JP2879660B2 - 液晶表示装置 - Google Patents
液晶表示装置Info
- Publication number
- JP2879660B2 JP2879660B2 JP8130430A JP13043096A JP2879660B2 JP 2879660 B2 JP2879660 B2 JP 2879660B2 JP 8130430 A JP8130430 A JP 8130430A JP 13043096 A JP13043096 A JP 13043096A JP 2879660 B2 JP2879660 B2 JP 2879660B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- liquid crystal
- crystal display
- transparent electrode
- alignment
- display device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は液晶表示装置、詳し
くは液晶セルにおける透明電極と配向膜の構造に関す
る。 【０００２】 【従来の技術】従来、液晶表示装置を製造するにあた
り、透明電極は、真空蒸着法、スパッタリング法、ロー
ルコーティング法もしくは化学気相法により、透過率や
抵抗値に注目して膜厚のみの制御がされていた。又、無
機層もパシベーション効果、反射率等から膜厚に注目し
設計されていた。配向層に関しても基板の反射率等に注
目されて膜厚設計がなされていた。 【０００３】以上のように、透明電極・無機層・配向層
全てにおいて、膜厚による管理のみがされていた。 【０００４】 【発明が解決しようとする課題】しかし、前述の従来技
術では、配向層の下にくる電極もしくは無機層の結晶粒
の制限がない為、ネマティック液晶を用い、コレステリ
ック液晶よりなるカイラル剤の添加量を調整して９０°
以上ねじった場合、配向膜が薄く、結晶粒径が大きいと
下層の表面状態の影響を受け、液晶分子のティルト角が
不均一となり、配向不良が発生するという問題が生じ
た。又、液晶表示装置の大型化に伴い透明電極の抵抗を
下げる事が必要となり電極部を厚くする必要があるが、
電極を厚くすると、電極エッヂでの配向不良や、液晶注
入時のクロマト効果によるカイラルの不均一化による配
向不良が発生していた。 【０００５】そこで本発明はこの様な問題点を解決する
もので、その目的とする所は、なめらかで、平坦な配向
表面を形成し、配向を安定させる事にある。 【０００６】 【課題を解決するための手段】本発明の液晶表示装置
は、対向する内面に透明電極が形成された一対の基板間
に液晶層が挟持され、前記透明電極上に配向膜が形成さ
れた液晶表示装置において、前記一対の基板に形成され
た透明電極の結晶粒径が０．１μｍ以下であり、さらに
該透明電極と前記配向膜との間に結晶粒径が０．１μｍ
以下の無機膜が形成されてなることを特徴とする。 【０００７】また、前記配向膜が３００オングストロー
ム〜１０００オングストロームの膜厚で形成されてなる
ことを特徴とする。 【０００８】また、本発明の第３の液晶表示装置は、前
記無機膜は、ＴｉＯ2−ＺｒＯ2，ＳｉＯ2，ＴｉＯ2，Ａ
ｌ2Ｏ3，ＣｅＯ2，Ｓｉ3Ｎ4のいずれかよりなることを
特徴とする。 【０００９】配向層の膜厚に関しては１００〜１０００
オングストロームが望ましく、さらに好ましくは３００
〜１０００オングストロームである。３００オングスト
ローム未満では下層の透明電極の表面状態の影響を受け
やすくなり液晶分子のティルト角が不均一となってしま
う。又、１０００オングストロームを超えると上下透明
電極間の抵抗や配向特性の問題が発生する。 【００１０】透明電極及び無機膜の結晶粒径としては
０．１μｍ以下が望ましく、０．１μｍを超えると表面
の凹凸が激しくなり、液晶分子のティルト角に影響を及
ぼしやすいものである。 【００１１】 【発明の実施の形態】〔実施例１〕 図１は本発明の実施例を示す図である。洗浄したガラス
基板１上に、スパッタリング法により酸化インジウム−
酸化スズ（以下、ＩＴＯと呼ぶ）ターゲットを用いて透
明電極２を１０００オングストローム形成した。この
際、導入ガスとしてＡｒを１．５×１０-3（ｔｏｒｒ）
になるように導入しＯ 2 ガスを４×１０-3〜５×１０-3
（ｔｏｒｒ）になるように導入した。このようにして、
結晶粒径０．１μｍ以下で平均０．０５μｍの透明電極
２が形成できた。この透明電極２をフォト法により任意
のパターンに形成した後、配向層３としてポリイミド膜
を３００オングストローム〜１０００オングストローム
形成し、ラビング後ギャップ材５、シール材６を形成し
て液晶表示セルを作製した。 【００１２】次に比較例として、従来の例を示す。 【００１３】図２は、従来の液晶表示装置の構造を示す
図である。上記と同様にガラス基板上に透明電極２′
（ＩＴＯ膜）を形成するが、導入ガスとしてＡｒを１×
１０-3(ｔｏｒｒ）の条件で導入した。このようにして
形成されたＩＴＯをフォト法でパターン形成し、同じく
ポリイミド膜でなる配向層３′を２５０オングストロー
ム形成後、ラビング処理し上記と同様に液晶表示セルを
作製した。このようにしてできた液晶表示セルの透明電
極２′の結晶粒径を測定したところ０．５〜２μｍであ
った。従って、凹凸の激しい表面状態となっている。そ
して、上記液晶表示セルと前述した液晶表示セルに、ネ
マチック液晶にカイラルを混合した液晶を注入し、両者
を比較したところ液晶のねじれ具合４，４′は本実施例
による液晶表示セルの方が優れており、均一なねじれ状
態で安定した配向を得ることができた。 【００１４】〔実施例２〕 同じく実施例２を図１により説明する。 【００１５】エレクトロンビーム（ＥＢ）蒸着機によ
り、ＩＴＯタブレットを用いて透明電極２を１０００オ
ングストローム形成する。この時の条件は、導入Ｏ2 圧
５×１０-5〜８×１０-5(ｔｏｒｒ）になるようにして
蒸着後、ポリイミドでなる配向層３を２５０オングスト
ローム〜１０００オングストロームの範囲で数種に分け
て形成後、実施例１と同様にして液晶表示セルを作製し
た。この時の透明電極２の結晶粒径は０．０５μｍ以下
であった。 【００１６】次に比較例について説明する。 【００１７】上記と同じようにＥＢ蒸着機で、導入Ｏ2
圧１×１０-5〜５×１０-5(ｔｏｒｒ）になるようにし
てＩＴＯを蒸着後、フォト法で任意の形状にパターニン
グし透明電極２′形成し、この透明電極２′上にポリイ
ミドでなる配向層を１００オングストローム〜２５０オ
ングストローム形成して液晶表示セルを作製した。この
時の透明電極２′の結晶粒径を測定したところ１〜２μ
ｍであった。 【００１８】この両者を比較すると、実施例１と同様に
透明電極の結晶粒径が小さい本実施例の方が良好であっ
た。特に、本実施例では結晶粒径が０．０５μｍ以下で
あるので、配向層の厚みを２５０オングストロームとほ
ぼ従来と同様にしても良好な結果を得られ、さらに結晶
粒径を小さくすれば、配向層を薄くすることも可能と思
われる。 【００１９】〔実施例３〕 実施例１又は実施例２ と同様の方法でＩＴＯを結晶粒径
０．１μｍ以下になるように形成後、スパッタリング法
でこの上に、ＴｉＯ2 −ＺｒＯ2 の無機膜を５００オン
グストローム〜１０００オングストロームを形成して、
さらにこの上にポリイミドでなる配向層３を４００オン
グストローム〜１０００オングストローム形成する。こ
の際、前配無機膜の結晶粒径の大きさは０．１μｍ以下
とした。以上のように構成された液晶表示セルの配向状
態は、非常に安定しており良好であった。 【００２０】以上述べた実施例１及び２、そして実施例
３では透明電極及び無機膜を真空法で形成したが、他の
方法、例えばロールコーティング法、スプレー法などの
液組成による塗布や化学気相法でも結晶粒径を０．１μ
ｍ以下となるように、条件設定して行なう方法でも良
い。又、配向層としてはポリイミドの他、ポリイミドア
ミド、ポリビニルアルコール、ポリアミド等でも同様の
効果を有している。実施例１では、ＴｉＯ2 −ＺｒＯ2
の無機膜を使用したが、これに限定されるものではなく
例えばＳｉＯ2 ，ＴｉＯ2 ，Ａｌ2 Ｏ3 ，ＣｅＯ2 ，Ｓ
ｉ3 Ｎ4 等がある。 【００２１】 【発明の効果】以上のように、０．１μｍ以下の結晶粒
径を有する材料により前記基板上に電極を形成する工
程、前記電極が形成された前記基板上に３００Å〜１０
００Åの膜厚の配向膜を形成する工程、を有する製造方
法により、以下のような効果が得られる。 すなわち、
０．１μｍ以下の結晶粒径の細かな材料により電極を形
成することにより、表面が平坦な電極を形成することが
でき、液晶層が隣接する配向膜表面も平坦に形成するこ
とができる。したがって、配向膜表面には凹凸が無いた
め、液晶分子のティルト角が均一となり、配向不良のな
い液晶表示装置を得ることができる。 また、配向膜は、
３００Å未満では透明電極の影響を受け液晶分子のティ
ルト角が不均一になり、また１０００Åを越えると電極
間の抵抗や配向特性が劣化するため、３００〜１０００
Åにすることにより液晶分子が均一に配向した液晶表示
装置を得ることができる。
くは液晶セルにおける透明電極と配向膜の構造に関す
る。 【０００２】 【従来の技術】従来、液晶表示装置を製造するにあた
り、透明電極は、真空蒸着法、スパッタリング法、ロー
ルコーティング法もしくは化学気相法により、透過率や
抵抗値に注目して膜厚のみの制御がされていた。又、無
機層もパシベーション効果、反射率等から膜厚に注目し
設計されていた。配向層に関しても基板の反射率等に注
目されて膜厚設計がなされていた。 【０００３】以上のように、透明電極・無機層・配向層
全てにおいて、膜厚による管理のみがされていた。 【０００４】 【発明が解決しようとする課題】しかし、前述の従来技
術では、配向層の下にくる電極もしくは無機層の結晶粒
の制限がない為、ネマティック液晶を用い、コレステリ
ック液晶よりなるカイラル剤の添加量を調整して９０°
以上ねじった場合、配向膜が薄く、結晶粒径が大きいと
下層の表面状態の影響を受け、液晶分子のティルト角が
不均一となり、配向不良が発生するという問題が生じ
た。又、液晶表示装置の大型化に伴い透明電極の抵抗を
下げる事が必要となり電極部を厚くする必要があるが、
電極を厚くすると、電極エッヂでの配向不良や、液晶注
入時のクロマト効果によるカイラルの不均一化による配
向不良が発生していた。 【０００５】そこで本発明はこの様な問題点を解決する
もので、その目的とする所は、なめらかで、平坦な配向
表面を形成し、配向を安定させる事にある。 【０００６】 【課題を解決するための手段】本発明の液晶表示装置
は、対向する内面に透明電極が形成された一対の基板間
に液晶層が挟持され、前記透明電極上に配向膜が形成さ
れた液晶表示装置において、前記一対の基板に形成され
た透明電極の結晶粒径が０．１μｍ以下であり、さらに
該透明電極と前記配向膜との間に結晶粒径が０．１μｍ
以下の無機膜が形成されてなることを特徴とする。 【０００７】また、前記配向膜が３００オングストロー
ム〜１０００オングストロームの膜厚で形成されてなる
ことを特徴とする。 【０００８】また、本発明の第３の液晶表示装置は、前
記無機膜は、ＴｉＯ2−ＺｒＯ2，ＳｉＯ2，ＴｉＯ2，Ａ
ｌ2Ｏ3，ＣｅＯ2，Ｓｉ3Ｎ4のいずれかよりなることを
特徴とする。 【０００９】配向層の膜厚に関しては１００〜１０００
オングストロームが望ましく、さらに好ましくは３００
〜１０００オングストロームである。３００オングスト
ローム未満では下層の透明電極の表面状態の影響を受け
やすくなり液晶分子のティルト角が不均一となってしま
う。又、１０００オングストロームを超えると上下透明
電極間の抵抗や配向特性の問題が発生する。 【００１０】透明電極及び無機膜の結晶粒径としては
０．１μｍ以下が望ましく、０．１μｍを超えると表面
の凹凸が激しくなり、液晶分子のティルト角に影響を及
ぼしやすいものである。 【００１１】 【発明の実施の形態】〔実施例１〕 図１は本発明の実施例を示す図である。洗浄したガラス
基板１上に、スパッタリング法により酸化インジウム−
酸化スズ（以下、ＩＴＯと呼ぶ）ターゲットを用いて透
明電極２を１０００オングストローム形成した。この
際、導入ガスとしてＡｒを１．５×１０-3（ｔｏｒｒ）
になるように導入しＯ 2 ガスを４×１０-3〜５×１０-3
（ｔｏｒｒ）になるように導入した。このようにして、
結晶粒径０．１μｍ以下で平均０．０５μｍの透明電極
２が形成できた。この透明電極２をフォト法により任意
のパターンに形成した後、配向層３としてポリイミド膜
を３００オングストローム〜１０００オングストローム
形成し、ラビング後ギャップ材５、シール材６を形成し
て液晶表示セルを作製した。 【００１２】次に比較例として、従来の例を示す。 【００１３】図２は、従来の液晶表示装置の構造を示す
図である。上記と同様にガラス基板上に透明電極２′
（ＩＴＯ膜）を形成するが、導入ガスとしてＡｒを１×
１０-3(ｔｏｒｒ）の条件で導入した。このようにして
形成されたＩＴＯをフォト法でパターン形成し、同じく
ポリイミド膜でなる配向層３′を２５０オングストロー
ム形成後、ラビング処理し上記と同様に液晶表示セルを
作製した。このようにしてできた液晶表示セルの透明電
極２′の結晶粒径を測定したところ０．５〜２μｍであ
った。従って、凹凸の激しい表面状態となっている。そ
して、上記液晶表示セルと前述した液晶表示セルに、ネ
マチック液晶にカイラルを混合した液晶を注入し、両者
を比較したところ液晶のねじれ具合４，４′は本実施例
による液晶表示セルの方が優れており、均一なねじれ状
態で安定した配向を得ることができた。 【００１４】〔実施例２〕 同じく実施例２を図１により説明する。 【００１５】エレクトロンビーム（ＥＢ）蒸着機によ
り、ＩＴＯタブレットを用いて透明電極２を１０００オ
ングストローム形成する。この時の条件は、導入Ｏ2 圧
５×１０-5〜８×１０-5(ｔｏｒｒ）になるようにして
蒸着後、ポリイミドでなる配向層３を２５０オングスト
ローム〜１０００オングストロームの範囲で数種に分け
て形成後、実施例１と同様にして液晶表示セルを作製し
た。この時の透明電極２の結晶粒径は０．０５μｍ以下
であった。 【００１６】次に比較例について説明する。 【００１７】上記と同じようにＥＢ蒸着機で、導入Ｏ2
圧１×１０-5〜５×１０-5(ｔｏｒｒ）になるようにし
てＩＴＯを蒸着後、フォト法で任意の形状にパターニン
グし透明電極２′形成し、この透明電極２′上にポリイ
ミドでなる配向層を１００オングストローム〜２５０オ
ングストローム形成して液晶表示セルを作製した。この
時の透明電極２′の結晶粒径を測定したところ１〜２μ
ｍであった。 【００１８】この両者を比較すると、実施例１と同様に
透明電極の結晶粒径が小さい本実施例の方が良好であっ
た。特に、本実施例では結晶粒径が０．０５μｍ以下で
あるので、配向層の厚みを２５０オングストロームとほ
ぼ従来と同様にしても良好な結果を得られ、さらに結晶
粒径を小さくすれば、配向層を薄くすることも可能と思
われる。 【００１９】〔実施例３〕 実施例１又は実施例２ と同様の方法でＩＴＯを結晶粒径
０．１μｍ以下になるように形成後、スパッタリング法
でこの上に、ＴｉＯ2 −ＺｒＯ2 の無機膜を５００オン
グストローム〜１０００オングストロームを形成して、
さらにこの上にポリイミドでなる配向層３を４００オン
グストローム〜１０００オングストローム形成する。こ
の際、前配無機膜の結晶粒径の大きさは０．１μｍ以下
とした。以上のように構成された液晶表示セルの配向状
態は、非常に安定しており良好であった。 【００２０】以上述べた実施例１及び２、そして実施例
３では透明電極及び無機膜を真空法で形成したが、他の
方法、例えばロールコーティング法、スプレー法などの
液組成による塗布や化学気相法でも結晶粒径を０．１μ
ｍ以下となるように、条件設定して行なう方法でも良
い。又、配向層としてはポリイミドの他、ポリイミドア
ミド、ポリビニルアルコール、ポリアミド等でも同様の
効果を有している。実施例１では、ＴｉＯ2 −ＺｒＯ2
の無機膜を使用したが、これに限定されるものではなく
例えばＳｉＯ2 ，ＴｉＯ2 ，Ａｌ2 Ｏ3 ，ＣｅＯ2 ，Ｓ
ｉ3 Ｎ4 等がある。 【００２１】 【発明の効果】以上のように、０．１μｍ以下の結晶粒
径を有する材料により前記基板上に電極を形成する工
程、前記電極が形成された前記基板上に３００Å〜１０
００Åの膜厚の配向膜を形成する工程、を有する製造方
法により、以下のような効果が得られる。 すなわち、
０．１μｍ以下の結晶粒径の細かな材料により電極を形
成することにより、表面が平坦な電極を形成することが
でき、液晶層が隣接する配向膜表面も平坦に形成するこ
とができる。したがって、配向膜表面には凹凸が無いた
め、液晶分子のティルト角が均一となり、配向不良のな
い液晶表示装置を得ることができる。 また、配向膜は、
３００Å未満では透明電極の影響を受け液晶分子のティ
ルト角が不均一になり、また１０００Åを越えると電極
間の抵抗や配向特性が劣化するため、３００〜１０００
Åにすることにより液晶分子が均一に配向した液晶表示
装置を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の液晶表示装置の構成を示す図。
【図２】従来の液晶表示装置の構成を示す図。
【符号の説明】
１・・・・・基板
２，２’・・・透明電極
３，３’・・・配向層
４，４’・・・液晶のねじれ具合
５・・・・・ギャップ材
６・・・・・シール材
７・・・・・液晶層
Claims (1)
- (57)【特許請求の範囲】 １．対向する内面に透明電極が形成された一対の基板間
に液晶層が挟持され、前記透明電極上に配向膜が形成さ
れた液晶表示装置において、 前記一対の基板に形成された透明電極の結晶粒径が０．
１μｍ以下であり、さらに該透明電極と前記配向膜との
間に結晶粒径が０．１μｍ以下の無機膜が形成されてな
ることを特徴とする液晶表示装置。 ２．前記配向膜が３００オングストローム〜１０００オ
ングストロームの膜厚で形成されてなることを特徴とす
る請求項１記載の液晶表示装置。 ３．前記無機膜は、ＴｉＯ2−ＺｒＯ2，ＳｉＯ2，Ｔｉ
Ｏ2，Ａｌ2Ｏ3，ＣｅＯ2，Ｓｉ3Ｎ4のいずれかよりなる
ことを特徴とする請求項１記載の液晶表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8130430A JP2879660B2 (ja) | 1996-05-24 | 1996-05-24 | 液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8130430A JP2879660B2 (ja) | 1996-05-24 | 1996-05-24 | 液晶表示装置 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6482487A Division JPS63231318A (ja) | 1987-03-19 | 1987-03-19 | 液晶表示装置 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10246033A Division JP3030773B2 (ja) | 1998-08-31 | 1998-08-31 | 液晶表示装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08334750A JPH08334750A (ja) | 1996-12-17 |
| JP2879660B2 true JP2879660B2 (ja) | 1999-04-05 |
Family
ID=15034056
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8130430A Expired - Lifetime JP2879660B2 (ja) | 1996-05-24 | 1996-05-24 | 液晶表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2879660B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7372610B2 (en) | 2005-02-23 | 2008-05-13 | Sage Electrochromics, Inc. | Electrochromic devices and methods |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58140723A (ja) * | 1982-02-15 | 1983-08-20 | Canon Inc | フイルム送給装置 |
| JPS6199121A (ja) * | 1984-10-22 | 1986-05-17 | Sharp Corp | ツイステツド・ネマテイツク電界効果型液晶表示素子 |
-
1996
- 1996-05-24 JP JP8130430A patent/JP2879660B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH08334750A (ja) | 1996-12-17 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100368349B1 (ko) | 액정 디스플레이 디바이스 및 그 제조방법과, 경사진 호메오트로픽 배향 액정 디스플레이 디바이스 및 그 제조방법과, 호메오트로픽 배향 액정 디스플레이 디바이스, 멀티 도메인 액정 디바이스 및 멀티 도메인 호메오트로픽 배향 액정 디스플레이 디바이스 | |
| JPH05273537A (ja) | 強誘電性液晶素子及び該素子の製造方法 | |
| JPH07270613A (ja) | 誘電干渉フィルタ系、ｌｃｄディスプレイ及びｃｃｄ配置構成、並びに誘電干渉フィルタ系の製造法とその使用 | |
| US20090009703A1 (en) | Liquid crystal display and method of manufacturing the same | |
| JP2879660B2 (ja) | 液晶表示装置 | |
| JP3030773B2 (ja) | 液晶表示装置の製造方法 | |
| JPH05289109A (ja) | 液晶表示装置 | |
| JP3093613B2 (ja) | 液晶素子 | |
| JPH05210101A (ja) | 強誘電性液晶素子の製造方法 | |
| JP2643296B2 (ja) | カラー液晶表示素子 | |
| US5011268A (en) | Inorganic alignment layer for liquid crystal devices and method of forming | |
| JP2544945B2 (ja) | 強誘電性液晶素子 | |
| JPS63231318A (ja) | 液晶表示装置 | |
| JPH0713147A (ja) | カラーフィルター基板及び液晶表示素子 | |
| JPH01120535A (ja) | 強誘電性液晶素子 | |
| JPH09179082A (ja) | 光量調節用のディスプレイ装置 | |
| JP2983724B2 (ja) | 強誘電性液晶素子の配向処理法 | |
| JP5328246B2 (ja) | 液晶装置およびその製造方法 | |
| JPH05241166A (ja) | 液晶表示装置 | |
| JPH11160706A (ja) | 液晶表示素子の製造方法 | |
| JP2002202509A (ja) | 液晶表示装置およびその製造方法 | |
| JPH0368924A (ja) | 液晶表示装置 | |
| JPH04280227A (ja) | 液晶表示素子の製造方法 | |
| JPH0229624A (ja) | 強誘電性液晶素子の配向膜の製造方法 | |
| JP2853198B2 (ja) | 液晶表示装置およびその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |