して溶解させた液晶を注入することによ
り垂直配向を得るようにした。
【0014】(2)基板上にSiO2 膜を成膜してセル
を形成した後、該セル内に界面活性剤を所定量添加して
溶解させた液晶を注入することにより垂直配向を得るよ
うにした。
【0015】
【発明の実施の形態】図1は本発明の実施例に使用可能
な一般的な量産性に優れたインライン式のスパッタ装置
の内部を示す図である。同図中、Aは基板1の搬送方向
を示し、また2はSiO2 のターゲット、3は基板へ向
うSiO2 のスパッタ粒子を示している。
【0016】図1のスパッタ装置あるいは図4の蒸着装
置を用いた場合、図2に示すようにスパッタあるいは蒸
着による基板上のSiO2 膜4は微細な針状の突起が方
向性を持った形状で成膜される。
【0017】本発明では、上記の基板を用いて、ギャッ
プ(Gap)散布、メインシール形成から通常の条件で
セルを作製した後、液晶を注入するときに、その液晶に
DMOAP等の配向処理材となる界面活性剤を適量添加
して注入する。これにより、図3に示すように図5と同
様の良好な均一性のある垂直配向が得られる。図3中、
5はDMOAP等の界面活性剤、6は液晶である。
【0018】次に、上述の手法に基づく本発明の実施例
について具体的に説明する。なお、本発明の手法は上記
のSiO2 膜4がなくても適用可能である。
【0019】(実施例1)まず、電極形成のためにパタ
ーニングされたITO膜上に、インライン式のスパッタ
装置(日電アネルバ社製ILC−702)にてSiO2
のスパッタ膜を無加熱で膜厚が1000オングストロー
ムになるように成膜した。
【0020】この基板にてスぺーサ散布、メインシール
形成から通常のセル工程と同じ条件にてセルを作製し
た。
【0021】一方、誘電異方性が負である液晶(MJ9
4357:Merck社製)に界面活性剤としてDMO
AP(チッソ製50%メタノール溶液)を1wt%添加
し、液晶のNI点まで加熱し溶解させた。
【0022】その液晶を上記セルに真空注入した。
【0023】そして、このセルを偏光板の直交クロス間
に入れて配向観察をしたところ、セル内全域で真っ黒で
あり、初期配向において良好な垂直配向が確認された。
【0024】さらに、このセルに電圧を印加したとこ
ろ、液晶が応答しセル全域において均一なON状態が得
られた。これは、偏光顕微鏡で観察してもディスクリネ
ーション・ラインの見られない良好な一軸配向であっ
た。
【0025】(実施例2)上記実施例1によるSiO2
膜を成膜することなく、同様にセルを作製したところ、
同様な垂直配向が得られた。
【0026】つまり、ITO膜上であってもこの手法を
用いれば界面活性剤がITO面に吸着し、良好な垂直配
向が作れることが確認できた。
【0027】しかし、これでは垂直方向の規制力だけで
電圧印加状態では液晶分子がランダムに倒れるため、均
一な配向が得られない。
【0028】そこで、電極にスリットを設けて電圧印加
時に電界配向させるようにしたところ、良好な均一配向
が得られた。
【0029】以上、本発明の実施例について述べたが、
本実施例では、従来の界面活性剤成膜と比較し、化学吸
着のための工程条件及び環境が簡略化でき、コスト低減
につながる。
【0030】また、図1に示す装置により、F−Bショ
ート防止膜としてSiO2 膜を成膜することが主流であ
ることから、液晶に界面活性剤を適量添加、溶解するだ
けで、簡単に均一な垂直配向がつくれることになる。
【0031】有機高分子系のポリイミドタイプの垂直配
向膜と比較しても、工程的、コスト的メリットは大き
い。
【0032】本来、界面活性剤はITO膜に吸着させに
くいが、本手法を用いれば容易に吸着でき、垂直配向と
なる。
【0033】実施例2で作製されたセルと従来の有機高
分子系ポリイミド配向膜を用いて作製したセルの光学特
性を表1に示す。この表1の結果より、本手法を用いて
も従来と同等のセル特性を維持していることがわかる。
【0034】
【表1】
【0035】
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、良好な
垂直配向が得られるとともに、化学吸着のための工程条
件及び環境の簡略化、またコスト低減を図ることができ
るという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】 スパッタ装置の内部を示す説明図
【図2】 基板にSiO2 膜を成膜した状態を示す説明
【図3】 実施例の界面活性剤を添加した液晶をセルに
注入した状態を示す説明図
【図4】 蒸着装置の内部を示す説明図
【図5】 従来例による垂直配向を示す説明図
【符号の説明】
1 基板 2 ターゲット 3 スパッタ粒子 4 SiO2 膜 5 界面活性剤 6 液晶

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 基板に形成したセル内に、界面活性剤を
    所定量添加して溶解させた液晶を注入することにより垂
    直配向を得るようにしたことを特徴とする液晶表示素子
    の製造方法。
  2. 【請求項2】 基板上にSiO2 膜を成膜してセルを形
    成した後、該セル内に界面活性剤を所定量添加して溶解
    させた液晶を注入することにより垂直配向を得るように
    したことを特徴とする液晶表示素子の製造方法。
JP32110097A 1997-11-21 1997-11-21 液晶表示素子の製造方法 Withdrawn JPH11160706A (ja)

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