JPH08334750A - 液晶表示装置 - Google Patents
液晶表示装置Info
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- JPH08334750A JPH08334750A JP13043096A JP13043096A JPH08334750A JP H08334750 A JPH08334750 A JP H08334750A JP 13043096 A JP13043096 A JP 13043096A JP 13043096 A JP13043096 A JP 13043096A JP H08334750 A JPH08334750 A JP H08334750A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】透明電極の膜厚が厚くなると配向膜表面に凹凸
が生じ不均一となる。従って、電極エッジ部分で液晶の
配向不良が生じ、均一な表示が得られない。 【解決手段】配向膜表面の凹凸を解消し、配向膜表面を
なめらかでほぼ平坦にするために、透明電極の結晶粒径
を０．１μｍ以下とし、また透明電極と配向膜との間に
結晶粒径が０．１μｍ以下である無機膜を形成した。
が生じ不均一となる。従って、電極エッジ部分で液晶の
配向不良が生じ、均一な表示が得られない。 【解決手段】配向膜表面の凹凸を解消し、配向膜表面を
なめらかでほぼ平坦にするために、透明電極の結晶粒径
を０．１μｍ以下とし、また透明電極と配向膜との間に
結晶粒径が０．１μｍ以下である無機膜を形成した。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は液晶表示装置、詳し
くは液晶セルにおける透明電極と配向膜の構造に関す
る。
くは液晶セルにおける透明電極と配向膜の構造に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】従来、液晶表示装置を製造するにあた
り、透明電極は、真空蒸着法、スパッタリング法、ロー
ルコーティング法もしくは化学気相法により、透過率や
抵抗値に注目して膜厚のみの制御がされていた。又、無
機層もパシベーション効果、反射率等から膜厚に注目し
設計されていた。配向層に関しても基板の反射率等に注
目されて膜厚設計がなされていた。
り、透明電極は、真空蒸着法、スパッタリング法、ロー
ルコーティング法もしくは化学気相法により、透過率や
抵抗値に注目して膜厚のみの制御がされていた。又、無
機層もパシベーション効果、反射率等から膜厚に注目し
設計されていた。配向層に関しても基板の反射率等に注
目されて膜厚設計がなされていた。
【０００３】以上のように、透明電極・無機層・配向層
全てにおいて、膜厚による管理のみがされていた。
全てにおいて、膜厚による管理のみがされていた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、前述の従来技
術では、配向層の下にくる電極もしくは無機層の結晶粒
の制限がない為、ネマティック液晶を用い、コレステリ
ック液晶よりなるカイラル剤の添加量を調整して９０°
以上ねじった場合、配向膜が薄く、結晶粒径が大きいと
下層の表面状態の影響を受け、液晶分子のティルト角が
不均一となり、配向不良が発生するという問題が生じ
た。又、液晶表示装置の大型化に伴い透明電極の抵抗を
下げる事が必要となり電極部を厚くする必要があるが、
電極を厚くすると、電極エッヂでの配向不良や、液晶注
入時のクロマト効果によるカイラルの不均一化による配
向不良が発生していた。
術では、配向層の下にくる電極もしくは無機層の結晶粒
の制限がない為、ネマティック液晶を用い、コレステリ
ック液晶よりなるカイラル剤の添加量を調整して９０°
以上ねじった場合、配向膜が薄く、結晶粒径が大きいと
下層の表面状態の影響を受け、液晶分子のティルト角が
不均一となり、配向不良が発生するという問題が生じ
た。又、液晶表示装置の大型化に伴い透明電極の抵抗を
下げる事が必要となり電極部を厚くする必要があるが、
電極を厚くすると、電極エッヂでの配向不良や、液晶注
入時のクロマト効果によるカイラルの不均一化による配
向不良が発生していた。
【０００５】そこで本発明はこの様な問題点を解決する
もので、その目的とする所は、なめらかで、平坦な配向
表面を形成し、配向を安定させる事にある。
もので、その目的とする所は、なめらかで、平坦な配向
表面を形成し、配向を安定させる事にある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の液晶表示装置
は、対向する内面に透明電極が形成された一対の基板間
に液晶層が挟持され、前記透明電極上に配向膜が形成さ
れた液晶表示装置において、対向する前記一対の基板に
形成された透明電極の結晶粒径が０．１μｍ以下であ
り、さらに該透明電極と前記配向膜との間に結晶粒径が
０．１μｍ以下の無機膜が形成されてなることを特徴と
する。
は、対向する内面に透明電極が形成された一対の基板間
に液晶層が挟持され、前記透明電極上に配向膜が形成さ
れた液晶表示装置において、対向する前記一対の基板に
形成された透明電極の結晶粒径が０．１μｍ以下であ
り、さらに該透明電極と前記配向膜との間に結晶粒径が
０．１μｍ以下の無機膜が形成されてなることを特徴と
する。
【０００７】また、本発明の第２の液晶表示装置は、前
記配向膜が３００オングストローム〜１０００オングス
トロームの膜厚で形成されてなることを特徴とする。
記配向膜が３００オングストローム〜１０００オングス
トロームの膜厚で形成されてなることを特徴とする。
【０００８】また、本発明の第３の液晶表示装置は、前
記無機膜は、ＴｉＯ2−ＺｒＯ2，ＳｉＯ2，ＴｉＯ2，Ａ
ｌ2Ｏ3，ＣｅＯ2，Ｓｉ3Ｎ4のいずれかよりなることを
特徴とする。
記無機膜は、ＴｉＯ2−ＺｒＯ2，ＳｉＯ2，ＴｉＯ2，Ａ
ｌ2Ｏ3，ＣｅＯ2，Ｓｉ3Ｎ4のいずれかよりなることを
特徴とする。
【０００９】配向層の膜厚に関しては１００〜１０００
オングストロームが望ましく、さらに好ましくは３００
〜１０００オングストロームである。３００オングスト
ローム未満では下層の透明電極の表面状態の影響を受け
やすくなり液晶分子のティルト角が不均一となってしま
う。又、１０００オングストロームを超えると上下透明
電極間の抵抗や配向特性の問題が発生する。
オングストロームが望ましく、さらに好ましくは３００
〜１０００オングストロームである。３００オングスト
ローム未満では下層の透明電極の表面状態の影響を受け
やすくなり液晶分子のティルト角が不均一となってしま
う。又、１０００オングストロームを超えると上下透明
電極間の抵抗や配向特性の問題が発生する。
【００１０】透明電極及び無機膜の結晶粒径としては
０．１μｍ以下が望ましく、０．１μｍを超えると表面
の凹凸が激しくなり、液晶分子のティルト角に影響を及
ぼしやすいものである。
０．１μｍ以下が望ましく、０．１μｍを超えると表面
の凹凸が激しくなり、液晶分子のティルト角に影響を及
ぼしやすいものである。
【００１１】
〔実施例１〕図１は本発明の一実施例を示す図である。
洗浄したガラス基板１上に、スパッタリング法により酸
化インジウム−酸化スズ（以下、ＩＴＯと呼ぶ）ターゲ
ットを用いて透明電極２を１０００オングストローム形
成した。この際、導入ガスとしてＡｒを１．５×１０-3
（ｔｏｒｒ）になるように導入しＯ2 ガスを４×１０-3
〜５×１０-3（ｔｏｒｒ）になるように導入した。この
ようにして、結晶粒径０．１μｍ以下で平均０．０５μ
ｍの透明電極２が形成できた。この透明電極２をフォト
法により任意のパターンに形成した後、配向層３として
ポリイミド膜を３００オングストローム〜１０００オン
グストローム形成し、ラビング後ギャップ材５、シール
材６を形成して液晶表示セルを作製した。
洗浄したガラス基板１上に、スパッタリング法により酸
化インジウム−酸化スズ（以下、ＩＴＯと呼ぶ）ターゲ
ットを用いて透明電極２を１０００オングストローム形
成した。この際、導入ガスとしてＡｒを１．５×１０-3
（ｔｏｒｒ）になるように導入しＯ2 ガスを４×１０-3
〜５×１０-3（ｔｏｒｒ）になるように導入した。この
ようにして、結晶粒径０．１μｍ以下で平均０．０５μ
ｍの透明電極２が形成できた。この透明電極２をフォト
法により任意のパターンに形成した後、配向層３として
ポリイミド膜を３００オングストローム〜１０００オン
グストローム形成し、ラビング後ギャップ材５、シール
材６を形成して液晶表示セルを作製した。
【００１２】次に比較例として、従来の例を示す。
【００１３】図２は、従来の液晶表示装置の構造を示す
図である。上記と同様にガラス基板上に透明電極２′
（ＩＴＯ膜）を形成するが、導入ガスとしてＡｒを１×
１０-3（ｔｏｒｒ）の条件で導入した。このようにして
形成されたＩＴＯをフォト法でパターン形成し、同じく
ポリイミド膜でなる配向層３′を２５０オングストロー
ム形成後、ラビング処理し上記と同様に液晶表示セルを
作製した。このようにしてできた液晶表示セルの透明電
極２′の結晶粒径を測定したところ０．５〜２μｍであ
った。従って、凹凸の激しい表面状態となっている。そ
して、上記液晶表示セルと前述した液晶表示セルに、ネ
マチック液晶にカイラルを混合した液晶を注入し、両者
を比較したところ液晶のねじれ具合４，４′は本実施例
による液晶表示セルの方が優れており、均一なねじれ状
態で安定した配向を得ることができた。
図である。上記と同様にガラス基板上に透明電極２′
（ＩＴＯ膜）を形成するが、導入ガスとしてＡｒを１×
１０-3（ｔｏｒｒ）の条件で導入した。このようにして
形成されたＩＴＯをフォト法でパターン形成し、同じく
ポリイミド膜でなる配向層３′を２５０オングストロー
ム形成後、ラビング処理し上記と同様に液晶表示セルを
作製した。このようにしてできた液晶表示セルの透明電
極２′の結晶粒径を測定したところ０．５〜２μｍであ
った。従って、凹凸の激しい表面状態となっている。そ
して、上記液晶表示セルと前述した液晶表示セルに、ネ
マチック液晶にカイラルを混合した液晶を注入し、両者
を比較したところ液晶のねじれ具合４，４′は本実施例
による液晶表示セルの方が優れており、均一なねじれ状
態で安定した配向を得ることができた。
【００１４】〔実施例２〕同じく本実施例を図１により
説明する。
説明する。
【００１５】エレクトロンビーム（ＥＢ）蒸着機によ
り、ＩＴＯタブレットを用いて透明電極２を１０００オ
ングストローム形成する。この時の条件は、導入Ｏ2 圧
５×１０-5〜８×１０-5（ｔｏｒｒ）になるようにして
蒸着後、ポリイミドでなる配向層３を２５０オングスト
ローム〜１０００オングストロームの範囲で数種に分け
て形成後、実施例１と同様にして液晶表示セルを作製し
た。この時の透明電極２の結晶粒径は０．０５μｍ以下
であった。
り、ＩＴＯタブレットを用いて透明電極２を１０００オ
ングストローム形成する。この時の条件は、導入Ｏ2 圧
５×１０-5〜８×１０-5（ｔｏｒｒ）になるようにして
蒸着後、ポリイミドでなる配向層３を２５０オングスト
ローム〜１０００オングストロームの範囲で数種に分け
て形成後、実施例１と同様にして液晶表示セルを作製し
た。この時の透明電極２の結晶粒径は０．０５μｍ以下
であった。
【００１６】次に比較例について説明する。
【００１７】上配と同じようにＥＢ蒸着機で、導入Ｏ2
圧１×１０-5〜５×１０-5（ｔｏｒｒ）になるようにし
てＩＴＯを蒸着後、フォト法で任意の形状にパターニン
グし透明電極２′形成し、この透明電極２′上にポリイ
ミドでなる配向層を１００オングストローム〜２５０オ
ングストローム形成して液晶表示セルを作製した。この
時の透明電極２′の結晶粒径を測定したところ１〜２μ
ｍであった。
圧１×１０-5〜５×１０-5（ｔｏｒｒ）になるようにし
てＩＴＯを蒸着後、フォト法で任意の形状にパターニン
グし透明電極２′形成し、この透明電極２′上にポリイ
ミドでなる配向層を１００オングストローム〜２５０オ
ングストローム形成して液晶表示セルを作製した。この
時の透明電極２′の結晶粒径を測定したところ１〜２μ
ｍであった。
【００１８】この両者を比較すると、実施例１と同様に
透明電極の結晶粒径が小さい本実施例の方が良好であっ
た。特に、本実施例では結晶粒径が０．０５μｍ以下で
あるので、配向層の厚みを２５０オングストロームとほ
ぽ従来と同様にしても良好な結果を得られ、さらに結晶
粒径を小さくすれば、配向層を薄くすることも可能と思
われる。
透明電極の結晶粒径が小さい本実施例の方が良好であっ
た。特に、本実施例では結晶粒径が０．０５μｍ以下で
あるので、配向層の厚みを２５０オングストロームとほ
ぽ従来と同様にしても良好な結果を得られ、さらに結晶
粒径を小さくすれば、配向層を薄くすることも可能と思
われる。
【００１９】〔実旅例３〕実施例１又は実施例２に示し
た本発明の実施例と同様の方法でＩＴＯを結晶粒径０．
１μｍ以下になるように形成後、スパッタリング法でこ
の上に、ＴｉＯ2一ＺｒＯ2 の無機膜を５００オングス
トローム〜１０００オングストロームを形成して、さら
にこの上にポリイミドでなる配向層３を４００オングス
トローム〜１０００オングストローム形成する。この
際、前配無機膜の結晶粒径の大きさは０．１μｍ以下と
した。以上のように構成された液晶表示セルの配向状態
は、非常に安定しており良好であった。
た本発明の実施例と同様の方法でＩＴＯを結晶粒径０．
１μｍ以下になるように形成後、スパッタリング法でこ
の上に、ＴｉＯ2一ＺｒＯ2 の無機膜を５００オングス
トローム〜１０００オングストロームを形成して、さら
にこの上にポリイミドでなる配向層３を４００オングス
トローム〜１０００オングストローム形成する。この
際、前配無機膜の結晶粒径の大きさは０．１μｍ以下と
した。以上のように構成された液晶表示セルの配向状態
は、非常に安定しており良好であった。
【００２０】以上述べた実施例１〜３では透明電極及び
無機膜を真空法で形成したが、他の方法、例えばロール
コーティング法、スプレー法などの液組成による塗布や
化学気相法でも結晶粒径を０．１μｍ以下となるよう
に、条件設定して行なう方法でも良い。又、配向層とし
てはポリイミドの他、ポリイミドアミド、ポリビニルア
ルコール、ポリアミド等でも同様の効果を有している。
実施例３では、ＴｉＯ2ーＺｒＯ2 の無機膜を使用した
が、これに限定されるものではなく例えばＳｉＯ2 ，Ｔ
ｉＯ2 ，Ａｌ2 Ｏ3 ，ＣｅＯ2 ，Ｓｉ3 Ｎ4 等がある。
無機膜を真空法で形成したが、他の方法、例えばロール
コーティング法、スプレー法などの液組成による塗布や
化学気相法でも結晶粒径を０．１μｍ以下となるよう
に、条件設定して行なう方法でも良い。又、配向層とし
てはポリイミドの他、ポリイミドアミド、ポリビニルア
ルコール、ポリアミド等でも同様の効果を有している。
実施例３では、ＴｉＯ2ーＺｒＯ2 の無機膜を使用した
が、これに限定されるものではなく例えばＳｉＯ2 ，Ｔ
ｉＯ2 ，Ａｌ2 Ｏ3 ，ＣｅＯ2 ，Ｓｉ3 Ｎ4 等がある。
【００２１】
【発明の効果】以上述べた様に、透明電極の結晶粒径が
０．１μｍ以下であり、さらに透明電極と配向膜との間
に結晶粒径が０．１μｍ以下の無機膜が形成されてなる
ため、配向面がほぼなめらかで、ほぼ平坦となる。従っ
て、配向面が平坦で安定しているため、液晶の配向状態
が安定する。
０．１μｍ以下であり、さらに透明電極と配向膜との間
に結晶粒径が０．１μｍ以下の無機膜が形成されてなる
ため、配向面がほぼなめらかで、ほぼ平坦となる。従っ
て、配向面が平坦で安定しているため、液晶の配向状態
が安定する。
【図１】 本発明の液晶表示装置の構造を示す図。
【図２】 従来の液晶表示装置の構造を示す図。
１・・・・・基板 ２，２′・・透明電極 ３，３′・・配向層、 ４，４′・・液晶のねじれ具合 ５・・・・・ギャップ材 ６・・・・・シール材 ７・・・・・液晶層
Claims (3)
- 【請求項１】対向する内面に透明電極が形成された一対
の基板間に液晶層が挟持され、前記透明電極上に配向膜
が形成された液晶表示装置において、対向する前記一対
の基板に形成された透明電極の結晶粒径が０．１μｍ以
下であり、さらに該透明電極と前記配向膜との間に結晶
粒径が０．１μｍ以下の無機膜が形成されてなることを
特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項２】前記配向膜が３００オングストローム〜１
０００オングストロームの膜厚で形成されてなることを
特徴とする請求項１記載の液晶表示装置。 - 【請求項３】前記無機膜は、ＴｉＯ2−ＺｒＯ2，ＳｉＯ
2，ＴｉＯ2，Ａｌ2Ｏ3，ＣｅＯ2，Ｓｉ3Ｎ4のいずれか
よりなることを特徴とする請求項１記載の液晶表示装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8130430A JP2879660B2 (ja) | 1996-05-24 | 1996-05-24 | 液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8130430A JP2879660B2 (ja) | 1996-05-24 | 1996-05-24 | 液晶表示装置 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6482487A Division JPS63231318A (ja) | 1987-03-19 | 1987-03-19 | 液晶表示装置 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10246033A Division JP3030773B2 (ja) | 1998-08-31 | 1998-08-31 | 液晶表示装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08334750A true JPH08334750A (ja) | 1996-12-17 |
| JP2879660B2 JP2879660B2 (ja) | 1999-04-05 |
Family
ID=15034056
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8130430A Expired - Lifetime JP2879660B2 (ja) | 1996-05-24 | 1996-05-24 | 液晶表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2879660B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9581875B2 (en) | 2005-02-23 | 2017-02-28 | Sage Electrochromics, Inc. | Electrochromic devices and methods |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58140723A (ja) * | 1982-02-15 | 1983-08-20 | Canon Inc | フイルム送給装置 |
| JPS6199121A (ja) * | 1984-10-22 | 1986-05-17 | Sharp Corp | ツイステツド・ネマテイツク電界効果型液晶表示素子 |
-
1996
- 1996-05-24 JP JP8130430A patent/JP2879660B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58140723A (ja) * | 1982-02-15 | 1983-08-20 | Canon Inc | フイルム送給装置 |
| JPS6199121A (ja) * | 1984-10-22 | 1986-05-17 | Sharp Corp | ツイステツド・ネマテイツク電界効果型液晶表示素子 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9581875B2 (en) | 2005-02-23 | 2017-02-28 | Sage Electrochromics, Inc. | Electrochromic devices and methods |
| US10061174B2 (en) | 2005-02-23 | 2018-08-28 | Sage Electrochromics, Inc. | Electrochromic devices and methods |
| US11567383B2 (en) | 2005-02-23 | 2023-01-31 | Sage Electrochromics, Inc. | Electrochromic devices and methods |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2879660B2 (ja) | 1999-04-05 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |